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Fターム[5F044JJ00]の内容

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【課題】ワイヤーボンディング工程の生産性の低下を抑制しつつ、キャピラリの内部や先端の残存金属を除去できるようにした半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ワイヤー11の一端の側に形成されたボールをパッド電極2に接合させて圧着ボール13とボールネック15とを形成し、キャピラリ50の先端52でボールネック15にワイヤー11を押しつける工程(1stボンド)と、キャピラリ50をパッド電極2上からリード23上へ移動させて、ワイヤー11の他端の側をリード23に接合する工程(2ndボンド)と、1stボンドと2ndボンドとが当該順で複数回、繰り返し行われた後で、キャピラリ50をリードフレーム20が有するダミー領域R2上へ移動させて、そこに接合する工程(クリーニングボンディング)と、を含む。 (もっと読む)


【課題】電源・信号間の干渉および結合の抑制と、電源ノイズの抑制と、信号間の干渉・クロストークの抑制と、インピーダンス不連続による信号反射の抑制とを、全てバランスよく満たす低コストな高速デバイスを提供する。
【解決手段】信号用ボンディングワイヤ31d、31eと、グランド用ボンディングワイヤ31b、31gと、電源用ボンディングワイヤ32a、32c、32f]とを、次のように配置する。すなわち、グランド用ボンディングワイヤまたは電源用ボンディングワイヤの一方が、信号用ボンディングワイヤと同じ第1の包絡面に含まれ、他方は別の第2の包絡面に含まれる。ここで、第2の包絡面に含まれるボンディングワイヤおよび信号用ボンディングワイヤの間の電磁結合が、第1の包絡面に含まれる2本のボンディングワイヤの間の電磁結合よりも小さくなるようにする配線構造。 (もっと読む)


【課題】ミリ波帯等の高周波伝送線路に介在されるワイヤボンディング長を短くし、その部分の寄生インダクタンスの影響による信号品質の劣化を抑制するとともに、放熱性を高めること。
【解決手段】半導体装置10は、半導体素子(チップ)30が配線基板20に形成されたキャビティ27内にその底面との間に接着材料33を介在させて搭載され、チップの電極端子31がキャビティ周囲の基板上に形成された配線部分22a,22bにワイヤ32を介して接続された構造を有する。チップ30は、配線部分のうち他の配線に比べて高周波用の配線22aが形成されている領域に近い側のキャビティの側壁27aに密着して搭載され、チップ30を密着させた側のキャビティの底面27eに凹部28が設けられ、さらにこの凹部の底面から基板外部に繋がるサーマルビア29が設けられている。 (もっと読む)


【課題】 ボンディングワイヤをワイヤカットしても、スプリングバックがおきにくく、ワイヤがスプール上で多量に緩まないボンディングワイヤの巻線形態を提供する。
【解決手段】 スプール胴部のワイヤ巻き付け部分に巻き付けたボンディングワイヤの本巻部分の巻き終わり端部(ワイヤ繰りだし時におけるアース部)における巻線構造であって、アースワイヤが、スプール胴部上に互いに密着し、かつ、整列して巻かれた列をなし、その列に複数のワイヤがそれぞれ離散して押し込まれた、高密着整列して巻かれている構造をなす第1層の巻回構造体である。 (もっと読む)


【課題】簡単な構成で的確にピンレスプルテストを行えるようにする構造体を提供する。
【解決手段】モータ制御装置は、リニアモータの推力補正値Fcを設定する推力補正値設定部と、推力補正値Fcを加算して目標推力Fを補正する目標推力補正部とを備える。プルテスト実行時には、沈み込み平均量差Yaveが上限閾値Zよりも大きい場合(ステップ7:Yes)、沈み込みによる荷重変化分(K・Ymax)をプルテスト荷重Ltに加算すべく、荷重変化分(K・Ymax)を推力補正値Fcとして目標推力Fに加算する推力補正を行い(ステップ9)、再度プルテスト荷重Ltを印加する(ステップ4)。 (もっと読む)


【課題】光モジュールのパッケージを構成するステムに取付けられたリードピン、または、そのリードピンに取付けられた素子へのワイヤのボンディングを安定して行うことができるワイヤボンディング装置の提供。
【解決手段】ワイヤボンディング装置は、ステム2に取付けられた外部回路接続用のリードピン22、又は該リードピン22上に実装されたモニタ用PDに対して、ステム2をステムホルダで保持しておき、ワイヤが通されたキャピラリを駆動してワイヤを押し当てボンディングを行う。ステムホルダが、ステム2を位置決めして装着したときに、リードピン22の上方側部に当接する当て付け部材84fを有する。ボンディングの際は、ステムホルダを傾動させて、リードピン22をキャピラリの押圧力に抗して当て付け部材84fで支える。 (もっと読む)


【課題】クランパの、連結部と接触する部分の接触性を向上させる。
【解決手段】ワイヤボンディング装置は、電導性のワイヤ(4)を接続パッド(3)に接続し、ワイヤ(4)と接続パッド(3)との接続の良否を検査する。ワイヤボンディング装置は、接続パッド(3)と電気的に連結された連結部(11)に、先端(17)を接触させる検査用のプローブピン(16)を有する。プローブピン(16)の先端(17)の位置は変動可能になっている。 (もっと読む)


