【課題】 小型化された構成でありながら、形成した減衰極の変化による減衰量は高域側減衰帯域だけでなく低域側減衰帯域においても、十分に大きくする。
【解決手段】 本発明のフィルタパッケージは、入力信号に基づいた第１の信号を伝達する第１の接続点と、前記第１の接続点と接続されると共に前記第１の信号を受けて第２の信号を出力する第１の直列腕共振器と、前記第２の信号に基づいた信号を伝達する第２の接続点と、前記第１の接続点と第３の接続点とに接続された第１の並列腕共振器と、前記第２の接続点と第４の接続点とに接続された第２の並列腕共振器と、前記第３の接続点と前記第４の接続点とに接続された第１のワイヤと、接地電極と前記第３の接続点とに接続された第２のワイヤとを有する。 （もっと読む）

【課題】 構造が簡単でありながら、測定対象とする箇所以外の超音波振動を確実に遮断でき、測定対象とする箇所からの超音波振動のみを正確に検出することができる超音波振動検出器と、この超音波振動検出器を用いた超音波ボンダーを提供する。
【解決手段】 音−電気変換素子を用いて超音波振動を電気信号に変換するようにした非接触式の超音波振動検出器１７において、音−電気変換素子たる圧電素子１８の超音波受波面１８ａの前面位置に、超音波導波孔２０を備えた超音波遮蔽部材１９を取り付けた。また、超音波遮蔽部材２０の外形状を前方側に向かってその径が縮小していく円錐形状とした。さらに、上記超音波振動検出器１７を用いて、超音波ホーン１やキャピラリー４の振動状態を検出する超音波振動測定手段を備えた超音波ボンダーを構築した。 （もっと読む）

【課題】予め定型フォーマットに従った項目名の把握しかできず、不定形の項目の把握ができないという問題を解決する画像入力装置、ＯＣＲ認識処理を含む処理ソフトと、を利用すると、高速なコンピュータが必要であり、製造現場で使用するにはコスト的に難しい。
【解決手段】ワイヤボンダ１０からの表示出力を受信し、仮想画面２５に表示制御コードの各項目を表示する。各項目の項目名とその入力値を設定ファイルと照合して確定し、その入力値と項目名から、操作コード生成部２１で操作コードを作成し、設定項目及び入力値を含む操作コードをワイヤボンダ１０へ出力する。 （もっと読む）

【課題】各リード部の位置を正確に検出することができ、電子制御ユニットのコストを低くすることができるようにする。
【解決手段】樹脂製のパッド部、及びパッド部に埋設された複数の端子ユニットを有し、各端子ユニットは、互いに平行に、かつ、端子面を露出させて配設されたリード部４７を備え、端子面には、ボンディングワイヤとリード部４７とを接合するための接合部が形成されるようになっている。二つの線分から成るコーナ部が形成された端子面を備える少なくとも二つの端子ユニットと、二つの線分から成るコーナ部が形成されない端子面を備える端子ユニットとを有する。コーナ部に基づいてリード部４７の位置が認識されてワイヤボンディングが行われる。コーナ部は二つの線分から成るので、リード部４７の画像を読み取ったときに、読み取られた画像のコーナ部を正確に認識することができる。 （もっと読む）

【課題】 静電容量が低いデバイスに対しても不着検出が可能なワイヤボンディング装置を提供する。
【解決手段】 本発明に係るワイヤボンディング装置は、半導体チップ４３の電極とリードフレームのリードをワイヤによって接続するワイヤボンディング装置又は半導体チップのパッドにバンプをボンディングするワイヤボンディング装置において、ＤＣパルスをワイヤ又はバンプに印加する印加手段と、前記ＤＣパルスを印加して得られる前記ワイヤ又はバンプからの応答波形を検出する検出手段と、前記応答波形を、ボンディングが不着のワイヤ又はバンプにＤＣパルスを印加して得られる前記ワイヤ又はバンプからの不着応答波形と比較することにより、ワイヤ又はバンプが正常にボンディング接続されたか否かを判定する判定手段と、を具備することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 ボンディングワイヤを用いたデバイスの配線を高密度化することができる最適なボンディング部のピッチＰの配置状況を特定する。
【解決手段】 径がＡのボンディングワイヤ１２０をボンディングパッドに接続し、接続部であるボンディング部を一直線上に配置し、施工のばらつきをσとしたとき、ボンディング部のピッチＰを、ＸＡ＋σ以上（１．８０≦Ｘ≦２.１）とする。 （もっと読む）

