【課題】本発明の課題は、半導体チップを搭載する多層回路配線基板及び半導体チップを搭載した半導体パッケージにおいて、半田ボールアレイの最も外側の半田ボールへの応力集中を防ぎ、信頼性の高い多層回路配線基板及び半導体パッケージを提供することである。
【解決手段】少なくとも、一方の面に半導体チップ搭載領域を有し、他方の面に複数の二次実装用電極パッドを備えたコアを有さない多層回路配線基板であって、当該多層回路配線基板の半導体チップ搭載領域面に、他方の面に備わる二次実装用電極パッドが設けられている領域よりも小さい支持板被着領域を備えた多層回路配線基板とする。さらには、この多層回路配線基板に二次実装用電極パッドが設けられている領域よりも小さい支持板を接着、支持して半導体パッケージとする。 （もっと読む）

【課題】 損傷に対する信頼性を向上させたコネクタ一体型デバイスを提供することを課題とする。
【解決手段】 コネクタ一体型デバイス１０は、コネクタ１２に固定されたリード１４にリードレスセラミックパッケージ１６を導電性ペースト１８で接合させたデバイスであり、リードレスセラミックパッケージ１６には金バンプ２２が形成され、金バンプ２２がリード１４に導電性ペースト１８で接合されている。導電性ペースト１８は、半田に比べて変形し易く、リードレスセラミックパッケージ１６とリード１４との熱膨張差が大きくてもクラック等の損傷が生じ難い。その上、リードレスセラミックパッケージ１６に形成された金バンプ２２によって、導電性ペースト１８の膜厚を大幅に増大させることができる。 （もっと読む）

【課題】 ＢＧＡパッケージ等の半導体に対し、作成済みのプリント基板上でストラップやパターンカットを容易に行うことを可能にする電気的接続変更用線材及び変更方法の提供。
【解決手段】 導線２と、導線２を被覆し、耐熱性及び粘着性を有し、導線２の剥き出しを可能とする材料からなる非導電性テープ３とを備える電気的接続変更用線材１を用い、電気的接続の追加を要する部分に、電気的接続変更用線材１の導線２を剥き出して当接させるとともに、電気的接続の切断を要する部分に、電気的接続変更用線材１の非導電性テープ３を当接させ、非導電性テープ３によって電気的接続変更用線材１を電気的接続の追加を要する部分又は／及び電気的接続の切断を要する部分の近傍に固定する。設計変更などを目的に、周辺部品や必要箇所との電気的な接続の追加又は切断が容易となり、高額のプリント基板の再設計・再制作が不要となる。 （もっと読む）

【課題】本発明は実装密度を向上させるためリードの一部のみをパッケージの壁面に露出させた構成の半導体装置の実装構造に関し、半導体装置と実装基板との熱線膨張率差により発生する応力を緩和することにより、実装性及び信頼性の向上を図ることを課題とする。
【解決手段】リード１４の一端側が半導体チップ１１と電気的に接続されると共に他端側がパッケージ１７の壁面に露出して外部端子１６を形成し、かつ外部端子１６を除く他の部分はパッケージ１７に封止された構成の半導体装置１０Ｃをはんだ２０（軟質接合材）を用いて実装基板１８Ａに実装する半導体装置の実装構造であって、前記実装基板１８Ａに半導体装置１０Ｃを実装基板表面に対し離間した状態で支持するスペーサ部２１を形成し、半導体装置１０Ｃと実装基板１８Ａとの間に形成された離間部分にはんだ２０が配設される構造とする。 （もっと読む）

【課題】防湿コーティング材の膨張・収縮の問題に鑑み、電極半田バンプの耐久性の向上を図る新規な技術を提案する。
【解決手段】半導体素子をインターポーザ２に実装したＢＧＡパッケージ１を基板１０に対して半田接合し、半導体素子と基板１０とを電気的に接続する構成とする、ＢＧＡパッケージ１を実装した基板１０の構造であって、前記インターポーザ２に複数配置されたランド６・６と、前記基板１０に複数配置されたランド１６・１６間は、電極半田バンプ７・７（電極７ａ・７ａ）によって電気的に接続され、前記電極半田バンプ７・７が配置されるエリアの外周には、隔壁形成用半田バンプ９・９により一連の隔壁２０が形成され、前記隔壁２０によって前記インターポーザ２と基板１０との間の隙間が塞がれる構成とし、前記隔壁２０の外周に防湿コーティング材５１が塗布される構成とする。 （もっと読む）

