【課題】単一のパワー半導体モジュールに例えば１２アームを搭載可能にコンパクトに実装するとともに、直流端子と交流端子のそれぞれの端子をモジュール端面にそれぞれ配置し、また、電力回路のインダクタンスを低く保つこと。
【解決手段】１枚の絶縁基板１０８上に２組の上アーム（１００，１０４と１０２，１０６）を絶縁基板上の上寄り左右に配置し、２組の下アーム（１０１，１０５と１０３，１０７）を絶縁基板上の下寄り左右に配置して、絶縁基板上の配線パターンとして、２組の上アームを第１の配線パターンＣ０１上に実装し、２組の下アームは第１の配線パターンの下に配置した第２、第３の配線パターンＣ０２，Ｃ０２上にそれぞれ実装して、第２、第３の配線パターンの間に第１の配線パターンＣ０１を延長し、その延長した端部に正極端子Ｔ０１からの配線を接続し、さらに、絶縁基板１０８を１モジュール中に３枚並置して実装して１２ｉｎ１モジュールの構成とすること。 （もっと読む）

【課題】ワイヤボンディングにおいて接続不良が発生することを抑制できる回路基板、回路モジュール及び回路基板の製造方法を提供することである。
【解決手段】半導体素子１４がワイヤボンディングにより実装される回路基板１２。基板本体１３は、複数の絶縁体層が積層されてなり、半導体素子１４が実装される実装領域Ａ０が設けられている実装面Ｓ１を有している。内部導体層２０は、絶縁体層と共に積層されている。ランド電極１６は、実装面Ｓ１に設けられ、かつ、半導体素子１４との接続に用いられるワイヤＷが接続される。ランド電極１６は、ｚ軸方向から平面視したときに、領域Ａ１及び領域Ａ１よりも実装領域Ａ０から離れている領域Ａ２を有している。領域Ａ１が重なっている内部導体層２０の数は、領域Ａ２が重なっている内部導体層２０の数よりも多い。 （もっと読む）

【課題】より多くのＩ／Ｏセルを配置することができるようにする。
【解決手段】多層配線層には、電位供給用接続配線２３０が設けられている。電位供給用接続配線２３０は、平面視で外周セル列２０を構成するＩ／Ｏセル２００のいずれか、および内周セル列３０を構成するＩ／Ｏセル２００のいずれかと重なっている。そして電位供給用接続配線２３０は、外周セル列２０の下方に位置する電源電位供給配線２２２を、内周セル列３０の下方に位置する電源電位供給配線２２２に接続するとともに、外周セル列２０の下方に位置する接地電位供給配線２２４を、内周セル列３０の下方に位置する接地電位供給配線２２４に接続している。 （もっと読む）

【課題】ボンディングワイヤのループインダクタンスを低減した半導体パッケージを提供する。
【解決手段】所定の方向に交互に配置された信号用パッドおよび補助パッドのそれぞれが複数設けられた半導体装置と、信号用ボンドフィンガー、電源電圧用ボンドフィンガーおよび接地電位用ボンドフィンガーのそれぞれが複数設けられたパッケージ基板と、を有する。複数の信号用パッドのそれぞれが複数の信号用ボンドフィンガーのそれぞれと第１のワイヤを介して接続され、複数の電源電圧用ボンドフィンガーおよび複数の接地電位用ボンドフィンガーのそれぞれが複数の補助パッドのそれぞれと第２のワイヤを介して接続されている。第１のワイヤが、電源電圧用ボンドフィンガーに接続された第２のワイヤと接地電位用ボンドフィンガーに接続された第２のワイヤとの間に配置されている。 （もっと読む）

【課題】配線基板の一面を封止する封止体の配線基板の端縁部における剥離を防止し、信頼性を大幅に向上させると共に、更なる小型化を可能とした半導体装置を提供する。
【解決手段】配線基板２の一面には、複数のボンディングパッド６が端縁部に沿って並ぶボンディングパッド群６Ａ，６Ｂと、一面を被覆する絶縁膜１１とが設けられ、半導体チップ３の配線基板２と対向する面とは反対側の面には、複数のチップパッド１３が端縁部に沿って並ぶチップパッド群１３Ａ，１３Ｂが設けられ、ボンディングパッド６とチップパッド１３との間がボンディングワイヤー１４を介して電気的に接続され、絶縁膜１１には、ボンディングパッド群６Ａ，６Ｂを露出させる開口部１２が設けられ、この開口部１２は、配線基板２の端縁部に臨んで開口されると共に、配線基板２の端縁部に沿って並ぶボンディングパッド群６Ａ，６Ｂの間で連続して開口されている。 （もっと読む）