【課題】 Ｃｕ電極層と有機樹脂膜との密着性寿命を、従来よりも向上させることができる半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 パワーデバイスと、パワーデバイス上の厚いＣｕ電極層２と、Ｃｕ電極層２を覆う有機樹脂膜３とを備える半導体装置において、Ｃｕ電極層２の表面（上面２ａと側面２ｂ）の全領域を覆うように、Ｃｕ窒化膜８を配置する。ここで、Ｃｕ電極層２と有機樹脂膜３との密着性を低下させる主原因は、有機樹脂膜３を通過した酸素がＣｕ電極層２と反応して、Ｃｕ電極層２の表面に酸化膜が生成することである。そこで、Ｃｕ電極層２と有機樹脂膜３との間の領域に、酸素の透過を抑制することができるＣｕ窒化膜８を配置することで、Ｃｕ電極層と有機樹脂膜との密着性寿命を、従来よりも向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】 有機樹脂膜を特に厚膜化しなくても、Ｃｕ電極層の上面コーナ部における有機樹脂膜のカバレッジを良好とすることができる半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 Ｃｕ電極層を以下のように形成する。素子を有する半導体基板上にＴＥＯＳ膜５３と、２ｎｄＡｌ膜５４と、Ｐ−ＳｉＮ膜５５とが形成された半導体基板を用意する。Ｐ−ＳｉＮ膜５５のうち、２ｎｄＡｌ膜５４の上方部分における開口部５５ａに厚いＣｕ電極層７２を形成する。このとき、Ｃｕ電極層７２の側面は逆テーパ形状である。その後、Ｃｕ電極層７２に対して、４５°のエッチングレートが早い、いわゆる不活性ガス逆スパッタを施す。これにより、Ｃｕ電極層２の側面上部２ａを順テーパ形状とする。その後、Ｃｕ電極層２上に有機樹脂膜７４を形成する。 （もっと読む）

【課題】 温度変化が生じた場合であっても、スプールの軸回りでの回転を確実に抑制することが可能なスプールケースを提供すること。
【解決手段】 底蓋と、該底蓋に対して相互に嵌合する上蓋１２とを備え、ボンディングワイヤを巻きつける円筒状胴部と、該円筒状胴部の両端に設けられてボンディングワイヤを引き出すノッチ５ａが形成されたフランジ５とを有するスプール３を収容するスプールケースにおいて、上蓋１２が、スプール３を収容したときに、ノッチ５ａに係合してスプール３の軸回りでの回転を防止するノッチ係合凸部２４を有する。 （もっと読む）

リードフレーム・アセンブリの一部分である複数のリードフレームのリードをワイヤボンディング工具によって夫々のリードフレームにおいて実装される半導体製品にワイヤボンディングする方法及び装置が開示される。前記半導体製品は、固定クランプ及び可動クランプを有するクランピング機構によってクランプされる。前記可動クランプは、前記可動クランプによってクランプされる前記半導体製品のワイヤボンディング過程において、前記リードフレームのインデックス動作に従う。該ワイヤボンディング過程は、該インデックス・ステップのために中断される必要はない。
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本発明の一態様は、デバイスのパワーまたはグラウンドとＢＧＡパッケージとを接続する経路のインピーダンスを減らすことに関する。一つの特定の実現例では、シグナルボンドワイヤ（１１５）から所定の距離を置いてグラウンドストラップ（１３０）を配置することによって、シグナルボンドワイヤのインピーダンスを制御する。関係する実施形態では、ワイヤボンド（１１５）の近傍でデバイスダイ（１４０）とパッケージとの間に低インピーダンスのパワーまたはグラウンド接続を設ける。集積回路（１４０）は、複数のグラウンドパッド、シグナルパッド、パワーパッド、及び前記集積回路を実装するためのパッケージを含む。パッケージ（１００）は、複数のパッドランディング（１１０）、集積回路（１４０）を取り囲むグラウンドリング（１０５）、及び集積回路のグラウンドパッド（１２０）にグラウンドリング（１０５）を結合するグラウンドストラップ（１３０）を備える。
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【課題】
半導体装置封止用モールドレジンの熱膨張・収縮によるボンディングワイヤの疲労断線寿命の向上。
【解決手段】
ボンディングワイヤに発生するひずみとボンディングワイヤループ形状の関係をある関数によって定式化し、ワイヤに発生するひずみを所定の規定値以下とするようワイヤループ形状を適正化する。また、ワイヤの疲労寿命曲線から寿命を推定し、目標寿命を満足するループ形状を求めるようプログラム化する。さらに、このプログラムをワイヤボンディング装置に組み込むことで、ワイヤひずみを低減するループ形状で自動的にボンディングが行えるワイヤボンディング装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】 ボールの圧着厚を人手を介することなく画像処理を利用して自動的に測定できるようにしたワイヤボンディングにおけるボール圧着厚の測定方法を提供する。
【解決手段】 所定のステップ間隔で撮像手段を上下方向に移動しながら、各ステップ位置においてパッド３とボール５の接合部分を撮像し、各撮像画像におけるパッド３のエッジ３ａ部分の輝度変化を求め、エッジ部分の輝度変化が最大となる撮像画像の撮像高さ位置をパッド３の合焦点高さとするとともに、各撮像画像におけるボール圧着面９の輝度変化を算出し、ボール圧着面の輝度変化の加算値が最大となる撮像画像の撮像高さ位置をボール圧着面９の合焦点高さとし、得られたパッド３の合焦点高さとボール圧着面９の合焦点高さの差分を採ることによってパッド３に接合されたボール５の圧着厚ｔを算出するようにした。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置の組み立てにおいてワイヤボンディングの接続信頼性の向上を図る。
【解決手段】 パッケージ基板５の主面５ａにソルダレジスト膜５ｈの表面より凹んだ溝部５ｄが形成され、この溝部５ｄが半導体チップ１の内側から外側にまたがるように半導体チップ１を配置し、その後、半導体チップ１を押圧してフリップチップ接続することにより、半導体チップ１の下部からはみ出ようとするＮＣＰ７を溝部５ｄに流れ込ませてＮＣＰ７のはみ出し量を低減することができ、その結果、ＮＣＰ７はチップ搭載領域の外側に配置されたワイヤ接続用端子まで到達しないため、ワイヤ接続用端子にＮＣＰ７が付着することを防止でき、半導体装置におけるワイヤボンディングの接続信頼性を向上できる。 （もっと読む）

