【課題】固相拡散接合により、プロセス温度が低温化され、プロセス時間が短縮化され、かつフリップチップ構造の半導体装置提供する。
【解決手段】絶縁基板８と、絶縁基板８上に配置された信号配線電極１２と、絶縁基板８上に若しくは絶縁基板８を貫通して配置されたパワー配線電極１６と、絶縁基板８上にフリップチップに配置され、半導体基板２６と、半導体基板２６の表面上に配置されたソースパッド電極ＳＰおよびゲートパッド電極ＧＰと、半導体基板２６の裏面上に配置されたドレインパッド電極３６とを有する半導体デバイス１０と、ゲートパッド電極ＧＰ上に配置されたゲートコネクタ１８と、ソースパッド電極ＳＰ上に配置されたソースコネクタ２０とを備え、ゲートコネクタ１８とゲートパッド電極ＧＰおよび信号配線電極１２、ソースコネクタ２０とソースパッド電極ＳＰおよびパワー配線電極１６は、固相拡散接合される半導体装置１。 （もっと読む）

【課題】 モールドアンダーフィル（Ｍｏｌｄｅｄ Ｕｎｄｅｒｆｉｌｌ；ＭＵＦ）工程のマスキングテープ用粘着剤組成物、およびこれを用いたマスキングテープの提供。
【解決手段】 本発明のモールドアンダーフィル工程のマスキングテープ用粘着剤組成物およびそれを用いたマスキングテープは、改善されたアクリル離型粘着層を構成することにより、既存のアクリル離型粘着層のＰＣＢ表面粘着剤残渣（ｒｅｓｉｄｕｅ）および封止材（ＥＭＣ）の種類による表面の跡の問題を改善することができる。これにより、ＰＣＢ表面への粘着剤残渣を防いで、工程不良率を下げることができ、各種のＥＭＣによる表面の跡の問題を改善してＭＵＦ工程に用いられる様々な封止材への適用が可能であるというメリットがある。 （もっと読む）

【課題】基板と半導体との間隙への含浸性に優れ、ボイドの発生が抑制された液状エポキシ樹脂組成物を選択する選択方法、及び該液状エポキシ樹脂組成物を用いた信頼性に優れる半導体装置等の電子部品装置を提供する。
【解決手段】フリップチップ封止用の液状エポキシ樹脂組成物の選択方法を、エポキシ樹脂、硬化剤及び無機充填剤を含有する液状エポキシ樹脂組成物からなる群を準備する工程と、前記液状エポキシ樹脂組成物の含浸温度における粘度及び表面張力をそれぞれ測定する工程と、測定された前記粘度が０．１３Ｐａ・ｓ以下であり、測定された前記表面張力が２５ｍＮ／ｍ以上である液状エポキシ樹脂組成物を選択する工程とを有して構成する。また選択された液状エポキシ樹脂組成物の硬化物を、基板と該基板にフリップチップ実装された半導体素子との間隙に充填して電子部品装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】電子部品やプリント回路基板に特殊構造を付加すること無く、柔軟性を有する多数の電極構造を一括して形成できるインタポーザの構造およびその製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】インタポーザは、シート状の基材１４と、所定の配列で基材に固定された複数のバネ電極１２とを有する。バネ電極の各々は、基材の第１の面側に設けられ、第１の方向に沿って延在する第１のパッド１２ａと、基材の第１の面側とは反対の第２の面側に設けられ、第１の方向に沿って延在する第２のパッド１２ｂと、基材を貫通して第１の面側及び第２の面側に延在し、第１のパッドの一端と第２のパッドの一端を接続するポスト１２ｃとを有する。 （もっと読む）

