【課題】半導体素子の配置位置による電気特性のばらつきを抑制可能な半導体装置及び製造歩留り向上が可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】複数の配線パターン２００を有する基板２０と、半導体素子１０と、複数の配線パターン２００と半導体素子１０とを電気的に接続する接続部材５０とを有する半導体装置において、基材の両面に粘着材層を有し、基板２０と半導体素子１０とを貼りあわせる粘着部材４０を、複数の配線パターン２００の間に配置する半導体装置及びその製造方法。 （もっと読む）

【課題】 電気特性の変化を抑制することが可能な電子装置を提供すること。
【解決手段】 電子素子22および電子素子22が第１主面21Ａに搭載され、第１主面21Ａと対向しており、かつ第１主面21Ａに比して平面視での面積が大きい第２主面21Ｂを有する基板を有するチップ部品２と、チップ部品２が第１主面21Ａを第１空間Ｓ１を介して対向させた状態で搭載される配線基板31と、基板21の第２主面21Ｂから配線基板31の表面にかけて設けられる樹脂層４とを備え、基板31と基板31の側方に位置する樹脂層４との間に、第１空間Ｓ１に通じる第２空間Ｓ２が設けられている電子装置１である。 （もっと読む）

【課題】電機部品における信頼性のあるはんだ付けされかつ封止された相互接続の製造を容易にする硬化性フラックス材料を提供する。
【解決手段】分子あたり少なくとも２つのオキシラン基を有する樹脂成分式Ｉのアミンフラックス剤、並びに、場合によっては硬化剤を当初成分として含む硬化性アミンフラックス組成物とする。


（式中、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３およびＲ^４は独立して水素等、Ｒ^７およびＲ^８は独立してＣ_１−２０アルキル基等、Ｒ^１０およびＲ^１１は独立してＣ_１−２０アルキル基等、Ｒ^９は水素等から選択される） （もっと読む）

【課題】アンダーフィル樹脂の充填が困難な場合であっても、半導体装置の信頼性が低下することを防ぐ技術を提供する。
【解決手段】半導体チップ（２）と、基板（８）と、チップ面に形成されたチップ面絶縁層（７）と、基板面に形成された基板面絶縁層（１０）と、フリップチップボンディングによってチップ側電極（４）と基板側電極（９）とを接続する接続部材（１１）とを具備する半導体装置（１）を構成する。接続部材（１１）は、チップ面絶縁層（７）を貫通するバンプ部分（１２）と、基板面絶縁層（１０）を貫通する低融点部分（１３）と、バンプ部分（１２）と低融点部分（１３）とが接触している接触領域（１６）とを備えることが好ましい。ここで、チップ面絶縁層（７）と基板面絶縁層（１０）とは、空隙（１４）を介して向かい合うように配置されている。そして、接触領域（１６）は、空隙（１４）によって露出される表面を有する。 （もっと読む）

【課題】超音波振動を印加するだけでは接合しづらい被接合物どうしを接合するときに、両金属接合部の間に箔状導電材を介在させた状態で超音波振動を印加することで被接合物どうしを良好に接合することのできる技術を提供する。
【解決手段】超音波振動を印加するだけでは接合しづらいリードフレーム１２３（金属接合部１２３ａ）とガラスエポキシ基板１２４（電極パターン１２４ａ）とを接合するときに、金属接合部１２３ａと電極パターン１２４ａとの間に、金属製箔状導電材５０を介した状態で超音波振動を印加することにより、箔状導電材５０の両面に両金属接合部がそれぞれ接触して形成される接合界面に超音波振動が確実に印加されるので、金属接合部１２３ａを有するリードフレーム１２３と、電極パターン１２４ａを有するガラスエポキシ基板１２４とを良好に接合することができる。 （もっと読む）

【課題】半田バンプ同士の接続性を良好に保ちつつ、溶融後の半田バンプ内に発生するボイドを抑制した半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】第１の半田バンプ１を有する第１の基板２と第２の半田バンプ３を有する第２の基板４とを、半田バンプ１、３同士を仮固定しつつ積層した後に炉内に配置する。炉内に不活性ガスを導入した後、炉内の温度を半田バンプ１、３の溶融温度以上の温度域まで上昇させる。炉内の温度を半田バンプ１、３の溶融温度以上の温度域に維持しつつ、不活性ガスを排気して減圧雰囲気とした後、炉内にカルボン酸ガスを導入し、第１および第２の半田バンプ１、３の表面に存在する酸化膜を除去しつつ、溶融した第１の半田バンプ１と第２の半田バンプ３とを一体化して接合する。 （もっと読む）

【課題】バンプの潰れすぎによる導通不良〔ショート（短絡）〕を防ぎつつ、接着性が良好な半導体素子の実装方法、及び該半導体素子の実装方法により得られる実装体の提供。
【解決手段】バンプが形成された半導体素子の前記バンプを有する面上に、硬化した第一の絶縁性樹脂層と、未硬化の第二の絶縁性樹脂層とをこの順に積層した積層物を作製する積層物作製工程と、電極を有する基板上に、前記基板の前記電極を有する面が前記第二の絶縁性樹脂層に対向するように前記積層物を配置する配置工程と、前記半導体素子を加熱及び押圧し、前記第二の絶縁性樹脂層を硬化させるとともに、前記バンプと前記基板の前記電極とを電気的に接続する接続工程と、を含む半導体素子の実装方法である。 （もっと読む）

