【課題】電極パッド間におけるデンドライトの発生を抑制する。
【解決手段】半導体装置は、第１電極パッド１ａ及び第２電極パッド１ｂと、第１電極パッド１ａと第２電極パッド１ｂとの間に配置されている金属膜パターン３と、を有している。（１）金属膜パターン３は第１電極パッド１ａと電気的に接続されているか、又は、金属膜パターン３には第１電極パッド１ａと同電位が印加され、且つ、（２）金属膜パターン３は絶縁膜（保護絶縁膜２）により覆われている。 （もっと読む）

【課題】半導体装置におけるワイヤ接続不良の抑制化を図る。
【解決手段】主面３ａの外周部に並んで配置された複数のボンディングリード３ｈを有するパッケージ基板３と、パッケージ基板３の主面３ａのボンディングリード列の内側に搭載された半導体チップ１と、半導体チップ１のパッド１ｃと基板のボンディングリード３ｈとを接続するワイヤ４と、半導体チップ１及び複数のワイヤ４を樹脂封止する封止体と、パッケージ基板３の裏面に設けられた複数の半田バンプとを有している。さらに、ワイヤ４のループの頂点４ｂがワイヤ接続部４ａより外側に配置されていることにより、ボンディングリード３ｈと半導体チップ１のパッド１ｃとの接続においてワイヤ長を長くすることができ、その結果、ワイヤ４のループ形状の安定化を図ってワイヤ接続不良の抑制化を図る。 （もっと読む）

【課題】ワイヤショートの有無を、自動的に、かつ、ワイヤボンディングの作業を停止せずに確認可能な、ワイヤボンディング装置およびこの装置を用いたワイヤボンディング方法を提供する。
【解決手段】周回単位でワイヤをボンディングするたびに、その形状を計測して記憶する。さらに、記憶された計測結果に基づいて、上下に隣接するワイヤ同士の間隔を演算することで、ワイヤショートの有無が判定される。 （もっと読む）

【課題】配線の引き回しが容易で、ワイヤショートの発生を低減された半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、第１及び第２電極パッド列１３、１４に各々近接して配置された第１及び第２接続パッド群２１、２２を有する絶縁基板１１の開口部１２から、第１電極パッド列１３及び第２電極パッド列１４が露出されるように半導体チップが搭載され、第１接続パッド群２１は、第１電極パッド列１３の電極パッドにワイヤａを介して接続された第１の接続パッド２４と、第１の接続パッド２４に接続されかつ第１電極パッド列１３の電極パッドと接続されていない第２の接続パッド２５とを有し、第２接続パッド群２２は、第２電極パッド列１４の電極パッドにワイヤｂを介して接続された第３の接続パッド２６と、第２の接続パッド２５にワイヤＢを介して接続されかつ第２電極パッド列２２の電極パッドに接続されていない第４の接続パッド２７とを有する。 （もっと読む）

【課題】ワイヤの経路が所望の経路から外れてしまうことにより、隣り合うワイヤどうしが接触することを抑制する。
【解決手段】半導体装置は、電極上に形成されたバンプ１０と、バンプ１０に一端が接続されたワイヤ１と、を有している。バンプ１０は、本体部１１と、本体部１１上に形成された複数の突起部１２と、を有している。ワイヤ１と、複数の突起部１２どうしの間に形成される谷間１３とが、平面視において重なっている。複数の突起部１２どうしの間に形成される谷間からのワイヤ１の脱落を抑制することができる。よって、ワイヤ１の経路が所望の経路から外れてしまうことにより隣り合うワイヤ１どうしが接触してしまうことを抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】キャピラリーとワイヤーとの干渉・接触を避けながらボンディングパッドとフィンガーが接合される半導体素子及びそのワイヤーボンディング方法を提供すること。
【解決手段】半導体素子１０は、ボンディングパッド１２を備えた矩形の半導体チップ１４とフィンガー１６を備えた矩形のリードフレームよりなる。ワイヤー２０により、それぞれのボンディングパッド１２とそれぞれのフィンガー１６は接合される。ワイヤーは、比較的短い第１のワイヤー群２０と、比較的長い第２のワイヤー群（図示せず）に振り分けられる。第１のワイヤー群２０のボンディングパッド側接合点は、半導体チップ１４の外縁に近い位置に、第２のワイヤー群のボンディングパッド側接合点は、半導体チップ１４の外縁から離れた位置にずれている。これにより、先行形成されたワイヤーとキャピラリーの干渉を避けることができる。 （もっと読む）

