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Fターム[5F044AA02]の内容

ボンディング (23,044) | ワイヤによるペレット電極との接続構造 (951) | 配線基板との接続 (306)

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【課題】半導体チップの外周部からの割れや、欠け等の検査のみならず、半導体チップの裏面電極とパッケージ底面端子との結合の不完全も検査可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体チップ2がモールドされたパッケージで形成され、パッケージ底面端子30とパッケージ端子とを備え、半導体チップ2の表面に、欠陥検出導電体3と、該欠陥検出導電体3の一端に接続された始点ボンディングパッド11、及び、他端に接続された終点ボンディングパッド12とを形成して、該半導体装置1のパッケージ端子の一つである検査用端子31と、パッケージ底面端子30との間に、検査用端子31からスタートして、始点ボンディングパッド11、欠陥検出導電体3、終点ボンディングパッド12、貫通導電体4、及び、裏面電極6が、直列に接続されて、パッケージ底面端子30に至る直列回路が形成されるようにして、半導体装置1を形成する。 (もっと読む)


【課題】配線基板上に実装された半導体チップと配線基板上のワイヤボンドパッドとを接続するボンディングワイヤが半導体チップに干渉することを回避しつつ、半導体チップとワイヤボンドパッドまでの距離が小さい半導体装置を提供する。
【解決手段】配線基板2上に半導体チップ1が実装され、配線基板2上のワイヤボンドパッド5と半導体チップ1上の電極パッド4とがボンディングワイヤを介して接続された半導体装置8であって、電極パッド4よりも半導体チップ1の端部に近接した位置にワイヤボンドパッドを有する中継基板10が設けられ、半導体チップ1上の電極パッド4と中継基板10上のワイヤボンドパッドとが第1のボンディングワイヤ3Aを介して接続され、中継基板10上のワイヤボンドパッドと配線基板2上のワイヤボンドパッド5とが第2のボンディングワイヤ3Bを介して接続されている。 (もっと読む)


【課題】高速で均一なループを形成させる。
【解決手段】ボンディング装置1は、キャピラリ5をボンディング位置まで下降させて、オーバーハングダイ100のパッド104にイニシャルボール10をボンディングするが、その際、所定時間ごとに、キャピラリ5のZ軸方向の位置を検出するとともに、荷重センサ7で検出した荷重を検出して蓄積しておく。そして、蓄積したキャピラリ5に作用する荷重とキャピラリ5の位置とを参照して、荷重変化点を検出して、この荷重変化点におけるキャピラリ5の荷重変化位置からボンディング位置を減算することで、荷重変化位置からボンディング位置に至るキャピラリ5の移動量Z算出する。そして、この算出した移動量Z分、キャピラリ5を上昇させた後、パッド104とリード105との間にワイヤループを形成させる。
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【課題】ボンディングワイヤーと保護膜との接触を防止し、所定のワイヤーループ形状であって、かつ、形状ばらつきが抑制されたボンディングワイヤーを有する半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、配線基板101と、複数の電極パッドを有する半導体チップと、複数のボンディングワイヤー802と、複数のボンドパッド102と、複数の配線パターン104と、保護膜106とを備える。各ボンドパッド102と各保護膜106との各距離は一定でなく、その一定でない距離は、ボンドパッド102に接続しているボンディングワイヤー802が半導体チップに向かって伸びる方向に基づいて、他の距離に比べて異なっている。 (もっと読む)


【課題】 さらに薄い銅箔のような金属箔を用いて形成してなる接続用ランド部における、接合不良の問題を解決して、確実なワイヤボンディングを行うことを可能とした半導体装置用TABテープキャリアを提供する。
【解決手段】 絶縁性フィルム基板1上に接着剤層2を介して張り合わされた導体箔からなる配線パターン3および当該配線パターン3に連なる接続用ランド部4が形成され、半導体素子6が実装され、当該半導体素子6のボンディングパッド7と前記接続用ランド部4とにボンディングワイヤ8が加熱および押圧力の印加によって接合される半導体装置用TABテープキャリアであって、前記接続用ランド部4の直下に、前記接着剤層2と前記絶縁性フィルム基板1とを貫通する裏打支柱用孔9を設け、当該裏打支柱用孔9内に、前記接着剤層2とは異なった材質の充填材を当該充填材の上面が前記接続用ランド部4の下面と接するように充填してなるランド裏打支柱部10を備えている。 (もっと読む)


