【課題】ワイヤショートやワイヤ流れのリスクを低減する方法を提供する。
【解決手段】半導体装置１０は、主面上に第１および第２の接続パッド１２４，１２５を有する配線基板１２と、第１の電極パッド１４１を有する第１の半導体チップ１４と、第１の電極パッド１４１より小さいサイズの第２の電極パッド１６１を有する第２の半導体チップ１６と、第１の電極パッド１４１と第１の接続パッド１２４とを接続する第１のワイヤ２２と、第２の電極パッド１６１と第２の接続パッド１２５とを接続する第２のワイヤ２４とを含む。第１の電極パッド１４１は第２のワイヤ２４の幅広部２４１より大きく、第２の電極パッド１６１は第２のワイヤ２４の幅広部２４１より小さい。第２のワイヤ２４は、幅広部２４１が第２の接続パッド１６１に接続され、他端がバンプ電極３０を介して第２の電極パッド１６１に接続される。バンプ電極３０は、第２の電極パッド１６１より小さい。 （もっと読む）

【課題】３軸センサ・チップパッケージためのシステムと方法を提供する。
【解決手段】センサパッケージは、ベース１０５と、第１のセンサダイ１１０が、第１のアクティブセンサ回路１１２および、第１のアクティブセンサ回路に電気的に結合された複数の金属パッド１１４とを備え、ベースに取り付けられた第２のセンサダイ１２０が、第１の表面１２８の上に配置された第２のアクティブセンサ回路１２２と、第２の表面の上に配置された第２のアクティブセンサ回路に電気的に結合された第２の複数の金属パッド１２２とを備え、第２のアクティブセンサ回路は、第１のアクティブセンサ回路に対して直交に方位付けされ、ベースに垂直であるように、第２のセンサダイが配置される。第２の表面は、第１の表面に隣接し、第１の表面の面に対して角度がつけられている。 （もっと読む）

【課題】マルチチップモジュール構造を有する回路装置の低背化、機能向上、小型化、システム化が可能なワイヤボンディング方法、回路装置及び回路装置パッケイジ方法を提供する。
【解決手段】絶縁膜被覆ワイヤを用いたボンディング方法は、絶縁膜被覆ワイヤの自由端である始端に対して、ボール２２０を形成するステップ（ａ）と、この形成されたボールを用いて第１ボンディングを行うステップ（ｂ）と、絶縁膜被覆ワイヤの第１ボンディングを行った部分の被覆の除去を行うとともに絶縁膜被覆ワイヤの終端に対する第２ボンディングを行う部分の被覆の除去を行うステップ（ｃ）と、第２ボンディングを行うステップ（ｄ）とを備える。本発明の回路装置はこのような絶縁膜被覆ワイヤを用いたボンディング方法を利用して作製されたものである。第２ボンディングについても、ボールの形成および被覆の除去を行ってもよい。 （もっと読む）

【課題】２次電池パックの保護回路を更に小型化すること。
【解決手段】本発明に係る半導体チップは、双方向スイッチを構成する２個のパワートランジスタと、抵抗素子とを備える。２個のパワートランジスタのドレイン同士は接続されている。抵抗素子の一端は、２個のパワートランジスタのうち一方のソース電極と電気的に接続され、その他端は、第１外部パッドと電気的に接続されている。それら２個のパワートランジスタと抵抗素子とは、同一の半導体チップ上に形成されている。 （もっと読む）

【課題】ボンディングワイヤのループインダクタンスを低減した半導体パッケージを提供する。
【解決手段】所定の方向に交互に配置された信号用パッドおよび補助パッドのそれぞれが複数設けられた半導体装置と、信号用ボンドフィンガー、電源電圧用ボンドフィンガーおよび接地電位用ボンドフィンガーのそれぞれが複数設けられたパッケージ基板と、を有する。複数の信号用パッドのそれぞれが複数の信号用ボンドフィンガーのそれぞれと第１のワイヤを介して接続され、複数の電源電圧用ボンドフィンガーおよび複数の接地電位用ボンドフィンガーのそれぞれが複数の補助パッドのそれぞれと第２のワイヤを介して接続されている。第１のワイヤが、電源電圧用ボンドフィンガーに接続された第２のワイヤと接地電位用ボンドフィンガーに接続された第２のワイヤとの間に配置されている。 （もっと読む）

