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Fターム[5F044AA02]の内容

ボンディング (23,044) | ワイヤによるペレット電極との接続構造 (951) | 配線基板との接続 (306)

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【課題】 二接続部間を複数のワイヤで接続する際各ワイヤの長さを同じ長さにする。
【解決手段】 ワイヤ接続部を含む配線及び外部電極端子を有するモジュール基板と、前記基板の上面側に固定され上面に電極を有する半導体チップと、半導体チップの電極とワイヤ接続部を接続する導電性のワイヤとを有し、半導体チップの所定の電極及び所定のワイヤ接続部は並列に配置されかつ長い形状となり、所定の電極及びワイヤ接続部は複数本の同じ長さのワイヤで接続され、所定の電極及び所定のワイヤ接続部のうちのいずれか一方の短辺の幅は、半導体チップの固定位置ずれによっても各ワイヤが接続できるようにワイヤを接続するに必要なワイヤ接続面積の数倍の大きさに相当する長さになっている。 (もっと読む)


超微細ピッチをもつ接合用パッドに細いワイヤーを結線するためのボンディング工具が開示されている。上記ボンディング工具はその端に作業先端部を備える。上記作業先端部は環状斜角面を含み、その環状斜角面は上記作業先端部の上記端の内部に形成され、その内部の上記環状斜角面は約60°未満の角度をもつ。上記内部の上記環状斜角面は、ボンディング工具内に形成された円筒管の下部に結合されている。
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【課題】低コストで、かつ、実装面積を増大させずに、半導体の実装基板にチップを実装する半導体装置の実装方法を提供する。
【解決手段】先ず、実装基板210を用意し、さらに、2以上の素子が形成された半導体チップとして高誘電体キャパシタが形成されたコンデンサチップ200を用意する。次に、実装基板上に半導体チップを積層する。次に、半導体チップに形成された導電端子90と、実装基板とをワイヤボンディングで接続する。 (もっと読む)


本発明の一態様は、デバイスのパワーまたはグラウンドとBGAパッケージとを接続する経路のインピーダンスを減らすことに関する。一つの特定の実現例では、シグナルボンドワイヤ(115)から所定の距離を置いてグラウンドストラップ(130)を配置することによって、シグナルボンドワイヤのインピーダンスを制御する。関係する実施形態では、ワイヤボンド(115)の近傍でデバイスダイ(140)とパッケージとの間に低インピーダンスのパワーまたはグラウンド接続を設ける。集積回路(140)は、複数のグラウンドパッド、シグナルパッド、パワーパッド、及び前記集積回路を実装するためのパッケージを含む。パッケージ(100)は、複数のパッドランディング(110)、集積回路(140)を取り囲むグラウンドリング(105)、及び集積回路のグラウンドパッド(120)にグラウンドリング(105)を結合するグラウンドストラップ(130)を備える。
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【課題】 パワー半導体装置において振動や強制的な熱サイクルが加わるようなことがあっても、ワイヤーボンドが接続部で容易に破断してしまうことが無く、接続部での信頼性を向上させる。
【解決手段】 パワー半導体装置において、配線用の金属導体として、ボンディングワイヤ6により銅配線回路2とパワー半導体素子3間、銅配線回路2とケース端子部7間がそれぞれ接続されており、銅配線回路2、パワー半導体素子3のAl電極表面、ケース端子部7、ボンディングワイヤ6の露出導体部分には、電着法により、エポキシ系樹脂絶縁皮膜9が形成されている。 (もっと読む)


