【課題】半田バンプの位置決めが容易であり、ボイドが無く信頼性の高いアンダーフィルを形成することができる組成物及びそれを用いた半導体装置を提供すること。
【解決手段】シリコンウエハ上に平滑な非粘着性の表面を生成するべくＢ−ステージプロセス中に凝固する、Ｂ−ステージ対応可能な液状ウエハーレベルアンダーフィル剤組成物であって、（Ａ）クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、（Ｂ）フェノールノボラック樹脂、（Ｃ）２−フェニルー４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール、（Ｄ）有機溶剤及び（Ｅ）酸化ジルコニウムを含む、アンダーフィル剤組成物。 （もっと読む）

【課題】本発明は、半導体封止用エポキシ樹脂組成物、及び、これを用いた半導体装置を提供する。
【解決手段】下記一般式（Ｉ）で表される化合物の４つの立体異性体のうち、エキソ−エキソの立体配置を有する立体異性体の含有量が、前記異性体合計量中８０％以上である脂環式ジエポキシ化合物、硬化剤、硬化促進剤、及び無機充填剤を含有してなる半導体封止用エポキシ樹脂組成物、並びに、これを用いた半導体装置。
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【課題】カチオン硬化型の絶縁性接着剤層を有する異方導電性接着フィルムを用いた回路接続において、非加圧方向の高い絶縁特性を維持しつつ、接続抵抗値の上昇を抑制する異方導電性接着フィルムを提供する。
【解決手段】絶縁性接着剤層７と、絶縁性接着剤層７中に分散している、導電性の金属表面を有する導電粒子３及び導電粒子３を被覆する絶縁性微粒子１を有する絶縁被覆導電粒子５と、を備える異方導電性接着フィルム１０。絶縁性接着剤層７が、エポキシ樹脂及びカチオン系硬化剤を含有する。異方導電性接着フィルム１０の示差走査熱量測定により求められるＤＳＣ曲線において、ピーク温度が１００℃〜１５０℃の範囲にある発熱ピークの発熱量をαとし、ピーク温度が２００℃〜２５０℃の範囲にある発熱ピークの発熱量をβとしたときに、α及びβが式：｛α／（α＋β）｝×１００≧６０を満たす、異方導電性接着フィルム。 （もっと読む）

【課題】積層された複数の部材の接続信頼性を向上することのできる技術を提供する。
【解決手段】積層された配線基板２上の半導体チップ３を含むワークＷをクランプして、各部材を圧着する圧着装置１は、ワークＷを挟み込んでクランプする上クランパ部２７および下クランパ部２８が対向して設けられている。ここで、上クランパ部２７は、クランプ面２７ａ側から遠ざかる方向に冷却部３２および加熱部３３がこの順に設けられ、クランプ面２７ａに押し当てられたワークＷを加熱するように冷却部３２および加熱部３３で温度調節を行うものである。また、下クランパ部２８は、支持ブロック３６およびこれから起立して並べられた複数の支持ロッド３７を有して、複数の支持ロッド３７の先端でワークＷをフローティング支持したまま上クランプ部２７のクランプ面２７ａに押し当てるものである。 （もっと読む）

【課題】５０ミクロンピッチ以下の微細ピッチ電極を有する半導体素子を基板上のパッドもしくは配線を接続する構造において、接続時の加熱または荷重負荷時に発生するバンプ間ショートや、高歪みによる接続部破断を防止しあるいは接触抵抗を低減し、高信頼性で高速伝送に対応可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】基板２０と半導体素子１は縦弾性係数（ヤング率）が６５ＧＰａ以上６００ＧＰａ以下のバンプ１１と、錫、アルミニウム、インジウム、あるいは鉛のいづれかを主成分とする緩衝層１２を介して接続されており、バンプ１１と基板２０上のパッドもしくは配線２１の対向した面の少なくとも一方に突起が形成され、超音波により接続することにより低温接続が可能な半導体装置。 （もっと読む）

