【課題】ダウンホールモジュールで使用する接続信頼性の良好な電子アセンブリを提供する。
【解決手段】電子アセンブリ２００は、多層セラミックアセンブリと、多層セラミックアセンブリ上に配置される電子部品２４０とを有し、多層セラミックアセンブリは、セラミック基板２２０と、セラミック基板２２０上に配置されるニッケルめっき層と、ニッケルめっき層上に配置される０．５ミクロン未満の厚さを有する金めっき層と、を含み、電子部品２４０と金めっき層とは、アルミニウムワイヤでワイヤボンドされる。 （もっと読む）

【課題】金めっき皮膜を薄くすることが可能で、半導体チップ搭載用基板の製造コストを低くすることが可能である。さらに、微細配線を形成する場合であっても、ブリッジの発生を低減でき、しかも優れたワイヤボンディング性及びはんだ接続信頼性を得ることが可能な半導体チップ搭載用基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】樹脂を主成分とする絶縁層２１と、絶縁層２１の上に形成された銅回路２２、３、５と、銅回路２２、３、５上の少なくとも一部に形成された電解ニッケルめっき皮膜７と、電解ニッケルめっき皮膜７の少なくとも一部に形成され、金めっき皮膜８を形成したワイヤボンディング用端子と、を有する半導体チップ搭載用基板であって、金めっき皮膜８のニッケルめっき皮膜７とは反対側の面の結晶粒径の平均値が、５μｍ以上である。 （もっと読む）

【課題】 微細配線に充分対応することができ、しかも銅ワイヤによる接続で充分なワイヤボンディング接続信頼性を有する半導体パッケージ及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】 本発明の半導体パッケージは、端子形状の銅の表面にめっき皮膜が形成されたワイヤボンディング端子を有する半導体チップ搭載用基板と、ワイヤボンディング端子に接合された銅ワイヤで電気的に接続された半導体チップと、を備え、上記めっき皮膜が、銀めっき皮膜、パラジウムめっき皮膜、金めっき皮膜、又は、パラジウムめっき皮膜と金めっき皮膜との２層めっき皮膜であり、上記ワイヤボンディング端子は、めっき皮膜が形成された箇所と、端子形状の銅と銅ワイヤとが直接接合された箇所とを有する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、プリント回路基板の無電解表面処理めっき層と、その製造方法、及びこれを含むプリント回路基板に関する。
【解決手段】本発明は、無電解ニッケル（Ｎｉ）めっき被膜／パラジウム（Ｐｄ）めっき被膜／金（Ａｕ）めっき被膜からなり、前記無電解ニッケル、パラジウム、及び金めっき被膜はその厚さがそれぞれ０．０２〜１μｍ、０．０１〜０．３μｍ、及び０．０１〜０．５μｍであるプリント回路基板の無電解表面処理めっき層とその製造方法、及びこれを含むプリント回路基板に関する。本発明によると、プリント回路基板の無電解表面処理めっき層は、特にニッケルめっき被膜の厚さを０．０２〜１μｍに最小化させることにより最適化された無電解Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ表面処理めっき層を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】 実装による接続性を良好な状態に保ちながら、放熱性を改善した素子実装用基板を提供することにある。
【解決手段】 この素子実装用基板１０は、基板１１と配線パターン１２とを有している。配線パターン１２は、基板１１上に形成された高い熱伝導率を有する下地金属層１３と、その上に形成された硬質金属層１４と、下地金属層１３及び硬質金属層１４の上に形成された高い熱伝導率を有する表面金属層１５とから構成されている。硬度が高い硬質金属層１４は、配線パターン１２における素子１６に接続するバンプ１７又はワイヤー２７の実装ポイントＰにのみ配置されている。実装ポイントＰにのみ硬質金属層１４を設けることで、実装ポイントＰにおける半田バリアあるいは実装時の超音波の伝わりを良好にしている。 （もっと読む）

【課題】デンドライトなどの発生が抑制された、絶縁信頼性に優れた半導体素子用のボンディングワイヤ、および、ボンディングワイヤを用いたプリント回路板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】銅または銅合金のワイヤ２０と、ワイヤ表面上を被覆する１，２，３−トリアゾールおよび／または１，２，４−トリアゾールを含む銅イオン拡散抑制層と、を備える半導体素子１６用のボンディングワイヤ。 （もっと読む）

【課題】 発光装置の光特性を向上させるために、ボンディングワイヤ表面への金属被覆をすることなしに波長３８０〜５６０ｎｍの光の反射率が高く、化学的安定性を高めた安価なボンディングワイヤを提供する。
【解決手段】 銀を主成分とし、１００００〜９００００質量ｐｐｍの金、１００００〜５００００質量ｐｐｍのパラジウム、１００００〜３００００質量ｐｐｍの銅、１００００〜２００００質量ｐｐｍのニッケルから選ばれた少なくとも１種以上の成分を含み、塩素含有量が１質量ｐｐｍ未満で、波長３８０〜５６０ｎｍの光の反射率が９５％以上のボンディングワイヤである。 （もっと読む）