【課題】既存のワイヤボンディング装置を何ら改造することなくファインピッチ化及び低ループ化が図れると共に、ワイヤ先端部の曲げの信頼性の向上が図れる。
【解決手段】第1ボンディング12工程前に該第1ボンディング12工程直前の第2ボンディング15工程におけるワイヤ切断工程によって、キャピラリ6の先端部より突出したワイヤ10を横方向に折り曲げて曲げ部11を形成する。前記第1ボンディング12工程は、曲げ部11をパッド2にボンディングして下部第1ボンディング部12を形成する工程と、キャピラリ6を上昇及び配線4側に移動させ、その後キャピラリ6を下降させてワイヤ10を下部第1ボンディング部12上に重ねて接続して上部第1ボンディング部14を形成する工程とからなる
【選択図】 図1
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【課題】 積層構造の半導体チップの積層段間の配線の際に受ける熱の影響を当該チップ以外のかかる熱量を減少させ、半導体装置の信頼性を向上させることのできる積層型半導体装置の製造方法および製造装置を提供する。
【解決手段】 積層型半導体装置の製造方法は、支持基板上に半導体チップを複数段積層した積層チップを複数個配置し、各積層チップ単位で加熱を行いながら各積層チップにおける各段の半導体チップと前記支持基板間をワイヤで接続し、各積層チップの樹脂封止を行い、各積層チップごとに分離する、ことを特徴とする。積層型半導体装置の製造装置は、半導体チップを複数段積層した積層チップが複数個配置された支持基板の下方に、前記積層チップに対応して設けられた分割ヒータブロックと、この分割ヒータブロックをワイヤボンディング作業が行われる前記積層チップに対応して選択的に伝熱を行わせるようにしている。 (もっと読む)


【課題】 リードフレーム基盤及び基板基盤半導体パッケージ用ボンディング構造とその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明は、半導体素子パッケージのボンディング構造において、チップダイのサイズが増加されないながらボンディングワイヤーのボンディング角が許容限界内に維持されるダイ−対−パッケージボンディング構造に関するものである。これにより、隣接したボンディングワイヤーの間の短絡発生が緩和されるか、或いは除去され、製造中の素子ネットダイカウント(ネットダイ数)を増加することができる (もっと読む)


【課題】 角速度検出素子と回路基板とを複数本のボンディングワイヤを介して電気的に接続してなる角速度検出装置において、ボンディングワイヤ間の距離を大きくしなくても、ボンディングワイヤ間の寄生容量を低減できるようにする。
【解決手段】 基板10、および、基板10に設けられ基板10と水平な面内にて振動可能な振動体を有し、該振動体の振動に基づいて基板10と垂直な軸回りの角速度を検出するようにした角速度検出素子100と、回路基板200とを備え、角速度検出素子100と回路基板200とが複数本のボンディングワイヤ70、71により結線されている角速度検出装置S1において、複数本のボンディングワイヤ70、71のうち少なくとも一部が、残りのボンディングワイヤとはワイヤ形状が異なっている。 (もっと読む)


【課題】厚さ100μm以下の第2ダイを用いた積層型デバイスにおいて、第2ダイの端部を支持するスペーサを使用しないで、ワイヤループ高さの安定が図れる。
【解決手段】基板10上に第1ダイ11が固定され、第1ダイ11上に該第1ダイ11よりより大きく端部がフリー状態で第2ダイ12が固定されている。キャピラリ40にボンディング荷重である第1荷重W1を加えて第2ダイ12のパッド12aにボンディングを行って圧着ボール30bを形成した後、キャピラリ40に掛ける荷重を第1荷重W1より軽く第2ダイ12の剛性による復元力で撓みを解消する第2荷重W2とし、その後にワイヤループを形成して基板10のリード10bにボンディングを行う。 (もっと読む)


【解決手段】 少なくとも1つのマガジンハンドラを含むワイヤーボンディング機に接続してワークピースを処理する機器が提供される。当該機器は、前記少なくとも1つのマガジンハンドラからワークピースを受容するよう構成された第1の搬送システムと、前記少なくとも1つのマガジンハンドラからワークピースを受容するよう構成された第2の搬送システムとを含む。また、当該機器は、ワイヤーボンディングツールを使った1つのワークピースのワイヤーボンディング作業中、前記第1の搬送システムが当該1つのワークピースを支持すると同時に、前記ワイヤーボンディングツールによるワイヤーボンディング作業用に前記第2の搬送システムが別のワークピースを準備するようなっている。 (もっと読む)


