【課題】単一のパワー半導体モジュールに例えば１２アームを搭載可能にコンパクトに実装するとともに、直流端子と交流端子のそれぞれの端子をモジュール端面にそれぞれ配置し、また、電力回路のインダクタンスを低く保つこと。
【解決手段】１枚の絶縁基板１０８上に２組の上アーム（１００，１０４と１０２，１０６）を絶縁基板上の上寄り左右に配置し、２組の下アーム（１０１，１０５と１０３，１０７）を絶縁基板上の下寄り左右に配置して、絶縁基板上の配線パターンとして、２組の上アームを第１の配線パターンＣ０１上に実装し、２組の下アームは第１の配線パターンの下に配置した第２、第３の配線パターンＣ０２，Ｃ０２上にそれぞれ実装して、第２、第３の配線パターンの間に第１の配線パターンＣ０１を延長し、その延長した端部に正極端子Ｔ０１からの配線を接続し、さらに、絶縁基板１０８を１モジュール中に３枚並置して実装して１２ｉｎ１モジュールの構成とすること。 （もっと読む）

【課題】 半導体チップの電極パッドを厚膜化あるいは大面積化することなく、電極パッドの溶断を防止し、電流パッドの許容電流値を高める。
【解決手段】 半導体チップ２０の少なくとも１つの電極パッド２１ｓ、２１ｄにおいて、単一の電極パッド２１上に、第１ワイヤ４１が複数箇所４５でボンディングされる。さらに、第１ワイヤ４１に沿って、第１ワイヤ上４１に、第２ワイヤ４２が複数箇所４６でボンディングされる。一部の実施形態において、第２ワイヤ４２のボンディングに先立って、電極パッド２１上の第１ワイヤ４１の頂部形状を加工してもよい。 （もっと読む）

【課題】接合機との干渉を防止し、半導体モジュールの小型化を図ること。
【解決手段】ワイヤボンドの接合構造は、バスバ１１，１３を多段構造に構成し、バスバ１１，１３にワイヤ１５，１６を接合する。詳しくは、上段バスバ１３及びそれを支持する上段支持部１４を含む上段バスバ部材６が、下段バスバ１１及びそれを支持する下段支持部１２を含む下段バスバ部材５と別体に構成される。下段バスバ１１と下段ワイヤ１５とが接合され、上段バスバ部材６が下段バスバ部材５に固定され、その後に、上段バスバ１３と上段ワイヤ１６とが接合される。下段バスバ部材５の上面であって、下段バスバ１１と下段ワイヤ１５との接合部１５ａの近傍を除く領域に、上段バスバ部材６が固定される。 （もっと読む）

【課題】クロストークノイズの抑制及びＥＭＣを強化し、且つ、クロストークノイズの抑制等に用いるスペースを縮小して小型化を可能とする半導体集積回路装置を得られるようにする。
【解決手段】半導体集積回路装置は、実装基板１０の上に保持され、半導体集積回路を含む半導体チップ１１と、実装基板１０の上に形成され、半導体集積回路が処理する信号を伝送する第１の配線１と、半導体集積回路と第１の配線６とを接続する第１のボンディングワイヤ６と、実装基板１０の上に形成された複数の第２の配線２と、半導体集積回路と複数の第２の配線２のうちのいずれかとをそれぞれ接続する複数の第２のボンディングワイヤ８とを備えている。第２のボンディングワイヤ８は、第１のボンディングワイヤ６の上方で且つ該第１のボンディングワイヤ６と間隔をおくように互いに交差して形成されている。 （もっと読む）

【課題】 低オン抵抗のパワートランジスタを提供する。
【解決手段】 半導体チップの裏面とヘッダの上面とが対向するように前記半導体チップが前記ヘッダの上面に搭載されていることにより、前記半導体チップのドレイン電極と前記ヘッダとは電気的に接続されており、
平面視において、前記半導体チップのソース電極の一部が前記半導体チップのゲート電極とソースリードとの間に位置するように前記ソース電極は前記半導体チップの表面に配置されており、
前記ゲート電極と第１導電ワイヤとが接続している部分は、前記ソース電極と第２導電ワイヤとが接続している部分よりも前記ソースリードから遠い位置にある。 （もっと読む）

【課題】半導体装置のコストの低減化を図る。
【解決手段】半導体チップ３の電極パッド３ｃとこれに対応するインナリード２ａとが複数のボンディングワイヤ６によって電気的に接続された半導体パッケージにおいて、センシングワイヤＡ，Ｂ（第２ボンディングワイヤ６ｂ，第４ボンディングワイヤ６ｄ）を、同一のインナリード２ａに接続された他のボンディングワイヤ６（第１ボンディングワイヤ６ａ，第３ボンディングワイヤ６ｃ）より細くすることで、金ワイヤに掛かるコストを減らして前記半導体パッケージの原価低減を図る。 （もっと読む）

