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【課題】信頼性の高い半導体チップ実装体を製造することのできる半導体チップ実装体の製造方法を提供する。
【解決手段】突起状電極を有し、前記突起状電極を有する面に封止樹脂層が設けられた厚みが100μm以下の半導体チップ1を作製する工程(1)と、前記半導体チップの前記突起状電極と基板又はその他の電子部品の電極部とを接合するとともに、前記封止樹脂層を硬化させて前記半導体チップの周りにフィレット2を形成する工程(2)とを有し、前記工程(1)では、前記突起状電極の高さに対して40〜80%の厚みとなるように前記封止樹脂層を設け、前記工程(2)では、前記半導体チップの対角線の延長線上にあるフィレットの長さIが、前記半導体チップの対角線の長さLに対して100%を超えて130%以下となるようにフィレットを形成する半導体チップ実装体の製造方法。 (もっと読む)


【課題】電極間の接続に用いた場合に、電極間の接続が容易であり、導通信頼性を高めることができる異方性導電材料、並びに該異方性導電材料を用いた接続構造体を提供する。
【解決手段】本発明に係る異方性導電材料は、導電性粒子1と、バインダー樹脂とを含む。導電性粒子1は、樹脂粒子2と、該樹脂粒子2の表面2aを被覆している導電層3とを有する。導電層3の少なくとも外側の表面層が、はんだ層5である。本発明に係る異方性導電材料は、液状であり、25℃及び5rpmにおける粘度が1〜300Pa・sである。本発明に係る接続構造体は、第1の接続対象部材と、第2の接続対象部材と、該第1,第2の接続対象部材を接続している接続部とを備える。上記接続部が、上記異方性導電材料により形成されている。 (もっと読む)


【課題】半導体装置及び配線基板の接続信頼性がより向上した電子部品等を提供する。
【解決手段】本発明に係る電子部品は、第1基板と、前記第1基板の第1の面に位置する電極と、前記第1基板の前記第1の面に形成される第1樹脂突起と、前記第1基板の前記第1の面に形成される第2樹脂突起と、前記電極と接続し、前記第1樹脂突起の少なくとも一部を覆う第1の部分と、前記第2樹脂突起の少なくとも一部を覆う第2の部分と、を有する第1配線と、第2基板と、前記第2基板の第2の面に位置する第2配線と、前記第2基板の前記第2配線と接する突起電極であって、前記第1の部分および前記第2の部分と接する前記突起電極と、を含む。 (もっと読む)


【課題】電子部品実装基板の小型化・薄型化に伴い発生しうる、部品同士がアンダーフィル樹脂を介して接着固定し、部品の取り外しに不具合が生じる問題を抑制すること。
【解決手段】メイン基板10と、メイン基板10上に搭載される電子部品30及び50と、メイン基板10と電子部品30との間に充填されるアンダーフィル樹脂40と、電子部品30の上面及び側面を、電子部品30との間に隙間を有した状態で覆う被覆部材20とを有し、被覆部材20の内面の少なくとも一部には、当該面よりもアンダーフィル樹脂40との密着力が弱い離型膜60が形成されている電子部品実装基板。 (もっと読む)


【課題】電機製品のさらなる小型化に伴う電子部品搭載密度の高度化要求に対応するため、マザーボード用基板等の安価な基板上に半導体チップなどの電子部品を搭載することが可能であり、かつ接続信頼性に優れる、基板を提供する。
【解決手段】基板表1面に部分的にシリコーン重合体含有樹脂2を備える基板であり、シリコーン重合体含有樹脂を形成する樹脂組成物の硬化後の熱膨張係数が50×10-6/℃以下である基板であって、シリコーン重合体含有樹脂を形成する樹脂組成物はシリコーン重合体及び無機充填剤を含み、シリコーン重合体100重量部に対して無機充填剤を100〜2000重量部含有している基板。 (もっと読む)


【課題】 ICチップをCOG実装する際に、ACF熱圧着時のACFバインダ流動によるACF導電粒子の移動が起こり、バンプ間に導電粒子の密集が発生する。
【解決手段】 ICチップの出力バンプ内側に対応するガラス基板上に壁状の突起を形成し、COG実装の際のACF流動による導電粒子の移動を壁状の突起で抑制して導電粒子の密集が起こらないようにする。 (もっと読む)


【課題】本発明は、半導体チップがフリップチップ接続される配線基板と、半導体チップと配線基板との間を封止するアンダーフィル樹脂とを備えた半導体装置の製造方法に関し、ボイドの発生を防いで、半導体装置の歩留まりを向上させることのできる半導体装置の製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】基板本体21の上面21Aに、基板本体21の上面21A、パッド22、及びはんだ23との間に隙間が形成されないように半硬化状態とされたフィルム状アンダーフィル樹脂31を真空雰囲気下において、ダイアフラム式ラミネート装置を用いて貼り付け、その後、フィルム状アンダーフィル樹脂31に半導体チップ12を押圧して、パッド22に半導体チップ12をフリップチップ接続した。 (もっと読む)