【課題】半導体チップへの負担を低減させ、半導体チップの破壊を防ぐことができる配線基板及びこれを用いた半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体チップが実装される領域１２の回路配線１３の幅Ａを１４５μｍ以下にする。 （もっと読む）

【課題】 大掛かりな超音波実装装置が不要となる半導体チップの接合方法を提供する。
【解決手段】 本発明に係る半導体チップの接合方法は、半導体チップ１０の電極端子１４と基板１２の電極端子とを当接させ、超音波振動を印加することで、半導体チップ１０と基板１２との電極端子同士を接合する半導体チップの接合方法において、半導体チップ１０あるいは基板１２の少なくとも一方に超音波振動子１６を組み込み、該超音波振動子１６を発振させることによって発生する超音波振動によって半導体チップ１０を基板１２に実装することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】薄い接合膜であっても比較的低温での溶融接合が可能な電子装置およびそれを用いた半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体チップ１は、半導体基板１１と、この半導体基板１１の表面に形成され、ＡｕからなるバンプＢ１と、このバンプＢ１の頂面の全域に形成され、ＴｉＷからなる拡散防止膜１４と、この拡散防止膜１４上に形成され、他の装置の電気接続部との接合のための接合膜１５とを有している。接合膜１５は、Ｓｎからなる。Ｓｎは、単体の状態の融点がＡｕ−Ｓｎ合金の融点よりも低いが、Ａｕに対する拡散係数が高い。ＴｉＷは、Ａｕに対する拡散係数が低く、バンプＢ１の材料であるＡｕと接合膜１５の材料であるＳｎとの拡散を防止するから、接合膜１５はＳｎ単体の状態に保持される。 （もっと読む）

【課題】半導体装置と回路基板との接続を補強する補強用電極ランドの配置、及び形状変更を行って、接続強度を向上させる。
【解決手段】通常の電気的接続用の電極ランド４と同サイズの電極ランドを集合させることにより、接続を補強する補強用電極ランド１４を形成する。補強用電極ランド１４を設けることで、回路基板への接続強度は２０〜２５％向上する。このとき補強用電極ランド１４の配置は、電気的接続用の電極ランド４を配列した最外周列のライン上より内側の位置であり、補強用電極ランド１４を形成する電極ランドの各１点が接触した配置、形状が望ましく、電極ランド４の最外周列のライン上より内側位置に配置することによって、接続強度は３０％以上向上する。さらに、補強用電極ランド１４のはんだペーストはドーナツ型での溶融状態となるため、外的負荷を中央内部の中空部１４’で吸収し接続を補強できる。 （もっと読む）

【課題】半導体チップの直下にシート状のコンデンサを接続する電子回路装置において、半導体チップ及び他の電子部品が発する熱がシート状のコンデンサに与える影響を低減し、シート状のコンデンサの本来の機能を持続して発揮させることを目的とする。
【解決手段】半導体チップ３の直下にシート状のコンデンサ２を接続する電子回路装置において、半導体チップ３とシート状のコンデンサ２の間に放熱材や断熱材等で構成される熱が伝わるのを防ぐ部材６を設ける。 （もっと読む）

【課題】 生産性に優れた電子部品の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 パッケージ１４の三側面をフレーム１１に固定する第１の工程と、次にフレーム１１を接合ステージ１８上に搬送し、この接合ステージ１８に設けた吸引口１９でパッケージ１４の底面を吸引し、接合ステージ１８上に固定する第２の工程と、次いでパッケージ１４の内部にＳＡＷ素子１６を実装する第３の工程と、次にパッケージ１４の開口部をリッド２１で半田封止する第４の工程とを備えたものである。 （もっと読む）