【課題】効率的なコネクタを兼ねるイグナイタケースの設計を実現させ、２ｎｄボンドをセラミック基板上に安定的に行うイグナイタを提供することを目的とする。
【解決手段】セラミック基材の片側に導体パターンが形成されたセラミック基板と、前記セラミック基板の導体パターンとコネクタを兼ねるイグナイタケースにインサート成形された端子の間がアルミワイヤボンディングで電気的に接続され、前記セラミック基板上に形成される導体パターンにアルミワイヤボンディングが直接なされるイグナイタにおいて、アルミワイヤボンディング部の導体パターンの下にセラミック基材の表裏を貫く穴が形成され、穴の内部に金属が充填される。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の製造方法において、最終的に除去される接着フィルムであって、導体の一部が封止樹脂から突出したいわゆるスタンドオフを有する半導体装置の製造に好適に用いられ、かつ良好なワイヤボンディング性能を有する半導体装置製造用接着フィルムを提供すること。
【解決手段】（ａ）導体４の少なくとも一部を接着フィルム３に埋没させる工程、（ｂ）導体上に半導体チップ５を搭載する工程、（ｃ）半導体チップと導体とを結線する工程、（ｄ）封止樹脂８により半導体チップを封止する工程、及び （ｅ）接着フィルムを除去する工程、を有する半導体装置の製造方法に使用される、熱硬化性接着剤層を有する接着フィルムであって、該熱硬化性接着剤層に層状粘土鉱物が含有されていることを特徴とする半導体装置製造用接着フィルム。 （もっと読む）

【課題】メモリチップを複数積層する際の実装面積の増加を抑制する。
【解決手段】実装基板１０１の一方の面にこの順に搭載された第一メモリチップ１０３ａおよび第二メモリチップ１０３ｂは、矩形の平面形状を有し、矩形の一辺に沿って一列にのみ配置された複数の電極パッドを含む。第二メモリチップ１０３ｂの電極パッド列は、第一メモリチップ１０３ａの電極パッド列に平行に配置される。電極パッド列の一方の端部にチップセレクトパッドが配置される。第一メモリチップ１０３ａのコントロール、アドレスまたはデータパッド１１３ａが、矩形の一辺に沿って一列に配置された第一ステッチ１０９にワイヤボンディングされ、チップセレクトパッド１２１ａおよびチップセレクトパッド１２１ｂは、チップセレクトパッド１２１ａの側の隣接辺に沿って一列に配置された第二ステッチ１１１にワイヤボンディングされる。 （もっと読む）

【課題】 ボンドパッドサイズとボンドパッドピッチ減少の限界を克服できる集積回路チップを提供する。
【解決手段】 集積回路チップ１０は、センターパッド型チップ設計による集積回路が形成されたセル領域Ａ_cell1、Ａ_cell2の間に周辺領域Ａ_periを有する半導体基板１１と、該半導体基板１１上に集積回路と接続されるボンドパッド配線パターン１２とを含む。ボンドパッド配線パターン１２は、従来のボンドパッドが形成される層に所定のパターンを有するライン形態で形成され、一端が周辺領域Ａ_periに位置する。周辺領域Ａ_periの幅は、ボンドパッド領域が確保されていなくて、ライン形態である一部のボンドパッド配線パターン１２だけが存在するので、従来と比べて狭くなっている。これにより、半導体基板１１は、ボンドパッド領域のために必要な幅だけ減少された全体幅を有する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置に配設される中継部材のボンディングパッドの配列及び当該ボンディングパッドを結ぶ配線を任意に設定できるようにして、異なる構造を有する他の半導体装置に対しても適用することができる当該中継部材及び当該中継部材を備えた半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置に配設される中継部材５０は、第１の端子５１と第２の端子５２とを備える。第１の端子５１に接続される第１端子用配線５６の端部及び第２の端子に接続される第２端子用配線５７の端部のうち少なくとも１つにより連結部６０が形成される。少なくとも前記連結部に接続部材６１が形成され、第１の端子５１と第２の端子５２が接続される。 （もっと読む）

