【課題】
破損しやすいワイヤボンドを保護する。
【解決手段】
ワイヤボンドプロテクタは、超小型電子デバイスの端部に沿った、半導体ダイを基板上の導体に接続するワイヤボンドの長いアレイに対応して細長い形状を有する。ワイヤボンドが保護された超小型電子デバイスを作る場合には、まずワイヤボンドが従来の方法により形成される。その後、ワイヤボンドプロテクタが、ワイヤボンドを少なくとも部分的に覆うようにワイヤボンドのアレイに沿って延びる方向に超小型電子デバイスへ取り付けられる。 （もっと読む）

半導体モジュールパッケージのための一体化された電磁干渉（ＥＭＩ）シールドである。一体化されたＥＭＩシールドは、パッケージの基板内の接地面とパッケージのモールド化合物の上端上にプリントされた導電層との間に電気的に接続された複数のワイヤボンドばねを含む。ワイヤボンドばねは、ワイヤボンドばねの上端と導電層との間の電気的接続によるコンタクトを与えるばね効果を生じさせる、定められた形状を有する。ワイヤボンドばねを、モジュールパッケージ内において、パッケージに含まれる装置すべてまたはその一部の周りのいずれかの場所に配置することにより、これらの装置の周りに完全なＥＭＩシールドを形成する。
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【課題】樹脂封止やワイヤボンディング高さの量産によるバラつきによりワイヤの露出を防止して、不良品の増加や製品寿命の悪化を抑えて、またパッケージの薄型化を実現することができ、最薄の樹脂厚でのパッケージの設計を可能することを目的とする。
【解決手段】半導体チップの主表面の電極パッドと配線基板の接続パッドとの間にワイヤをボンディングする工程と、ここでワイヤは、半導体チップの電極パッドから上方に向かってループ状を形成し、ループ状のワイヤにフラット部を形成する工程と、フラット部が埋設するように半導体チップを封止材料で封止する工程とを備える半導体装置の製造方法を採用する。 （もっと読む）

【課題】電子部品の全体の高さを低く抑えることのできる電子部品と電子部品の樹脂パッケージ方法を提供。
【解決手段】部品２の外周部が第１封止樹脂４によって取り囲まれ、第１封止樹脂４の内側に第２封止樹脂３が充填され、部品２と基板１がワイヤ５によって電気接続され、部品２の外周のエッジ部分のうちのワイヤ５が近傍を通過する辺が面取りされた傾斜面３１に形成されており、ワイヤ５が傾斜面３１に沿って基板１に延設されていることを特徴とし、電子部品の全体の高さを低く抑えることができる。 （もっと読む）

構成部品の配置構造およびその製造のための方法を提供する。その構成部品の配置構造は、上に半導体部品を配置したキャリア要素を含んでおり、その半導体部品が少なくとも一つの結線ボンディングワイヤを介して電気的に、キャリア要素上の少なくとも一つの接触面と接続されている。結線ボンディングワイヤは、封止物質でできた封止部材の中に埋め込まれている。流出防止手段を介することにより少なくとも部分的範囲で、封止物質が制御されずに流出することを防止する。封止部材表面と半導体部品の部品側接触面間の境界に、流出防止手段として少なくとも一つの流出防止ボンディングワイヤを配置している。 （もっと読む）

【課題】高温動作時のボンディングワイヤと電極パッドとの接合領域の信頼性を向上させる。
【解決手段】半導体装置１００は、半導体チップ１０２、半導体チップ１０２に設けられ、Ａｌを主成分としＣｕをさらに含むＡｌＣｕパッド１０７、および、半導体チップ１０２の外部に設けられたインナーリード１１７と半導体チップ１０２とを接続するとともに、Ｃｕを主として含む接続部材であるＣｕＰワイヤ１１１を備え、実質的にハロゲンを含まない封止樹脂１１５により封止されている。ＡｌＣｕパッド１０７とＣｕＰワイヤ１１１の接続領域に、ＡｌとＣｕ組成比が異なる複数の合金層が設けられ、合金層が、ＣｕＡｌ₂層と、ＣｕＡｌ₂層とＣｕＰワイヤ１１１との間に設けられるとともにＣｕＡｌ₂層よりもＡｌ組成比が相対的に低い層とを含む。 （もっと読む）

【課題】半導体素子の各電極パッドと回路基板とを接合する銅製ワイヤが腐食し難く、高温保管性、耐マイグレーション性、耐湿信頼性に優れた半導体装置を提供すること。
【解決手段】半導体素子１と回路基板６を封止用エポキシ樹脂組成物４により片面封止してなり、前記半導体素子の各電極パッドと前記回路基板との電気的接続が銅製ワイヤ３で接合されている半導体装置であって、前記銅製ワイヤが銅純度９９．９９９重量％以上、硫黄含有量５ｐｐｍ以下の銅製ワイヤであり、前記銅製ワイヤのワイヤ径が２５μｍ以下であり、前記封止用エポキシ樹脂組成物の硬化物の熱水抽出液のｐＨが４〜７であることを特徴とする半導体装置。 （もっと読む）

