説明

Fターム[5F044EE06]の内容

ボンディング (23,044) | ボンディングパッド電極 (1,310) | パッドが多層構造になっているもの (180)

Fターム[5F044EE06]に分類される特許

1 - 20 / 180



【課題】ワイヤボンドの非有効エリアとされていた、傾斜部やビア上、ビアカバー上に安定に、かつ少ない接続面積でワイヤを接続できる半導体装置を提供する。
【解決手段】開口部と、開口部内に設けられたダイパッドと、開口部の周囲に設けられた傾斜部と、インナリードと、を有するパッケージと、第1の電極パッドを有し、かつ、ダイパッド上に搭載された半導体チップと、インナリードと第1の電極パッドとを接続する第1のワイヤと、を備え、インナリードの少なくとも一部は、傾斜部上に配置され、前記傾斜部上において、かつ、前記インナリード上には、第1の部材が配置され、前記第1の部材上には、前記第1のワイヤが接続されている半導体装置を提供する。 (もっと読む)


【課題】ダウンホールモジュールで使用する接続信頼性の良好な電子アセンブリを提供する。
【解決手段】電子アセンブリ200は、多層セラミックアセンブリと、多層セラミックアセンブリ上に配置される電子部品240とを有し、多層セラミックアセンブリは、セラミック基板220と、セラミック基板220上に配置されるニッケルめっき層と、ニッケルめっき層上に配置される0.5ミクロン未満の厚さを有する金めっき層と、を含み、電子部品240と金めっき層とは、アルミニウムワイヤでワイヤボンドされる。 (もっと読む)




【課題】ワイヤボンディング時の接続信頼性を向上できる半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置は、半導体基板1上に形成された第1の絶縁膜と、第1の絶縁膜上に形成された保護膜3と、保護膜3の内側に形成されたボンディングパッド電極部4と、ボンディングパッド電極部4に接続するボンディングワイヤ6とを備えており、ボンディングワイヤ6における、ボンディングパッド電極部4とボンディングワイヤ6との接続部の外端部の直下に、保護膜3は配置されていることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】高温環境下で使用することができる半導体装置を提供する。
【解決手段】第1インナー電極と第2インナー電極との積層からなるワイヤー接続領域を合金化防止溝によって第1アウター電極および第2アウター電極と分離することでワイヤーボンディング界面から成長したAu−Al合金層の進行を抑制し、半導体装置表面のパッシベーション膜のクラックを防止する。 (もっと読む)




【課題】本発明は、プリント回路基板及びその製造方法に関する。
【解決手段】本発明は、0.1〜1.0μmのピッチ周期で表面粗さ処理された銅パッド、及び前記銅パッド上に無電解表面処理めっき層を含むプリント回路基板及びその製造方法に関する。
本発明のように銅パッドの上に一定のピッチ周期の表面粗さを形成すると、その上に形成される無電解表面処理めっき層もまた一定のピッチ周期の表面粗さを有するようになり表面積が広くなる効果があり、外部デバイスと連結されるワイヤボンディング作業時にその作業性を向上させることができる。 (もっと読む)


【課題】Cuワイヤーによるボンディング時に電極パッド下の半導体素子に損傷が生じない半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】銅を主成分とするボンディングワイヤによる電気的接続が可能な半導体装置であって、半導体素子10と、半導体素子10上に配置された、アルミニウムよりも硬い金属からなる電極パッド20と、電極パッド20上に配置された、ボンディングワイヤが接続されるアルミニウム膜からなる金属層30とを備える。 (もっと読む)


【課題】Cuワイヤーによるボンディング時に電極パッド下の半導体素子に損傷が生じない半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】銅を主成分とするボンディングワイヤによる電気的接続が可能な半導体装置であって、半導体素子10と、半導体素子10上に配置されたアルミニウムを主成分とする電極パッド20と、電極パッド20上に配置された、表面にボンディングワイヤが接続される無電解ニッケル・パラジウム・金めっき層31・32・33とを備える。 (もっと読む)


