【課題】ワイヤボンディング工程において、半導体チップのボンディングパッドとワイヤとの不着不良を防止する。
【解決手段】本発明のワイヤボンディング方法は、互いに隣接する２つのボンディングパッド８ａ、８ｂに順次Ａｕボール９ａを接続した後、それぞれの第１ボンディング時におけるキャピラリ３８の高さ（Ａ１、Ａ２）を比較する。そして、２つの高さの差（|Ａ１−Ａ２|）がボンディングパッド８ｂの表面の異物１４に起因して閾値を超えた場合は、直ちにボンディング作業を停止する。これにより、ボンディングパッド８ｂに対するＡｕボール９ａの不着を瞬時に、かつ確実に検知することができる。 （もっと読む）

【課題】パッケージの外形寸法が一定サイズに規定されている場合であっても、半導体装置の高集積化と大容量化を実現できる技術を提供する。
【解決手段】パッドＰＤ１とリードＲとをワイヤＷ１で接続する場合において、パッドＰＤ１をファーストボンディングし、その後、リードＲをセカンドボンディングする。このとき、パッドＰＤ１でファーストボンディングを実施した後、リバースモーションが行なわれることになる。このとき、リードＲと接続するパッドＰＤ１の形状を長方形とし、長方形の短辺をｙ方向に配置することにより、リバースモーションでキャピラリが不揮発性メモリチップＣＨＰ２側に移動する移動距離よりも、パッドＰＤ１と不揮発性メモリチップＣＨＰ２との間のクリアランスを大きくする。 （もっと読む）

【課題】配線基板上にメモリチップとコントローラチップとを積層したパッケージ構造を備えた半導体装置において、メモリチップとコントローラチップを接続する配線の自由度を向上させる。
【解決手段】メモリカード１Ａは、配線基板２とその主面上に積層された４枚のメモリチップＭ１〜Ｍ４と最上層のメモリチップＭ４の表面上に実装されたコントローラチップ３およびインターポーザ４とを備えている。メモリチップＭ１〜Ｍ４のそれぞれは、その長辺を配線基板２の長辺と同じ方向に向けた状態で配線基板２の表面上に積層されている。最下層のメモリチップＭ１は、配線基板２のパッド９と重ならないよう、メモリカード１Ａの先端部方向に所定距離ずらした状態で配線基板２上に実装されている。メモリチップＭ１上に積層された３枚のメモリチップＭ２〜Ｍ４は、パッド６が形成されている側の短辺がメモリカード１Ａの先端部に位置するように配置されている。 （もっと読む）

【課題】 電子装置に関し、隣接するパッド間のメタルショートを抑制する。
【解決手段】 電子部品と、前記電子部品上に形成される第１の端子および第２の端子と、前記電子部品上に形成され、前記第１の端子及び前記第２の端子が露出する開口を備えた第１の絶縁膜と、前記第１の端子及び第２の端子の少なくとも一方に接続され、前記第１の端子及び前記第２の端子とは異なる材料を含む導電部材と、前記第１の端子と前記第２の端子との間の前記第１の絶縁膜に形成される溝部とを備える。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の信頼性を向上させる。
【解決手段】半導体素子の第１の電極と電子部品の第１の電極端子とを第１のボンディングワイヤにて接続する工程と、次いで、前記半導体素子の第２の電極と前記電子部品の第２の電極端子とを第２のボンディングワイヤにて接続する工程と、前記第２の電極と前記第２の電極端子とを接続する過程に於いて、前記第２のボンディングワイヤと前記第１のボンディングワイヤとの接触を検出する工程と、前記第２の電極と前記第２電極端子とを接続した後に、前記第２のボンディングワイヤと前記第１のボンディングワイヤとの間の接触を解除する。これにより、半導体装置の信頼性が格段に向上する。 （もっと読む）

【課題】より小型、薄型化された半導体デバイス積層体構造の実現。
【解決手段】最上段の半導体チップ２ｄのパッド４ｄをベース基板１側になるように配置し、機能部品７を実装したフレキシブル基板５で半導体チップ２ｄのパッド４ｄとベース基板１の電極８ｄを接続することにより、より小型、薄型化された半導体デバイス積層体構造を実現することができる。さらに、フレキシブル基板５の代わりに、中継基板２５を用いることができる。さらに、小型、薄型化された半導体デバイス積層体構造を実現することができる。 （もっと読む）

【課題】半導体パッケージにおいて、半導体チップからボンディングワイヤを通してパッケージ外部に伝わるノイズ、あるいは外部から半導体チップへ侵入するノイズを低減可能とする。
【解決手段】半導体パッケージ１００において、半導体チップ１０３を搭載した、複数のボンディングパッド１０４を有するパッケージ基板１０５と、該半導体チップ１０３の複数の電極パッド１０３ａを、該パッケージ基板１０５の対応するボンディングパッド１０４に接続する複数のボンディングワイヤとを備え、該ボンディングワイヤのうちの特定のボンディングワイヤ１０２を、少なくとも一部にコイル状部分１１０を有する構造とした。 （もっと読む）