【課題】ボール形成時の雰囲気ガスを１００％窒素ガスとした場合でも銅ボールが酸化しにくく、アルミニウム電極と銅ボールとの接合信頼性を損なわず、銅ワイヤ表面も酸化し難くスティッチボンディング性が非常に良好な銅ボンディングワイヤを提供する。
【解決手段】Ｃｌの含有量が２質量ｐｐｍ以下である、２質量％以上７．５質量％以下のＡｕを含み、残部Ｃｕと不可避不純物からなることを特徴とするＣｕボンディングワイヤ。 （もっと読む）

【課題】無電解めっき電極膜にワイヤボンディングを行う際に、信頼性の高いワイヤ接合力を得る手段を提供する。
【解決手段】半導体装置１００は、一面に無電解めっき電極膜１１０が形成された基板１０２と、基板１０２の一面に搭載された半導体チップ１２０と、半導体チップ１２０と無電解めっき電極膜１１０の一面とを接続するボンディングワイヤ１５０とを含む。ここで、無電解めっき電極膜１１０の一面のボンディングワイヤ１５０との接合部において、当該接合部の最下部の高さと当該接合部以外の一面の最高部の高さとの差である窪み量が１．５μｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】ワイヤボンディングが行われる基板上にストリップマスクを用いてはんだを配置する電子装置の製造方法において、ボンディングランドにＰｄメッキを施すことなく、ストリップマスクの残渣を適切に低減する。
【解決手段】マスク配置工程に用いるストリップマスク１００に、マスクの硬化温度およびはんだリフロー温度にてボンディングランド１２における下地金属１２ａよりも酸化しやすい還元部材１１０を添加しておく。 （もっと読む）

【課題】厚みの均一な無電解パラジウムめっき皮膜が形成された被めっき体を提供する。
【解決手段】被めっき体と、無電解ニッケルめっき皮膜と、無電解ニッケル-パラジウムめっき皮膜と、無電解パラジウムめっき皮膜と、置換金めっき皮膜と、を有し、前記無電解ニッケルめっき皮膜、前記無電解ニッケル-パラジウムめっき皮膜、前記無電解パラジウムめっき皮膜及び前記置換金めっき皮膜の順序に積層され、前記置換金めっき皮膜が最表層に位置してなる、めっき析出物。 （もっと読む）

【課題】小型化および薄型化に必要とされるプリント配線板に特に半導体チップ、例えばMEMSチップを搭載する場合の電気的接続方法であるφ25からφ50μｍの細いアルミニウム線を用いたウェッジボンディングの作業性の向上を図ることができ、しかも信頼性の高い接続を得る事が可能なプリント配線板を提供する。
【解決手段】ハンダ付け用のパッケージ部品の搭載とMEMSチップに代表されるベアタイプの半導体チップの共存搭載を有するとともに、MEMSチップの電気的接続にアルミニウム線のワイヤボンディングを用いるプリント配線板において、前記プリント配線板の導体部に金めっきを有するとともに導体部の表面粗さを特定条件としたものである。 （もっと読む）

【課題】接続端子部の電導基材表面上に、耐熱性および半田濡れ性に優れためっき被膜が形成された、電子部品を提供すること。
【解決手段】本発明による電子部品は、接続端子部の電導基材表面上に、ゲルマニウムを含むニッケルめっき被膜が形成されてなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 樹脂基板側とのステッチ接合性が良好なボンディングワイヤ及びそのボンディングワイヤによって接合された半導体装置を提供する。
【解決手段】 ワイヤの長手方向に沿って断面円形のワイヤ表面に微細な筋状凹凸溝パターンが形成されているものであって、当該筋状の凹凸溝パターンは、オーバリティ（ワイヤの直径を複数回測定した値の中で、最長の直径と最短の直径との差を平均の直径で除したときの百分率の値）が０．１〜６％であり、かつ、ＢＥＴ法による比表面積が当該筋状凹凸溝パターンの形成されていないものに対して３〜１００％大きくなっていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】表面が金メッキよりなるランドに対して、アルミワイヤと金ワイヤとが接続されてなる電子装置において、アルミワイヤ用ランドの金メッキ厚を変えることなく、金ワイヤ用ランドの金メッキ厚を厚くするのに適した構成を提供する。
【解決手段】１個の金ワイヤ用ランド１２を、複数個の領域に分割された分割部１２ａの集合体であってこれら複数個の分割部１２ａにまたがって１本の金ワイヤ３２が接続されているものとし、個々の分割部１２ａの面積を１個のアルミワイヤ用ランド１１の面積よりも小さいものとし、個々の分割部１２ａにおける金メッキ１０ｃを、アルミワイヤ用ランド１１における金メッキ１０ｃよりも厚いものとした。 （もっと読む）