【課題】 実装による接続性を良好な状態に保ちながら、放熱性を改善した素子実装用基板を提供することにある。
【解決手段】 この素子実装用基板10は、基板11と配線パターン12とを有している。配線パターン12は、基板11上に形成された高い熱伝導率を有する下地金属層13と、その上に形成された硬質金属層14と、下地金属層13及び硬質金属層14の上に形成された高い熱伝導率を有する表面金属層15とから構成されている。硬度が高い硬質金属層14は、配線パターン12における素子16に接続するバンプ17又はワイヤー27の実装ポイントPにのみ配置されている。実装ポイントPにのみ硬質金属層14を設けることで、実装ポイントPにおける半田バリアあるいは実装時の超音波の伝わりを良好にしている。 (もっと読む)


【課題】ワイヤボンディング接続が行われる半導体チップにおいて、ワイヤボンディング時における電極パッド下の半導体部へのダメージの低減、および、ワイヤの位置ずれによる当該ワイヤのダメージの低減を図る。
【解決手段】半導体部11の一面12上に電極パッド14とを備える半導体チップにおいて、電極パッド14上に積層されて接続され、半導体部11の一面12上に突出する導電性材料よりなるバンプ15と、半導体部11の一面12上に設けられ、電極パッド14およびバンプ15を封止する電気絶縁性の保護膜16と、を備え、バンプ15の先端面15aは保護膜16より露出するとともに、保護膜16とバンプ15の先端面15aとは連続した同一平面を構成している。 (もっと読む)


【課題】ワイヤがCuワイヤであっても、ボンディング時の衝撃による金属のスプラッシュを抑制する。
【解決手段】半導体装置は、電極パッド103を有する半導体チップと、電極パッド103にボンディングされたワイヤ(例えばCuワイヤ105)と、を有している。電極パッド103において、ワイヤがボンディングされている領域の少なくとも表層はルテニウム又は酸化ルテニウムにより構成され、その表層の膜厚は20nm以上である。 (もっと読む)


【課題】ワイヤボンディングによるクラックが入りにくい半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板と、前記半導体基板の表面に設けられた絶縁膜と、前記絶縁膜の上に設けられた多孔質金属膜と、前記多孔質金属膜の上に設けられ、パッド領域を定義する開口部が設けられる保護膜と、前記開口部に対してワイヤボンディングされたワイヤと、を有する半導体装置とする。ワイヤボンディングの衝撃で発生した応力は、多孔質金属膜の歪みにより、多孔質金属膜にほとんど吸収され、絶縁膜にクラックが入ることを防止する。 (もっと読む)


【課題】例えば、隣接するボンディングパッド同士のスプラッシュによる接続の防止など、隣接する電極同士の接続の防止を図ることができる半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置は、半導体基板1と、半導体基板1上に形成された第1の導電層5と、半導体基板1上に形成され、第1の導電層5を露出するように開口する保護膜(図1では絶縁膜3)と、その保護膜の開口から露出する第1の導電層5及びその保護膜3上に形成された第2の導電層6と、を備え、第2の導電層6が、その端部よりも内側に凹部7を有するものである。 (もっと読む)


【課題】全体の回路設計のために消費されるシリコン領域を減少させることにより集積回路チップのコストを減少させる。
【解決手段】補強されたボンドパッド241を有する集積回路のための構造と製作方法がボンドパッド241の下に配置される集積回路の少なくとも1つの部分を含み、この少なくとも1つの回路部分が少なくとも1つの誘電層とこの少なくとも1つの誘電層に配置されるパターン形成された電導性補強構造とを含んでいる。 (もっと読む)


【課題】ボンディングパッドの下の絶縁膜にクラックが入ることをより防止する。
【解決手段】三層構造のボンディングパッドを有する半導体装置とし、この三層構造のボンディングパッドは、第一金属膜と、第二金属膜と、第三金属膜とからなり、第二金属膜は、第一金属膜及び第三金属膜のヤング率よりも高いヤング率を有するようにした。 (もっと読む)



1 - 20 / 180