【課題】複数の電極パッド間の短絡を確実に防止することができ、従来に比べて信頼性の高い半導体チップおよびそれを備える半導体パッケージを提供すること。
【解決手段】半導体基板１１と、半導体基板１１上に形成された層間絶縁膜１２と、層間絶縁膜１２上に形成された複数の電極パッド９と、層間絶縁膜１２上に形成されたポリイミドからなる表面保護膜１４であって、各電極パッド９を露出させるパッド開口２２が形成された表面保護膜１４とを含む半導体パッケージ１において、表面保護膜１４において隣り合う電極パッド９の間に、当該隣り合う電極パッド９が同一のポリイミドに接しないように、表面保護膜１４を選択的に除去したスリット開口２３を形成する。 （もっと読む）

【課題】集積回路間の縮小化の要求に応えた、安定した接合強度を有する純銅にＰｄを被覆したボンディングワイヤを提供する。
【解決手段】集積回路素子電極ａと回路配線基板導体配線ｃをボールボンディング法によって接続するための線径Ｌ５０.８μｍ以下のボンディングワイヤＷである。芯材１が純銅及び不可避不純物からなり、その芯材１の外周全面に、Ｐｄによる厚みｔ_２：０．０１０〜０．０９０μｍの被覆層２を形成し、その表面に０．０００１〜０．０００５μｍ厚ｔ_３の炭素濃縮層３を形成する。また、調質熱処理の炉温度：４００℃以上８００℃以下、同処理時間は０．３３〜１秒で行なって、室温での引張試験による引張強さＴＳ_Ｒと２５０℃での引張試験による引張強さＴＳ_Ｈの比（ＨＲ＝ＴＳ_H／ＴＳ_R×１００）を５０〜７０％とする。その炭素濃縮層３は、伸線時の潤滑剤の洗浄度合によって形成する。 （もっと読む）

【課題】ボンディングワイヤの長さを長くすることなくインダクタンスの値を大きくできる高周波用半導体装置を提供する。
【解決手段】高周波半導体装置１は、マルチセル構成の半導体チップ２４と、整合回路と、半導体チップ２４と整合回路間に並列に接続された複数本のボンディングワイヤ１２、１４とを備え、複数本のボンディングワイヤ１２、１４は、半導体チップ２４に対して平面上で９０°以下の所定の角度を有する。 （もっと読む）

【課題】Cuワイヤーを使用しても高温高湿条件下での信頼性（耐熱耐湿信頼性）に優れる半導体装置を与えるプリプレグ、該プリプレグを用いた金属張積層板及びプリント配線板、並びに該プリント配線板を用いた半導体装置を提供する。
【解決手段】（ａ）熱硬化性樹脂、（ｂ）特定組成のハイドロタルサイト化合物、（ｃ）モリブデン酸亜鉛及び（ｄ）酸化ランタンを含むＢステージ化樹脂組成物と基材とを備え、該組成物が該基材に含浸されているプリプレグ；１層の又は積層された複数層の上記プリプレグとその片面又は両面に設けられた金属箔とを備える金属張積層板；１層の又は積層された複数層の上記プリプレグとその片面又は両面に設けられ金属箔からなる配線パターンとを備えるプリント配線板；該プリント配線板と、その上に載置された半導体素子と、該プリント配線板の配線パターンと該半導体素子とを電気的に接続するCuワイヤーと、を備える半導体装置。 （もっと読む）

【課題】大気圧下でプラズマ励起して被処理体のうちの表面処理が必要な領域にのみ、局所的に短時間で表面処理を行うことができるプラズマ照射装置及び表面改質方法を提供する。
【解決手段】板状の誘電体３を密着させたプレート電極４と誘電体３を介しての表面近傍に対向設置されたメッシュ電極５とが絶縁性の筐体１０内に格納され、プレート電極４及びメッシュ電極５が交流電源６に接続されたプラズマ生成装置１００であって、筐体１０の一方にガス導入部８を、筐体１０の他方にプラズマ照射部９をそれぞれ具備する。プラズマ生成装置１００によりプラズマ７を被処理体１に照射することで表面改質を行う。 （もっと読む）

【課題】基板と半導体チップとを電気的に接続する複数の導電性ワイヤが固定された後における、当該導電性ワイヤ同士の短絡を抑制することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】第１の樹脂材料ＲＳが塗布された後に、導電性ワイヤＷＲにより接続パッドＰＤ１と電極パッドＰＤ２とがワイヤボンディングされ、ワイヤボンディングされる工程以降に、第１の樹脂材料ＲＳが固化される。基板ＳＵＢと半導体チップＣＨＰとは、第２の樹脂材料ＭＲＳが供給および硬化されることにより封止される。ワイヤボンディングする工程においては、第１の樹脂材料ＲＳの内部における複数の導電性ワイヤＷＲ同士が互いに接触しない。第１の樹脂材料ＲＳが軟化する温度は、第２の樹脂材料ＭＲＳが供給および硬化されることにより封止される工程以降の工程における処理温度より高い。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の最上層の保護膜のクラックを防いで、半導体装置の信頼性の向上を図ることのできる技術を提供する。
【解決手段】ボンディングパッドＢＰ１を長方形状とし、ボンディングパッドＢＰ１のワイヤボンディング領域ＢＰ１ｗでの保護膜５の重なり幅を、ボンディングパッドＢＰ１のプローブ領域ＢＰ１ｐでの保護膜５の重なり幅よりも広くなるように、ボンディングパッドＢＰ１上の保護膜５に開口部６を形成する。 （もっと読む）

