【課題】マルチチップモジュール構造を有する回路装置の低背化、機能向上、小型化、システム化が可能なワイヤボンディング方法、回路装置及び回路装置パッケイジ方法を提供する。
【解決手段】絶縁膜被覆ワイヤを用いたボンディング方法は、絶縁膜被覆ワイヤの自由端である始端に対して、ボール２２０を形成するステップ（ａ）と、この形成されたボールを用いて第１ボンディングを行うステップ（ｂ）と、絶縁膜被覆ワイヤの第１ボンディングを行った部分の被覆の除去を行うとともに絶縁膜被覆ワイヤの終端に対する第２ボンディングを行う部分の被覆の除去を行うステップ（ｃ）と、第２ボンディングを行うステップ（ｄ）とを備える。本発明の回路装置はこのような絶縁膜被覆ワイヤを用いたボンディング方法を利用して作製されたものである。第２ボンディングについても、ボールの形成および被覆の除去を行ってもよい。 （もっと読む）

【課題】集積回路用のボンドワイヤを提示する。
【解決手段】集積回路内で使用する複合ボンドワイヤ１１０を生産するため、導電材料を溶解し、１００ミクロン未満の粒度の粒子材料と混合して混合物を生成する。この混合物を用いて複合ボンドワイヤ１１０を作製する。内部コア、及びこの内部コアより高い導電率を有する外層を有する複合ワイヤも提供される。この外層は、交流信号を搬送するための動作周波数における表皮深度よりも厚く設計する。 （もっと読む）

【課題】２次電池パックの保護回路を更に小型化すること。
【解決手段】本発明に係る半導体チップは、双方向スイッチを構成する２個のパワートランジスタと、抵抗素子とを備える。２個のパワートランジスタのドレイン同士は接続されている。抵抗素子の一端は、２個のパワートランジスタのうち一方のソース電極と電気的に接続され、その他端は、第１外部パッドと電気的に接続されている。それら２個のパワートランジスタと抵抗素子とは、同一の半導体チップ上に形成されている。 （もっと読む）

【課題】半導体チップを実装する際のコスト低減、パッケージ基板の小型化、および配線パターンの最適化を実現できる半導体チップを提供することである。
【解決手段】本発明にかかる半導体チップ１０は、半導体チップ１０に設けられると共に、少なくとも一つの電極パッド６を備える電極パッド群１と、半導体チップ１０に設けられる少なくとも一つの電極パッドであって、電極パッド６から出力される信号と同じ信号を出力可能である電極パッド７を備える電極パッド群２と、を備える。そして第１の電極パッド群の一の電極パッドおよび第２の電極パッド群の一の電極パッドうち、当該信号が供給される他の半導体チップの他の電極パッドと距離が近い方の電極パッドが、他の半導体チップの当該他の電極パッドと接続される。 （もっと読む）

【課題】ポリイミド膜上に設けた電極パッドに導体バンプなしにＡlワイヤを確実に接合でき、ポリイミド膜からの電極パッドの剥離や電極パッドとＡlワイヤとの接合不良を防止できるパワーデバイスを提供する。
【解決手段】絶縁基板１上に設けられた半導体素子(２,３,６)と、絶縁基板１上に形成され、半導体素子(２,３,６)を覆う軟質ポリイミド膜１１と、軟質ポリイミド膜１１上に形成された電極パッド９と、電極パッド９にワイヤボンディングにより一端が接合されたＡlワイヤ１２とを備える。 （もっと読む）