【課題】 半導体パッケージで発生する電磁ノイズを当該パッケージ内部で減衰させることができるリードフレーム及びインターポーザを提供すること。
【解決手段】 ＬＳＩチップ１０と外部の電気回路とを接続するものであり、複数のリード６を備えている。この複数のリード６の１本であるリード６ａの一端はＬＳＩチップ１０と導線７ａにより接続され他端がプリント基板に接続され、リード６ａは一端において隣接するリード６ｂに導線７ｂにより接続され、リード６ｂの他端はリード６ｂに隣接するリード６ｃの一端に導線７ｃにより接続され、リード６ｃの他端はオープンとなっている。これにより、リード６ａに接続されたリード６ｂ、６ｃがオープンのスタブ線路として機能する。 （もっと読む）

【課題】ワイヤの低インダクタンス化、半導体チップへのダメージ軽減、接合部の強固な接合、及び半導体パッケージの小型化を同時に実現することで、高信頼性及び小型化を両立した半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ボールを介して半導体チップ５のチップ電極にワイヤを接合する１回目のボンディングステップと、ボールを介してリード端子にワイヤを接合する２回目のボンディングステップと、ボールを介して半導体チップ５のチップ電極にワイヤを接合する３回目のボンディングステップと、リード端子にワイヤを接合する４回目のボンディングステップと、ワイヤを切断するステップとを備える。 （もっと読む）

【課題】第１の電極端子と第２の電極端子間の配線におけるオン抵抗を低減する、半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置１００は、第１の電極端子と、第２の電極端子と、前記第１及び第２の電極端子を接続する少なくとも２本のワイヤー１４とを有する。少なくとも２本のワイヤー１４は、ワイヤー１４が延びる方向に沿って導電性接着剤１５を用いて互いに電気的に接続されている。第１の電極端子は、例えば外部引き出し電極２０の端子である。また、第２の電極端子は、例えばＭＯＳＦＥＴのソース電極２２の端子である。 （もっと読む）

【課題】信頼性と新規機能を実現したパワーＭＯＳＦＥＴと、部品点数の削減や多機能化を可能とした電池監視装置を提供する。
【解決手段】パワーＭＯＳＦＥＴは、半導体基板の第１主面と第２主面にソース，ドレインが形成され、半導体基板の厚み方向に流れる電流を制御するようゲート絶縁膜及び上記第１主面側に第１接続電極が設けられたゲート電極が形成され、上記第１主面側に一端が上記ソース電極に接続可能にされ、他端が第２接続電極に接続された抵抗素子が設けられる。ソース端子と上記ソースを接続し、ゲート端子と上記ゲート電極を接続し、上記検出端子と上記第２接続電極を接続する。電池監視装置の充放電経路に上記パワーＭＯＳＦＥＴを用い、上記抵抗素子を監視ＩＣやエラーアンプに必要な保護用に用いる。 （もっと読む）

【課題】樹脂封止の工程に於ける金属細線の変形が抑制された半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置１０は、分離されたアイランド１２Ａおよびアイランド１２Ｂと、アイランド１２Ａ、１２Ｂに一端が接近するリード１４と、アイランド１２Ａに固着されて金属細線２４Ｃを経由してリード１４Ｅと接続される制御素子２０と、アイランド１２Ｂに固着されて金属細線２６を経由してリード１４Ｅと接続されるスイッチング素子１８と、を備える。更に、金属細線２４Ｃと金属細線２６とが交差して配置される構成となっている。 （もっと読む）

【課題】ワイヤ等超音波ボンディング接合性を向上させることができるリードフレーム及びそれを用いた信頼性の高い半導体装置を提供すること。
【解決手段】アウターリード３１から段差形成されたステッチ部３２を有し、ステッチ部３２の一部がアウターリード３１側へ延在した、ステッチ部延在部３２ａを有するリードフレーム３０及びそれを用いた半導体装置である。 （もっと読む）

本発明は、第１電気コンタクト面と第２コンタクト面との間の電気的なボンディング接続構造であって、少なくとも１つの第１ボンディング接続部によって前記コンタクト面の少なくとも１つの上にボンディングされている少なくとも１つの第１電気導体を備えたボンディング接続構造に関する。ここでは、前記第１電気導体（８）の上に、少なくとも１つの第２ボンディング接続部（１０，１３）によってボンディングされている少なくとも１つの別の第２電気導体（９）が設けられており、前記２つのボンディング接続部（１０）は互いにずらされて位置している。本発明はさらに、第１電気コンタクト面と第２電気コンタクト面の間に存在する電気的なボンディング接続構造を形成するための方法に関する。
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【課題】ワイヤの配線高さを低減できる回路装置を提供する。
【解決手段】回路装置１Ａは、基体４０と、リード部１０と、ダイ部２０と、上記リード部１０と上記ダイ部２０とを電気的に接続するワイヤ３０とを有する。上記ワイヤ３０の一端部３０ａは、上記リード部１０にボールボンド部３１にて接合されている。上記ワイヤ３０の中途部３０ｂは、上記リード部１０にボールボンド部３１にて接合されている。上記ワイヤ３０の他端部３０ｃは、上記ダイ部２０に接合されている。 （もっと読む）