【課題】半導体装置におけるワイヤ接続不良の抑制化を図る。
【解決手段】主面３ａの外周部に並んで配置された複数のボンディングリード３ｈを有するパッケージ基板３と、パッケージ基板３の主面３ａのボンディングリード列の内側に搭載された半導体チップ１と、半導体チップ１のパッド１ｃと基板のボンディングリード３ｈとを接続するワイヤ４と、半導体チップ１及び複数のワイヤ４を樹脂封止する封止体と、パッケージ基板３の裏面に設けられた複数の半田バンプとを有している。さらに、ワイヤ４のループの頂点４ｂがワイヤ接続部４ａより外側に配置されていることにより、ボンディングリード３ｈと半導体チップ１のパッド１ｃとの接続においてワイヤ長を長くすることができ、その結果、ワイヤ４のループ形状の安定化を図ってワイヤ接続不良の抑制化を図る。 （もっと読む）

【課題】最高到達温度が高く、温度変化量が大きくなっても、信頼性の高い半導体装置を得ることを目的とする。
【解決手段】帯状の第１の金属板６_ＭＣの一端６_Ｅ１側から所定長さの領域に第２の金属板６_ＭＢが張り合わされた帯状材６_Ｂを、第２の金属板６_ＭＢが張り合わされた領域６_ＦＢよりも他端６_Ｅ２側の部分を折り曲げて第１の金属板６_ＭＣが第２の金属板６_ＭＢの外側に位置するＵ字形状となし、Ｕ字形状の外側となった面において、一端６_Ｅ１側に半導体素子３との接合面６_ｔ１が、他端６_Ｅ２側に配線部材４との接合面６_ｔ２が設けられ、第１の金属板６_ＭＣの線膨張係数は、半導体素子３の線膨張係数よりも配線部材４の線膨張係数に近く、第２の金属板６_ＭＢが張り合わされた領域６_ＦＢにおける帯状材６_Ｂの線膨張係数は、配線部材４の線膨張係数よりも半導体素子３の線膨張係数に近い、ように構成した。 （もっと読む）

【課題】半導体チップを取得するために、半導体ウエハの厚さを薄くした状態で、ブレードを用いたダイシング工程を行うと、チップクラックが発生する。
【解決手段】半導体ウエハ１１のダイシング工程では、第１の直線１１ｍに沿った第１方向１１ｋ（図１２に示すＹ方向）におけるダイシングの際、第１部分１１ｇに位置する第１点１１ｈから、半導体ウエハ１１の中心点１１ｆを通過する第２の直線１１ｎを介して第１点１１ｈと対向する第２点１１ｊに向かってブレードを進行させて、半導体ウエハ１１の切断を行う。 （もっと読む）

【課題】半導体チップの高位置精度を実現して半導体装置の品質の安定化を図る。
【解決手段】ＳＩＰの組み立てのダイボンディング工程で、高い位置精度を要求されないマイコンチップ３を表面非接触型のコレットでピックアップして第１のチップ搭載部上にダイボンディングし、その後、高い位置精度が要求されるＡＳＩＣチップ４を表面接触型のコレットでピックアップして第２のチップ搭載部上にダイボンディングすることで、２種類のコレットを使い分けることにより、前記表面接触型のコレットによってダイボンディングを行ったＡＳＩＣチップ４の高い位置精度を実現するとともに、前記ＳＩＰの品質の安定化を図る。 （もっと読む）