【課題】クロストークノイズの抑制及びＥＭＣを強化し、且つ、クロストークノイズの抑制等に用いるスペースを縮小して小型化を可能とする半導体集積回路装置を得られるようにする。
【解決手段】半導体集積回路装置は、実装基板１０の上に保持され、半導体集積回路を含む半導体チップ１１と、実装基板１０の上に形成され、半導体集積回路が処理する信号を伝送する第１の配線１と、半導体集積回路と第１の配線６とを接続する第１のボンディングワイヤ６と、実装基板１０の上に形成された複数の第２の配線２と、半導体集積回路と複数の第２の配線２のうちのいずれかとをそれぞれ接続する複数の第２のボンディングワイヤ８とを備えている。第２のボンディングワイヤ８は、第１のボンディングワイヤ６の上方で且つ該第１のボンディングワイヤ６と間隔をおくように互いに交差して形成されている。 （もっと読む）

【課題】監視したり人手を要したりすることなく、容易にかつ確実にプラズマを点火した
り再点火したりすることが可能なプラズマ点火技術を提供する。
【解決手段】所定の高周波信号ＨＳを発生しプラズマ発生させるための負荷電極１１４に
供給する高周波電源装置１０１、高周波電源装置側と負荷電極側とのインピーダンスを整
合させる整合装置１０５、高周波信号ＨＳの進行波および反射波を検出する進行波・反射
波検出装置１０２、所定の高電圧ＨＶを発生する高電圧発生装置１０３、反射波の進行波
に対する比率が第１のしきい値より大きい場合に高電圧ＨＶを高周波信号ＨＳに重畳する
制御装置１００を備える。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の小型化に対応できる半導体装置を提供する。
【解決手段】一面から他面に貫通して設けられた開口部１２と、一端が露出された配線１９とを有する基板１７と、基板１７の一面に搭載され、開口部１２から露出するように配置された同電位の２以上の電極パッド５を含む電極パッド群１５を有する半導体チップ１６と、同電位の２以上の電極パッド５を接続するとともに、基板１７に配置された１つの配線１９の一端と接続する接続部材７とを備える半導体装置１０とする。 （もっと読む）

【課題】振動・衝撃に強く、高強度化されたワイヤボンディング構造を提供する。
【解決手段】鋼芯線の周囲を溶融Ａｌめっき層で被覆した、外径０.０８〜０.６ｍｍ、長手方向に垂直な断面に占める鋼芯線の面積率が１５〜９８％であるＡｌめっき鋼線５によって、電子回路基板１上の導電体４表面同士を接続してなるワイヤボンディング構造。前記導電体表面は、例えばＡｌ、Ａｌ合金またはＮｉである。Ａｌめっき鋼線と導電体表面は例えば超音波接合されている。溶融Ａｌめっき層は、Ｓｉ：０〜１２質量％、残部Ａｌおよび不純物からなるものとすることができる。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の生産性を向上させる。
【解決手段】複数の第１電極１１、第２電極１２が設けられたプリント基板１０と、プリント基板１０上に搭載され、上面の外周に沿った第１列Ｌ１をなす複数の第１接続パッド２１及び第１列Ｌ１と平行かつ第１列Ｌ１よりも内側に離間した第２列Ｌ２をなす複数の第２接続パッド２２が設けられた半導体チップ２０と、第１電極１１、第２電極１２と第１接続パッド２１、第２接続パッド２２とを接続する第１ボンディングワイヤ３１、第２ボンディングワイヤ３２とを備え、半導体チップ２０の電源電圧端子、システムリセット端子は、第１接続パッド２１のいずれかが用いられ、複数の第２接続パッド２２と接続される第２ボンディングワイヤ３２は、複数の第１接続パッド２１と接続される第１ボンディングワイヤ３１よりも上方に設けられている。 （もっと読む）

【課題】チップサイズの縮小化や多ビット化に対応した半導体装置を提供する。
【解決手段】第１及び第２チップパッド列４Ａ，４Ｂの端部よりも外側に位置する第３チップパッド列４Ｃが、第１チップパッド列４Ａと第２チップパッド列４Ｂとの間の中心線の延長線上に並んで配置されている。これにより、第３チップパッド列４Ｃを構成するチップパッド４は、第１及び第２チップパッド列４Ａ，４Ｂを構成するチップパッド４よりも、第１又は第２ボンディングパッド列６Ａ，６Ｂを構成するボンディングパッド６に対するＹ方向の距離を大きく確保することができる。したがって、これらチップパッド４とボンディングパッド６との間を接続するボンディングワイヤー７のＹ方向に対する角度を緩和することが可能である。 （もっと読む）