【課題】第1ボンド点と第2ボンド点との接続において、ワイヤの強度低下を抑制しつつワイヤループの高さをより低くする。
【解決手段】ワイヤの先端に形成したイニシャルボールをキャピラリによって第1ボンド点11に接合させて圧着ボール12を形成する第1ボンディング工程と、キャピラリを略垂直に上昇させてからキャピラリを第2ボンド点19の方向に向かって斜め下方にキャピラリの上昇量よりも少ない量だけ下降させるという連続動作を複数回繰り返して行い、複数の位置でワイヤを第2ボンド点19の方向に向かって押し込むワイヤ押込み工程と、キャピラリを上昇させ、続いてキャピラリを第2ボンド点19の方向に移動させてワイヤを第2ボンド点19に圧着させることにより接合する第2ボンディング工程と、を備える。 (もっと読む)


【課題】ワイヤループ高さの低い半導体装置を提供する。
【解決手段】イニシャルボールをパッド13に接合させて圧着ボール23とボールネック25とを形成した後、キャピラリ41を上昇させ、続いてリードと反対の方向に向かって移動させた後、降下させてリード側のフェイス部43でボールネック25を踏み付ける。その後キャピラリ41を上昇させ、キャピラリ41のフェイス部43がボールネック25の上に来るまでキャピラリ41をリードに向かって移動させてリード17に向かってワイヤ21を折り返し、その後キャピラリ41を降下させて踏み付けられたボールネック25の上に折り返されたワイヤ側面をキャピラリ41で押し付け、キャピラリ41をリードに向かって斜め上方に移動させた後ルーピングしてワイヤ21をリードに圧着させて接合する半導体装置。 (もっと読む)


【課題】配線基板上に実装された半導体チップと配線基板上のワイヤボンドパッドとを接続するボンディングワイヤが半導体チップに干渉することを回避しつつ、半導体チップとワイヤボンドパッドまでの距離が小さい半導体装置を提供する。
【解決手段】配線基板2上に半導体チップ1が実装され、配線基板2上のワイヤボンドパッド5と半導体チップ1上の電極パッド4とがボンディングワイヤを介して接続された半導体装置8であって、電極パッド4よりも半導体チップ1の端部に近接した位置にワイヤボンドパッドを有する中継基板10が設けられ、半導体チップ1上の電極パッド4と中継基板10上のワイヤボンドパッドとが第1のボンディングワイヤ3Aを介して接続され、中継基板10上のワイヤボンドパッドと配線基板2上のワイヤボンドパッド5とが第2のボンディングワイヤ3Bを介して接続されている。 (もっと読む)


【課題】リードフレームを用いて電子部品を内蔵した半導体装置を製作する場合、半導体素子の端子数の増大にも良く対応でき、且つ、部品配置の自由度が高い、部品内蔵のリードフレーム型基板とその製造方法およびそれを用いた半導体装置を提供する。
【解決手段】金属板の第1面に配線、第2面に接続用ポスト、それら以外の領域に電子部品が埋設されたプリモールド用樹脂層が有り、好ましくは電子部品実装状態では電子部品の高さが接続用ポストを越えないリードフレーム型基板、及び、その基板に半導体素子が実装され、基板と半導体素子がワイヤーボンディングされた半導体装置である。 (もっと読む)


【課題】自動でワイヤの不着原因を特定する。
【解決手段】ワイヤボンディング装置1は、接続端子上の所定のボンディング位置でキャピラリのZ軸移動速度を検出し、キャピラリのZ軸移動速度が所定のしきい値以下になったとき、移動機構によるキャピラリのZ軸移動を制御し、Z軸制御基板がしきい値以下になったときからのZ軸位置の変位量をキャピラリのZ軸位置の経時変化から算出し、ワイヤと接続端子との間の通電状態からワイヤの不着を検出し、不着検出部がワイヤの不着を検出したときの変位量と基準変位量との差分が所定範囲内にあるか否かを判定し、補正/判定部が不着検出部によりワイヤの不着が検出されたときの変位量と基準変位量との差分が所定範囲を超えていると判定したとき、しきい値および超音波の発振出力量のいずれかを補正する。 (もっと読む)


【課題】ワイヤボンディング装置において、簡便な方法でキャピラリの振幅測定精度を向上させる。
【解決手段】静止中のキャピラリの画像の輪郭を取得する第1の輪郭取得手段と、キャピラリを無負荷状態で発振させ、発振中のキャピラリの画像を撮像素子で取得し、取得した画像の各ピクセルのグレーレベルを検出し、互いに隣接する予め設定された閾値よりも小さいグレーレベルの第1のピクセルと閾値よりも大きいグレーレベルの第2のピクセルとを選択し、第1のピクセルと第2のピクセルとのグレーレベルを補間してグレーレベルの閾値に対応する画像上の点の座標位置をサブピクセル単位で算出し、発振中のキャピラリの画像の輪郭を取得する第2の輪郭取得手段と、静止中のキャピラリの画像の輪郭と発振中のキャピラリの画像の輪郭との差からキャピラリの振幅を算出する振幅算出手段とを有する。 (もっと読む)