【課題】
低温かつ短時間で硬化して、回路部材を接続した場合であっても優れた接着強度を有する回路部材の接続構造体を得ることができ、かつ得られる接続構造体の高温高湿環境下における接続信頼性の低下を十分に抑制することができ、さらには取り扱い性にも優れる回路部材接続用接着剤、及びそれを用いた回路部材の接続構造体を提供すること。
【解決手段】
（ａ）熱可塑性樹脂、（ｂ）３０℃以下で固体であるラジカル重合性化合物、及び（ｃ）ラジカル重合開始剤を含有してなる回路部材接続用接着剤であって、（ｂ）３０℃以下で固体であるラジカル重合性化合物がエポキシアクリレートを含み、（ｂ）３０℃以下で固体であるラジカル重合性化合物の含有量が（ａ）熱可塑性樹脂１００質量部に対して、５〜３３．３質量部である回路部材接続用接着剤。 （もっと読む）

【課題】電子部品の生じた熱を金属板及びモールド樹脂を介して効率よく放熱でき、且つ、電気絶縁性を確保することのできる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置は、両面に電極を有する電子部品２０と、電子部品２０が配置され、電極の一方と電気的に接続された基板３０と、電子部品２０上に配置され、電極の他方と電気的に接続された金属板４０と、電子部品２０、基板３０の少なくとも一部、金属板４０を一体的に封止するモールド樹脂５０を備える。そして、対向配置された２つの部材としての、電子部品２０と基板３０との間、及び、電子部品２０と金属板４０との間の少なくとも一方に、樹脂シート６０が配置される。樹脂シート６０は、ビアホール内に導電材料を配置してなる接続ビア６１を有し、樹脂シート６０を挟む２つの部材は、接続ビア６１に接しつつ接続ビア６１を介して接合される。 （もっと読む）

【課題】高熱伝導性で接着性、信頼性に優れる高熱伝導樹脂組成物、接着フィルム、封止用フィルムを提供する。
【解決手段】１）高熱伝導性粒子、２）メソゲンを有するエポキシ樹脂モノマーとエポキシ樹脂用硬化剤とを含む熱硬化性エポキシ樹脂組成物、及び３）重量平均分子量１万以上の高分子量成分を少なくとも含む高熱伝導樹脂組成物であって、前記２）熱硬化性エポキシ樹脂組成物と、前記３）高分子量成分とが硬化後に相分離する高熱伝導樹脂組成物、該高熱伝導樹脂組成物をフィルム状に成形してなる接着フィルム、封止用フィルム、及び該接着フィルム、又は封止用フィルムを介して半導体素子と、半導体素子、基板、放熱板、支持体、金属板、及びセラミック板よりなる群から選ばれる１種又は２種とを積層してなる半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】半導体チップの小型化を維持して半導体装置の組み立てのワイヤボンディング性を向上させる。
【解決手段】プローブピンを接触させるプローブ接触面６ｄとワイヤ５を接続するワイヤ接続面６ｅとが形成され、さらにプローブ接触面６ｄは主面６ａに対して傾斜した面であり、かつワイヤ接続面６ｅはプローブ接触面６ｄと異なった角度の面である電極パッド６ｃを備えたメモリチップ６と、メモリチップ６が搭載されたタブ２ｃと、複数のインナリード２ａ及びアウタリード２ｂと、メモリチップ６の電極パッド６ｃのワイヤ接続面６ｅとインナリード２ａとを接続する複数のワイヤ５とを有している。 （もっと読む）