【課題】高周波特性の劣化を抑え、小型化を図った半導体装置を提供する。
【解決手段】配線基板1の主面上に搭載された半導体チップ5は、第1の増幅手段PW1の入力部と電気的に接続するチップ側入力用電極6Aと、第2の増幅手段PW2の出力部と電気的に接続するチップ側出力用電極6Bを含み、配線基板1は、主面上に、基板側入力用電極2Aと基板側出力用電極2Bとを有し、第1の増幅手段PW1の出力部は第2の増幅手段PW2の入力部と電気的に接続され、チップ側入力用電極6Aと基板側入力用電極2Aは入力用ワイヤ7Aによって電気的に接続され、チップ側出力用電極6Bと基板側出力用電極2Bは、出力用ワイヤ7Bによって電気的に接続され、入力用ワイヤ7Aは半導体チップ5の平面形状を成す一対の第1の辺のうちの一つの辺を跨ぐように形成され、出力用ワイヤ7Bは一対の第2の辺のうちの一つの辺を跨ぐように形成されている。 (もっと読む)


【課題】高いパッド配置密度とノイズ耐性を両立させる。
【解決手段】回路7を有する半導体チップ3と、半導体チップ3が接合する実装基板2と、半導体チップ3の周縁辺3Bと直交する方向に直線状に並んで配置されている3つのパッドからなるパッド列6_iと、これに接合する3つのワイヤ(Ws,Wg,Wd)と、実装基板2に形成され複数のワイヤが接合している複数のワイヤ接合部(Ls,Lg,Ld)とを有する。パッド列6_i内で信号パッドPsが周縁辺3Bから最も遠い側に配置され、複数のワイヤ接合部のうち信号ワイヤ接合部(Ls)が、他のワイヤ接合部(Lg,Ld)よりも周縁辺3Bから遠い位置に配置されている。 (もっと読む)


【課題】半導体素子の積層技術等を用いることなく、狭ピッチの半導体素子を搭載した半導体装置を実現できるようにする。
【解決手段】半導体装置は、基板電極24を有する素子搭載部材12と、素子搭載部材12の上に搭載され、素子電極23を有する半導体素子13と、素子搭載部材11の上に、第1の辺を半導体素子13の一の辺と対向させて搭載された中継素子14とを備えている。中継素子14は、平面三角形状又は平面台形状であり、第2の電極23と第1のワイヤ41を介して電気的に接続された第1の中継電極21と、基板電極24と電気的に接続された第2の中継電極22と、第1の中継電極21と第2の中継電極22とを電気的に接続する内部配線31とを有している。 (もっと読む)


【課題】樹脂封止やワイヤボンディング高さの量産によるバラつきによりワイヤの露出を防止して、不良品の増加や製品寿命の悪化を抑えて、またパッケージの薄型化を実現することができ、最薄の樹脂厚でのパッケージの設計を可能することを目的とする。
【解決手段】半導体チップの主表面の電極パッドと配線基板の接続パッドとの間にワイヤをボンディングする工程と、ここでワイヤは、半導体チップの電極パッドから上方に向かってループ状を形成し、ループ状のワイヤにフラット部を形成する工程と、フラット部が埋設するように半導体チップを封止材料で封止する工程とを備える半導体装置の製造方法を採用する。 (もっと読む)


【課題】小型化しつつ歩留まりの低下を抑制した半導体装置を提供する。
【解決手段】この半導体装置は、半導体チップ100と、配線基板400と、半導体チップ100と配線基板400を接続する複数の第1ワイヤ500とを備える。半導体チップ100は、複数の第1パッド110、複数の第2パッド112、第1回路122、及び第2回路124を備える。複数の第1パッド110は、半導体チップ100の一辺に沿って配置され、第1のパッド列を形成している。複数の第2パッド112は、複数の第1パッド110より半導体チップ100の中心側に配置され、第2のパッド列を形成している。第1回路122は複数の第1パッド110に接続している。第2回路124は、複数の第2パッド112に接続しており、第1回路122とは異なる機能を有する。 (もっと読む)


【課題】熱膨張によるボンディングワイヤまたはその接続部の断線や損傷を生成する応力の緩和を低コストで実現することのできる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体素子2と、半導体素子2の周囲に設けられた導体部材と、半導体素子2の一面と導体部材とを接続するボンディングワイヤ4と、半導体素子2、導体部材およびボンディングワイヤ4を封止するモールド樹脂5とを備えた半導体装置。ボンディングワイヤ4とモールド樹脂5とが、接着しておらず、滑りが可能であるように構成されている。 (もっと読む)


【課題】大型化を抑制しつつ、熱膨張によるボンディングワイヤまたはその接続部の断線や損傷を生成する応力の緩和を実現した半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体素子2と、半導体素子2の周囲に設けられた導体部材3と、半導体素子2の一面と導体部材3とを接続するボンディングワイヤ4と、半導体素子2、導体部材3及びボンディングワイヤ4を封止するモールド樹脂5とを備えた半導体装置。半導体素子2とボンディングワイヤ4の接続部は、モールド樹脂5よりも柔らかく且つ熱膨張率がボンディングワイヤ4と同程度である保護樹脂6で被覆されている。 (もっと読む)