【課題】半導体素子を配線回路基板にフリップチップ実装する場合であっても、半導体素子の薄厚化を図ることができるとともに、配線回路基板及び半導体素子間を良好に埋め込むことができ、耐HAST性に優れた半導体装置を作製可能な回路接続用接着剤、回路接続用接着シート及び半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の回路接続用接着剤は、相対向する回路基板を接続するための回路接続用接着剤であって、アクリルゴム、熱硬化性成分及び硬化促進剤を含有し、アクリルゴム中のアクリロニトリルの共重合割合が15質量%以下である。 (もっと読む)


【課題】機械的強度および対候性に優れた電子部品およびその製造方法を提供する。
【解決手段】電子部品の製造方法は、複数の電気素子11を準備する工程と、複数の電気素子11をそれぞれ実装する複数の基板20の集合体である基体20Aを準備する工程と、基体20A上に樹脂21を形成する工程(図1(e))と、複数の電気素子11を樹脂21に押圧することにより、複数の電気素子11の側面の一部を樹脂21に接合する工程と、複数の電気素子11に研磨処理を施して複数の電気素子11を薄化する工程と、基体20Aを分割することにより、複数の基板20を個片化する工程とを備えている。 (もっと読む)


【課題】主として、駆動源及び装置全体の大型化を抑制し、部品を供給するときに不要な振動が発生することを防止できる部品供給装置を提供する。
【解決手段】駆動源として機能する第1サーボモータ32及び第2サーボモータ36が動作しない固定部材22に固定されているため、ピックアップノズル12及び回転支持部材20などの動作部材の重量を軽量化することができる。これにより、ピックアップノズル12及び回転支持部材20などの動作部材を移動させるときの動力が小さくてすみ、小型のサーボモータ32、36を採用できる。 (もっと読む)


【課題】機能部を有する機能性素子が配線基板上に搭載されるとともに、少なくとも配線基板と機能性素子との接合部を保護するための封止層が設けられている電子部品において、封止層の機能部への侵入を防止し、当該機能部が動作できるような空間を、電子部品のサイズを大型化させることなく、また工程数を増大させることなく形成する。
【解決方法】配線基板の導電層における非接続領域を保護するための保護層を、前記配線基板の主面上において、前記配線基板上に搭載した機能性素子と相対向する位置であって、その機能部と相対向する位置を除く領域にまで延在させ、封止層を配線基板と機能性素子との接合部から前記機能性素子の前記機能部にまで延在させることなく、前記配線基板の前記主面と前記機能部との間に空隙を形成するようにして、電子部品を構成する。 (もっと読む)


【課題】機能部を有する機能性素子が配線基板上に搭載されるとともに、少なくとも配線基板と機能素子との接合部を保護するための封止層が設けられている電子部品において、封止層の機能部への侵入を防止し、当該機能部が動作できるような空間を、電子部品のサイズを大型化させることなく形成する。
【解決方法】配線基板の主面上において、機能性素子の機能部と対向する領域に撥水層を形成し、封止層を形成する際のその構成樹脂が、配線基板の主面と機能性素子の機能部との間に流入するのを抑制して、これらの間に前記機能部が動作できるための空間を形成するようにして、電子部品を構成する。 (もっと読む)


【課題】高周波信号の信号処理を行う集積回路基板と配線基板とが簡易的かつ高精度に所定距離離間するようにしつつ、集積回路基板の基板表面に形成されたバンプと、集積回路基板の電極端子とを接合することが可能な電子回路を提供する。
【解決手段】波長がミリメートル単位以下である高周波信号の信号処理を行う信号処理回路を有し、基板表面21aに設けられた第1の電極端子22上にバンプ23が形成された集積回路基板21と、集積回路基板21に形成されたバンプ23と接合される第2の電極端子12が形成された配線基板11とを備え、配線基板11には、集積回路基板21と所定距離離間させる絶縁性の樹脂スペーサ13aが、集積回路基板21の信号処理回路の回路パターンに重畳しない位置であって、配線基板11の基板表面11aの同一直線上とならない3つ以上の位置に形成されている。 (もっと読む)