【課題】 バンプ部分のボイドを十分に低減することができ、フリップチップ実装による半導体装置の製造における生産性を向上させることができる半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】 本発明の半導体装置の製造方法は、ハンダバンプが形成された機能面を有する半導体ウェハの機能面に、真空ラミネートによって、ラミネート温度におけるズリ粘度が６０００Ｐａ・ｓ以下であるフィルム状接着剤を貼り合せて接着剤層付き半導体ウェハを得る工程と、接着剤層付き半導体ウェハの機能面とは反対側の面を研削して半導体ウェハを薄化する工程と、薄化した半導体ウェハを接着剤層とともに切断して複数の半導体素子に切り分けて接着剤層付き半導体素子を得る工程と、接着剤層付き半導体素子と、他の半導体素子又は半導体素子搭載用支持部材とを、接着剤層付き半導体素子の接着剤層を挟んで圧着する工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】突起電極の損傷及び変形を抑制することができ、信頼性に優れた半導体チップ実装体の製造に好適に用いられる接着シート、及び、該接着シートを用いた半導体チップの実装方法を提供する。
【解決手段】表面に突起電極を有する半導体チップを基板又は他の半導体チップに実装するために用いられる接着シートであって、４０〜８０℃での引張貯蔵弾性率が０．５ＧＰａ以上である硬質層と、その少なくとも一方の面に積層され、４０〜８０℃での引張貯蔵弾性率が１０ｋＰａ〜９ＭＰａである架橋アクリルポリマーからなる柔軟層とを有する樹脂基材を有し、前記柔軟層上に形成され、回転式レオメーターを用いて、昇温速度５℃／分、周波数１Ｈｚで４０〜８０℃における溶融粘度を測定した場合の最低溶融粘度が３０００Ｐａ・ｓより大きく１０００００Ｐａ・ｓ以下である熱硬化性接着剤層を有する接着シート。 （もっと読む）

【課題】フラックス洗浄工程が不要で生産性に優れ、かつ半導体ウエハの作業性を向上させることが可能な半導体用フィルムを提供すること。
【解決手段】半導体用フィルムは、バックグラインドテープと、接着剤層とが積層されてなる半導体用フィルムであって、前記接着剤層が、架橋反応可能な樹脂と、フラックス活性を有する化合物とを含む樹脂組成物で構成されている。また、半導体装置の製造方法は、上記半導体用フィルムの接着剤層と予め半田バンプが形成された半導体ウエハの機能面とを接合する工程と、前記機能面と反対側の面を研磨する工程と、前記半導体ウエハを個片化して半導体素子を得る工程と、前記半導体素子を前記半導体用フィルムのバックグラインドテープと接着剤層との間で剥離して、前記半導体素子をピックアップして基板に搭載する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】接続信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体チップ５は、第１金属により形成されたバンプ電極５１を有する。また、回路基板１は、第２金属と第３金属とにより形成された金属層２７を有する。この回路基板１は、半導体チップ５のバンプ電極５１が形成された面と対向するように、半導体チップ５と接合している。バンプ電極５１と金属層２７とが接合する接合部３００は、第１金属を含む第１領域３２０と、第１金属を含む海部と、第２金属を含む島部と、を有する海島構造からなる第２領域３４０と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】はんだリフローによりチップを基板にはんだ付けしても位置ずれの生じない凹膜段差を有するチップ実装用厚膜基板印刷パターン形成方法を提供する。
【解決手段】実装用基板２に設けた電極４の保護膜又は光反射材料膜となる厚膜７を用いて、チップ実装エリア部分のみを窓明けした凹部を形成する。厚膜７の膜厚を可能な限り厚くすることにより、凹部における段差を大きくし、チップの移動を抑制し、実装ズレを少なくすることができる。 （もっと読む）

【課題】搭載対象体に対して球状体を確実に搭載させる。
【解決手段】半田ボール３００を吸着する第１吸気口２５ａが吸着面２２ａに形成された吸着ヘッド１１と、半田ボール３００が通過可能な挿通孔７１が形成されて吸着ヘッド１１による余剰な半田ボール３００の吸着を規制するマスク１７の上面１７ａと吸着面２２ａとが近接または接触している装着状態においてマスク１７の下面１７ｂ側から半田ボール３００を供給する供給部（本体部１００）とを備え、吸着ヘッド１１は、装着状態のマスク１７を吸着して吸着面２２ａに密着させる第２吸気口２６ａが吸着面２２ａに形成されて構成されている。 （もっと読む）

【課題】 はんだ接合の品質を維持しながら、半導体パッケージ部品と基板を耐久性ある強度で連結する。
【解決手段】 半導体パッケージ部品３を基板１にマウントし、基板１と半導体パッケージ部品３の外周部と間に接着剤を塗布する際、第一塗布として接着剤６ａを基板１上に塗布し、その上に第二塗布として接着剤６ｂを半導体パッケージ部品３の外周部と接着剤６ａを結合するように塗布し、その後リフローしてハンダ溶融し、接着剤６ａ及び６ｂを硬化させた後、ハンダ接合を凝固させる場合、第一塗布の接着剤部６０ａの断面積Ｓ１と第二塗布の接着剤部６０ｂ断面積Ｓ２の関係が、Ｓ１≦Ｓ２を満たす。 （もっと読む）