【課題】バンプと電極端子との間に間隙が発生することを抑制しながら、バンプ接合の際の反りを抑制することを目的とする。
【解決手段】還元ガス２１を照射しながら加圧，加熱してバンプ接合して、基板２の表面に複数の半導体素子を並べて実装する際に、加圧に用いるおもり２２を分割することにより、還元ガス２１の流入経路を確保することができ、バンプ４と電極端子との間に間隙が発生することを抑制しながら、バンプ接合の際の反りを抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】接合作業や、リワーク作業に伴って発生する熱の影響を低減する。
【解決手段】回路基板１上の電極パッド３に接合材料１０を塗布によって形成する。接合材料は、電磁波吸収体１１と、温度制御体１２と、溶融金属１３と、活性成分１４とが含まれている。バンプ２２を電極パッド３に接合するときは、電磁波を照射する。接合材料１０中の電磁波吸収体１１が発熱することで溶融金属１３とバンプ２２の下部を溶融させる。これによって、電極パッド３にバンプ２２が接合される。接合材料１０は温度制御体１２が含まれているので、過剰な温度上昇が抑えられ、電極パッド３以外の領域の回路基板１の温度上昇が低くなる。 （もっと読む）

【課題】ＣｕまたはＣｕ合金からなる通電部材（電極端子）に、Ｃｕ成分を含有しないはんだを使用しても、通電部材側とはんだとが十分な接合強度を発現するはんだ接続用通電部材、配線用基板及びめっき皮膜の形成方法を提供する。
【解決手段】ＣｕあるいはＣｕ合金を含む通電部材１上に、ピンホール７を有する置換Ｓｎめっき皮膜５と、電解Ｎｉめっき皮膜４と、電解Ｐｄめっき皮膜３と、電解Ａｕめっき皮膜２と、がこの順に積層されているはんだ接続用通電部材である。 （もっと読む）

【課題】低温かつ迅速な硬化処理が可能であり、硬化処理を行う際のプロセスマージンが広く、安定した特性を有し、かつ貯蔵安定性にも優れる回路接続材料を提供すること。
【解決手段】熱可塑性樹脂、ラジカル重合性化合物、ラジカル重合開始剤、ニトロキシド化合物、酸性化合物及び塩基性化合物を含有し、上記ラジカル重合性化合物が、（メタ）アクリロイル基を有し、上記ニトロキシド化合物が、アミノキシル基を有し、上記塩基性化合物が、アミノ基、ピリジル基及びイミダゾイル基からなる群より選ばれる１種以上の官能基を有する、接着剤組成物を含有する、回路接続材料。 （もっと読む）

【課題】本発明は、半導体チップパッケージ及びその製造方法に関する。
【解決手段】本発明の実施形態によると、（ａ）ＩＣ基板上に形成されたバンプパッド上にスズ系金属メッキ層を形成する段階と、（ｂ）ベアチップの電極パッド上にＣｕフィラーを形成する段階と、（ｃ）ベアチップのＣｕフィラーをＩＣ基板の金属メッキ層に載置し、Ｃｕフィラーと金属メッキ層とを接合させる段階と、（ｄ）接合されたＩＣ基板とベアチップとの間を絶縁体で充填する段階と、を含むスズメッキを利用した半導体チップパッケージの製造方法が提案される。また、その方法により製造された半導体チップパッケージが提案される。 （もっと読む）

【課題】ボイドの発生に起因する接続不良を抑制することができる回路接続構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置（回路接続構造体）１００の製造方法は、配線回路基板１１、並びに、配線回路基板１１の主面１１ａ上に配置された接続部１３及び接着剤層１９、を有する回路部材１０と、半導体チップ２１、並びに、半導体チップ２１の主面２１ａ上に配置された接続部２３及び接着剤層２９、を有する回路部材２０と、を準備する準備工程と、配線回路基板１１及び半導体チップ２１の間に接着剤層１９及び接着剤層２９を介在させて回路部材１０及び回路部材２０を圧着する圧着工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】塗膜形成ステージにおけるペーストの残量管理を適正に行って、ペーストの転写品質を安定させることができる電子部品実装装置および電子部品実装装置におけるペースト転写方法を提供することを目的とする。
【解決手段】検出方向を塗膜形成面２４ａに向けて配設された光センサ１４によってフラックス２５を検出することにより、塗膜形成ステージ２４へのフラックス２５の補給の要否を判断するペースト残量検出手段を備え、補給要否の判断に際し、光センサ１４によるフラックス２５からの反射光の受光量が、残量が適正である場合の受光量の上限値を示す第１の基準値Ｌ１以上であって、かつ残量が過多である場合の受光量の下限値を示す第２の基準値Ｌ２以下の場合に、補給の必要有りと判断する。 （もっと読む）