集積回路パッケージ96において、第1ダイボンドパッド98に第1ワイヤー109をボンディングして第1ボンド108を形成し、ボンドポスト104に第1ワイヤー109をボンディングして第2ボンド106を形成する。第1ボンド108に第2ワイヤー111をボンディングし、このワイヤーをボンドポスト104に結合する。
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実質的に一直線内に再配置された相互接続パッドを有する集積回路チップ。該パッドの前記一直線内での順序づけは、ICパッケージの接点端子へのワイヤボンド接続により、該ワイヤボンドが他のワイヤボンドの上下に延びて互いに干渉することがないことが可能となるように行われる。このICのパッドの再配置及び再順序づけにより、本発明に従って作成された単一のダイを、ダイダウン型チップを受容するよう設計されたパッケージとダイアップ型チップを受容するよう設計されたパッケージとの両方に取り付けることが可能となる。この単一のチップの取り付けは、有効なICパッド位置を反転させるものとなる中間的な基材その他の、他の如何なる中間的な手段も必要とすることなく、直接行われる。 (もっと読む)


半導体パッケージでは、ボンドワイヤを介してダイボンドパッドと接続する様々な形態の導電性トレースが用いられる。一形態では、隣接するボンドワイヤが、その中間点付近で意図的に交差することで、導電体の自己インダクタンスが低減され、自己インダクタンスが最小化される。更に別の形態では、介入する関連しないボンドパッドを有するボンドパッドと接続したボンドワイヤ同士が交差する。更に、導電性トレースは、個別の部分に分割され、交差ジャンパワイヤやボンドワイヤによって、電気的に接続される。各トレースに対し、任意の数の個別部分を形成してもよいが、偶数が好ましい。更に別の形態において、あるトレースが連続性で、別のトレースが二つ以上の部分に分割される。複数の部分が、それを覆うボンドワイヤによって接続される。裸のボンドワイヤ及び被覆ボンドワイヤのいずれを用いてもよい。
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半導体装置をパッケージングする方法であって、半導体装置内の素子間を相互接続する複数の導線の少なくとも2本の部分のみと交差するように絶縁材を塗布することを含む。また、この方法は、前記導線と素子を封入して半導体装置をパッケージングすることを含んでいる。
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密接配置したボンディング・ワイヤを種々の異なるパッケージング用途に用いると、電気的性能の向上を図ることができる。一実施形態では、ワイヤ群内にある2本の隣接するボンディング・ワイヤが密接配置されているのは、2本の隣接するワイヤのうちの短い方の長さの少なくとも50パーセントで、これら2本の隣接するワイヤ間において分離距離Dが満たされる場合である。一実施形態では、分離距離Dは、2本の隣接するワイヤのうちの直径が大きい方のワイヤの直径の多くとも2倍である。別の実施形態では、分離距離Dは、2本の隣接するワイヤ間のワイヤ間ピッチの多くとも3倍である。各ワイヤ群は、2本以上の密接配置ワイヤを含むことができる。密接配置ボンディング・ワイヤのワイヤ群を用いると、例えば、電力−信号−接地の三重組、信号−接地対、信号−電力対、あるいは差動信号対または三重組を形成することができる。
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【課題】 半導体素子を安定保持できるとともに外郭の機械的強度も十分な樹脂封止構造を持つ半導体装置を提供すること。
【解決手段】 半導体発光素子2とこれを駆動するIC素子3とを低ガラス転移点の内皮樹脂5で被膜封止するとともに、内皮樹脂5周りを高ガラス転移点の外皮樹脂6で被膜封止し、内皮樹脂5の軟らかさを利用して半導体発光素子2及びIC素子3の電極やボンディング位置を含めて密に封止し、外皮樹脂6の硬さによって機械的強度を保つ。また、内皮樹脂5と外皮樹脂6とを同じ組成材質のエポキシ樹脂とすることで、線膨張係数の差をなくし内皮及び外皮の樹脂5,6の界面の接合度を高く維持する。 (もっと読む)


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