【課題】パッドに加わるダメージを抑制することができる技術を提供する。
【解決手段】インナチャンファ部ＩＣＵの広がり角度θ_ＩＣＡが９０度よりも小さい場合、パッドＰＤの表面に垂直な方向の超音波変換荷重Ｆ１ＵＹの大きさは、極めて小さくなる。つまり、パッドＰＤの表面に垂直な方向の超音波変換荷重Ｆ１ＵＹの大きさは、パッドＰＤの表面に平行な方向の超音波変換荷重Ｆ１ＵＸの大きさよりも充分に小さくなる。この結果、インナチャンファ部ＩＣＵの広がり角度θ_ＩＣＡが９０度よりも小さい場合においては、パッドＰＤの表面に垂直な方向の超音波変換荷重Ｆ１ＵＹの大きさを充分小さくすることができ、パッド剥がれを防止することができる。 （もっと読む）

【課題】鉛フリーはんだ組成のＢＧＡ等のはんだバンプを形成し半導体装置と実装用基板を接続する半導体パッケージにおいて、耐衝撃特性に優れ、高い接続信頼性を有する半導体パッケージ等の電子部品装着を提供する。
【解決手段】ＧＡ等のはんだ端子を有する半導体装置１と半導体装置と接続する実装用基板３、半導体装置と実装用基板の間に介在させるアンダーフィル４からなる半導体パッケージ等の接続構造に対して、アンダーフィルにダイラタンシー特性を有する組成を用いることによって、落下等の衝撃に対してはんだ接合部にかかる衝撃を劇的に緩和し、耐落下等の衝撃特性を向上させることを可能にした。また、アンダーフィルにはんだ接合部に対して酸化防止効果を有する組成を選択することによって、経時での接続信頼性が向上する。 （もっと読む）

【課題】 バンプ部分のボイドが十分に低減されており、なおかつ研削後の反りを十分小さくすることができる接着剤層付き半導体ウェハを得ることができる接着剤層付き半導体ウェハの製造方法、並びに、そのような接着剤層付き半導体ウェハを用いる、半導体装置の製造方法、及び半導体素子付き半導体ウェハの製造方法の製造方法を提供すること。
【解決手段】 本発明の半導体装置の製造方法は、金属バンプが形成された回路面を有する半導体ウェハの回路面上に、液状感光性接着剤を塗布して感光性接着剤層を形成する工程と、感光性接着剤層を光照射によりＢステージ化して接着剤層付き半導体ウェハを得る工程と、接着剤層付き半導体ウェハの半導体ウェハを接着剤層とともに切断して複数の半導体素子に切り分けて接着剤層付き半導体素子を得る工程と、接着剤層付き半導体素子と他の半導体素子又は半導体素子搭載用支持部材とを接着剤層付き半導体素子の接着剤層を挟んで圧着する工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】より高速に且つより高精度に２つの対象物の位置合わせを行うことが可能なアライメント技術を提供する。
【解決手段】ボンディング装置３０は、チップＣＰを保持するヘッド部３３Ｈと基板ＷＴを保持する基板保持部と、両対象物ＣＰ，ＷＴの相対位置誤差を測定する測定手段（撮像部３５ａ，３５ｂ等）とを備える。測定手段は、両対象物ＣＰ，ＷＴが対向配置され且つ基板ＷＴの載置面に平行な平面内においてチップＣＰが所定のボンディング位置（Ｘ、Ｙ）に配置された状態で、両対象物ＣＰ，ＷＴの各対向面とは反対側の面である２つの反対向面のうちの少なくとも一方面側（チップＣＰの上側および／または基板ＷＴの下側）から、チップＣＰに関するアライメントマークＭＣ１と基板ＷＴに関するアライメントマークＭＣ２とを撮像することによって、両対象物ＭＣ１の相対位置誤差を測定する。 （もっと読む）