【課題】基板に固定された半導体素子の第2電極に対してステッチボンディングをする場合に、半導体素子の電極を大きくする必要がない手段を提供する。
【解決手段】基板11の表面に形成された第1電極9に、キャピラリによりワイヤ6をボールボンディングした後、キャピラリからワイヤ6を繰り出しつつ、キャピラリを基板11の表面に固定された半導体素子12の表面に形成された矩形の第2電極10に移動させ、第2電極10にワイヤ6をステッチボンディングするワイヤボンディング方法において、基板11の厚さ方向から見たときに、キャピラリは、ステッチボンディングの際に基板11の表面に形成された第1電極9に付いたキャピラリの跡4の略中心5と、第2電極10の1つの角17を結んだ直線18上を移動するようにした。 (もっと読む)


【課題】電子部品間の信号用ライン配線によって生じるリターンロスの劣化を簡単な構造で改善を図る。
【解決手段】信号用ライン2aの両側にGND部2bを備えた伝送路基板2と、信号用ライン3aの両側にGND部3bを備えた半導体デバイス3の各々の信号用ライン2a,3a間が導電体4によって配線接続された電子部品の接続構造であり、伝送路基板2と半導体デバイス3の少なくとも一方において、信号用ライン上を跨がって通過するように当該信号用ラインの両側のGND部間が別の導電体5で接続される。 (もっと読む)


【課題】半導体素子の実装方法の違いによるコストアップを抑制する。
【解決手段】半導体素子10は、集積回路を有する基板11と、集積回路に対して同じ接続機能を有する電極として、基板11の同一主面11a上に、ワイヤー接続用電極1b、2b、3b及び4b及びバンプ接続用電極1a、2a、3a及び4aを備える。 (もっと読む)


【課題】ワイヤボンド工程における半導体チップサイズの縮小に対する弊害を防止して、半導体チップサイズの縮小を実現する。
【解決手段】半導体装置は、ダイパッド17上に搭載され、周縁部に複数の電極パッド22を有する半導体チップ13と、外部端子21に電気的に接続する複数のインナリード18と、複数の電極パッド22と、複数のインナリード18とを接続する複数のワイヤ15とを備える。半導体チップ13のチップ辺における少なくとも一辺において、複数のワイヤ15が、複数の電極パッド22の各々にワイヤボンドされて形成された圧着ボール26は、半導体チップ13の一辺から中心に向かう向きに伸びるように形成されている。 (もっと読む)


【課題】POP積層される上下パッケージ間の接続不良を改善すると共に、下パッケージの基板配線設計の容易化を実現する。
【解決手段】半導体装置は、基板配線111を有する基板120と、基板120に搭載された半導体チップ121と、半導体チップ121と基板配線111とを電気的に接続する第1の導電体122と、基板120上に搭載された導電性パッド2203と、導電性パッド2203に電気的に接続され、基板配線111とは異なる配線経路となる配線部材2201とを備える。 (もっと読む)


【課題】小型化および薄型化に必要とされるプリント配線板に特に半導体チップ、例えばMEMSチップを搭載する場合の電気的接続方法であるφ25からφ50μmの細いアルミニウム線を用いたウェッジボンディングの作業性の向上を図ることができ、しかも信頼性の高い接続を得る事が可能なプリント配線板を提供する。
【解決手段】ハンダ付け用のパッケージ部品の搭載とMEMSチップに代表されるベアタイプの半導体チップの共存搭載を有するとともに、MEMSチップの電気的接続にアルミニウム線のワイヤボンディングを用いるプリント配線板において、前記プリント配線板の導体部に金めっきを有するとともに導体部の表面粗さを特定条件としたものである。 (もっと読む)


本発明は、第1電気コンタクト面と第2コンタクト面との間の電気的なボンディング接続構造であって、少なくとも1つの第1ボンディング接続部によって前記コンタクト面の少なくとも1つの上にボンディングされている少なくとも1つの第1電気導体を備えたボンディング接続構造に関する。ここでは、前記第1電気導体(8)の上に、少なくとも1つの第2ボンディング接続部(10,13)によってボンディングされている少なくとも1つの別の第2電気導体(9)が設けられており、前記2つのボンディング接続部(10)は互いにずらされて位置している。本発明はさらに、第1電気コンタクト面と第2電気コンタクト面の間に存在する電気的なボンディング接続構造を形成するための方法に関する。
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【課題】検査精度を向上させて信頼性の高い検査を行うことができるワイヤボンディングの接合状態確認方法を提供すること。
【解決手段】ワイヤボンディング工程を行う前に、空打ちボンディングワイヤ5の両端を半導体素子2の外部のリード部3で接合させる空打ち工程と、空打ち工程によってボンディングワイヤ4のツールとボンディングワイヤ4の位置を合わせる位置調整工程と、空打ち工程により形成した空打ちボンディングワイヤ5を引き剥がすようにして接合強度を測定する接合強度検査工程を行うようにした。 (もっと読む)


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