【課題】ワイヤボンディングを採用する半導体装置において、製品展開に要する時間を短縮することのできる技術を提供する。
【解決手段】第１の方向に沿って一列に配置された複数のボンディングパッド４からなるボンディングパッドセット（第１の列Ｌ１）と第１の方向に沿って一列に配置された複数のボンディングパッド５からなるボンディングパッドセット（第２の列Ｌ２）とが、第１の方向と直交する第２の方向に沿って設けられており、第１の列Ｌ１を構成する各々のボンディングパッド４と第２の列Ｌ２を構成する各々のボンディングパッド５とは第２の方向と同一線上に並んで設けられており、第１の列Ｌ１を構成する複数のボンディングパッド４または第２の列Ｌ２を構成する複数のボンディングパッド５の全部または一部にボンディングワイヤを接続する。 （もっと読む）

【課題】半導体素子と基板等とを接続するボンディングワイヤが樹脂モールド時にワイヤ流れ等によって短絡するといった問題を防止し、半導体装置の組み立てを容易にし、製造コストを抑えることができる半導体装置の組み立て構造を提供する。
【解決手段】半導体素子１０と基板２２との間をボンディングワイヤ２４により接続して組み立てる半導体装置の組み立て構造であって、前記ボンディングワイヤ２４が通過する位置に沿って、ボンディングワイヤ２４が通過する間隔をあけ、隣り合ったボンディングワイヤ２４と干渉しないよう側方への偏位を規制する高さに形成された電気的絶縁性を有する遮蔽突起３２が、樹脂基板３４上に複数形成された中継基板３０を利用し、前記遮蔽突起３２の隣り合った遮蔽突起の中間にボンディングワイヤ２４を通過させてワイヤボンディングして組み立てられている。 （もっと読む）

【課題】半導体装置を小型化できる技術を提供する。
【解決手段】配線基板２上に搭載された半導体チップ５の電極１５と配線基板２の接続端子２５ａ，２５ｂ，２５ｃとの間をボンディングワイヤ７ａ，７ｂで接続し、樹脂封止して半導体装置が形成されている。配線基板２の上面において、接続端子２５ａ，２５ｂ，２５ｃは半導体チップ５の辺５ｂに沿って３列に配置されている。３列のうち、半導体チップ５の辺５ｂに最も近い１列目の接続端子２５ａには、ループ高さが低いボンディングワイヤ７ａが接続され、半導体チップ５の辺５ｂから最も遠い３列目の接続端子２５ｃには、ループ高さが高いボンディングワイヤ７ｂが接続され、２列目の接続端子２５ｂには、ボンディングワイヤ７ａまたはボンディングワイヤ７ｂが接続されている。 （もっと読む）

【課題】従来の方法では、ボールの偏芯およびボール寸法の変動によって第１ボンド点に接合されるボールの中心の第１ボンド点に対する相対位置が安定しないためワイヤボンディングを高い位置精度で行うことができない。
【解決手段】このワイヤボンディング方法は、ワイヤ１１の切断前に、第２ボンド点２２でのボンディングによってワイヤ１１の基端部から第１ボンド点２１側へ傾斜したワイヤ１１を挿通した状態で、キャピラリ１０の位置を第１ボンド点２１に近づけるように移動させることにより、傾斜したワイヤ１１を修正する工程を含んでいる。かかるワイヤボンディング方法によれば、ワイヤ１１の傾斜が低減されるため、ボール１１ｂの偏芯およびボール１１ｂ寸法の変動が抑制され、第１ボンド点に接合されるボールの中心の第１ボンド点２１に対する相対位置が安定するためワイヤボンディングを高い位置精度で実現できる。 （もっと読む）

【課題】半導体パッケージの反りによる電気接続不良を防いで信頼性に優れる半導体パッケージ及びその実装構造を提供することにある。
【解決手段】この半導体パッケージの実装構造は、第１の半導体パッケージ２０と第２の半導体パッケージ３０とを第１の接続部材としての融点変化型はんだ４１で電気的に接続して積層化した半導体パッケージとしており、この積層化した半導体パッケージをプリント配線基板１０と第２の接続部材としてのはんだ４０で電気的に接続することにより形成されている。 （もっと読む）

