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Fターム[5F044AA20]の内容

ボンディング (23,044) | ワイヤによるペレット電極との接続構造 (951) | ワイヤ配置 (78)

Fターム[5F044AA20]に分類される特許

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【課題】ボンディングワイヤの長さを長くすることなくインダクタンスの値を大きくできる高周波用半導体装置を提供する。
【解決手段】高周波半導体装置1は、マルチセル構成の半導体チップ24と、整合回路と、半導体チップ24と整合回路間に並列に接続された複数本のボンディングワイヤ12、14とを備え、複数本のボンディングワイヤ12、14は、半導体チップ24に対して平面上で90°以下の所定の角度を有する。 (もっと読む)


【課題】電流抑制部を有する半導体デバイスパッケージを提供する。
【解決手段】ノーマリーオン型の第1トランジスタと、ドレインが、第1トランジスタのソースと接続され、第1トランジスタとカスコード接続されたノーマリーオフ型の第2トランジスタと、第2トランジスタのソースと第1トランジスタのゲートとの間に設けられた、第2トランジスタのソースから第1トランジスタのゲートへと流れる電流を抑制する電流抑制部と、第1トランジスタ、第2トランジスタ及び電流抑制部を封止する封止部と、第1トランジスタのドレインに接続され、封止部の外に延伸したドレイン端子と、第2トランジスタのゲートに接続され、封止部の外に延伸したゲート端子と、第2トランジスタのソースに接続され、封止部の外に延伸したソース端子と、を備える半導体デバイスパッケージを提供する。 (もっと読む)


【課題】半導体チップを搭載する半導体装置の大きさを拡大することなく、隣り合う電極パッド間やボンディングワイヤー間で電流が流れるのを防止又は可及的に抑制することのできるワイヤーボンディング方法及び半導体装置を提供する。
【解決手段】第1電極パッド3に対するボンディングワイヤーW1と、第1電極パッド3に隣り合う第2電極パッド4に対するボンディングワイヤーW2とを、互いに隣り合わないボンディングポイントでボンディングするようにした。 (もっと読む)


【課題】既存の半導体に合わせてプリント配線板を設計しなくても対応可能としたプリント配線板に付いた半導体を提供する。
【解決手段】ワイヤボンディングは絶縁して交差も可能なように組み合わせるとともに、ボンディングパットに関してもチップ上に組み替え可能とする。また、積層基板のボンディングも上下層に絶縁交差可能とする。これにより、ピン間スペースを広くもつことができ設計の自由度が増す。また、交流信号のあるピン同士の場合電極を広くとれ高品質な配線板になる。積層基板のボンディングも上下層に絶縁交差するものになる。また、大きなリードフレームにチップを複数搭載した場合は、金銀ワイヤ毎まとめて回収することができる。これにより複数のチップ間も設計が楽になり設計の選択肢が増える。 (もっと読む)


【課題】マルチチップモジュール構造を有する回路装置の低背化、機能向上、小型化、システム化が可能なワイヤボンディング方法、回路装置及び回路装置パッケイジ方法を提供する。
【解決手段】絶縁膜被覆ワイヤを用いたボンディング方法は、絶縁膜被覆ワイヤの自由端である始端に対して、ボール220を形成するステップ(a)と、この形成されたボールを用いて第1ボンディングを行うステップ(b)と、絶縁膜被覆ワイヤの第1ボンディングを行った部分の被覆の除去を行うとともに絶縁膜被覆ワイヤの終端に対する第2ボンディングを行う部分の被覆の除去を行うステップ(c)と、第2ボンディングを行うステップ(d)とを備える。本発明の回路装置はこのような絶縁膜被覆ワイヤを用いたボンディング方法を利用して作製されたものである。第2ボンディングについても、ボールの形成および被覆の除去を行ってもよい。 (もっと読む)


【課題】より精度良くチップユニットへのワイヤ導体の配設を実施可能とする。
【解決手段】基材2に形成された開口2aに、表面に導体層が形成されたチップユニット3が配置され、上記導体層7上を通過するようにして上記開口2aを横断する形で描画されたワイヤ導体5を上記導体層7に熱圧着する。このとき、少なくとも導体層7が基材2の表面よりも突出した状態で、上記熱圧着を行う。 (もっと読む)


【課題】半導体チップを実装する際のコスト低減、パッケージ基板の小型化、および配線パターンの最適化を実現できる半導体チップを提供することである。
【解決手段】本発明にかかる半導体チップ10は、半導体チップ10に設けられると共に、少なくとも一つの電極パッド6を備える電極パッド群1と、半導体チップ10に設けられる少なくとも一つの電極パッドであって、電極パッド6から出力される信号と同じ信号を出力可能である電極パッド7を備える電極パッド群2と、を備える。そして第1の電極パッド群の一の電極パッドおよび第2の電極パッド群の一の電極パッドうち、当該信号が供給される他の半導体チップの他の電極パッドと距離が近い方の電極パッドが、他の半導体チップの当該他の電極パッドと接続される。 (もっと読む)