【課題】液状樹脂の流し込みの際に生じるワイヤ間の接触を防止することにより、ワイヤ間の電気的短絡を防止することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体チップＣＨの長方形状の主面は、対角線上にある第１および第２の頂点Ａ１、Ａ２と、第１および第２の頂点Ａ１、Ａ２を繋ぐ第１および第２の辺Ｌ１、Ｌ２とを有する。電極ＩＬと半導体チップＣＨのパッドＰＤとの間にワイヤＷＲが形成される。金型ＭＬのキャビティＣＶ内にワイヤＷＲが収められる。第１の頂点Ａ１から第１および第２の辺Ｌ１、Ｌ２に沿って第２の頂点Ａ２に向かうようにキャビティＣＶ内に液状樹脂が流し込まれる。液状樹脂を硬化することによって樹脂部が形成される。ワイヤＷＲの形成は、平面視において、パッドＰＤと電極ＩＬとを結んだ直線に対して第１の頂点Ａ１から遠い側を通るようにワイヤＷＲを形成することにより行なわれる。 （もっと読む）

【課題】金属細線同士の接触を防ぎ、封止樹脂の注入条件の拡大及びパッケージ表面からの金属細線の露出を防止する。
【解決手段】半導体装置は、アイランド２及びインナーリード１を有するリードフレーム３と、アイランド２の上の半導体チップ５Ａと、半導体チップ５Ａの上の電極６Ａ、６Ｂと、電極６Ａ、６Ｂとインナーリード１とを接続し且つ複数の屈曲点を有する配線とを備えている。第１の配線８は、第１屈曲点８ｂから第２屈曲点８ｄに向かって高くなる傾斜を持ち、第２屈曲点８ｄは、第１の配線８のうち最も高い屈曲点である。第２の配線９は、第１屈曲点９ｂから第２屈曲点９ｄに向かって低くなる傾斜を持ち、第２屈曲点９ｄは、第２の配線９のうち最も低い屈曲点である。 （もっと読む）

【課題】配線基板上に実装された半導体チップと配線基板上のワイヤボンドパッドとを接続するボンディングワイヤが半導体チップに干渉することを回避しつつ、半導体チップとワイヤボンドパッドまでの距離が小さい半導体装置を提供する。
【解決手段】配線基板２上に半導体チップ１が実装され、配線基板２上のワイヤボンドパッド５と半導体チップ１上の電極パッド４とがボンディングワイヤを介して接続された半導体装置８であって、電極パッド４よりも半導体チップ１の端部に近接した位置にワイヤボンドパッドを有する中継基板１０が設けられ、半導体チップ１上の電極パッド４と中継基板１０上のワイヤボンドパッドとが第１のボンディングワイヤ３Ａを介して接続され、中継基板１０上のワイヤボンドパッドと配線基板２上のワイヤボンドパッド５とが第２のボンディングワイヤ３Ｂを介して接続されている。 （もっと読む）

