【課題】２つの部材を複数本のボンディングワイヤにより接続するとともに、これら複数本のボンディングワイヤをゲル部材により封止してなる電子装置において、ダミーのボンディングワイヤを用いることなく、ゲル部材によるボンディングワイヤのダメージを抑制する。
【解決手段】パワーＩＣチップ７０と回路基板２０とを接続する第１のワイヤ５１と第２のワイヤ５２とにおいて、第１のワイヤ５１におけるゲート用のパッド７０ａとの接続部および第１の回路基板２０のパッド２１との接続部を結ぶ線Ｌ１と、第２のワイヤ５２におけるソース用のパッド７０ｂとの接続部および第１の回路基板２０のパッド２１との接続部を結ぶ線Ｌ２とが交差した位置関係にある。 （もっと読む）

【課題】ワイヤループの膨らみを除去すると共に、更に一層の直進性の向上が図るワイヤボンディング方法の提供。
【解決手段】クランパ６が開状態でキャピラリ５を外部リード１の上方より下降させてワイヤ１０が完全に外部リード１に接続させない程度に押し潰して薄肉部を形成する。クランパ６を閉じてキャピラリ５を薄肉部と共に第１ボンド点Ａとほぼ同じ高さに上昇させ、続いてキャピラリ５を第１ボンド点Ａから離れる方向に移動させてワイヤを引っ張って直線状ワイヤ部１８とすると共に薄肉部より切断させる。キャピラリ５で直線状ワイヤ部１８の端部１９を押圧して外部リード１にボンディングすると共に、キャピラリ５下端のワイヤ先端を外部リード１に軽く接続する。クランパ６が開いてキャピラリ５の上昇途中にクランパ６を閉じてキャピラリ５下端のワイヤ先端２０を外部リード１より剥がしてキャピラリ５の下端にテール部を形成する。 （もっと読む）

【課題】高さの異なるボンディングワイヤでパッケージとチップとが接続されるときに、ワイヤの高さに応じて適切に組立検査を行うことができる組立検査装置を提供する。
【解決手段】チップデータ２１とパッケージデータ２２を格納する記憶部７と、チップデータ２１とパッケージデータ２２とに基づいて半導体チップ４０とパッケージとの接続が適切に行われるか否かを判定する演算処理部４とを具備する半導体設計支援装置を構成する。その演算処理部４は、複数のボンディングワイヤＢ１〜Ｂ３の長さＬ１〜Ｌ３を算出し、長さＬ１〜Ｌ３に基づいて複数のボンディングワイヤの高さを推定し、推定された高さが同程度のボンディングワイヤＢ１，Ｂ３を同じグループに分類する。そのうえで、演算処理部４は、同じグループに分類されているボンディングワイヤの間隔Ｄ１が、予め定められた値の範囲内に収まっているか否かを判定する。 （もっと読む）

【課題】超音波ホーンの共振時にフランジ部の圧縮応力による微小膨張変形の影響が固定部分に及ばないようにし、かつフランジ支持強度を保って、超音波ホーンの上下方向の振動を防止する。
【解決手段】超音波ホーンの長手方向中心軸上に、取付フランジの中心に対して先後に延びて、その長さが超音波ホーンのフランジ部の幅寸法以上のスリットと、少なくともその一部がスリット部の超音波ホーン外面にある断面形状変更部とを有し、スリット先端部と後端部の前記超音波ホーンの断面の応力中心点を結ぶ直線よりも、フランジ部の前記超音波ホーンの断面の応力中心点が内側にあるようにする。 （もっと読む）

【課題】超音波を用いたワイヤボンディングを確実に行うことができる、換言すれば超音波熱圧着などによるボンディングワイヤの接続を確実に行うことができ、延いては製品不良の発生を防止して歩留まりの向上を図ることができるワイヤボンディング装置を提供する。
【解決手段】超音波手段による熱圧着により、固体撮像素子チップ５内のアルミニウムで形成されたパッド５１に、金線を接続させるワイヤボンディング装置であって、パッド５１上の酸化アルミニウム膜の膜厚を計測する計測手３段と、計測手段３で測定した膜厚に関するデータを用いて、ワイヤボンディング時にパッド５１に作用する超音波熱圧着条件を補正する制御手段４とを備えている。 （もっと読む）