【課題】加熱・焼結する際に、突沸が発生するのを抑制可能な導電性ペーストを提供する。
【解決手段】金属微粒子（Ｐ）と分散媒（Ｄ）との割合（Ｐ／Ｄ）（質量％）が５０〜９０／５０〜１０の導電性ペーストであって、該分散媒（Ｄ）が有機溶媒、及び突沸抑制溶媒（Ｔ）からなる有機分散媒（Ｄ１）であり、有機溶媒が（ｉ）常圧における沸点が１００℃以上で、かつ分子中に１もしくは２以上のヒドロキシル基（−ＯＨ）を有するアルコール及び／もしくは多価アルコールからなる、又は（ii）少なくとも有機溶媒５〜９５体積％、並びにアミド基を有する有機溶媒（ＳＡ）９５〜５体積％からなり、突沸抑制溶媒（Ｔ）がヒドロキシル基、及びカルボニル基を有し、かつカルボキシル基を有さず、分子量が５０以上で沸点が１００℃以上の化合物であり、有機分散媒（Ｄ１）中の突沸抑制溶媒（Ｔ）の割合（Ｔ／Ｄ１）（質量％）が２〜２５質量％である導電性ペースト。 （もっと読む）

【課題】封止樹脂により半導体チップの電極形成面が封止され、再配線基板と実装基板との対向領域に封止樹脂が充填された半導体装置を、安価で提供すること。
【解決手段】再配線基板は、第１ランド及び第２ランドを同一面に有するとともに、これらランドの形成面が半導体チップの一面に対向配置されている。第２ランドは、半導体チップとの対向領域を取り囲む外周領域内であって、半導体チップとの距離が第１ランドよりも遠い位置に設けられている。実装基板は、半導体チップに対して再配線基板と反対側に配置されており、第３ランドは、半導体チップとの対向面において、半導体チップとの対向領域を取り囲む外周領域内に設けられている。そして、封止樹脂は、再配線基板と実装基板との対向領域に充填されて、再配線基板と実装基板の両方に接触しつつ、半導体チップの電極形成面を封止している。 （もっと読む）

【課題】 狭い隙間への含浸性が優れ、充填剤の沈降及びボイドの発生が少ない液状エポキシ樹脂組成物、及び半導体等の素子の回路形成面が基板の回路形成面とバンプを介して対向するようにフリップチップ実装し、素子と基板の隙間に該樹脂組成物を充填した高成形性、高信頼性の電子部品装置を提供する。
【解決手段】 (A)エポキシ樹脂、（B）硬化剤及び（C）無機充填剤を必須成分とし、必要に応じ（D）硬化促進剤を含む、無溶剤型の液状エポキシ樹脂組成物であって、回転式粘度計の回転数ｎ_１及びｎ_２（ｎ_１／ｎ_２＜０．５）で測定した粘度比η_１/η_２すなわちチキソトロピック指数が、０．８より小さい液状エポキシ樹脂組成物を用いる。 （もっと読む）

【課題】半導体チップの積層数が多くなっても、フィレットの水平方向の拡がりを大きくすることなく最上段の半導体チップの端面までアンダーフィル材を供給でき、半導体装置の大型化、配線基板の汚染、アンダーフィル材の上段の半導体チップ間への充填不良等を防止することができる半導体装置とその製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態の半導体装置１０は、配線基板２と、配線基板２上にフリップチップ接続により多段に積層された複数の半導体素子１ａ〜１ｅと、配線基板２の外周部に立設され、半導体素子１ａ〜１ｅを囲繞する側壁５と、積層された複数の半導体素子１ａ〜１ｅと側壁５との間隙、及び配線基板２と半導体素子１ａ〜１ｅの各間隙に充填されたアンダーフィル材６とを具備する。 （もっと読む）