【課題】ユーザの要求に出来る限り対応しつつも、チップサイズを増大させないようにすることが重要となる。
【解決手段】本発明の半導体装置は、基板上の外周に沿って配置される第１乃至第４内部端子と、第１内部端子に接続される回路と、第２内部端子と接続される第１外部端子と、第３内部端子と接続される第２外部端子と、第４内部端子と接続される第３外部端子と、を備え、回路は、第１内部端子と第１外部端子との接続状態に応じた信号を出力し、第１及び第２内部端子は、第１外部端子が対応する基板の１辺に平行な方向における第１及び第２内部端子の中心間の距離がＬ１となるように配置され、第３及び第４内部端子は、第２及び第３外部端子が対応する基板の１辺に平行な方向における第３及び第４内部端子の中心間の距離がＬ２となるように配置され、距離Ｌ１は、距離Ｌ２よりも小さいことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】不良のワイヤーボンディングマシンを識別する所要時間を短縮可能な識別コードの形成方法を提供する。
【解決手段】複数のボンディングパッド１１１を有するチップ１１０は、複数のフィンガー１２１を有する搭載体１２０に設置される。搭載体１２０上に一本の二進法コード基準ライン１３０を設定し、二進法コード基準ライン１３０によりフィンガー１２１群を第１コード区域１２２と第２コード区域１２３とに区切る。ワイヤーボンディング方式でボンディングパッド１１１群とフィンガー１２１群とを電気接続するボンディングワイヤ１４０群は、フィンガー１２１群の第１コード区域１２２または第２コード区域１２３の何れかと接合して、ワイヤーボンディングマシンの識別コードを構成する。このような方法によると、不良のワイヤーボンディングマシンを前記識別コードにより迅速に追跡することができる。 （もっと読む）

【課題】 ワイヤボンディングを用いながら、半導体スイッチング素子の小型化および大電流化の利点を受けることができる給配電経路を有するパワーモジュールを提供する。
【解決手段】 直流電力又は交流電力の供給用のバスバー１５、電極３１ａ，３２ａを有する半導体スイッチング素子３１，３２およびバスバーと電極とを電気接続するための長尺導体とを備えるパワーモジュールにおいて、ワイヤ３の中間部分が半導体スイッチング素子の電極に電気接続され、かつ、ワイヤの中間部分を挟む両側の部分がともに、同じバスバー１５に電気接続されている。 （もっと読む）

【課題】半導体チップ上の電極と基板上の電極との間で複数本のワイヤを接続する場合に、１組の電極間にて複数本のワイヤを重ねるにあたって適切なワイヤ形状を形成できるようにする。
【解決手段】半導体チップ１０の電極１１と基板２０の電極２１との間でワイヤ接続工程を複数回行って両電極１１、２１上にワイヤ３０を複数本重ねて形成するものであって、重ねられた複数本のワイヤ３０のうち最上部に位置するワイヤ３０よりも下側に位置するワイヤ３０を形成する接続工程では、１次ボンディング後のワイヤ３０の引き出しを、当該ワイヤ３０における１次ボンディング部３０ａ側の根元部から中間部までが２次ボンディング側のランド２１に向かって水平面Ｈから斜め上方の方向に延びる形状となるように行う。 （もっと読む）

【課題】アイランドに設置された半導体素子とその周囲の端子部とをボンディングワイヤで接続し、これらをモールド樹脂で封止してなる半導体装置において、ワイヤ長Ｌが６ｍｍ以上であっても、ワイヤ流れおよびワイヤの下方へのたわみを極力抑制し、ワイヤの短絡を防止する。
【解決手段】ワイヤ４０における半導体素子３０側の接続部と端子部２０側の接続部との間に、第１の屈曲点４１、第２の屈曲点４２、第３の屈曲点４３、第４の屈曲点４４を設け、半導体素子３０の上方から見たときのワイヤ４０における半導体素子３０側の接続部と第２の屈曲点４２との距離Ｌ２、当該接続部と第３の屈曲点４３との距離Ｌ３、当該接続部と第４の屈曲点４４との距離Ｌ４を、それぞれワイヤ長Ｌに対して、０．２５Ｌ以上０．３５Ｌ以下、０．５Ｌ以上０．６Ｌ以下、０．８５Ｌ以上０．９５Ｌ以下としている。 （もっと読む）

【課題】半導体チップ上の同一の電極に複数本のワイヤを接続する構造において、電極面積を抑制することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】まず、図３（ａ）〜図３（ｄ）に示すように、半導体チップ１上の電極３にボールボンディングを行って接続部７ａを形成した後、図３（ｅ）〜図３（ｇ）に示すように、インナーリード４ａにウェッジボンディングを行う。続いて、図３（ｈ）、図３（ｉ）に示すように、ボール１１ｂを接続部７ａに直上から圧着するボールボンディングを行って接続部７ｂを形成した後、図３（ｊ）〜図３（ｌ）に示すように、インナーリード４ａにウェッジボンディングを行う。 （もっと読む）