【課題】カットクランパの部品寿命を適切に推定して、ボンディング動作における放電異常の発生を有効に防止することができるボンディング装置およびボンディング方法を提供することを目的とする。
【解決手段】キャピラリの下方に設けられたトーチロッドとワイヤとの間に放電を発生させてワイヤの下端部にボールを形成してボンディングするボンディング装置において、タイミングｔ１〜ｔ２における放電電圧値Ｖ２が警告設定値を超えたならば警告を発する放電電圧値警告手段を備える。警告設定値を変化させながら放電を反復して発生させる過程において放電電圧値警告手段によって警告が発せられたときの警告設定値Ｖｔｈｎを検出して記憶し、この警告設定値Ｖｔｈｎに余裕値を加算した電圧値を放電異常しきい値として設定し、自動生産において放電異常の発生が報知されたならば、カットクランパの状態を確認する。 （もっと読む）

【課題】大型のパワーモジュールを対象とし、複数台のワイヤボンディング装置を同時に稼動させるワイヤボンディングシステムにおいて、設置するクリーンルームの空間的・時間的利用効率を向上し、ワークの供給・排出ラインを簡単な搬送機構とする。
【解決手段】ボンディング前のワーク２ａを搬送するワーク供給ライン３とボンディング後のワーク２ｂを搬送するワーク排出ライン４とを前後に有するワイヤボンディングシステム１におけるワイヤボンディング装置５であって、ワーク２をボンディングするボンディングヘッド６を回転、上下動および平面移動させるボンダ機構部７を備え、該ボンダ機構部７が支持体８によって、ワーク供給ライン３からワーク排出ライン４へワークを搬送する搬送路６の上方に配置されたことを特徴とするワイヤボンディング装置５を提供する。 （もっと読む）

【課題】Ａｕの割合が多い金属間化合物の抑制を図ること。
【解決手段】電子部品１００は、金属端子の最表面に金メッキが施された電気端子１０３と、アルミニウムワイヤ１０４とがワイヤボンディングにより電気的に接続されている。金メッキは、無電解Ａｕメッキを施すことにより形成されている。この金メッキとアルミニウムワイヤ１０４との接合により生成される金属間化合物はＡｕＡｌあるいはＡｕＡｌとＡｕＡｌ₂である。また、無電解金メッキは、純度９９．９９％以上の金メッキである。 （もっと読む）

【課題】キャピラリ寸法が小さくなっても充分な圧着面積を確保することにより、ボールボンディングにおける第２ボンドのボンディング不良を防止する。
【解決手段】ボンディング装置に設けられたキャピラリ８において、キャピラリ８の軸心に形成されたボンディングワイヤＷを通す孔８ａの最も小さい部分の直径をホール径Ｈ、孔８ａの最先端部をチャンファ径ＣＤ、キャピラリ８の先端の外形径をチップ径Ｔとする。このキャピラリ８において、半導体チップに形成される電極のファインピッチ化に対応するように、ホール径Ｈは約φ３３μｍ程度であり、チャンファ径ＣＤは約φ４８μｍ程度に形成されている。また、チップ径Ｔは約φ１１４μｍ程度に形成されており、第２ボンドにおけるプリント配線基板の電極のピッチ、電極サイズに見合ったサイズに形成されている。 （もっと読む）

【課題】 ワイヤボンディングの技術を用いた半導体チップの接続信頼性の向上を図る。
【解決手段】 半導体チップ１５ａ側では、第一の接続２１として、キャピラリの先端に形成したボールでボールボンディング２１ａを行う。半導体チップ１５ｂ側では、第二の接続２２として、キャピラリの先端でワイヤを潰して圧着する熱圧着２２ａを行う。その後に、第二の接続２２側では、キャピラリの先端にボールを形成して、ボールボンディング２２ｂを行う。かかるボールボンディング２２ｂを最後に行うことで、熱圧着２２ａの強度の強化が行われる。 （もっと読む）