【課題】
破損しやすいワイヤボンドを保護する。
【解決手段】
ワイヤボンドプロテクタは、超小型電子デバイスの端部に沿った、半導体ダイを基板上の導体に接続するワイヤボンドの長いアレイに対応して細長い形状を有する。ワイヤボンドが保護された超小型電子デバイスを作る場合には、まずワイヤボンドが従来の方法により形成される。その後、ワイヤボンドプロテクタが、ワイヤボンドを少なくとも部分的に覆うようにワイヤボンドのアレイに沿って延びる方向に超小型電子デバイスへ取り付けられる。 (もっと読む)


【課題】記録用紙や表示用紙等の識別用部品をスプールケースに確実に添付できる手段を有し、かつその手段は、スプールケースを再利用するときの妨げとならない半導体ボンディングワイヤー用スプールケースを提供する。
【解決手段】半導体ボンディングワイヤ5の容器2および蓋1のうち少なくとも一方に、識別用部品7を着脱自在にケースに係合できる1個以上の係合部品4を取り付けることにより、スプールケース内の製品を識別するための識別用部品7をスプールケースに確実に添付できるようにした。 (もっと読む)


【課題】密着補助膜とモールド樹脂との膨張収縮差によりワイヤに発生する応力によって、ワイヤが損傷するのを極力防止する。
【解決手段】ボンディングワイヤ40は、回路基板20の一面21の上方に向かって凸となったループ形状をなしており、回路基板20の一面21上には、回路基板20とモールド樹脂50との間に介在する密着補助膜60が設けられており、ワイヤ40のうちパッド側の接続部41から頂部42まで延びる部位と、回路基板20の一面21との間には、ワイヤ40側から回路基板20側に向かって拡がるフィレット形状をなす密着補助膜60が、ワイヤ40および回路基板20に接した状態で当該間を埋めるように介在しており、ワイヤ40の下に位置する密着補助膜60は、その厚さが0.2mm以下であり、且つ、その軟化点が150℃以上である。 (もっと読む)


【課題】ボンディング点で局所的に熱が発生する場合に、半導体チップの表面の広い範囲に効率的に伝熱し、ボンディング点が局所的に過熱してワイヤと表面電極の接合強度が劣化する現象の発生を抑制する。
【解決手段】ワイヤ22がボンディングされている表面電極16の表面に、表面電極16よりも熱伝導率が高い材料の被覆層20が形成されている。ワイヤ22がボンディングされている表面電極16の表面に、表面電極16よりも熱伝導率が高い材料をコーティングすれば、半導体チップ14の表面の広い範囲に効率的に伝熱することができ、ボンディング点が局所的に過熱されてしまう現象の発生を防止できる。あるいは、表面電極に表面被覆層を介してワイヤをボンディングしてもよい。この場合は、表面電極の表面に、表面電極よりも熱伝導率が高い材料で、表面電極よりも厚く形成されている被覆層を形成する。 (もっと読む)


【課題】熱膨張によるボンディングワイヤまたはその接続部の断線や損傷を生成する応力の緩和を低コストで実現することのできる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体素子2と、半導体素子2の周囲に設けられた導体部材と、半導体素子2の一面と導体部材とを接続するボンディングワイヤ4と、半導体素子2、導体部材およびボンディングワイヤ4を封止するモールド樹脂5とを備えた半導体装置。ボンディングワイヤ4とモールド樹脂5とが、接着しておらず、滑りが可能であるように構成されている。 (もっと読む)


【課題】容易に、プローブ検査工程後のワイヤーボンディングやバンプ接続の密着強度を向上させて接続不良を減少させ、信頼性を向上する手段の提供。
【解決手段】ワイヤーボンディング用ボールあるいはバンプを形成する前に、測定用プローブ針と滑り方向が正反対であり、かつ、前述測定用プローブ針のプローブ跡終点部を通過する状態でプローブ針が滑るようにプロービング屑平坦化用プローブ針5bをコンタクトさせることで、プローブ検査工程にて発生するプロービング屑3a,3bの平坦化が可能となり、その結果ワイヤーボンディング用ボールあるいはバンプの密着強度を向上することで、容易に、接続不良を減少し、かつ信頼性を向上することが可能である。 (もっと読む)


【課題】POP積層される上下パッケージ間の接続不良を改善すると共に、下パッケージの基板配線設計の容易化を実現する。
【解決手段】半導体装置は、基板配線111を有する基板120と、基板120に搭載された半導体チップ121と、半導体チップ121と基板配線111とを電気的に接続する第1の導電体122と、基板120上に搭載された導電性パッド2203と、導電性パッド2203に電気的に接続され、基板配線111とは異なる配線経路となる配線部材2201とを備える。 (もっと読む)


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