【課題】接合強度が高く、導電層との間隔がファインピッチの場合であっても、隣接するワイヤ同士の接触を防止し、小型・薄型化を実現する半導体装置及びそのワイヤボンディング方法を提供する。
【解決手段】本発明のワイヤボンディング方法は、ボンディング用ワイヤ１の先端に形成した第１ボールを第１導電層上に接合する第１工程と、この後、キャピラリー６によりボンディング用ワイヤ１ａを引き出し、キャピラリー６の先端部６ａ，６ｂが電極パッド２ａの表面に接触しないように維持し、ボンディング用ワイヤ１ａをステッチボンディング法で電極パッド２ａ上に接合する第２工程と、ボンディング用ワイヤ１ａを電極パッド２ａ上の接合部２ｂの根元部分で切断する第３工程と、ボンディング用ワイヤ１ａの先端に形成したボール５’を、ボールボンディング法で前記第３工程の切断により形成されたワイヤ切断部の上部に接合する第４工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】電子部品の全体の高さを低く抑えることのできる電子部品と電子部品の樹脂パッケージ方法を提供。
【解決手段】部品２の外周部が第１封止樹脂４によって取り囲まれ、第１封止樹脂４の内側に第２封止樹脂３が充填され、部品２と基板１がワイヤ５によって電気接続され、部品２の外周のエッジ部分のうちのワイヤ５が近傍を通過する辺が面取りされた傾斜面３１に形成されており、ワイヤ５が傾斜面３１に沿って基板１に延設されていることを特徴とし、電子部品の全体の高さを低く抑えることができる。 （もっと読む）

【課題】ユーザの要求に出来る限り対応しつつも、チップサイズを増大させないようにすることが重要となる。
【解決手段】本発明の半導体装置は、基板上の外周に沿って配置される第１乃至第４内部端子と、第１内部端子に接続される回路と、第２内部端子と接続される第１外部端子と、第３内部端子と接続される第２外部端子と、第４内部端子と接続される第３外部端子と、を備え、回路は、第１内部端子と第１外部端子との接続状態に応じた信号を出力し、第１及び第２内部端子は、第１外部端子が対応する基板の１辺に平行な方向における第１及び第２内部端子の中心間の距離がＬ１となるように配置され、第３及び第４内部端子は、第２及び第３外部端子が対応する基板の１辺に平行な方向における第３及び第４内部端子の中心間の距離がＬ２となるように配置され、距離Ｌ１は、距離Ｌ２よりも小さいことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ボンディングワイヤが接続された半導体チップを一対の放熱板によって挟んでなる半導体装置において、厚さ確保用のブロックを用いずに両放熱板の対向間隔を狭くしても、ボンディングワイヤ側に位置する放熱板と当該ワイヤとの接触を回避する。
【解決手段】ボンディングワイヤ８を、半導体チップ１の一面から離れる方向に凸となったループ状をなすものとし、第１の放熱板３における半導体チップ１の一面と対向する対向面３ａを、ボンディングワイヤ８の頂部８ａよりも半導体チップ１の一面に近くに位置させ、第１の放熱板３の対向面３ａのうちボンディングワイヤ８に対向する部位を開口した開口部３ｄとし、ボンディングワイヤ８の頂部８ａ側の部位を、第１の放熱板３とは離れた状態で開口部３ｄに入り込ませている。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の信頼性を向上させる。
【解決手段】列状に配置された複数の電極パッド２０ｐａと、電極パッド２０ｐａの夫々に電気的に接続され、電極パッド２０ｐａの列より外側に位置する、列状に配置された複数の試験パッド２０ｔａと、を有する半導体素子２０と、半導体素子２０を搭載し、半導体素子２０の搭載領域以外に、複数の電極端子１０ａを列状に配置した配線基板１０と、を備え、全ての試験パッド２０ｔａが、電極端子１０ａと電極パッド２０ｔａとを電気的に接続するボンディングワイヤ４０ａの下に位置している半導体装置が提供される。当該半導体装置１ａによれば、ボンディングワイヤ４０ａ自体の変形によってもたらされる、半導体素子２０の電極パッド２０ｐａ，２０ｐｂ間の短絡を解除し、半導体装置の製造歩留りを高め、より高い信頼性を有する半導体装置を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】サイズやボンディングパッド位置の異なるチップを実装する共用に適した半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置には、互いにＶ字型に曲折接続する第一、第二フィンガー部２１２、２１３を含むジグザグ形フィンガー２１１を有するリードフレームの複数の第一リード２１０、および複数のボンディングパッド２２２を有するチップ２２０を設ける。ボンディングワイヤ２３１、２３２は、一端がチップ２２０のボンディングパッド２２２群と接続し、他端が第一、第二フィンガー部２１２、２１３のいずれかの組と任意に接続する。このワイヤーボンディングの方向は、第一、第二フィンガー部２１２、２１３のいずれか接続される組の延びる方向との間に第一角度を形成し、いずれか接続されない組の延びる方向との間に第二角度を形成し、第一角度は第二角度よりも小さくなるようにボンディングワイヤ２３１、２３２によってなされる。 （もっと読む）