【課題】少なくとも複数個の第１ボンディング点（パッド）が直線上に一列に並んで配置され、これら第１ボンディング点と第２ボンディング点（リード）との間を結ぶボンディングワイヤが隣り合うワイヤ同士で接触するおそれがあるような場合でも、各ボンディングワイヤのネック部高さを高くすることなしに迂回配線することができ、半導体装置の小型化・薄型化を図る。
【解決手段】最も内寄りに位置して対向する第１のパッド２ａとリード３ａ間を結ぶワイヤ４ａは、直線ｍ−ｍ上を通る垂直面内において配線するとともに、それ以外の他のパッド２ｂ，２ｃとリード３ｂ，３ｃ間を結ぶワイヤ４ｂ，４ｃについては、それぞれパッド位置において一旦垂直上方に起ち上げた後、他のワイヤと接触することがないように水平面内で外方へ向けて引き出し、他のワイヤを迂回しながら対となるリード３ｂ，３ｃに向けて配線する。 （もっと読む）

【課題】低コストでＳｉとＡｌとの確実な接合を可能とする接合構造および接合方法を提供する。
【解決手段】Ａｌワイヤ２０をウェッジツールによってＳｉ電極４０に押し付け超音波を印加して接合させる。これにより、接合部３０にはＡｌ／Ａｌ酸化物／Ｓｉ酸化物／Ｓｉの順番で物質が積み重なって強固な接合構造となる。 （もっと読む）

【課題】 半田のリフロー工程時に半田の小さな粒が飛散して制御パッド上に付着することがあっても、制御パッド上にワイヤボンディングしたときのボンディング強度の低下を極力防止できる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体装置１は、半導体素子２の両面に金属体を半田付けして構成されたものにおいて、半導体素子２の一方の面に設けられ金属体を半田付けするための第１の電極７と、半導体素子２の一方の面における周辺部に設けられボンディングワイヤを２本以上ボンディングすることが可能な面積を有する制御パッド８とを備えるように構成した。 （もっと読む）

導体線（１４）を具える第一側部（１６）を有するキャリヤ素子（１２）と、第一の表面（２４）及び該第一表面から見て外方の第二の表面（２３）を有するマイクロエレクトロニクス部品（２０）で、前記第二表面で第一側部に搭載され、ボンディングワイヤ（２８）を介して前記導体線に接続された前記マイクロエレクトロニクス部品と、前記ボンディングワイヤを封入し、前記第一表面（２４）の中央領域（４０）をさらす重合性封入材料（３０）で、前記第一側部に外端（３６）及び前記第一表面に内端（３８）を有する前記封入材料と、該封入材料に接する障壁（４２，４４）とを備えるマイクロエレクトロニクス部品パッケージ（５０，７０）であって、前記障壁（４４）が前記第一側部（１６）で階段状表面移行部（４６）を有し、該移行部が前記外端に接することを特徴とする。障壁（４４）は、封入材料（３０）の製造時に、外端（３６）及び内端（３８）の形成に影響を与え、中央領域（４０）の面積を拡大する。本発明は、かかるマイクロエレクトロニクス部品用パッケージの製造方法にも関する。
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【課題】 合成後のボンディングパッドの形状を確定するボンディングパッド合成処理を、コンピュータによる自動演算処理で実現するための、コンピュータに実行させるためのコンピュータプログラムを実現する。
【解決手段】 ボンディングパッド合成処理のためのコンピュータプログラムは、基板中心部側に配置される第１のボンディングパッドの基板外縁部側の２つの頂点と基板外縁部側に配置される第２のボンディングパッドの基板中心部側の２つの頂点との間の各距離のうち、短い距離を構成する頂点同士が一致するように第１のボンディングパッドと第２のボンディングパッドとを結合するステップと、この生成された結合形状に関して、第１および第２のボンディングパッド間の結合部付近に生じた凹形状を除去するための補充領域を生成するステップと、を備え、上記結合形状と補充領域とを結合した形状を、合成後のボンディングパッドの形状として確定する。 （もっと読む）

