【課題】ｌｏｗ−ｋ膜のワイヤーボンディング時の荷重による変形やクラッキングの発生を回避し、半導体装置の信頼性の低下を抑制することが可能な半導体装置とその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置において、基板上に形成された絶縁層と、絶縁層上に形成された複数の層間絶縁膜と、層間絶縁膜中にそれぞれ形成される複数の配線層及びビアからなる多層配線と、複数の配線層のうち最下層の配線層より基板側に形成されたメタルパッドと、メタルパッドの一部の領域上の絶縁層及び層間絶縁膜が除去されて形成された開口部と、メタルパッド上に、複数の層間絶縁膜を貫通し、開口部を取り囲むように設けられるパッドリングと、を備える。 （もっと読む）

【課題】 電子機器類において、その電極／接合バンプの接触抵抗を低くし、かつ接合強度を高くすることができる、電子機器、バンプ接合された複合型電子機器、検出装置、受光素子アレイ、および、これらの製造方法を提供する。
【解決手段】 接合バンプ９に接合される電極を有する電子機器５０,７０であって、電極１１，７１，１２，７２に、凹部Ｋが、該凹部の底部と該凹部以外の電極の面である頂部との平均垂直距離が１００ｎｍ以上となるように、該電極の面にわたって形成されており、かつ、凹部がエッチングにより付されたものであることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】素子外部と電気的に接続される電極にワイヤーボンディング接合を行った場合でも、電極の剥離が容易に発生しないような半導体装置を提供する。
【解決手段】ＺｎＯ系半導体１上に有機物電極２が、有機物電極２の上にはワイヤーボンディング用電極３が形成され、絶縁膜４からなる台座部が、前記ワイヤーボンディング用電極３の下側の領域で、かつ前記ＺｎＯ系半導体１上の一部の領域に配置されることで、前記ワイヤーボンディング用電極３の剥離を防止する。 （もっと読む）