【課題】Ｃｕワイヤーによるボンディング時に電極パッド下の半導体素子に損傷が生じない半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】銅を主成分とするボンディングワイヤによる電気的接続が可能な半導体装置であって、半導体素子１０と、半導体素子１０上に配置された、アルミニウムよりも硬い金属からなる電極パッド２０と、電極パッド２０上に配置された、ボンディングワイヤが接続されるアルミニウム膜からなる金属層３０とを備える。 （もっと読む）

【課題】全体の回路設計のために消費されるシリコン領域を減少させることにより集積回路チップのコストを減少させる。
【解決手段】補強されたボンドパッド２４１を有する集積回路のための構造と製作方法がボンドパッド２４１の下に配置される集積回路の少なくとも１つの部分を含み、この少なくとも１つの回路部分が少なくとも１つの誘電層とこの少なくとも１つの誘電層に配置されるパターン形成された電導性補強構造とを含んでいる。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜に発生するクラックを抑制できる技術を提供する。
【解決手段】実施の形態におけるパッド構造では、単に電極層ＯＰＭ１の周縁部が、平面視において、パッドＰＡＤ１の周縁部よりも内側に位置する（図８ではパッドＰＡＤ１の周縁部と絶縁膜ＰＡＳに形成された開口部ＯＰ１の端部との間に位置する）ように電極層ＯＰＭ１を形成するだけでなく、図８に示すように、パッドＰＡＤ１の厚さをＡとし、絶縁膜ＰＡＳの厚さをＢとし、開口部ＯＰ１内から絶縁膜ＰＡＳの端部（開口部ＯＰ１の周囲）上にはみ出す電極層ＯＰＭ１のはみ出し量をＣとし、電極層ＯＰＭ１の厚さをＤとした場合に、Ｂ≒Ｄ（図８ではＢ＜Ｄ）を前提として、Ａ＜Ｂの関係を成立させることにより、Ｂ＞Ｃの関係を成立させている。これにより、絶縁膜ＰＡＳにクラックが発生することを防止できる。 （もっと読む）

【課題】少ない工程でパッド電極に段差を設けた半導体素子を製造することができる半導体素子の製造方法及び半導体素子を提供する。
【解決手段】半導体基板１２上に中間絶縁膜１４、下層メタル配線１６、層間絶縁膜１８を形成し、層間絶縁膜１８上にパッド電極２０を形成し、パッド電極２０上に最終保護膜２２を形成し、最終保護膜２２上に、パッド電極２０の一部に対応した第１領域に開口部を備えるレジスト２２を形成し、最終保護膜２２をエッチングすると共に、パッド電極２０の一部の第１領域を予め定めた深さまでエッチングすることにより凹部２０Ａを形成し、パッド電極２０の第１領域を囲う第２領域上の最終保護膜２２をエッチングし、レジスト２２を除去することにより、半導体素子１０を製造する。 （もっと読む）

【課題】ｌｏｗ−ｋ膜のワイヤーボンディング時の荷重による変形やクラッキングの発生を回避し、半導体装置の信頼性の低下を抑制することが可能な半導体装置とその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置において、基板上に形成された絶縁層と、絶縁層上に形成された複数の層間絶縁膜と、層間絶縁膜中にそれぞれ形成される複数の配線層及びビアからなる多層配線と、複数の配線層のうち最下層の配線層より基板側に形成されたメタルパッドと、メタルパッドの一部の領域上の絶縁層及び層間絶縁膜が除去されて形成された開口部と、メタルパッド上に、複数の層間絶縁膜を貫通し、開口部を取り囲むように設けられるパッドリングと、を備える。 （もっと読む）