【課題】ボンディングリードの配置効率を向上させる。
【解決手段】配線基板１０の第１辺１０ｃに沿って配置される複数のボンディングリード１１は、第１ボンディングリード群に配置される複数のボンディングリード１１ａと、第１ボンディングリード群と第１辺１０ｃの間の第２ボンディングリード群に配置される複数のボンディングリード１１ｂを含んでいる。ここで、ボンディングリード１１ｂの数はボンディングリード１１ａよりも多い。また、第１ボンディングリード群において、隣り合うボンディングリード１１ａの間には、ボンディングリード１１ｂに接続される複数の上面側配線１３ａｂが配置されている。これにより、ボンディングリード１１を半導体チップの第１主辺２０ｃに対して斜めに配置してもボンディングリード１１の配置効率を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】半導体チップとパッケージ基板間を接続する配線長の差異に起因する、信号毎の伝搬遅延時間の差を低減できる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体チップ１０−１、１０−２上に、半導体チップが備えるチップパッド１１と半導体チップが搭載されるパッケージ基板１が備えるボンディングフィンガー３とを接続する各配線を中継する、複数の中継パッド２３を備えた中継基板２１を搭載する。各中継パッドは、所定の信号グループ内の各信号に対応する配線の長さがそれぞれ等しくなる位置に配置される。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の高機能化（多ピン化）および小型化に対応できる配線基板を実現することができる。
【解決手段】配線基板２の上面のチップ搭載領域（半導体チップ３の周縁部）と配線基板２の周縁部との間の領域に、配線基板２の各辺に沿って３列に亘って複数のボンディングリード１３を配置し、真ん中の２列目ボンディングリード群ＬＧ２の複数のボンディングリード１３には、平面視において、１列目ボンディングリード群ＬＧ１の隣り合うボンディングリード１３の間を経由する外側配線Ａ２ａ、および３列目ボンディングリード群ＬＧ３の隣り合うボンディングリード１３の間を経由する内側配線Ａ２ｂが繋がっている。 （もっと読む）

【課題】現実的な実装方法で寄生インダクタンスを低減する手段を提供する。
【解決手段】半導体パッケージ１表層には、ワイヤボンディングの接続点である該半導体パッケージ表層上で突出する複数の櫛歯状グラウンドパッド３１を有するグラウンドパッドを設ける。櫛歯状グラウンドパッドの間には、電源パッド２５を配置する。
１つの櫛歯状グラウンドパッド３１には長短二本のグラウンドワイヤが配される。また、１つの電源パッド２５には長短二本の電源ワイヤが配される。
長いグラウンドワイヤ１２−２と長い電源ワイヤ１１−２、短い電源ワイヤ１１−１と短いグラウンドワイヤ１２−１を平行かつ近接するように配置することで寄生インダクタンスを低減する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の小型化を図る。
【解決手段】半導体チップ５の複数の第１電極パッドａと配線基板２の複数の第１接続部３ｂ１を、複数の第１ワイヤ１０ｂ１を介して電気的に接続する工程と、第２電極パッドｂと前記配線基板の複数の第２接続部３ｂ２を、第２ワイヤ１０ｂ２を介して電気的に接続する工程と、第３電極パッドｃと前記配線基板の複数の第３接続部３ｂ３を、第３ワイヤ１０ｂ３を介して電気的に接続する工程とを有し、前記複数の第１ワイヤ１０ｂ１のそれぞれを前記複数の第１接続部３ｂ１のそれぞれの前記第１部分に接続し、前記第３ワイヤ１０ｂ３を前記第３接続部３ｂ３の前記第２部分に接続し、前記複数の第１１０ｂ１、第２１０ｂ２および第３ワイヤ１０ｂ３は、平面視において、前記半導体チップ５の前記第２辺の中心部を経由し、かつ前記第２辺と直交する仮想線５ｓに対して鋭角をなす角度で、前記複数の電極パッドから延在させる。 （もっと読む）