【課題】配線基板上に搭載された半導体素子の電極パッドと配線基板のボンディング端子とがボンディングワイヤにより接続されたボンディングワイヤの配設密度が高くなっても、封止用樹脂中にボイド（気泡）を生ずることなく樹脂被覆がなされる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、列状に配置された複数の電極部２６を有する半導体素子２２と、半導体素子２２の電極部２６に対応して配置された複数の端子２４を有する配線基板２１とを備え、半導体素子の電極部２６とこれに対応する配線基板の端子２４とを接続する複数のボンディングワイヤ２７によりワイヤ列ＷＬが形成され、更に当該配線基板２１上において半導体素子２２がボンディングワイヤ２７と共に樹脂封止されており、少なくとも１つのワイヤ列ＷＬ中に、隣接ワイヤ間距離拡大部Ｓを形成する。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】第1の面１１ａにアルミニウム膜１２と、ニッケル系合金膜１３と、金膜１４とが積層されたボンディングパッド１５を有する半導体チップ１１を形成する工程と、第1の面１１ａと反対の第２の面１１ｂを基板１６側にして、半導体チップ１４を基板１６上に載置する工程と、ボンディングパッド１５にピン３２を斜めに当接し、基板１６をピン３２に対して相対的に上昇させ、ピン３２の先端を水平方向にスライドさせることにより、金膜１４の表層を除去する工程と、表層が除去された金膜１４に接続導体１８を接合する工程と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】ボンディング装置とワイヤとの間の物理的な接続なしにボンディング装置をワイヤに接続できるスプールを提供する。
【解決手段】スプールはボディ１０とクロム層２０を含む。管形状を有する第一の部分１と環形状を有する第二の部分２とを含み、ボディ１０はプラスチックを用いて形成されており、第二の部分２は第一の部分１の両側面に設けられている。クロム層２０はボディ１０上にメッキされている。金合金ワイヤが前記クロム層２０上で巻き取られており、クロム層２０はボンディング装置と電気的に接続される。 （もっと読む）

【課題】信頼性が高く、かつ、容易に製造することができるとともに、半導体装置の大きさを大きくすることなく内部抵抗の一層の低抵抗化を図ることのできる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体素子２と、リード３と、半導体素子２の電極２ａとリード３とを電気的に接続する配線部材４と、を備え、配線部材４は、少なくとも導電性を有する材料によって被覆されている。 （もっと読む）

【課題】ワイヤボンディングにおいて、ボンディング対象に損傷を与えることを抑制することである。
【解決手段】例えば、銅ワイヤを用いてワイヤボンディングを行う場合、ボール形成を不活性ガス雰囲気中で行い（Ｓ１０，１２）、銅ボールがボンディング対象に接触するキャピラリの高さを第１高さとし、銅ボールが所定の扁平形状となるキャピラリの高さを第２高さとして、キャピラリがボンディング対象に向かって下降し、第１高さになる前に超音波エネルギの印加を開始し、第１高さに達した後第２高さになるまでの間に超音波エネルギの印加を停止する。また、第１高さに達する前後の所定の時刻から超音波エネルギの出力レベルをボンディング対象のボンディング特性に応じて低下させることもできる（Ｓ１６，１８，２０，２２，２４）。 （もっと読む）

【課題】 高湿環境における半導体素子上電極の腐食を抑制し、電気的接合を長期間にわたり維持させることが可能な半導体パッケージの提供。
【解決手段】 半導体パッケージ内部の半導体素子上電極と半導体パッケージ外部電極とを銅ボンディングワイヤで電気的に接続し、少なくとも半導体素子および銅ボンディングワイヤ全体を樹脂封止してなる半導体パッケージにおいて、銅ボンディングワイヤ中の塩素および硫黄の含有量をそれぞれ１質量ｐｐｍ以下とし、かつ銅ボンディングワイヤと接続される電極の表面を銅と同等または銅よりも電位が高い金属もしくは合金で形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】積層配置される半導体素子に於ける突出部に対して、ワイヤボンディング時に生じる撓みを抑制するとともに、半導体装置として大形化を招くことのない支持部材を有する、半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】上記の課題を解決するため、本発明によって提供される半導体装置は、電極端子が配設された支持基体と、支持基体上に搭載された中間部材と、一部が中間部材により支持されて、支持基体上に配設された半導体素子と、半導体素子の電極端子に対応して、支持基体上あるいは前記中間部材上に配設された凸状部材とを具備し、半導体素子の電極端子と前記支持基体上の電極端子が、ボンディングワイヤにより接続されてなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】表面が金メッキよりなるランドに対して、アルミワイヤと金ワイヤとが接続されてなる電子装置において、アルミワイヤ用ランドの金メッキ厚を変えることなく、金ワイヤ用ランドの金メッキ厚を厚くするのに適した構成を提供する。
【解決手段】１個の金ワイヤ用ランド１２を、複数個の領域に分割された分割部１２ａの集合体であってこれら複数個の分割部１２ａにまたがって１本の金ワイヤ３２が接続されているものとし、個々の分割部１２ａの面積を１個のアルミワイヤ用ランド１１の面積よりも小さいものとし、個々の分割部１２ａにおける金メッキ１０ｃを、アルミワイヤ用ランド１１における金メッキ１０ｃよりも厚いものとした。 （もっと読む）