【課題】 従来よりも歩留まりの向上が可能な半導体装置の製造方法、及び当該方法に使用する接着シートを提供する。
【解決手段】 本発明の半導体装置の製造方法は、接着シートを介して、半導体素子を被着体上に仮固着する仮固着工程と、前記接着シートを所定条件で加熱することにより、前記被着体に対するせん断接着力が０．５ＭＰａ以上の半硬化状態にする半硬化工程と、前記接着シートが半硬化された状態で、半導体素子をワイヤーボンディングするワイヤーボンディング工程を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】簡単な構成で高集積化と高信頼性を実現した半導体装置を提供する。
【解決手段】表面に複数のリードを有する搭載基板の表面上に複数の第１パッドを有する第１半導体チップと、上記搭載基板又は上記第１半導体チップ上に、複数の第２及び第３パッドを有する第２半導体チップとを搭載する。上記複数のリードと上記複数の第１パッドとの対応するもの同士を第１ボンディングワイヤで接続する。上記複数の第２パッドと上記複数の第１パッドとの対応するもの同士を第２ボンディングワイヤで接続する。上記複数の第３パッドと上記複数のリードとの対応するもの同士を第３ボンディングワイヤで接続する。上記第１及び第２ボンディングワイヤは、上記第３ボンディングワイヤよりも太くされ、第１及び第２パッドは、上記第３パッドよりも大きな面積を持つ。 （もっと読む）

【課題】耐熱性を向上させつつ、従来の製造工程を変更することなく、高信頼性の半導体装置を製造することが可能な半導体装置の製造方法、当該方法に使用する接着シート及び当該方法により得られる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置製造用の接着シート１０，１２は、半導体素子を被着体に接着させ、該半導体素子にワイヤーボンディングをする際に用いる半導体装置製造用の接着シート１０，１２であって、親油性の層状粘土鉱物を含有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ボンディング装置において、湾曲した回路基板の吸着固定と加熱とを同時に行う。
【解決手段】搬送ガイド１３の間に、搬送された回路基板１２を上面の基板吸着面１５に吸着保持し、吸着した回路基板１２を加熱するヒートブロック１０を設ける。ヒートブロック１０の基板吸着面１５には孔１９が設けられており、真空吸引ベローズ１８を含む真空吸引パッド１６が取りつけられ、真空吸引パッド１６は真空装置に接続されている。真空吸引パッド１６内の空気を真空装置に吸引しながらヒートブロック１０を回路基板１２に向かって上昇させて、真空吸着ベローズ１８によって回路基板１２を吸引して回路基板１２を基板吸着面１５に吸着固定すると同時に加熱する。 （もっと読む）

【課題】ボンディングワイヤの短絡のない半導体装置を提供する。
【解決手段】１主面に複数の電極5(5a,5b,5c)を有した少なくとも１個の半導体チップ4と、複数の内部電極2(2a,2b,2c)及び外部電極3を有し、半導体チップ4を内部電極形成面に固着した半導体チップ支持体であるＢＧＡ用基板1と、半導体チップ4の電極5とＢＧＡ用基板1の内部電極2とを接続した複数のボンディングワイヤ6,7,8と、半導体チップ4及びボンディングワイヤ6,7,8を封止した封止樹脂9とを有する半導体装置において、前記のボンディングワイヤ6,7,8は、金属細線である第１のボンディングワイヤ6,8と、金属細線の少なくとも一部が絶縁性樹脂で被覆されてなる第２のボンディングワイヤ７とで構成する。 （もっと読む）

【課題】多ピンの半導体チップを用いる半導体装置のボンディングワイヤどうしの接触をなくし、歩止まりを向上させる。
【解決手段】半導体チップ２の１主面上に形成された複数の電極３と前記半導体チップ２の周囲に配された導体部の内部電極４とを接続して互いに上下に配されるワイヤ５ａ，５ｂ，５ｃの内、最下位のワイヤ５ａに剛性が最も小さいものを用い、上位のワイヤ５ｂ，５ｃに剛性がより大きいものを用いる。最下位のワイヤ５ａは剛性が最も小さいことから、ワイヤ高さを低くできる。それよりも上位のワイヤ５ｂ，５ｃの剛性が大きいと、ボンディング時にループ形状の制御が容易であるだけでなく、ボンディング後のループの変形が抑えられる。このため、ワイヤ５ａ，５ｂ，５ｃどうしの接触を回避することが可能である。 （もっと読む）

【課題】半田を使用しない小型のアイリス用のホールセンサ搭載基板を提供する。
【解決手段】ＧａＡｓからなるホール素子ベアチップ３を直接フレキシブル基板１に搭載して、そのホール素子ベアチップ３をシリコーンゴム６などで樹脂封止したものである。 （もっと読む）

【課題】外部への電極取出しに必要なパッド面積を確保しつつ、パッド面積の低減を図ることにより、小型化された半導体装置、およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置１０は、半導体回路基板１の能動面の対向する二辺の端部近傍に、断面テーパー形状を有するパッド形成部Ｔ１を形成し、このパッド形成部Ｔ１上に複数のパッド５が設けられている。これにより、断面テーパー形状を有したパッド形成部Ｔ１にパッド５が配設されているので、パッド５が斜めに形成され、同じサイズのパッドを平坦な能動面の端部近傍に形成した場合に比して、平面視でのパッド５のサイズが小さくなる。 （もっと読む）