【課題】基板の反りを考慮した電子部品の接続部解析を高速で行う。
【解決手段】
本発明における接続部解析システムは、ヤング率とポアソン比とを用いて、溶融半田のバンプモデルを構築する溶融半田モデル構築部と、電子部品と基板とをバンプモデルで接続した電子部品・基板接続モデルを構築する電子部品・基板モデル構築部と、電子部品の重さと基板の反り変形に応じて、バンプモデルの変形を計算するリフロープロセスシミュレータとを備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】リフロー装置を用いて電極接合と樹脂封止とを行う際に、信頼性の高い電極接合を行うことができ、かつ、基板又は半導体素子の反りを抑制することのできるフリップチップ用樹脂封止材を提供する。また、該フリップチップ用樹脂封止材を用いた半導体実装体の製造方法を提供する。
【解決手段】リフロー装置を用いて電極接合と樹脂封止とを行う際に用いられるフリップチップ用樹脂封止材であって、エポキシ化合物と、酸無水物硬化剤又はフェノール系硬化剤とを含有し、２６０℃でのゲルタイムが２０秒以上であり、回転式レオメーターにより測定した１Ｈｚでの５０〜２５０℃の間における最低溶融粘度が１Ｐａ・ｓより小さいフリップチップ用樹脂封止材。 （もっと読む）

【課題】 フリップチップ実装で、はんだバンプと接合されない電極および／または配線の部分で、液状封止材の塗布後、硬化前に、液状封止材のフィラー密度が低下する現象を抑制することを課題とする。
【解決手段】 （Ａ）はんだバンプを備えた電子部品と、はんだバンプと接合するための電極および／または配線、ならびにはんだバンプと接合されず、はんだとは異なる金属が露出している電極および／または配線を備える基板とを、はんだバンプを介して接合する工程、と（Ｂ）電子部品と基板の間隙に、フィラーを含有する液状封止材を塗布し、硬化させる工程を備える電子部品の実装方法であって、（Ｂ）工程の前に、基板に備えられた、はんだバンプと接合されず、はんだとは異なる金属が露出している電極および／または配線の表面を、有機物で被覆する工程を有する、電子部品の実装方法。 （もっと読む）

【課題】被着体上にフリップチップ接続される半導体素子の裏面に電磁波シールド層を設けることができ、かつ、当該電磁波シールド層を有する半導体装置を、生産性を低下させることなく製造できること。
【解決手段】 被着体上にフリップチップ接続された半導体素子の裏面に形成するためのフリップチップ型半導体裏面用フィルムであって、接着剤層と、電磁波シールド層とを有するフリップチップ型半導体裏面用フィルム。 （もっと読む）

【課題】配線基板に半導体チップをフリップチップ実装する際に、配線基板の接続パッド又はバンプと半導体チップのバンプとの間から、非導電性のフィラーと樹脂組成物とが十分に排除され、確実な導通を確保できる接着フィルム及びこれを用いた配線基板を提供する。
【解決手段】接着フィルムは、配線基板にバンプを有する半導体チップ２００をフリップチップ実装するための接着フィルムであって、加熱接着温度におけるキャピラリレオメータ法による最低粘度が、１００Ｐａ・ｓ未満である。また、配線基板１００は、半導体チップの外部接続端子にフリップチップ接続するバンプ１３０が形成された面に、フリップチップ接続に先立ち前記半導体チップを所定位置に配置した状態で加熱する予備加熱温度におけるキャピラリレオメータ法による最低粘度が、１００Ｐａ・ｓ未満である接着フィルムが貼合されている。 （もっと読む）

【課題】半導体素子を作製する方法を提供する。
【解決手段】主に半導体ダイの周辺領域中に位置する信号パッドと、主に前記信号パッドから半導体ダイの内部領域中に位置する電力パッドおよび接地パッドとを伴う、ダイパッドレイアウトを有する半導体ダイを提供するステップと、前記信号パッド、電力パッド、および接地パッド上に複数のバンプを形成するステップと、基板を提供するステップと、前記基板上に相互接続部位を伴う複数の伝導性トレースを形成するステップであって、前記バンプは、相互接続部位よりも幅広い、ステップと、前記バンプが前記相互接続部位の頂面および側面を覆うように、前記バンプを前記相互接続部位に接着するステップと、前記半導体ダイと基板との間で前記バンプの周囲に封入材を堆積させるステップとを含む、半導体素子を作製する方法。 （もっと読む）