【課題】ワイヤショートやワイヤ流れのリスクを低減する方法を提供する。
【解決手段】半導体装置１０は、主面上に第１および第２の接続パッド１２４，１２５を有する配線基板１２と、第１の電極パッド１４１を有する第１の半導体チップ１４と、第１の電極パッド１４１より小さいサイズの第２の電極パッド１６１を有する第２の半導体チップ１６と、第１の電極パッド１４１と第１の接続パッド１２４とを接続する第１のワイヤ２２と、第２の電極パッド１６１と第２の接続パッド１２５とを接続する第２のワイヤ２４とを含む。第１の電極パッド１４１は第２のワイヤ２４の幅広部２４１より大きく、第２の電極パッド１６１は第２のワイヤ２４の幅広部２４１より小さい。第２のワイヤ２４は、幅広部２４１が第２の接続パッド１６１に接続され、他端がバンプ電極３０を介して第２の電極パッド１６１に接続される。バンプ電極３０は、第２の電極パッド１６１より小さい。 （もっと読む）

【課題】銅を主成分とするボンディングワイヤを備えた樹脂封止型半導体装置の開封処理において、ボンディングワイヤが切断されないようにする。
【解決手段】封止樹脂の一部が除去されてボンディングワイヤの一部又は全部が露出している状態の半導体装置に対して、濃硫酸又は発煙硫酸を用いて保護膜形成工程が行なわれる。保護膜形成工程により、露出している部分のボンディングワイヤの表面に保護膜が形成される。その半導体装置に対して、硝酸成分を含む溶解液を用いた封止樹脂の除去処理が行なわれる。 （もっと読む）

【課題】ワイヤボンディングを実行したときに、ループ高さを低くする。
【解決手段】本実施形態のワイヤボンディング装置は、キャピラリと、ボンディングステージと、前記ボンディングステージに対して前記キャピラリを相対移動させる移動機構と、前記移動機構を制御する制御部とを有する。前記制御部は、キャピラリに挿通されたワイヤを、前記キャピラリにより第１のパッドに１回目のボンディングを行い、第２のパッドが設けられた基板の上面における前記第２のパッドに近い部位に前記ワイヤを前記キャピラリにより接触させて押圧変形させることによりボンディング用の接続部を形成する。そして、前記制御部は、前記ワイヤの接続部を前記第２のパッドにボンディングする様に、前記移動機構を制御する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、プリント回路基板及びその製造方法に関する。
【解決手段】本発明は、０．１〜１．０μｍのピッチ周期で表面粗さ処理された銅パッド、及び前記銅パッド上に無電解表面処理めっき層を含むプリント回路基板及びその製造方法に関する。
本発明のように銅パッドの上に一定のピッチ周期の表面粗さを形成すると、その上に形成される無電解表面処理めっき層もまた一定のピッチ周期の表面粗さを有するようになり表面積が広くなる効果があり、外部デバイスと連結されるワイヤボンディング作業時にその作業性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】被接続部材との接続部におけるクラックの発生および進展を抑止する。
【解決手段】半導体装置１０は、少なくともマグネシウムおよびシリコンを含有し、且つマグネシウムおよびシリコンの含有量の合計が０．０３ｗｔ％以上１．０ｗｔ％以下であるアルミニウム合金からなるボンディングワイヤ１７と、このボンディングワイヤ１７が接続されるシリコンチップ１６と、の接続部構造１５を備える。シリコンチップ１６の表面には、アルミニウム−シリコンフィルム１６ａが形成されている。接続部構造１５は、ボンディングワイヤ１７を構成するマトリクス層１７ａ内と、このマトリクス層１７ａおよびアルミニウム−シリコンフィルム１６ａの間に形成されるアルミニウム合金の微細粒層１７ｂ内と、マトリクス層１７ａおよび微細粒層１７ｂの界面とに、マグネシウムおよびシリコンを含む化合物１８を備えている。 （もっと読む）

【課題】パッドに加わるダメージを抑制することができる技術を提供する。
【解決手段】インナチャンファ部ＩＣＵの広がり角度θ_ＩＣＡが９０度よりも小さい場合、パッドＰＤの表面に垂直な方向の超音波変換荷重Ｆ１ＵＹの大きさは、極めて小さくなる。つまり、パッドＰＤの表面に垂直な方向の超音波変換荷重Ｆ１ＵＹの大きさは、パッドＰＤの表面に平行な方向の超音波変換荷重Ｆ１ＵＸの大きさよりも充分に小さくなる。この結果、インナチャンファ部ＩＣＵの広がり角度θ_ＩＣＡが９０度よりも小さい場合においては、パッドＰＤの表面に垂直な方向の超音波変換荷重Ｆ１ＵＹの大きさを充分小さくすることができ、パッド剥がれを防止することができる。 （もっと読む）