【課題】異物による電子装置の性能の低下を防止するとともに、位置認識マークを正確に認識することのできる電子装置の製造方法を提供する。
【解決手段】配線５を基板２の表面に形成する配線形成工程と、基板２の表面上で電極３と位置認識マーク４を形成する部分を除いて保護膜６を形成する保護膜形成工程と、基板２の表面上で電極３を形成すると共に、位置認識マーク４を電極３及び配線５から離間した位置に形成する電極及びマーク形成工程と、電極３にボンディングワイヤー９を接合させるボンディング工程と、配線５、電極３及び位置認識マーク４を形成した基板２を封止部材１０で封止する封止工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】本発明は、湿気の多い外気によるセンサの金属電極の腐食を防止し、かつセンサの樹脂封止によるセンサの反りの発生を防止してセンサ特性への影響を低減するセンサデバイスの製造方法及びセンサデバイスを提供する。
【解決手段】センサデバイスの製造方法は、固定部、前記固定部の内側に位置する可動部、前記固定部と前記可動部を接続する可撓部、及び複数の金属電極を有するセンサを基板上に配置し、前記センサの複数の金属電極及び前記基板の複数の端子をボンディングワイヤにより電気的に接続し、前記複数の金属電極と前記複数の端子の間にある前記ボンディングワイヤの一部が露出するように、前記センサの複数の金属電極の前記ボンディングワイヤと接続された部位を樹脂により覆う。 （もっと読む）

【課題】半導体チップの小型化を妨げず、集積度を低下させずに、Ａｌワイヤによるボンディングが可能な半導体チップ及び半導体装置を提供する。
【解決手段】プリント基板１０と、プリント基板１０上に搭載され、上面の外周に沿った第１の列Ｌ１をなす複数の第１の接続パッド２１、及び、第１の列Ｌ１と平行かつ第１の列Ｌ１よりも内側に離間した第２の列Ｌ２をなす複数の第２の接続パッド２２が設けられた半導体チップ２０と、プリント基板１０と半導体チップ２０とを接続する第１のボンディングワイヤ３１、第２のボンディングワイヤ３２とを備える半導体装置１である。第１の列Ｌ１をなす第１の接続パッド２１と第２の列Ｌ２をなす第２の接続パッド２２との間には回路素子２３、２４が設けられている。 （もっと読む）

【課題】半導体装置におけるワイヤ接続不良の抑制化を図る。
【解決手段】主面３ａの外周部に並んで配置された複数のボンディングリード３ｈを有するパッケージ基板３と、パッケージ基板３の主面３ａのボンディングリード列の内側に搭載された半導体チップ１と、半導体チップ１のパッド１ｃと基板のボンディングリード３ｈとを接続するワイヤ４と、半導体チップ１及び複数のワイヤ４を樹脂封止する封止体と、パッケージ基板３の裏面に設けられた複数の半田バンプとを有している。さらに、ワイヤ４のループの頂点４ｂがワイヤ接続部４ａより外側に配置されていることにより、ボンディングリード３ｈと半導体チップ１のパッド１ｃとの接続においてワイヤ長を長くすることができ、その結果、ワイヤ４のループ形状の安定化を図ってワイヤ接続不良の抑制化を図る。 （もっと読む）