【課題】 静電容量が低いデバイスに対しても不着検出が可能なワイヤボンディング装置を提供する。
【解決手段】 本発明に係るワイヤボンディング装置は、半導体チップの電極とリードフレームのリードをワイヤによって接続するワイヤボンディング装置において、ＤＣ電圧をワイヤに印加するＤＣ印加手段３０，３６，４０と、ワイヤからの検出電圧を検出する電圧検出手段３７，３０と、ＤＣ電圧を印加した時から検出電圧が検出しきい値電圧に達した時又は超えた時までの第１時間を検出する時間検出手段４１と、前記第１時間と、ボンディングが不着のワイヤに前記ＤＣ電圧を印加した時から前記検出しきい値電圧に達するまで又は超えるまでの第２時間とを比較することにより、ワイヤが正常にボンディング接続されたか否かを判定する判定手段４１，３０とを具備する。 （もっと読む）

【課題】 パワー半導体装置において振動や強制的な熱サイクルが加わるようなことがあっても、ワイヤーボンドが接続部で容易に破断してしまうことが無く、接続部での信頼性を向上させる。
【解決手段】 パワー半導体装置において、配線用の金属導体として、ボンディングワイヤ６により銅配線回路２とパワー半導体素子３間、銅配線回路２とケース端子部７間がそれぞれ接続されており、銅配線回路２、パワー半導体素子３のＡｌ電極表面、ケース端子部７、ボンディングワイヤ６の露出導体部分には、電着法により、エポキシ系樹脂絶縁皮膜９が形成されている。 （もっと読む）

【課題】 角速度検出素子と回路基板とを複数本のボンディングワイヤを介して電気的に接続してなる角速度検出装置において、ボンディングワイヤ間の距離を大きくしなくても、ボンディングワイヤ間の寄生容量を低減できるようにする。
【解決手段】 基板１０、および、基板１０に設けられ基板１０と水平な面内にて振動可能な振動体を有し、該振動体の振動に基づいて基板１０と垂直な軸回りの角速度を検出するようにした角速度検出素子１００と、回路基板２００とを備え、角速度検出素子１００と回路基板２００とが複数本のボンディングワイヤ７０、７１により結線されている角速度検出装置Ｓ１において、複数本のボンディングワイヤ７０、７１のうち少なくとも一部が、残りのボンディングワイヤとはワイヤ形状が異なっている。 （もっと読む）

【課題】 装置が複雑で高価になることがなく、インデックスが低下することがなく、ボンディング中に隣接するボール同士の接触が検出可能なワイヤボンディング装置及びそのワイヤボンディング方法を提供する。
【解決手段】 ワイヤ３を繰り出すスプール４と、前記スプール４から繰り出されたワイヤ３にテンションを与えるワイヤテンショナ１２と、開閉可能な一対のワイヤクランパ６と、ワイヤ３を挿通するキャピラリ７を有するワイヤボンディング装置において、ボンディング中に互いに隣り合うボール８のショート状態を検出する検出回路１を有する。 （もっと読む）

【課題】金属細線とボンディングパッド部間の合金層で、ボイドの成長によって接合部位が電気的に開放状態となることを防止する。
【解決手段】キャピラリ５の第１の貫通孔３を通った金属細線２の先端のボール部４とボンディングパッド部１が接触し接続する直前に、第２の貫通孔６から突出した針状突起物７で、ボンディングパッド部１表面に傷を付け、これにより接続に必要なボンディングパッド部１の一部分をなくすことにより不均一な合金層の状態を形成させ、発生したボイドによる影響を抑え接合部分が電気的に開放状態となる不良を防ぐ。 （もっと読む）

【課題】 低い製造コストと高い信頼性で半導体デバイスを製作する方法を提供する。
【解決手段】 多層ワイヤボンディング半導体デバイスをパッケージ化する方法は、多層ワイヤボンディング半導体デバイスにおいて各層で素子間の接続をする複数の導線の少なくとも２本の一部のみを横切って絶縁材料を適用することを含む。その方法は、又、導線と素子を封止することにより、半導体デバイスをパッケージ化することを含む。 （もっと読む）