【課題】既存のワイヤボンディング装置を何ら改造することなくボールレスボンディングが図れると共に、ボンディングの接合性の向上が図れる。
【解決手段】テール部１１をキャピラリ６の先端部より僅かに突出した長さに形成する。第１ボンディング工程は、テール部１１を第１ボンド点にボンディングして下部第１ボンディング部２０を形成し、この下部第１ボンディング部２０上にワイヤ１０を重ねて接続して中間第１ボンディング部２２を形成し、更に中間第１ボンディング部２２上にワイヤ１０を重ねて接続して上部第１ボンディング部２４を形成する。第２ボンディング工程は、ワイヤ１０を第２ボンド点にボンディングして下部第２ボンディング部３０を形成し、この下部第２ボンディング部３０上に再度ワイヤ１０を重ねて接続して上部第１ボンディング部３２を形成する。 （もっと読む）

【課題】ボンディング装置において、ボンディング対象に対するマイクロプラズマによる表面処理とボンディング処理とを効率的に行うことである。
【解決手段】ワイヤボンディング装置１０は、先端にボンディングキャピラリ２４を有するボンディングアーム２１を移動駆動するボンディング用ＸＹＺ駆動機構２０と、先端部に巻回された高周波コイルを有するプラズマキャピラリ４０を備えるプラズマアーム３１を駆動する表面処理用ＸＹＺ駆動機構３０と、プラズマキャピラリ４０にガスを供給するガス供給部６０と、高周波コイルに高周波電力を供給する高周波電力供給部８０とを含んで構成される。高周波電力の供給によって、プラズマキャピラリ４０の内部でガスがプラズマ化し、その先端部からボンディング対象８に対し噴出して表面処理が行われる。その表面処理と連動してボンディングキャピラリ２４を用いてボンディングが行われる。 （もっと読む）

【解決手段】 ボンディング機械と併用するためのボンドヘッドアセンブリは、ワイヤーボンディングツールと、前記ワイヤーボンディングツールと前記ボンディング機械の間に連結された連結機構とを含む。この連結機構は、フレームと、このフレームに枢着された複数のアーム連結部材と、前記ワイヤーボンディングツールを支持し前記アーム連結部材のそれぞれに枢着されたツール支持部材とを含む。 （もっと読む）

半導体デバイス製造において、平らな矩形の断面のリボン状ワイヤ（１０４）などのワイヤを、ワークピース（１０６）にボンディングするための装置（１００）及び方法。ワイヤは、超音波ボンディング・キャピラリ（１０２）の通路（１１６）を介して供給され、ボンディング・キャピラリに動作可能に結合されるクランプ押さえ部（１１８）を介して、ボンディング・キャピラリの係合面（１２０）に対してクランプされる。ワイヤは、ボンディング・キャピラリのボンディング面（１１２）に沿ってワークピースにボンディングされ、カッティング・ツール（１２４）によって、ボンディング・キャピラリのボンディング面と係合面との間で、少なくとも部分的に、貫入される。カッティング・ツールは、ボンディング面と係合面との間に配置される伸長部材（１２６）を含み得、更にその末端部（１３０）に配置されるカッティング・ブレード（１２８）を有し得る。カッティング・ツールは、更にリング・カッターを含み得、リボン状ワイヤは、その内径の周りに画定されるカッティング面を有するリングを通る。
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【課題】 ワイヤボンディングする前の電極パッドの良否を適切に評価する。
【解決手段】 ワイヤボンディングする電極パッドの良否を評価する半導体素子の電極パッド評価において、電極パッド１，２に光を照射し電極パッド１，２からの光の反射率を求め、該反射率によって電極パッド１，２を評価する。ワイヤボンディングしたときのワイヤボンディング材料と電極パッド材料との合金化率と反射率との相関関係を予め破壊検査によって求めておき、前記反射率で良否を判定する閾値を前記相関関係から決める。前記反射率を求める光の波長は紫外光を含む全波長（２５０ｎｍ〜８３０ｎｍ）であるのが好ましい。 （もっと読む）