【課題】ボンディングの接合強度と接合信頼性を確保し、ボンディング工程の合理化と低コスト化とを実現可能としたワイヤボンディング構造及び電子装置とその製造方法を提供する。
【解決手段】第１の電極２１と第２の電極１１との少なくとも一方の電極１１におけるボンディング領域が、第１のアルミワイヤ３を超音波接合して形成されたボンディング用の台座１４と、台座１４上に第２のアルミワイヤ２を超音波接合して形成されたボンド部２ｂとにより構成されている。第２のアルミワイヤ２は、第１のアルミワイヤ３よりも細い線材からなる。 （もっと読む）

【課題】実装基板としてのプリント基板を、特性インピーダンスが５０Ωに合うように設計していても、高速信号を伝送する伝送線路としてのボンディングワイヤーの部分で高インピーダンス化が生じる。このようなインピーダンスの変動は、信号の反射や波形の歪みを生じさせ、半導体装置としての特性に影響を与える。また、半導体装置としてのインピーダンス整合を達成するためにフリップチップ接続方法を用いる場合、コストの増加を招いてしまう。
【解決手段】所望信号を流すボンディングワイヤーに隣接して、所望信号に対応するリターン電流を流すためのリファレンス用ボンディングワイヤーを配置する。さらに、これら複数のボンディングワイヤーにおける断面形状を、楕円や多角形の組み合わせにする。その結果、ボンディングワイヤーおよび実装基板における特性インピーダンスの不整合が緩和される。 （もっと読む）

【課題】導電性ワイヤ同士の間、または導電性ワイヤと半導体チップとの間に生じる短絡を防止する方法を提供する。
【解決手段】半導体チップ１２が搭載された配線基板１１を準備する。配線基板１１には接続パッド１７が設けられている。半導体チップ１２の、電極パッド１８が設けられた一の面１２ａは、配線基板１１とは反対側に向いている。次に、半導体チップ１２の、配線基板１１とは反対側に向いた一の面１２ａに、第１の絶縁層１４を形成する。次に、第１の絶縁層１４上に、熱可塑性を有する第２の絶縁層１５を形成する。それから、導電性ワイヤ１３の一端１３ａを配線基板の接続パッド１７に熱圧着し、導電性ワイヤ１３の他端１３ｂを半導体チップ１２の電極パッド１８に熱圧着するとともに、熱圧着する際に発せられる熱によって軟化した第２の絶縁層１５に、導電性ワイヤ１３の一端１３ａと他端１３ｂとの間の一部を埋め込む。 （もっと読む）

【課題】基板上のボンディングランドを２次ボンディング側として、ウェッジボンディングによってワイヤを接続するワイヤボンディング方法において、ボンディングランドの材料として特殊な材料を用いることなく、また、基板とランドとの剥離を防止しつつ、ボンディング性を向上させる
【解決手段】キャピラリ１００を用いて、基板１０の一面に設けられたＩＣチップ２０に１次ボンディングした後、基板１０の一面上に突出して設けられたボンディングランド３０にワイヤ４０を２次ボンディングするワイヤボンディング方法において、２次ボンディング工程の前に、キャピラリ１００の先端部１０２における内孔１０１の周囲部を、ボンディングランド３０に押し付けてランド３０を平坦化した後、２次ボンディング工程にて、ランド３０の平坦化された部位３１に対してワイヤ４０の接合を行う。 （もっと読む）

【課題】外部と電気的に接続可能な外部電極を有する基材と、導電性ペーストからなる表面電極を有する半導体素子とを備える構成において、接合信頼性を確保しつつ、表面電極と外部電極との接続手段または接続工程を簡易化することができる半導体装置および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】外部と電気的に接続可能な外部電極１３が形成された基材１１と、導電性ペーストからなる表面電極１６が形成された半導体素子１５とを備え、基材１１に半導体素子１５が実装されてなる半導体装置１０であって、基材１１の外部電極１３と半導体素子１５の表面電極１６とは、ワイヤボンディングによって金ワイヤ１７で電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】表面粗さを調整させるメッキ構造の改善を図り、ボンディングワイヤとの結合力を向上させると供に製造工程の簡素化を実現し得る金属端子の提供を目的とする。
【解決手段】配線基板の表面に配設されると供に露出面がボンディングワイヤに溶着される金属端子１１５であって、銅元素を基として組成された銅母材Ｂｍｂと、銅元素を基として組成され前記銅母材に積層された銅メッキ層Ｌｃとから成り、表面粗さが０．２μｍ以下とされるように表面状態が調整されている。 （もっと読む）