【課題】 半導体チップ積層体の製造方法に関して、工程の簡略化と製品品質の向上を目的とする。
【解決手段】
半導体集積回路１と、パッド２と、パッド２と外部装置とを接続する導電性連結材３とを有する半導体チップ４が樹脂により封止されたチップ封止体であって、導電性連結材３の外部装置側の端部５が露出している複数のチップ封止体１２０と、接続端子１３５を有する配線基板１３１と、複数のチップ封止体１２０における導電性連結材３の端部５と接続端子１３５とを接続する導電性のボンディングワイヤ１３３と、樹脂封止材６とを有する半導体チップ積層体であって、複数のチップ封止体１２０が、配線基板１３１上に積層され、チップ封止体１２０の有する導電性連結材の端部５のそれぞれが、導電性のボンディングワイヤ１３３によって導電接続されていることを特徴とする半導体チップ積層体。 （もっと読む）

【課題】複数の半導体素子を同一基板に搭載することによって小型パッケージに収納される半導体装置であって、ワイヤ結線のループ高さ、およびループ形状をコントロールし、かつ安定させた半導体装置の製造方法を提供するのに収納される半導体装置であって、半導体素子どうしの接着性を向上させた半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】第１のボンディング工程の後、第２のボンディング工程に進む前に、金属細線９をクランプ機構３４によってクランプしながら一定のワイヤ長で結線するようにした。第１のボンディング工程が終了した後のワイヤ引き出し時に、結線用ワイヤのループ形状を安定化させるために、ウェッジボンダー３０の付加機能であるアクティブクランプ機能を活用して、金属細線９の引き出し量を安定化させている。また、金属細線９が形成するループ形状の安定性を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】複数のワイヤがボンディングされた半導体素子を備える半導体装置であって、十分な接合信頼性を実現することができるとともに、放熱性が良好な半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】
半導体層上に設けられた電極上に、ボールボンディングされた第１のワイヤを有し、該第１のワイヤは、前記電極上に接合されたボール部と、該ボール部から延伸して折り返された折り返し部とを有し、該折り返し部に延伸する部分と該折り返し部から延伸する部分とが前記ボール部上で接触し、前記ボール部の上で前記第１のワイヤにボンディングされた第２のワイヤを有し、前記ボール部の周縁部上において、前記第１のワイヤの折り返し部または前記第２のワイヤと前記ボール部との間に空隙を有することを特徴とする半導体装置に関する。 （もっと読む）

【課題】ケース内に充填されたゲル状充填材の揺動によるボンディングワイヤの断線を防止し、耐振動強度を向上させることのできる半導体装置を提供する。
【解決手段】ケース７内に半導体素子３とボンディングワイヤ６を保護するゲル状充填材８を充填した半導体装置において、半導体装置１に発生する振動方向Ｋとゲル状充填材８の短手方向Ｓを一致させるようにして前記ゲル状充填材８を前記ケース７内に充填すると共に、ゲル状充填材８の長手方向をボンディングワイヤ６の配索方向に一致させた構成とする。 （もっと読む）

【課題】減少した信号スキューを提供するマルチチップ・パッケージされた集積回路装置及びその動作方法を提供する。
【解決手段】本発明のパッケージされた集積回路装置は、導電性パッドを上に含む基板と、基板上に複数のチップを含むチップスタックと、１次導電性ラインと、２次導電性ラインと、を備える。１次導電性ラインは、基板上の導電性パッドと、チップスタックの複数のチップのうちの一つの上に設けられた導電性パッドとを電気的に連結する。２次導電性ラインは、チップスタック内の複数のチップのうちの一つの上に設けられた導電性パッドを、その上側にある複数のチップのうちの一つ、及び下側にある複数のチップのうちの一つの上に設けられた対応する導電性パッドに電気的に連結する。 （もっと読む）

