【課題】ミリ波帯等の高周波伝送線路に介在されるワイヤボンディング長を短くし、その部分の寄生インダクタンスの影響による信号品質の劣化を抑制するとともに、放熱性を高めること。
【解決手段】半導体装置１０は、半導体素子（チップ）３０が配線基板２０に形成されたキャビティ２７内にその底面との間に接着材料３３を介在させて搭載され、チップの電極端子３１がキャビティ周囲の基板上に形成された配線部分２２ａ，２２ｂにワイヤ３２を介して接続された構造を有する。チップ３０は、配線部分のうち他の配線に比べて高周波用の配線２２ａが形成されている領域に近い側のキャビティの側壁２７ａに密着して搭載され、チップ３０を密着させた側のキャビティの底面２７ｅに凹部２８が設けられ、さらにこの凹部の底面から基板外部に繋がるサーマルビア２９が設けられている。 （もっと読む）

【課題】 信頼性が高く、損失低減と短絡時の耐量向上を両立させた電力用半導体装置を得ることを目的とする。
【解決手段】 絶縁性の基板１と、絶縁性の基板１の主面１ｆに形成された複数の配線２と、複数の配線２のうちの第１の配線２ａに接合された半導体素子３と、半導体素子３の第１の配線２ａとの接合面と反対側になるソース電極３ｆの一部と、複数の配線２のうちの第２の配線２ｂとを電気的に接続するワイヤ４と、を備え、ソース電極３ｆには、複数の金属塊５が分散して接合され、複数の金属塊５のそれぞれは、ソース電極３ｆとの接合面以外が絶縁物７で覆われている。 （もっと読む）

【課題】レンズ、ハーフミラー、プリズムといった光学系部材の熱膨張を防ぐことができるとともに、被接合物周囲の空気層のゆらぎを解消し、同時に、全体の厚さを薄くして小型化に貢献することができる実装装置における冷却構造及び冷却方法を提供する。
【解決手段】光学系機器１０の筐体１１内に形成された収納空間１１Ａに、光学系機器１０の光路１３と、冷却用エアーが供給されるエアー流路２０とを共に設ける。 （もっと読む）

【課題】ボンディング点で局所的に熱が発生する場合に、半導体チップの表面の広い範囲に効率的に伝熱し、ボンディング点が局所的に過熱してワイヤと表面電極の接合強度が劣化する現象の発生を抑制する。
【解決手段】ワイヤ２２がボンディングされている表面電極１６の表面に、表面電極１６よりも熱伝導率が高い材料の被覆層２０が形成されている。ワイヤ２２がボンディングされている表面電極１６の表面に、表面電極１６よりも熱伝導率が高い材料をコーティングすれば、半導体チップ１４の表面の広い範囲に効率的に伝熱することができ、ボンディング点が局所的に過熱されてしまう現象の発生を防止できる。あるいは、表面電極に表面被覆層を介してワイヤをボンディングしてもよい。この場合は、表面電極の表面に、表面電極よりも熱伝導率が高い材料で、表面電極よりも厚く形成されている被覆層を形成する。 （もっと読む）

【課題】半導体素子の実装方法の違いによるコストアップを抑制する。
【解決手段】半導体素子１０は、集積回路を有する基板１１と、集積回路に対して同じ接続機能を有する電極として、基板１１の同一主面１１ａ上に、ワイヤー接続用電極１ｂ、２ｂ、３ｂ及び４ｂ及びバンプ接続用電極１ａ、２ａ、３ａ及び４ａを備える。 （もっと読む）

【課題】小型でかつ高い信頼性を有する電力用半導体装置を提供する。
【解決手段】モールド樹脂６から複数のリード１が突出した電力用半導体装置１００が、第１ダイパッド部１ｂを含む第１リード１ａと、第１ダイパッド部の表面に載置されたパワーチップ２と、第２ダイパッド部を含む第２リード１ｃと、第２ダイパッド部上に載置された制御チップ３と、パワーチップと制御チップとを接続する金を主成分とするワイヤ４と、第１リードと第２リードの端部がそれぞれ突出するように制御チップとパワーチップとを埋め込むモールド樹脂とを含み、ワイヤは、その第１端部が制御チップにボールボンディングされ、その第２端部がパワーチップにステッチボンディングされる。 （もっと読む）

【課題】 熱集中による温度上昇が低減されたパワー半導体装置を提供する。
【解決手段】 パワー半導体素子の縦横比を１．５以上にする。これにより、周囲に対する放熱性を高めて、電流密度の高いパワー半導体素子でも効率のよい温度領域で動作させることが可能となる。さらに、ソース電極２から主電流を取り出すワイヤ６１〜８７の本数を１４本以上とし、方向を異なる２方向に分散させる。２方向に分散したワイヤの先は、同一の配線電極４２に接続される。 （もっと読む）

【課題】大電力用の半導体素子において、温度上昇分布をより均一にすることである。
【解決手段】電流が大きいために、上部電極層４８の抵抗の場所的分布の影響を受け、上部電極層４８内における複数の接続部５０の平面配置条件に依存して半導体素子の温度上昇分布が定まる大電流用の半導体素子において、パターン２のようにジグザク状に接続部５０を配置するのと、パターン１のように１列に接続部５０を配置するとのでは、温度上昇分布が明らかに異なる。このことはシミュレーションの結果と定性的によい一致を示す。この他に、各ワイヤのそれぞれが、上部電極層４８との間で複数の接続部を形成するようにしてもよい。 （もっと読む）

【課題】 半導体素子が搭載された状態で加熱しても該半導体素子が剥離することのない信頼性の高い配線基板、及び半導体装置を提供すること。
【解決手段】 矩形状のダイアタッチ領域内にサーマルビア２０３が複数備えられ、少なくともこのサーマルビア２０３の内部及び該サーマルビア２０３の半導体素子搭載面側の開口端縁近傍にソルダレジスト１０７が形成される配線基板において、上記複数のサーマルビア２０３が、上記矩形状のダイアタッチ領域のコーナー部以外の部分に配置されることを特徴とする配線基板２０２による。 （もっと読む）