【課題】ＩＣチップの水晶端子の位置に拘わらず、水晶片の励振電極の一方が発振用増幅素子の出力側となる生産性に富んだ表面実装用の水晶発振器を提供する。
【解決手段】一対の励振電極を両主面に有する水晶片２とＩＣチップ１とを容器本体３に収容し、ＩＣ端子中の水晶端子６（ｘ、ｙ）と前記励振電極とはワイヤーボンディングを経て電気的に接続し、前記ＩＣチップの出力側に接続した一方の励振電極は前記容器本体の開口端面側に位置し、前記一方の励振電極にイオンビームを照射して発振周波数を調整してなる表面実装用の水晶発振器において、前記一対の励振電極はそれぞれ前記ＩＣチップの入出力端となる水晶端子に選択的に導通可能な第１と第２の回路端子１０（ｘ1、ｘ2）又は１０（ｙ1、ｙ2）に接続し、前記発振用増幅素子の入出力端となる前記水晶端子は前記第１と第２の回路端子のいずれかに前記ワイヤーボンディングによって接続した構成とする。 （もっと読む）

【課題】 高湿環境における半導体素子上電極の腐食を抑制し、電気的接合を長期間にわたり維持させることが可能な半導体パッケージの提供。
【解決手段】 半導体パッケージ内部の半導体素子上電極と半導体パッケージ外部電極とを銅ボンディングワイヤで電気的に接続し、少なくとも半導体素子および銅ボンディングワイヤ全体を樹脂封止してなる半導体パッケージにおいて、銅ボンディングワイヤ中の塩素および硫黄の含有量をそれぞれ１質量ｐｐｍ以下とし、かつ銅ボンディングワイヤと接続される電極の表面を銅と同等または銅よりも電位が高い金属もしくは合金で形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】積層配置される半導体素子に於ける突出部に対して、ワイヤボンディング時に生じる撓みを抑制するとともに、半導体装置として大形化を招くことのない支持部材を有する、半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】上記の課題を解決するため、本発明によって提供される半導体装置は、電極端子が配設された支持基体と、支持基体上に搭載された中間部材と、一部が中間部材により支持されて、支持基体上に配設された半導体素子と、半導体素子の電極端子に対応して、支持基体上あるいは前記中間部材上に配設された凸状部材とを具備し、半導体素子の電極端子と前記支持基体上の電極端子が、ボンディングワイヤにより接続されてなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】プレス加工により表面に溝を形成してなるリードフレームにワイヤ接続を行うワイヤボンディング方法において、リードフレームにおけるワイヤの接続部を、支持台から浮かせることなく支持台に支持させてボンディングできるようにする。
【解決手段】リードフレーム３０のうち溝３５よりもワイヤ５０の接続部３０ａとは反対側に位置する部位３０ｂを、水平に位置させ、且つ、リードフレーム３０の下面３２を地方向に向けた状態としたときに、ワイヤ５０の接続部３０ａが溝３５から下方へ向かって曲がった形状となるように、リードフレーム３０を溝３５の部分にて折り曲げ、この折り曲げられたリードフレーム３０を支持台３００の平坦な面３１０の上に搭載して押さえつけることにより、真っ直ぐな形状に戻し、この状態でワイヤボンディングを行う。 （もっと読む）

【課題】
実装面積を縮小した小型のパッケージを得ると共に、製造上の取り扱いをも改善した、半導体装置を提供する。
【解決手段】
本発明に係る半導体装置は、一方の表面上にアイランド及び内部電極が形成され、他方の表面上に前記アイランド又は前記内部電極と電気的に接続される複数の外部電極が形成された絶縁基板と、前記アイランド上に固着された半導体チップと、前記半導体チップにおいて前記アイランドと固着された表面と対向する表面上に形成されたチップ電極と、前記内部電極とを電気的に接続するワイヤと、前記アイランド、前記内部電極、前記半導体チップ及び前記ワイヤを覆うように被覆され、パッケージ外形を形成する絶縁樹脂と、を含んで構成され、前記絶縁基板は、第１板厚の第１領域と、前記第１板厚よりも厚い第２板厚の第２領域と、を有し、前記アイランドは、前記第１領域上に形成され、前記内部電極は、前記第２領域上に形成されること、を特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 従来よりも歩留まりの向上が可能な半導体装置の製造方法、及び当該方法に使用する接着シートを提供する。
【解決手段】 本発明の半導体装置の製造方法は、接着シートを介して、半導体素子を被着体上に仮固着する仮固着工程と、前記接着シートを所定条件で加熱することにより、前記被着体に対するせん断接着力が０．５ＭＰａ以上の半硬化状態にする半硬化工程と、前記接着シートが半硬化された状態で、半導体素子をワイヤーボンディングするワイヤーボンディング工程を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】第１パッドを有する半導体チップに対しても、不必要な端子を増やすことなく検査を行うことのできる技術を提供する。
【解決手段】第１半導体チップに設けられた第１パッドを、少なくとも仮ボンディングワイヤを介して外部と電気的に接続させる仮ボンディング工程と、前記仮ボンディング工程の後に実施され、外部から前記仮ボンディングワイヤを介して電気信号を前記第１パッドに入出力させ、前記第１半導体チップを検査する検査工程と、前記仮ボンディングワイヤを取り外す仮ボンディング離脱工程と、前記仮ボンディング離脱工程の後に実施され、前記第１半導体チップを、少なくとも前記第１パッドが被覆される様に、封止する封止工程と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】ボンディングワイヤの短絡のない半導体装置を提供する。
【解決手段】１主面に複数の電極5(5a,5b,5c)を有した少なくとも１個の半導体チップ4と、複数の内部電極2(2a,2b,2c)及び外部電極3を有し、半導体チップ4を内部電極形成面に固着した半導体チップ支持体であるＢＧＡ用基板1と、半導体チップ4の電極5とＢＧＡ用基板1の内部電極2とを接続した複数のボンディングワイヤ6,7,8と、半導体チップ4及びボンディングワイヤ6,7,8を封止した封止樹脂9とを有する半導体装置において、前記のボンディングワイヤ6,7,8は、金属細線である第１のボンディングワイヤ6,8と、金属細線の少なくとも一部が絶縁性樹脂で被覆されてなる第２のボンディングワイヤ７とで構成する。 （もっと読む）