【課題】半導体チップを実装するパッケージ基板における、半導体チップを囲む最内周のリング状領域に、電源用導体およびグラウンド用導体を設けても、半導体装置全体としてはサイズおよび製造コストが増大しない手段を提供する。
【解決手段】半導体チップ１０における最外周のリング状領域に、電源用パッド１１およびグラウンド用パッド１２を集める。半導体チップを実装するパッケージ基板における、半導体チップを囲む最内周のリング状領域に、電源用端子２１およびグラウンド用端子２２を集める。こうすることで、半導体装置全体としてのサイズおよび製造コストを縮小することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】ワイヤを被覆していた樹脂に起因して半導体装置の不良が発生することを抑制する。
【解決手段】半導体チップ１０を配線基板２０の上に配置する。次いで、半導体チップ１０と配線基板２０とをボンディングワイヤ３０で接続する。次いで、ボンディングワイヤ３０の少なくとも一部に絶縁膜３２をコーティングする。次いで、半導体チップ１０及び絶縁膜３２を封止用樹脂で封止する。このように、絶縁膜３２は、半導体チップ１０と配線基板２０とをボンディングワイヤ３０で接続した後に形成される。従って、絶縁膜３２が異物となってボンディング不良を生じさせることを抑制できる。 （もっと読む）

【課題】 発光装置等における素子と配線パターンとを接続するワイヤーの断線が起き難いワイヤーボンディング構造を提供することにある。
【解決手段】 このワイヤーボンディング構造のワイヤー１７，１８は、発光素子１５から発光素子近傍の基板１１の表面に接近した位置まで垂れ下がる降下部１７ａ，１８ａと、この降下部の先端から基板１１の表面近くで且つ基板１１の表面に沿って延伸する延伸部１７ｂ，１８ｂを有している。このため、封止樹脂１９の上部に位置する部分が減り、ワイヤー１７，１８は封止樹脂１９の変形による影響を受けにくくなる。また、延伸部１７ｂ，１８ｂは、封止樹脂１１の変形が最も少ない下部内に位置しているので、ワイヤー１７，１８が動くことを防いでいる。 （もっと読む）

【課題】信頼性の低下を抑制し得る半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置２は、表面に表面電極４４が形成されている半導体素子４０と、表面電極４４上に接合される導電板材５０と、を有している。導電板材５０は、表面電極４４と対向する底面１０２と、底面１０２と反対側であって、大電流用ワイヤ６０がボンディングされる領域を有する上面１０４とを備える。上面１０４の面積は底面１０２の面積より大きい。 （もっと読む）

【課題】隣接する電極パッド間のショート不良を起こすことが無く、安定的にボンディングする。
【解決手段】まず、キャピラリ３００の先端部からボンディングワイヤ４００を延出させる（延出ステップ）。次いで、キャピラリ３００をボンド点（例えば半導体チップ１０）に近づけるように移動させる（移動ステップ）。次いで、ボンディングワイヤ４００の先端を、キャピラリ３００の先端面（非図示）でボンド点（例えば半導体チップ１０）に接触させて圧着する（圧着ステップ）。このとき、延出ステップにおいて、ボンディングワイヤ４００の先端にボールを形成せずに、圧着ステップを行う。 （もっと読む）

【課題】既存の半導体に合わせてプリント配線板を設計しなくても対応可能としたプリント配線板に付いた半導体を提供する。
【解決手段】ワイヤボンディングは絶縁して交差も可能なように組み合わせるとともに、ボンディングパットに関してもチップ上に組み替え可能とする。また、積層基板のボンディングも上下層に絶縁交差可能とする。これにより、ピン間スペースを広くもつことができ設計の自由度が増す。また、交流信号のあるピン同士の場合電極を広くとれ高品質な配線板になる。積層基板のボンディングも上下層に絶縁交差するものになる。また、大きなリードフレームにチップを複数搭載した場合は、金銀ワイヤ毎まとめて回収することができる。これにより複数のチップ間も設計が楽になり設計の選択肢が増える。 （もっと読む）

【課題】小型化及び低コスト化を図りつつ、導電ワイヤとの干渉を回避しながら、溝の底面に形成されたパッドと溝の外側周辺部の上面に形成されたパッドとをワイヤボンディングにより接続することができる電子装置を提供する。
【解決手段】電子装置１００は、互いに対向する２つの壁面１０７、１０８からなる溝１０２が形成され、溝１０２の外側周辺部の上面側に第１のパッド１０４が設けられ、溝１０２の底面側に第２のパッド１０５が設けられ、ワイヤボンディングにより第１のパッド１０４と第２のパッド１０５とが接続されている。溝の１０２の底面に垂直な方向から見た場合における溝１０２の２つの壁面１０７、１０８のうち第１のパッド１０４により近い一方の壁面１０７の上端から第２のパッド１０５までの距離（ＬＷ）１０９よりも、もう一方の壁面１０８の上端から第２のパッド１０５までの距離（ＬＮ）１１０が短くなるように構成されている。 （もっと読む）