【課題】本発明は、電気的信頼性を向上させる要求に応える実装構造体およびその製造方法を提供するものである。
【解決手段】電子部品２の電極パッド６は、銅または金を含む第１下地層７ａと、該第１下地層７ａおよび導体バンプ４に接続された、ニッケルを含む第１介在層８ａとを具備し、配線基板３の接続パッド１１は、銅または金を含む第２下地層７ｂと、該第２下地層７ｂおよび導体バンプ４に接続された、ニッケルを含む第２介在層８ｂとを具備し、電極パッド６および接続パッド１１に接続された、スズ、インジウムまたはビスマスを含む導体バンプ４は、第１介在層８ａの前記ニッケルが拡散してなる第１拡散層領域１８ａと、第２介在層８ｂの前記ニッケルが拡散してなる第２拡散層領域１８ｂとを具備し、第１拡散層領域１８ａは、第２拡散層領域１８ｂよりも厚みが小さい。 （もっと読む）

【課題】半導体素子を作製する方法を提供する。
【解決手段】半導体ダイの表面上に形成された複数の複合バンプを有する、半導体ダイを提供するステップであって、前記複合バンプは、可融性部分および非可融性部分を有する、ステップと、基板を提供するステップと、エスケープルーティング密度を増加させるための平面図から、伝導性トレースと平行な縁を有する相互接続部位を伴って前記基板上に複数の伝導性トレースを形成するステップであって、前記複合バンプは、前記相互接続部位よりも幅広い、ステップと、前記可融性部分が前記相互接続部位の頂面および側面を覆うように、前記複合バンプの前記可融性部分を前記相互接続部位に接着するステップと、前記半導体ダイと基板との間で前記複合バンプの周囲に封入材を堆積させるステップとを含む、半導体素子を作製する方法。 （もっと読む）

【課題】電子デバイスを電子デバイス搭載部材に容易に搭載することができ、電子デバイス接続端子と電子デバイス搭載パッドとを電気的に接続させることができる生産性のよいモジュールを提供する。
【解決手段】電子デバイス搭載パッドを有する電子デバイス搭載部材基板部と第一の電子デバイス搭載部材凹部空間を形成する第一の電子デバイス搭載部材枠部と第二の電子デバイス搭載部材凹部空間を形成する第二の電子デバイス搭載部材枠部とからなる電子デバイス搭載部材と、蓋部材基板部と蓋部材凹部空間を形成する蓋部材枠部と蓋部材枠部に設けられている蓋部材鍔部とを備えている蓋部材と、電子デバイス接続端子を有する電子デバイスと、からなり、蓋部材凹部空間内に電子デバイスが配置され、電子デバイス搭載部材基板部と第二の電子デバイス搭載部材枠部とで挟まれている空間内に蓋部材鍔部が収納されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】テープ部材の残量によらずテープ部材を安定的に供給してＡＣＦテープの切片の基板への取り付け精度を高めることができるテープ貼着装置及びテープ貼着方法を提供することを目的とする。
【解決手段】リール２３がＡＣＦテープ４の切片４Ｓの長さＬｓ分のテープ部材Ｔｐを繰り出すときに回転したリール２３の回転角度φを検出し、検出したリール２３の回転角度φとＡＣＦテープ４の切片４Ｓの長さＬｓとから、リール２３に巻き付けられたテープ部材Ｔｐの巻き付け半径Ｒを算出する。そして、算出したテープ部材Ｔｐの巻き付け半径Ｒが大きいときほど小さい回転速度Ｗでリール２３を回転させるようにする。 （もっと読む）

【課題】熱収縮による応力を低減することが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】多層基板２と、多層基板２に配置された半導体チップ１と、多層基板２と半導体チップ１を接続する複数の金属バンプ４と、半導体チップ１及び多層基板２の間に設けられ、封止樹脂３によって形成された封止樹脂層１０とを備え、封止樹脂層１０には、複数の柱状の空洞５が形成され、複数の空洞５の体積は、封止樹脂層１０の体積の半分以上である、半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】半導体チップを磁気シールド層で被覆しても、バンプを狭いピッチで配置することができるようにする。
【解決手段】半導体チップ１００は磁気記憶素子１０を有しており、かつ第１面に電極パッドを有している。磁気シールド層４００は、少なくとも電極パッドが露出した状態で半導体チップ１００を被覆している。半導体チップ１００は、バンプ３１０を介して配線基板２００に実装されている。半導体チップ１００と配線基板２００は、少なくとも一方が凸部を有しており、当該凸部上にバンプ３１０が設けられている。 （もっと読む）

【課題】熱硬化性樹脂内でのボイドの発生を抑制する。
【解決手段】
はんだ２０と、はんだ２０の融点より熱硬化温度が低い熱硬化性樹脂２２と、溶融はんだ２０の濡れ性を向上させる活性剤とを少なくとも含有するはんだ入り熱硬化性接着剤１４を介して基板１０の電極１２上に電子部品１６の電極１８を配置し、まず、大気圧雰囲気であって前記融点より高い温度の条件下ではんだ２０を溶融して電子部品１６の電極１８と基板１０の電極１２とを接合する。次に、減圧雰囲気であって前記熱硬化温度より低い温度の条件下で熱硬化性樹脂２２内の水分や揮発成分を揮発させる。そして、前記減圧雰囲気より高い圧力の雰囲気であって前記熱硬化温度より高く且つ前記融点より低い温度の条件下で熱硬化性樹脂２２を熱硬化させつつ、内部の気泡を小さくするまたは消滅させる。 （もっと読む）