【課題】半導体素子の積層技術等を用いることなく、狭ピッチの半導体素子を搭載した半導体装置を実現できるようにする。
【解決手段】半導体装置は、基板電極２４を有する素子搭載部材１２と、素子搭載部材１２の上に搭載され、素子電極２３を有する半導体素子１３と、素子搭載部材１１の上に、第１の辺を半導体素子１３の一の辺と対向させて搭載された中継素子１４とを備えている。中継素子１４は、平面三角形状又は平面台形状であり、第２の電極２３と第１のワイヤ４１を介して電気的に接続された第１の中継電極２１と、基板電極２４と電気的に接続された第２の中継電極２２と、第１の中継電極２１と第２の中継電極２２とを電気的に接続する内部配線３１とを有している。 （もっと読む）

【課題】 ワイヤボンディング工程時に、リードフレームの酸化防止剤膜が剥がれ、樹脂との密着性が悪化する課題があった。
【解決手段】 行方向および列方向に配置された複数の搭載部がまとまって集合ブロックとなって形成され、酸化防止剤膜が形成されているリードフレームを用意し、
前記集合ブロックに相当する前記リードフレームの裏面を高温にされたボンディング装置の載置台に設け、
前記搭載部に相当する所の前記リードフレームに設けられた半導体素子と前記リードフレームとを、前記ボンディング装置を使ってボンディングし、前記集合ブロック内でワイヤボンディングを一括して行う半導体装置の製造方法であり、
前記リードフレームの前記集合ブロックの周端を押さえながら一括してワイヤボンディングする際、前記集合ブロックに窒素ガスを吹き付け、前記リードフレームに設けられた酸化防止剤膜の剥がれを抑止する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の組み立てにおけるワイヤボンディングの接続信頼性を高める。
【解決手段】１つのデバイス領域５ｄに対応した単位製品パターン５ｅが複数個隣接して連続的に形成されて成る製品パターン群の外側の領域に、単位製品パターン５ｅの一部と同じ繰り返しパターン５ｇが形成されたリードフレーム５を準備し、このリードフレーム５を用いてＱＦＮ（半導体装置）を組み立てることにより、ワイヤボンディング時のリードフレーム５の共振を抑えることができ、ワイヤボンディングの接続信頼性を高めることができる。 （もっと読む）

【課題】酸化防止ガスの使用量を少なくしてもボンディングエリアの酸化を十分に抑制することができるワーククランプ及びワイヤボンディング装置を提供する。
【解決手段】本発明に係るワーククランプは、酸化防止ガスの雰囲気にする内部中空部１０と、前記内部中空部の下に設けられ、前記内部中空部に前記ボンディングエリアを入れるための下部開口部１１ａと、前記内部中空部の上に設けられ、前記ボンディングエリアを露出させる上部開口部１１と、前記内部中空部を覆い、且つ前記上部開口部の開口面積より広い面積を有するキャビティ１３と、前記キャビティに設けられ、前記キャビティに前記酸化防止ガスが導入されるガス導入口１４ａ，１４ｂと、前記キャビティの下方に繋げられ、前記ガス導入口から導入された前記酸化防止ガスを前記ワークのボンディングエリア以外の部分に吹き付ける孔２１と、を具備することを特徴とする。 （もっと読む）