【課題】ワイヤボンディングによって電子部品を確実に実装し易く、かつ低コストの下に製造することが容易なセラミック配線基板、およびその製造方法を提供する。
【解決手段】板状のセラミック基材１と、該セラミック基材上に配置された複数のボンディングパッド３と、該複数のボンディングパッドに接続された配線パターン５とを備えたセラミック配線基板１０を作製するにあたり、厚さ方向にかけられた荷重により上面の最大高低差が１μｍ以下にまで平坦化された平坦領域３ａを有するパッド本体をそのまま、または該パッド本体を導電性めっき層で覆ってボンディングパッドとする。 （もっと読む）

【課題】低コストで製造される電子デバイスを提供する。また平面サイズの小型化をするとともに、薄型化した電子デバイスを提供する。
【解決手段】電子デバイスは、基板側パッド２４を並べて基板２０上に配設し、ＩＣ側パッド１４が上面に並べて設けられたＩＣチップ１２を、ＩＣ側パッド１４の並べられた方向と基板側パッド２４の並べられた方向とを交差させて基板２０上に設け、基板側パッド２４とＩＣ側パッド１４とをワイヤ３２で接合した構成である。このワイヤ３２は、逆ボンディング法を用いて接合されている。そして電子デバイスには、ＩＣ側パッド１４の並べられた方向に沿うＩＣチップ１２の側辺に隣接して電子部品が基板２０上に設けられ、複数の基板側パッド２４のうちの少なくとも一部と電子部品とが導通している。 （もっと読む）

【課題】 様々な回路基板の形態に柔軟に対応可能な電子デバイスの実装方法及び実装構造を提供する。
【解決手段】 本発明の実装方法は、配線パターンを有する基板２０に電子デバイス１０を実装する方法であって、電子デバイス１０の一面側の端子部と基板２０の配線パターンとを電気的に接続するための接続部３４，３５について、一部を液滴吐出法を用いて形成し、他部を他の手法を用いて形成する。 （もっと読む）

【課題】ボンディングワイヤが他の配線に接触するおそれをなくし、ボンディングワイヤのループの変形に起因する電気的なショートの発生を防止する。
【解決手段】基板１上に配設された信号配線パターン５ａと、基板１上に固定された半導体チップ２とをボンディングワイヤ７により電気的に接続する際に、基板１に設けた絶縁状態にあるＣｕなどの配線パターン１４上に、ボンディングワイヤ７と同一の材料からなる補強用のボンディングワイヤ１２を設けて、信号配線パターン５ａにボンディングした各ボンディングワイヤ７に対する補強用，支持用の支柱とする。 （もっと読む）

【課題】実行可能な程度にできるだけボンドフィンガーピッチを減ずることができるワイヤボンド相互接続を提供する。
【解決手段】ダイパッドとボンドフィンガーとの間のワイヤボンド相互接続は、リードフィンガーのボンドサイトにサポート台座と、ダイパッド上のボールボンドと、前記サポート台座上のスティッチボンドとを備える。ボンドサイトでのリードフィンガーの幅はサポート台座の径より小さい。リードフィンガーは、概ね台形状、又はおおよそ（先端を断ち切った）三角形状、又はおおよそ（曲線的な頂点を具備する）三角形状の断面を有することが可能である。 （もっと読む）

担体（１）上に半導体チップ（３）が配置されており、この半導体チップ（３）は、該担体の裏面のメタライジングされた面に、貫通接触接続部（９）を介して接続されている。前記貫通接触接続部（９）に第１のネイルヘッドコンタクト（４）が形成されており、該第１のネイルヘッドコンタクト（４）からワイヤは分離されている。半導体チップ（３）の接続パッド上に第２のネイルヘッドコンタクト（５）が形成されており、該第２のネイルヘッドコンタクト（５）から出発して、半導体チップ（３）を貫通接触接続部（９）に接続するワイヤ（６）が第１のネイルヘッドコンタクト（４）まで延在しており、ここでウェッジコンタクト（７）によって該第１のネイルヘッドコンタクト（４）に接続されている。
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