【課題】二次実装の際に、ワイヤーボンディングパッドと封止樹脂間での剥離を抑制することを目的とする。
【解決手段】基板本体４のワイヤーボンディングパッド６および貫通ビア８を含む回路パターンをくびれを持ったひょうたん形にして、金メッキで被覆された領域を最小としながらもワイヤーボンドに必要な領域を確保し、樹脂封止された際にワイヤーボンディングパッド６の幅の狭くなった領域近傍に形成された有底ビア７に樹脂が入りアンカー効果を発揮し、ワイヤーボンディングパッド６と前記封止樹脂とを強固に固着し、二次実装の際のワイヤーボンディングパッド６と封止樹脂間での剥離を抑制することができる。 （もっと読む）

【解決手段】無電解ニッケルめっき皮膜と無電解パラジウムめっき皮膜と無電解金めっき皮膜とが形成されためっき皮膜積層体の無電解金めっき皮膜の一部又は全部を、水溶性金化合物と、錯化剤と、ホルムアルデヒド及び／又はホルムアルデヒド重亜硫酸塩付加物と、一般式Ｒ₁−ＮＨ−Ｃ₂Ｈ₄−ＮＨ−Ｒ₂又はＲ₃−（ＣＨ₂−ＮＨ−Ｃ₂Ｈ₄−ＮＨ−ＣＨ₂）_n−Ｒ₄で表されるアミン化合物とを含有する無電解金めっき浴を用いた無電解金めっきにて形成する。
【効果】フラッシュ金めっき浴と、厚付け金めっき浴の２種類の浴を準備する必要がなく、１種の金めっき浴で、はんだ接合向け又はワイヤボンディング向けとして好適とされる様々な膜厚の金めっき皮膜を形成することができ、特に、膜厚０．１５μｍ以上の無電解金めっき皮膜を、１種のめっき浴で、１工程で効率よく、有効に形成することができることから、工程の簡略化が可能であり、コスト的に有利である。 （もっと読む）

【課題】半導体パッケージ用プリント基板の表面処理作業において、各パッドの鍍金の際、マスキング作業をすべて省略するか最小化することで、工程を簡素化するとともに実装信頼性を向上させる、半導体パッケージ用プリント基板の製造方法を提供する。
【解決手段】ワイヤーボンディング用パッドとＳＭＤ実装用パッドを含む、一定の回路パターンが形成されたパッケージ用プリント基板を提供し、前記プリント基板のワイヤーボンディング用パッド及びＳＭＤ実装用パッドを除いた部分にソルダレジスト層を形成し、無電解ニケル鍍金及び無電解金鍍金によって、前記ワイヤーボンディング用パッド及びＳＭＤ実装用パッドに無電解ニッケル／金鍍金層を形成し、電解金鍍金によって、前記ＳＭＤ実装用パッドのＥＮＩＧ層のうち、鍍金引入線が連結された一部ＥＮＩＧ層とワイヤーボンディング用パッドのＥＮＩＧ層に電解金鍍金層を形成する。 （もっと読む）

【課題】パッド電極部における封止樹脂層の剥がれを抑制し、回路装置の信頼性を向上させる。
【解決手段】この回路装置は、配線層３、金めっき層４、絶縁樹脂層５、回路素子６、導電部材７、及び封止樹脂層８を備える。配線層３は、銅からなる配線層３のパッド電極部分においてその表面に金めっき層４が形成される。この部分以外の表面は粗面加工が施される。絶縁樹脂層５は、配線層３を覆うように、パッド電極の形成領域に開口部５ａを有するように形成される。回路素子６は所定の領域の絶縁樹脂層５の上に装着される。封止樹脂層８は絶縁樹脂層５の上に形成され、回路素子６およびパッド電極の開口部５ａを覆うように全面に形成される。ここで、封止樹脂層８は、パッド電極部分において金めっき層４および配線層３と接するように設けられる。 （もっと読む）

【課題】経済的な工程によって微細ピッチの実現が可能であり、プリ半田の高さを高めるのに有利であって接合性及びアンダーフィル性を高めることが可能なうえ、メッキ厚さの調節によって所望の高さのプリ半田を得ることが可能な半導体パッケージ用プリント基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体実装のためのワイヤボンディング部１０２とバンプ部１０３、及び外部部品との結合のための半田付け部１０４を含み、一定の回路パターンが形成されたパッケージ用プリント基板１００において、ワイヤボンディング部１０２、バンプ部１０３及び半田付け部１０４のうち少なくともバンプ部１０３が、銅または銅合金層と、銅または銅合金層上に形成された電解錫メッキまたは錫合金メッキ層とを含む。 （もっと読む）