【課題】ボンディングワイヤを完全に被覆したＩＣモジュール及びこれを使用したＩＣカードを提供する。
【解決手段】非導電性の基板の一方の面に金属の薄板による独立した外部端子が接着剤を介して複数形成され、他方の面に接着剤を介してＩＣチップが搭載され、前記ＩＣチップの接続端子と前記基板を貫通する孔から表出した前記外部端子の裏側の金属面がボンディングワイヤで接続され、前記ＩＣチップが搭載された側の前記基板上に、前記ＩＣチップと前記ボンディングワイヤを内包するように封止樹脂が形成されたＩＣモジュールにおいて、前記ＩＣチップの表出面から前記ボンディングワイヤの上端までの距離が、前記ＩＣチップの表出面から前記封止樹脂の上端までの距離の１／２以下としたＩＣモジュール及びこれを使用したＩＣカードを提供する。 （もっと読む）

【課題】 注入された樹脂によるワイヤ流れやワイヤショートを防止可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置の製造方法では、半導体チップ１０９を配線基板１００上に搭載し、配線基板１００と半導体チップ１０９とを、第１のワイヤ群１２０と、前記第１のワイヤ群よりもワイヤ長が短い第２のワイヤ群１１８とを張設して接続し、第１のワイヤ群１２０から第２のワイヤ群１１８に向けて封止樹脂３０７を注入して半導体チップ１０９、第１のワイヤ群１２０、第２のワイヤ群１１８を覆う封止体４０１を形成する。 （もっと読む）

【課題】パッシベーション膜に形成された開口部から露出するボンディングパッドの表面に導電性部材を接続する半導体装置において、パッシベーション膜に発生するクラックを抑制することができる技術を提供する。
【解決手段】電極層ＥＬの一端とパッドＰＡＤの一端との間の平面的な距離（Ｌ２）を、電極層ＥＬの一端と開口部ＯＰの一端との間の平面的な距離（Ｌ１）よりも大きくする。これにより、ワイヤＷの接続位置が電極層ＥＬの端部側にずれる場合であっても、電極層ＥＬの一端とパッドＰＡＤの一端との間の平面的な距離（Ｌ２）が大きくなっているため、電極層ＥＬの段差部にワイヤＷが接続することに起因した応力がパッドＰＡＤの端部にまで伝わることを抑制できる。 （もっと読む）

【課題】ワイヤーの断線を防止することができる高信頼性の電子機器の製造方法を提供する。
【解決手段】実装基板２に封止樹脂４を注入するための封止樹脂注入口９を設ける。この封止樹脂注入口９からワイヤー３方向へ向けて封止樹脂４を注入する。徐々に封止樹脂４の注入作業を続けると、封止樹脂４内に気泡８が発生する。しかしながら、封止樹脂４の注入作業を継続すると、前記気泡８は封止樹脂４の注入方向への流動に伴い前記ワイヤー３上部に押し出され、封止樹脂４がワイヤー３を覆う状態なった時にはワイヤーの上方に移動する。このような状態になれば、熱膨張による部材の伸縮によってワイヤーにダメージを与えることがなくなる。また、上記の状態であれば、ワイヤー３上部に押し出された気泡８をワイヤー３に触れることなく除去することもできる。 （もっと読む）

【課題】着用した際の異物感を最小限に抑えると共に、生産性が向上した布製半導体素子のパッケージ、その布製半導体素子のパッケージの製造方法を提供する。
【解決手段】布製半導体素子のパッケージは、織布と、前記織布上に導電材をパターニングして形成された第１リード部と、を有する布製印刷回路基板と、前記布製印刷回路基板のリード部に接続された電極部を有する半導体素子と、前記布製印刷回路基板と、前記半導体素子とを密封する成形部（molding）と、を含む。前記第１リード部は、前記第１リード部の端部において別の布製半導体素子と電気的に接続された導電性繊維によって前記織布とともに縫合されることにより、あるいは、前記第１リード部は、前記第１リード部の端部において別の布製半導体素子と電気的に接続された布製印刷回路基板の第２リード部と前記織布と共に縫合されることにより、前記別の布製半導体素子と電気的に接続されている。 （もっと読む）