【課題】チップの横幅１に対して高さ比が０．５〜１．５の構造を有するセンサチップにワイヤボンディングするに際し、センサチップのチップクラックの発生を抑制することができる半導体装置を提供する。
【解決手段】第１のワイヤ５０として硬いもの、第２のワイヤ７０として第１のワイヤ５０よりも軟らかいものを用意し、外部と電気的接続を行うためのケースステージ１２と処理回路チップ３０とを第１のワイヤ５０で接続する。また、処理回路チップ３０とセンサチップ２０とを第２のワイヤ７０で接続する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置をプリント基板に実装する時の熱によって半導体チップと内部リードとを電気的に導通しているワイヤが切断されてしまうことを回避すること。
【解決手段】半導体チップ１０と、この半導体チップ１０に一端部が圧着されたワイヤ１２と、このワイヤ１２の他端部が圧着されて上記半導体チップ１０と電気的に導通させられている複数本の内部リード１３と、上記半導体チップ１０ないし上記各内部リード１３を包み込む樹脂パッケージ１４と、を備えた樹脂パッケージ型半導体装置１において、上記ワイヤ１２が上記内部リード１３との圧着部１２ｂの基端から延出する角度βを上記圧着部１２ｂの基端から少なくとも上記ワイヤ１２の直径の２倍に相当する長さまでは上記内部リード１３に対して１５度以下とした。 （もっと読む）

【課題】高耐圧、高温動作が可能なデバイスの特性を十分生かした化合物半導体チップを有する半導体装置を提供する。
【解決手段】外部に電気的に接続される接続領域２４，２５，２７と、この接続領域２４，２５，２７に電気的に繋がる電極５，６，７を一面に有する半導体素子２０と、その一面の全体に形成され且つ接続領域２４，２５，２７を露出させる開口部２４ａ，２５ａ，２７ａを有する誘電体膜３０と、半導体素子２０の他面を底部に接続するとともに半導体素子２０及び誘電体膜３０と内面との間に空間が形成される素子収容スペース３２を有するセラミック製のパッケージ３１と、パッケージ３１の内部に設けられた電極３４〜３６と、素子収容スペース３２内で電極３４〜３６と半導体素子２０の接続領域２４，２５，２７とを誘電体膜３０の開口部２４ａ，２５ａ，２７ａを通して接続する接続導体とを有する。 （もっと読む）

【課題】チップ上のパッドとワイヤの接合強度を向上させることができる半導体装置の製造方法を得る。
【解決手段】本発明に係る半導体装置の製造方法は、配線基板上に接着層を介してチップを接着する接着工程と、接着工程の後に、超音波振動を印加しながらチップ上のパッドにワイヤをボンディングするワイヤボンディング工程とを有し、接着層として、ワイヤボンディング工程におけるプロセス温度での弾性率が１００ＭＰａ以上のものを用いる。 （もっと読む）

【課題】ボンディングパッドの配置変換を簡易的確に行う。
【解決手段】ダイパッド３１上には、複数個のボンディングパッド４１を有する半導体チップ４０が固着されている。半導体チップ４０上には、中継チップ５０が固着されている。中継チップ５０は、複数個のボンディングパッド５１を有し、この複数個のボンディングパッド５１が、多層配線構造の配線パターン５２によって相互に接続され、半導体チップ４０側のボンディングパッド４１の配置を異なる方向に変換する。ボンディングパッド４１は、ワイヤ６１によってボンディングパッド５１に接続され、このボンディングパッド５１が、ワイヤ６２によってリードフレーム３０側のボンディングパッド３３に接続されている。 （もっと読む）