【課題】樹脂封止の工程に於ける金属細線の変形が抑制された半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置１０は、分離されたアイランド１２Ａおよびアイランド１２Ｂと、アイランド１２Ａ、１２Ｂに一端が接近するリード１４と、アイランド１２Ａに固着されて金属細線２４Ｃを経由してリード１４Ｅと接続される制御素子２０と、アイランド１２Ｂに固着されて金属細線２６を経由してリード１４Ｅと接続されるスイッチング素子１８と、を備える。更に、金属細線２４Ｃと金属細線２６とが交差して配置される構成となっている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、チップユニットとアンテナコイルを有する非接触ＩＣシートにおいて、薄型で平面平滑性およびアンテナコイルを形成するワイヤ導体とチップユニットとの干渉を改善した非接触ＩＣシートを提供する。
【解決手段】チップユニット７とアンテナコイルを構成するワイヤ導体５、６とを有する非接触ＩＣシートであって、基板１の板面に前記ワイヤ導体が配設され、該基板１に窓穴２、３が形成されるとともに、チップユニット７がその接合パッド８、９を該窓穴２、３部分に位置させて配設され、ワイヤ導体５、６と接合パッド８、９とが窓穴２、３内にて接続されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い集積回路を提供する。
【解決手段】集積回路２０は、基板２６を覆うパッシベーション層１８及び前記基板２６を覆うボンディングパッド２００を備え、該ボンディングパッド２００は、第１ボンディングワイヤを当該集積回路２０に接続するための第１ワイヤボンディング領域２０２と第２ボンディングワイヤを当該集積回路に接続するための第２ワイヤボンディング領域２０４とを含み、前記第１ワイヤボンディング領域２０２の少なくとも非周辺部分が前記パッシベーションの上に位置し、前記ボンディングパッド２００の下方にあるパッシベーション層が複数の開口を有し、前記基板２６は配線領域を有し、該配線領域の少なくとも一部は前記パッシベーションの上に位置する前記ボンディングパッド２００の一部の下に存在し、かつ前記配線領域の部分が前記複数の開口を介して前記ボンディングパッド２００に結合する。 （もっと読む）

【課題】コストに関して従来のボンド導体よりもかなり好適なボンド導体を有する半導体装置を提供すること。
【解決手段】少なくとも２つの集積回路ＩＣ１、ＩＣ２がハウジング内に配置され且つボンド導体１０を介して互いに電気的に接続される半導体装置およびそのような半導体装置を製造するための方法に関する。ボンド導体１０のうちの少なくとも１つは、第１の集積回路ＩＣ１の接点パッド３に対して接続されるその第１の好ましくは球状端部１２を有する。楔形状に形作られるボンド導体１０の他端部１４は、好ましくは同様に球状の中間要素２０を介して第２の集積回路ＩＣ２の接点パッド６と接触される。中間要素２０は、ボンド導体１０よりも柔らかい材料から形成される。ボンド導体１０は、銅または銅合金から形成されることが好ましく、また、中間要素２０は、金または金合金から形成される。 （もっと読む）

【課題】半導体チップ及びポストの両方のワイヤ接合部分を同時に接合することで接合時間を短縮し、保守が容易な高生産性の半導体製造装置を提供する。
【解決手段】半導体チップと実装部品とにワイヤを超音波接合する超音波工具を備えた半導体製造装置であって、前記超音波工具は、前記半導体チップに向けて突出して設けられ、前記ワイヤの一部を保持し前記一部を前記半導体チップに加圧しつつ超音波を印加可能とする第１突起部と、前記実装部品に向けて突出して設けられ、前記ワイヤの他の一部を保持し前記他の一部を加圧しつつ超音波を印加可能とする第２突起部と、を有することを特徴とする半導体製造装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】より小型、薄型化された半導体デバイス積層体構造の実現。
【解決手段】最上段の半導体チップ２ｄのパッド４ｄをベース基板１側になるように配置し、機能部品７を実装したフレキシブル基板５で半導体チップ２ｄのパッド４ｄとベース基板１の電極８ｄを接続することにより、より小型、薄型化された半導体デバイス積層体構造を実現することができる。さらに、フレキシブル基板５の代わりに、中継基板２５を用いることができる。さらに、小型、薄型化された半導体デバイス積層体構造を実現することができる。 （もっと読む）