【課題】回路規模の大きな半導体チップを用いる場合においても、チップ中央部に安定して電源電圧を供給できる半導体装置を低コストに実現する。
【解決手段】半導体装置25は、半導体チップ4と、半導体チップ4の主面の周縁部上に形成された外部パッド7と、主面上であって、外部パッド7よりも内側に形成された複数の内部パッド8及び9と、主面上を覆い、外部パッド7上及び複数の内部パッド8及び9上に開口を有する保護膜6と、内部パッド同士を電気的に接続する第1の金属細線16とを備える。複数の内部パッド8及び9は、外部パッド7よりも小さい。 (もっと読む)


【課題】チップサイズの縮小化や多ビット化に対応した半導体装置を提供する。
【解決手段】第1及び第2チップパッド列4A,4Bの端部よりも外側に位置する第3チップパッド列4Cが、第1チップパッド列4Aと第2チップパッド列4Bとの間の中心線の延長線上に並んで配置されている。これにより、第3チップパッド列4Cを構成するチップパッド4は、第1及び第2チップパッド列4A,4Bを構成するチップパッド4よりも、第1又は第2ボンディングパッド列6A,6Bを構成するボンディングパッド6に対するY方向の距離を大きく確保することができる。したがって、これらチップパッド4とボンディングパッド6との間を接続するボンディングワイヤー7のY方向に対する角度を緩和することが可能である。 (もっと読む)



【課題】半導体装置の小型化を図る。
【解決手段】半導体チップ5の複数の第1電極パッドaと配線基板2の複数の第1接続部3b1を、複数の第1ワイヤ10b1を介して電気的に接続する工程と、第2電極パッドbと前記配線基板の複数の第2接続部3b2を、第2ワイヤ10b2を介して電気的に接続する工程と、第3電極パッドcと前記配線基板の複数の第3接続部3b3を、第3ワイヤ10b3を介して電気的に接続する工程とを有し、前記複数の第1ワイヤ10b1のそれぞれを前記複数の第1接続部3b1のそれぞれの前記第1部分に接続し、前記第3ワイヤ10b3を前記第3接続部3b3の前記第2部分に接続し、前記複数の第110b1、第210b2および第3ワイヤ10b3は、平面視において、前記半導体チップ5の前記第2辺の中心部を経由し、かつ前記第2辺と直交する仮想線5sに対して鋭角をなす角度で、前記複数の電極パッドから延在させる。 (もっと読む)


【課題】 低オン抵抗のパワートランジスタを提供する。
【解決手段】 半導体チップの裏面とヘッダの上面とが対向するように前記半導体チップが前記ヘッダの上面に搭載されていることにより、前記半導体チップのドレイン電極と前記ヘッダとは電気的に接続されており、
平面視において、前記半導体チップのソース電極の一部が前記半導体チップのゲート電極とソースリードとの間に位置するように前記ソース電極は前記半導体チップの表面に配置されており、
前記ゲート電極と第1導電ワイヤとが接続している部分は、前記ソース電極と第2導電ワイヤとが接続している部分よりも前記ソースリードから遠い位置にある。 (もっと読む)


【課題】液状樹脂の流し込みの際に生じるワイヤ間の接触を防止することにより、ワイヤ間の電気的短絡を防止することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体チップCHの長方形状の主面は、対角線上にある第1および第2の頂点A1、A2と、第1および第2の頂点A1、A2を繋ぐ第1および第2の辺L1、L2とを有する。電極ILと半導体チップCHのパッドPDとの間にワイヤWRが形成される。金型MLのキャビティCV内にワイヤWRが収められる。第1の頂点A1から第1および第2の辺L1、L2に沿って第2の頂点A2に向かうようにキャビティCV内に液状樹脂が流し込まれる。液状樹脂を硬化することによって樹脂部が形成される。ワイヤWRの形成は、平面視において、パッドPDと電極ILとを結んだ直線に対して第1の頂点A1から遠い側を通るようにワイヤWRを形成することにより行なわれる。 (もっと読む)