【課題】パッケージの反りを防止し、かつ隣接するワイヤ同士の接触を防止することができる半導体装置を得る。
【解決手段】基板１１と、基板上に搭載されたチップ１３と、チップ上の複数のパッド１６と基板上の複数のパッド１７とをそれぞれ接続する複数のワイヤ１８と、チップ及び複数のワイヤを封止するモールド樹脂４１とを有し、モールド樹脂は、平均粒径が３〜７μｍで最大粒径が２０〜３０μｍのフィラーを８０ｗｔ％以上含有し、複数のパッドのピッチが１００μｍ以上である。 （もっと読む）

【課題】素子側面に外部接続端子が位置しながらも製造が簡単な構造の半導体素子を提供する。
【解決手段】半導体素子１００は、ボンディングワイヤ２１０が接続される外部接続端子１１０を有する。積層されている複数の導電層１１２が素子側面に露出しており、外部接続端子１１０が複数の導電層１１２の露出している側面からなる。従って、素子側面に位置する外部接続端子１１０を形成する複数の導電層１１２は、一般的な製造プロセスで形成することができ、複数の導電層１１２が露出している素子側面も、半導体ウェハをダイシングする通常の必須の工程で形成することができる。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い電子デバイスの製造方法、及び、信頼性の高い電子デバイスを製造することができる支持部材を提供する。
【解決手段】電子デバイスの製造方法は、電極１２を有する電子部品（半導体チップ１０）を用意する工程と、支持面３２と、支持面３２の側方であって支持面よりも低い位置に配置された吸気口３４とを有する支持部材３０の支持面３２で、電子部品が吸気口３４に接触しないように、かつ、電子部品の前記支持面と対向する面の一部が支持面３２から露出するように電子部品を支持して、吸気口３４で電子部品における支持面３２から露出した領域を吸引することによって電子部品を支持部材３０に固定する工程と、電子部品を支持部材に固定した状態で、電極１２と導電パターン（配線パターン２２）とを電気的に接続する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】複数の電気接続端子を有する半導体チップと複数の電気接続端子を有する基板とが金属ワイヤによって導電接続されているワイヤ接続型に関し、特に小型化、高密度化したときに高い接続信頼性を発揮できる半導体装置、及び、半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】複数の電気接続端子を有する半導体チップと複数の電気接続端子を有する基板とが金属ワイヤによって導電接続されている半導体装置であって、前記金属ワイヤの表面が、平均粒子径０．１〜５μｍの絶縁粒子によって略均質に被覆されている半導体装置。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、フィルドビア直上領域をはんだボールを配置するだけの領域として用いることなく、より高密度な実装が行える実装基板を提供することを目的とする。
【解決手段】 一方を開放され、他方を閉塞された非貫通穴を有した基板と、上記非貫通穴内に充填される導電性物質と、この導電性物質にワイヤボンディングにより導通される半導体実装部品とを備えた実装基板。
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【課題】ボールボンディングを行なう際に初期の合金化率を高める。
【解決手段】ボンディングパッド１０には、凹部３０が設けられている。ボンディングパッド１０及び凹部３０は、略円形に形成されている。凹部３０は、配線層２４に向かうに従って面積が狭まるように傾斜した側面３０ａを有している。ワイヤ５４は、ボール５４ａの直径が凹部３０の直径と同じか又はわずかに大きくなるワイヤ径のものが選定される。この状態でボンディングを行なうと、ボール５４ａの外周付近が凹部３０の側面３０ａと接触し、熱や超音波振動が外周付近にも正確に伝わるようになる。これにより、接合界面の全域に亘って正常なＡｕ−Ａｌ合金層５４ｂが形成される。 （もっと読む）

【課題】半導体装置モジュールの低コスト化及び歩留まりの向上を図る。
【解決手段】金属ベース基材上に絶縁層を形成し、その上に銅箔パターンを形成する（ステップＳ３）。次に、銅箔パターンの一部を被覆するように、ソルダーレジスト層を絶縁層上に形成し（ステップＳ４）、金属膜表面が露出した銅箔パターン表面に水溶性の耐熱性プリフラックスを塗布する（ステップＳ５）。次に、金属膜上にクリーム半田を塗布し（ステップＳ６）、この上に半導体素子を設置するために（ステップＳ７）、リフローする（ステップＳ８）。不純物を除去した後（ステップＳ９）、超音波接合法によって、ワイヤを半導体素子の電極部及び銅箔パターンに直接接合させる（ステップＳ１０）。これにより、半導体装置モジュールの低コスト化及び歩留まりの向上を図ることができる。 （もっと読む）