【課題】第1,第2の接続対象部材の接続信頼性及び電極間の導通信頼性を高くする接続構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る接続構造体1の製造方法は、第1の電極2bを上面2aに有する第1の接続対象部材2上に、異方性導電ペースト層3を配置する工程と、異方性導電ペースト層3に光を照射することにより硬化を進行させる工程と、Bステージ化された異方性導電ペースト層3Bの上面3aに、第2の電極4bを下面4aに有する第2の接続対象部材4を積層する工程と、Bステージ化された異方性導電ペースト層3Bを加熱して硬化させる工程とを備える。上記異方性導電ペーストとして、硬化性化合物と熱硬化剤と光硬化開始剤と導電性粒子5とを含む異方性導電ペーストを用い、かつ、式(1)で表されるY値の1.6倍を超え、6倍以下の量の異方性導電ペーストを用いる。 (もっと読む)


【課題】半田付け工程を行う必要がなく、材料コストを効果的に低減するとともに製造工程の簡素化を図ることができる半導体パッケージ構造の製造方法を提供する。
【解決手段】能動面20aを有し、能動面に複数の導電バンプ200が設けられたチップ20と、表面にアンダーフィル210が設けられた基材21と、を提供する工程と、チップの能動面をアンダーフィルに結合させることにより各導電バンプをアンダーフィルに埋設させる工程と、基材を除去することによりアンダーフィルを露出させる工程と、チップをアンダーフィルによりパッケージ基板に結合させることでチップを各導電バンプによりパッケージ基板に電気的に接続させる工程と、を備える半導体パッケージ構造の製造方法。アンダーフィルをチップの能動面に結合させた上で、アンダーフィルをパッケージ基板に設けるようにした。 (もっと読む)


【課題】キャビティの上面側に設けられた半導体構成体用凹部内に半導体構成体を配置した半導体装置において、薄型化する。
【解決手段】キャビティ1の上面側に設けられた半導体構成体用凹部4内には半導体構成体11がフェースダウン方式で配置されている。半導体構成体用凹部4内には絶縁層35が半導体構成体11を覆うように設けられている。絶縁層35の上面は、キャビティ1の上面に設けられた上層オーバーコート膜33の上面と面一となっている。絶縁層35および上層オーバーコート膜33の上面には上層配線37が設けられている。この場合、キャビティ1および半導体構成体11上には上層絶縁膜を設けておらず、したがってその分薄型化することができる。 (もっと読む)


【課題】電子部品のパッドとプリント配線板のパッド間において、未はんだや、電極間ブリッジを解消できる微細孔シートを提供する。
【解決手段】微細孔シート1は、電子部品のパッドおよびプリント配線板のパッドのうち、小さい方のパッドにつき2個以上の貫通孔2が配置されており、2個以上の貫通孔のうち、少なくとも1個はパッドと対向する位置に、かつ少なくとも1個は隣接するパッドとの間の中間点よりパッド側に配置されている。 (もっと読む)


【課題】狭ピッチに形成されたバンプや柱状電極であっても、接合面積を増加させ、バンプと素子との接合部破断を防止できる電子部品およびモジュールを提供する。
【解決手段】素子11のパッド12上に形成されるバンプ15を、パッド12の長さ方向にパッド12よりはみ出して形成する。これによりバンプの接合面積を大きくすることができ、実装時に熱応力によるバンプ破断を抑制できる。また、バンプ同士が隣接する横方向にはみ出さないので、実装時に熱応力によるバンプ破断を抑制でき、隣接するバンプ間の距離を確保できるため、バンプ同士による短絡を防止することができる。 (もっと読む)


【課題】電子部品を接続して半導体装置を製造する際に、加熱加圧ツールに接続材料が付着することを防止するツール保護材において不具合を発生させることなく、加熱加圧ツールの汚染を防止し、歩留りを向上させることができる半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】相対向する第1電子部品1及び第2電子部品2の間に接続材料4を介在させ、第1電子部品1を加熱加圧ツール3によって加熱及び加圧し、第1電子部品1及び第2電子部品2を接続して半導体装置を製造する際、加熱加圧ツール3の加熱加圧面31と第1電子部品1の被加熱加圧面である背面13との間に、加熱加圧面31と同等の大きさで、金属箔、シリコンチップ、及びセラミックシートのいずれか一つからなるツール保護材5を介在させて加熱及び加圧を行う。 (もっと読む)


【課題】本発明は、ハンダを溶融したときに発生する気泡を外部に排出して、端子電極と実装基板とを接合するハンダ内に存在するボイドを減らしてハンダ接合の信頼性を向上させることができる端子電極を有する電子部品モジュール及び電子部品を提供する。
【解決手段】本発明は、ベース基板1と、ベース基板1の一方の面に実装してある複数の電子部品2と、ベース基板1の他方の面に形成してある複数の端子電極3とを備える電子部品モジュール10である。端子電極3は、3層以上の電極層3a〜3cを積層することで形成され、電極層3a〜3cのそれぞれの面積が、ベース基板1側から順に小さくなる。 (もっと読む)


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