【課題】 半導体パッケージで発生する電磁ノイズを当該パッケージ内部で減衰させることができるリードフレーム及びインターポーザを提供すること。
【解決手段】 LSIチップ10と外部の電気回路とを接続するものであり、複数のリード6を備えている。この複数のリード6の1本であるリード6aの一端はLSIチップ10と導線7aにより接続され他端がプリント基板に接続され、リード6aは一端において隣接するリード6bに導線7bにより接続され、リード6bの他端はリード6bに隣接するリード6cの一端に導線7cにより接続され、リード6cの他端はオープンとなっている。これにより、リード6aに接続されたリード6b、6cがオープンのスタブ線路として機能する。 (もっと読む)


【課題】半導体素子と配線部材との接合寿命を向上させることのできる半導体装置を提供する。
【解決手段】電力用のIGBTモジュール10の表面にその中心から側辺に向けて長方形状に延設された三列の電極11〜13にそれぞれ配線部材W1〜W3が接合される。ここでは特に、これら配線部材W1〜W3を、長方形状に延設された各電極11〜13の延設方向端部を含めて接合する。 (もっと読む)


【課題】多ピンの半導体装置における信頼性の向上を図る。
【解決手段】多ピンのBGA9において、半導体チップ1と配線基板2とを電気的に接続する複数のワイヤ7が、短くかつ細くて内側に配置される複数の第1のワイヤ7aと、第1のワイヤ7aより長くかつ太い複数の第2のワイヤ7bとを有することで、樹脂モールディング時のレジンが細い第1のワイヤ7a間から流れ込むため、レジンによって空気が押し出されてボイドの形成を抑えることができ、多ピンのBGA9の信頼性の向上を図ることができる。 (もっと読む)


【課題】ワイヤの低インダクタンス化、半導体チップへのダメージ軽減、接合部の強固な接合、及び半導体パッケージの小型化を同時に実現することで、高信頼性及び小型化を両立した半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ボールを介して半導体チップ5のチップ電極にワイヤを接合する1回目のボンディングステップと、ボールを介してリード端子にワイヤを接合する2回目のボンディングステップと、ボールを介して半導体チップ5のチップ電極にワイヤを接合する3回目のボンディングステップと、リード端子にワイヤを接合する4回目のボンディングステップと、ワイヤを切断するステップとを備える。 (もっと読む)


【課題】ボンディングパッドの配置変換を簡易的確に行う。
【解決手段】ダイパッド31上には、複数個のボンディングパッド41を有する半導体チップ40が固着されている。半導体チップ40上には中継チップ50が固着されている。中継チップ50は、半導体チップ40によって画成される1つの領域の外縁の内側に収まる位置に配置されている。中継チップ50は、複数個のボンディングパッド51を有し、この複数個のボンディングパッド51が、多層配線構造の配線パターン52によって相互に接続され、半導体チップ40側のボンディングパッド41の配置を異なる方向に変換する。ボンディングパッド41は、ワイヤ61によってボンディングパッド51に接続され、このボンディングパッド51が、ワイヤ62によってリードフレーム30側のボンディングパッド33に接続されている。 (もっと読む)


マイクロ電子アセンブリが、相互接続素子930、たとえば、基板と共に接続されるマイクロ電子デバイス、たとえば、半導体チップ910を含むことができ、相互接続素子は、信号コンタクト990及び基準コンタクト980を有する。基準コンタクトは、グラウンド、又は電源を供給するために用いられる電圧源のようなグラウンド以外の電圧源のような基準電位の発生源に接続可能にすることができる。信号導体、たとえば、信号ワイヤーボンド965は、マイクロ電子デバイス910の表面において露出するデバイスコンタクト912に接続することができる。基準導体、たとえば、基準ワイヤーボンド975を設けることができ、そのうちの少なくとも1つは、相互接続素子930の2つの基準コンタクト980に接続することができる。基準ワイヤーボンド975は、マイクロ電子デバイスに接続される信号導体の長さの少なくとも実質的な部分にわたって、その信号導体、たとえば、信号ワイヤーボンド965から少なくとも実質的に均等な間隔を置いて延在する経路を有することができる。そのようにして、信号導体のための所望のインピーダンスを達成することができる。 (もっと読む)


【課題】本発明は、チップユニットとアンテナコイルを有する非接触ICシートにおいて、薄型で平面平滑性およびアンテナコイルを形成するワイヤ導体とチップユニットとの干渉を改善した非接触ICシートを提供する。
【解決手段】チップユニット7とアンテナコイルを構成するワイヤ導体5、6とを有する非接触ICシートであって、基板1の板面に前記ワイヤ導体が配設され、該基板1に窓穴2、3が形成されるとともに、チップユニット7がその接合パッド8、9を該窓穴2、3部分に位置させて配設され、ワイヤ導体5、6と接合パッド8、9とが窓穴2、3内にて接続されていることを特徴とする。 (もっと読む)


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