【課題】電流抑制部を有する半導体デバイスパッケージを提供する。
【解決手段】ノーマリーオン型の第１トランジスタと、ドレインが、第１トランジスタのソースと接続され、第１トランジスタとカスコード接続されたノーマリーオフ型の第２トランジスタと、第２トランジスタのソースと第１トランジスタのゲートとの間に設けられた、第２トランジスタのソースから第１トランジスタのゲートへと流れる電流を抑制する電流抑制部と、第１トランジスタ、第２トランジスタ及び電流抑制部を封止する封止部と、第１トランジスタのドレインに接続され、封止部の外に延伸したドレイン端子と、第２トランジスタのゲートに接続され、封止部の外に延伸したゲート端子と、第２トランジスタのソースに接続され、封止部の外に延伸したソース端子と、を備える半導体デバイスパッケージを提供する。 （もっと読む）

【課題】電極端子とモールド部材との接合強度を向上させた半導体装置を提供する。
【解決手段】金属基材２０上の第１領域２０ａに半導体素子１０を搭載する搭載工程と、この金属基材２０上の複数の電極端子形成領域２０ｂのそれぞれを半導体素子１０の対応する電極端子１１とそれぞれボンディングワイヤにより接続するワイヤ形成工程と、金属基材２０上の半導体素子１０及びボンディングワイヤ１３をモールドするモールド工程と、モールドした半導体素子１０及びボンディングワイヤ１３を金属基材２０から剥離する剥離工程とを有するようにした。 （もっと読む）

【課題】リードフレームに外力が加わったときにボンディングワイヤの変形などの異常検出を容易にしたリードフレームを用いた半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】アイランド部３とリード部８とが連結部１１により一体に連結されてなるリードフレーム２００を用意し、アイランド部３に半導体素子１、２を搭載する工程と、半導体素子１とリード部８とをボンディングワイヤ９により電気的・機械的に接続する工程とを備える半導体装置の製造方法において、アイランド部３と連結部１１とを、ボンディングワイヤ９よりも機械的強度の低いダミーワイヤ１０を介して機械的に接続する工程を備えている。 （もっと読む）

【課題】 ダイパッド上に半導体素子を搭載し、このダイパッドにボンディングワイヤを接続し、これらをモールド樹脂で封止してなる半導体装置において、ダイパット上のモールド樹脂の剥離が発生しても、ダイパッド上のワイヤ接続部までの剥離の進行を抑え、ワイヤの寿命を長くする。
【解決手段】 半導体素子２０と、半導体素子２０が搭載されるダイパッド１１と、を備え、ダイパッド１１にはボンディングワイヤ４０が接続されて、半導体素子２０、ダイパッド１１およびボンディングワイヤ４０がモールド樹脂５０によって封止されてなる半導体装置１００において、ダイパッド１１には、根元部１１ａから半導体素子２０とは離れる方向へ延び途中でＵターンして先端部１１ｂが半導体素子２０へ向かう方向へ延びるＵ字形状を有する突出部１１ｃが延設され、突出部１１ｃの先端部１１ａにボンディングワイヤ４０が接続されている。 （もっと読む）