【課題】配線の引き回しが容易で、ワイヤショートの発生を低減された半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、第１及び第２電極パッド列１３、１４に各々近接して配置された第１及び第２接続パッド群２１、２２を有する絶縁基板１１の開口部１２から、第１電極パッド列１３及び第２電極パッド列１４が露出されるように半導体チップが搭載され、第１接続パッド群２１は、第１電極パッド列１３の電極パッドにワイヤａを介して接続された第１の接続パッド２４と、第１の接続パッド２４に接続されかつ第１電極パッド列１３の電極パッドと接続されていない第２の接続パッド２５とを有し、第２接続パッド群２２は、第２電極パッド列１４の電極パッドにワイヤｂを介して接続された第３の接続パッド２６と、第２の接続パッド２５にワイヤＢを介して接続されかつ第２電極パッド列２２の電極パッドに接続されていない第４の接続パッド２７とを有する。 （もっと読む）

【課題】ミリ波帯等の高周波伝送線路に介在されるワイヤボンディング長を短くし、その部分の寄生インダクタンスの影響による信号品質の劣化を抑制するとともに、放熱性を高めること。
【解決手段】半導体装置１０は、半導体素子（チップ）３０が配線基板２０に形成されたキャビティ２７内にその底面との間に接着材料３３を介在させて搭載され、チップの電極端子３１がキャビティ周囲の基板上に形成された配線部分２２ａ，２２ｂにワイヤ３２を介して接続された構造を有する。チップ３０は、配線部分のうち他の配線に比べて高周波用の配線２２ａが形成されている領域に近い側のキャビティの側壁２７ａに密着して搭載され、チップ３０を密着させた側のキャビティの底面２７ｅに凹部２８が設けられ、さらにこの凹部の底面から基板外部に繋がるサーマルビア２９が設けられている。 （もっと読む）

【課題】ワイヤボンディング処理に適し、小型化を実現でき、回路設計容易な半導体素子および半導体キャリアを提供する。
【解決手段】半導体キャリア６と半導体素子１とがワイヤ９で電気的に接続される構造の半導体装置において、半導体キャリア６の電極４と半導体素子１の電極２を、隣接間の距離およびワイヤ間の最小距離が、ワイヤボンディング処理に必要な距離以上であり、かつ、半導体素子１の電極２の一部が同一直線上にない位置に配置することにより、半導体素子１を小型化する。 （もっと読む）

【課題】樹脂よりなる基板上に設けられたボンディングランドにワイヤボンディングを行うにあたって、ボンディング時の基板温度を必要以上に上げることなく、ワイヤボンディングの信頼性を確保する。
【解決手段】基板１０の内部のうち基板１０の一面側のボンディングランド２０の直下には、基板１０を構成する樹脂よりも熱伝導性に優れ、基板１０の一面側から当該一面とは反対側の他面まで貫通するとともに当該他面に露出する熱伝導性部材５０が設けられており、この熱伝導性部材５０とボンディングランド２０とは熱的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】高価で複雑な配線プロセスを用いず、汎用的なプロセスで実現できるトランス内蔵半導体装置を提供する。
【解決手段】実装基板１０上に搭載された高圧チップを含む高圧回路と、高圧回路に隣接して配置され、実装基板上に搭載された低圧チップを含む低圧回路と、高圧回路と前記低圧回路との信号伝達を行い、高圧回路には高圧側コイル、低圧回路には低圧側コイル８２を備えたトランスと、を同一の半導体パッケージ１５０内に備えたトランス内蔵半導体装置２００であって、高圧側コイル及び前記低圧側コイルは、高圧回路と前記低圧回路の境界線に沿って実装基板上に複数配置された端子３０と、端子間を実装基板より上方で接続するワイヤ５０と、端子間を前記実装基板内で接続する基板内配線２０と、を用いて渦巻き状の配線が形成されたコイル巻線を有する。 （もっと読む）