【課題】半導体用接着テープの貼付時に既存のインライン装置を転用可能とし、テープ切断時に発生するウエハと切断刃の接触、切断屑の汚染、切断位置のずれを抑制し、かつ粘着剤層を有する基材テープ剥離時のウエハ破損を防ぐ。
【解決手段】粘着剤層を有する基材フィルムと接着フィルムとを有するウエハ薄化加工兼用半導体用接着テープの接着フィルム側を半導体ウエハの複数の突出電極を有する回路面に向けた状態で貼付けて積層体とし、裏面側から研磨する。回路面側に半導体用接着テープが貼付けられた状態で積層体の裏面側にダイシングテープを貼付け、基材フィルムを剥離した上で接着フィルム側からダイシングし、複数の接着フィルム付半導体チップとした後これを支持体の上に実装する半導体の製造工程のうち、半導体チップを実装する工程において１００〜２５０℃の温度で０．１〜３０秒の間加熱圧着として接着フィルム付半導体チップと支持体との間を接続する。 （もっと読む）

【課題】生産性の向上を容易にするとともに、実装システムの簡素化を容易にする電子部品の実装方法および実装システムを提供する。
【解決手段】（ａ）はんだを含む電極２０４が表面に形成された電子部品２００を準備し、（ｂ）熱硬化性樹脂を含む樹脂固形物１０３を、基板上で電子部品の周縁部と重なる部分に載置し、（ｃ）電子部品の周縁部を樹脂固形物の上に重ねるように、電極を接続端子１０２と対向させた状態で、電子部品を前記基板上に搭載し、（ｄ）はんだの融点及び樹脂固形物の硬化温度よりも高い温度まで基板等を加熱した後、冷却することで、熱硬化性樹脂の硬化物により電子部品を基板と接着するとともに、はんだにより電極を接続端子と接合する、電子部品の実装方法。 （もっと読む）

【課題】フリップチップ・パッケージにおけるアンダーフィル工程の改良に関するものであり、接合部分（電極端子）の補強を確実にすると共に、フィレットを好適な形状で形成し、半導体素子（チップ）の剥離，クラックなどの発生を抑制し、接続信頼性の高い半導体装置を得ることのできる半導体パッケージ用基板を用いた半導体パッケージの製造方法を提供する。
【解決手段】配線基板の表面に半導体素子をフリップチップ実装して、配線基板と半導体素子との間をアンダーフィル樹脂で封止する工程を備える半導体パッケージの製造方法において、実装される半導体素子の４隅近傍にあたる配線基板の表面に、充填されるアンダーフィル樹脂を堰き止めるためのブロック状の部材を配置形成する工程を具備することを特徴とする半導体パッケージの製造方法を採用する。 （もっと読む）

【課題】表面実装技術において、フラックスの洗浄工程を不要とし、製造コストの削減、生産性を向上させ、硬化後の塗布樹脂及びアンダーフィル樹脂等に気泡やボイド等が全く生じない活性樹脂組成物の提供。
【解決手段】プリント配線基板１表面の少なくとも一部に下記活性樹脂組成物３を塗布し、表面実装部品４をプリント配線基板１上に搭載し、リフロー半田付けを行い、アンダーフィル樹脂１１を充填し、その後、塗布樹脂３及びアンダーフィル樹脂１１を加熱硬化する表面実装技術であって、アンダーフィル樹脂１１の充填前及び／又は後に、真空操作及び／又は塗布樹脂３とアンダーフィル樹脂１１の何れの硬化温度よりも低い温度での加熱を行う。活性樹脂組成物３は、エポキシ樹脂１００重量部に対し、ブロックカルボン酸化合物１〜５０重量部カルボン酸化合物１〜１０重量部、並びに硬化反応開始温度１５０℃以上の硬化剤１〜３０重量部を含有する。 （もっと読む）

【課題】従来のＭＰＳ−Ｃ２半導体パッケージに起きる半田材ブリッジとパッケージ反りを抑制可能なフリップチップキャリア、及びこれを用いた半導体実装方法を提供する。
【解決手段】フリップチップキャリア１００は、基板１１０と複数の独立パッドマスク１２０とを含む。基板１１０は、上表面１１１、および、上表面１１１に設置される複数のパッド１１２を有する。独立パッドマスク１２０は、パッド１１２を覆う。各独立パッドマスク１２０は、対応するパッド１１２と貼り付ける感光性粘着層１２１、及び感光性粘着層１２１上に形成される透光性の取放素子１２２を有する。 （もっと読む）