【課題】樹脂による封止によって生じる問題を解消できるとともに小型化が可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置１０は、複数の第１の電極パッド１３が形成された基板１１と、基板１１上に配置され複数の第２の電極パッド１４が形成された半導体チップ１２と、半導体チップ１２を封止する封止樹脂１６とを含む。半導体装置１０は、さらに、複数の第１の電極パッド１３と複数の第２の電極パッド１４とを接続する複数の第１のワイヤ１５と、電気的にオープンである複数の第２のワイヤ２５とを含む。１種類の接続先を持つ１本または連続した複数の第１のワイヤ１５の両隣のそれぞれに、少なくとも１つの第２のワイヤ２５が配置されている。 （もっと読む）

【課題】半導体装置を小型化できる技術を提供する。
【解決手段】配線基板２上に搭載された半導体チップ５の電極１５と配線基板２の接続端子２５ａ，２５ｂ，２５ｃとの間をボンディングワイヤ７ａ，７ｂで接続し、樹脂封止して半導体装置が形成されている。配線基板２の上面において、接続端子２５ａ，２５ｂ，２５ｃは半導体チップ５の辺５ｂに沿って３列に配置されている。３列のうち、半導体チップ５の辺５ｂに最も近い１列目の接続端子２５ａには、ループ高さが低いボンディングワイヤ７ａが接続され、半導体チップ５の辺５ｂから最も遠い３列目の接続端子２５ｃには、ループ高さが高いボンディングワイヤ７ｂが接続され、２列目の接続端子２５ｂには、ボンディングワイヤ７ａまたはボンディングワイヤ７ｂが接続されている。 （もっと読む）

半導体デバイスの製造中のワイヤ押し流し及び短絡を低減させる方法には、ワイヤ結合に硬化可能な組成物をスプレーすることと、その硬化可能な組成物をフリーラジカル重合によりＢステージにすることと、次にＣステージに熱硬化させることとが含まれる。スプレー可能な硬化可能組成物も開示される。 （もっと読む）

【課題】樹脂モールド成形時におけるボンディングワイヤの変形を防止する。
【解決手段】樹脂モールドパッケージは、半導体チップ２０を固着するダイパッド１４と、該半導体チップ２０の近傍に形成されたインナーリード１５とをボンディングワイヤ２２により接続し、樹脂により該半導体チップ接続部分をモールドする構成である。インナーリード部分に、上面にボンディングパッド２３を有する電子部品２１を設け、前記半導体チップ２０と接続対象のインナーリード１６ａとに対して、該電子部品２０の前記ボンディングパッド２３を中継部としてボンディングワイヤ２２Ａ、２２Ｂをボンディングした。 （もっと読む）

【課題】アイランドに設置された半導体素子とその周囲の端子部とをボンディングワイヤで接続し、これらをモールド樹脂で封止してなる半導体装置において、ワイヤ長Ｌが６ｍｍ以上であっても、ワイヤ流れおよびワイヤの下方へのたわみを極力抑制し、ワイヤの短絡を防止する。
【解決手段】ワイヤ４０における半導体素子３０側の接続部と端子部２０側の接続部との間に、第１の屈曲点４１、第２の屈曲点４２、第３の屈曲点４３、第４の屈曲点４４を設け、半導体素子３０の上方から見たときのワイヤ４０における半導体素子３０側の接続部と第２の屈曲点４２との距離Ｌ２、当該接続部と第３の屈曲点４３との距離Ｌ３、当該接続部と第４の屈曲点４４との距離Ｌ４を、それぞれワイヤ長Ｌに対して、０．２５Ｌ以上０．３５Ｌ以下、０．５Ｌ以上０．６Ｌ以下、０．８５Ｌ以上０．９５Ｌ以下としている。 （もっと読む）