【課題】アルミニウムワイヤをアルミニウム膜に超音波接合で固着する場合、その接合強度および接合の長期信頼性を向上させることができる半導体装置およびその製造製法を提供する。
【解決手段】シリコン基板１上に選択的に酸化膜５を形成し、その上にアルミニウム膜６を形成することで、アルミニウム膜６の面方位を部分的に（１００）面に配向させ、［１００］方位に配向しているアルミニウムワイヤ８をこのアルミニウム膜６に超音波接合で固着することで、接合面９の面方位が（１００）面のアルミニウムワイヤ８と部分的に面方位が（１００）面となっているアルミニウム膜６をホモエピタキシャル接合させることで、接合強度および接合の信頼性を向上させることができる。 （もっと読む）

【構成】 半導体装置１０は基板１２を含み、基板１２の表面には配線パターンが形成される。配線パターンは、電極１８ａ、ＷＢパッド１８ｂおよび連結部１８ｃを含む。ＷＢパッド１８ｂは、その長手方向ＱがＤＢ領域２８の中心Ｘから放射状に延びる線Ｐとほぼ並行に沿うように形成される。したがって、ＤＢ領域内に第１サイズのチップ１６がボンディングされた場合には、ボンディングワイヤ２４が長手方向Ｑとほぼ並行になる。また、第１サイズよりも小さい第２サイズであり、第１サイズのチップ１６と同じ形状のチップ１６がボンディングされた場合であっても、ボンディングワイヤ２４が長手方向Ｑとほぼ並行になる。このように、チップサイズに拘わらず同一の基板１２を使用することができるので、チップサイズに応じた複数の配線パターンを用意する必要がない。
【効果】 配線パターンの開発時間を短縮することができる。 （もっと読む）

半導体モジュールパッケージのための一体化された電磁干渉（ＥＭＩ）シールドである。一体化されたＥＭＩシールドは、パッケージの基板内の接地面とパッケージのモールド化合物の上端上にプリントされた導電層との間に電気的に接続された複数のワイヤボンドばねを含む。ワイヤボンドばねは、ワイヤボンドばねの上端と導電層との間の電気的接続によるコンタクトを与えるばね効果を生じさせる、定められた形状を有する。ワイヤボンドばねを、モジュールパッケージ内において、パッケージに含まれる装置すべてまたはその一部の周りのいずれかの場所に配置することにより、これらの装置の周りに完全なＥＭＩシールドを形成する。
（もっと読む）

【課題】信号配線とリターンパス配線とにより形成される電流ループにより生じる磁界を抑制し、高速信号の伝送損失を低減する。
【解決手段】信号パッド２０４から第１のボンディングワイヤ２０３とパッケージ基板２０６を経由して第１の外部端子２１１Ａまで接続された信号電流パス４０１と、第１の外部端子２１１Ａに近接して設けられた第２の外部端子２１１Ｂから基板を経由して前記信号パッドに近接して設けられた第２のパッド２１５まで接続されたリターン電流パスと、を実質的に同一平面上に設け、信号電流パスとリターン電流パスとを途中で交差させて、電流の流れるループの向きを逆にすることによって、信号電流パスとリターン電流パスとにより形成される電流ループにより生じる磁界を互いに打ち消しあうようにする。 （もっと読む）

【課題】ボンディングワイヤでの反射が少なく、良好な光学特性を有しつつチップのサイズをより縮小化することのできる良好な量産性を有する発光装置と、この発光装置を用いた光プリントヘッドを提供する。
【解決手段】回路基板１と、回路基板１上に設けられた第一電極パッド２と、回路基板１上に配置され、発光部４を備えた発光素子チップ３と、発光素子チップ３上に設けられた四角形状の第二電極パッド５と、第一電極パッド２に対してファーストボンド６ａが接続され、第二電極パッド５に対してセカンドボンド６ｂが接続されたボンディングワイヤ６とが設けられ、ボンディングワイヤ６は、ファーストボンド６ａとセカンドボンド６ｂとを結ぶ直線が第二電極パッド５の対角方向に沿うように設けられている。 （もっと読む）