【課題】電子部品の電極間隔が狭い場合でもはんだバンプの高さを高くできるようにする。
【解決手段】ＵＢＭ１０５の長さＬｕを開口１０４の１辺の長さＬｈよりも小さくする。これにより、ＵＢＭ１０５の長さＬｕは比較例１のＵＢＭ１０５′の長さＬｕ′よりも小さくなる。したがって、はんだバンプ３００の底面部分の面積は、比較例１のはんだバンプ３００′の底面部分の面積よりも小さくなる。その結果、はんだバンプ３００の表面張力の作用によって、はんだバンプ３００の体積を増やさずともその高さをはんだバンプ３００′よりもΔｈだけ高くすることができる。 （もっと読む）

【課題】接続信頼性の高い半導体装置を安定的に製造することができる半導体装置の製造方法および装置を提供すること。
【解決手段】複数の回路基板１の第一端子と、複数の半導体素子２のバンプとをそれぞれ対向配置させ、各第一端子と各バンプとの間に樹脂層３を配置して複数の積層体４を形成し、複数の積層体４を加熱しながら、複数の積層体４を同時に積層体４の積層方向から加圧する。このとき、複数の積層体４を加熱炉５１内で加熱しながら、加熱炉５１内に配置されたダイアフラム５４を複数の積層体４あるいは、複数の積層体４を挟圧するための部材５３１に当接させて弾性変形させることより、複数の積層体４を真空下で同時に積層体４の積層方向から加圧する。 （もっと読む）

【課題】プリント配線板に搭載された電子部品の接合部にかかる応力を緩和する。
【解決手段】マトリクス形状に配置された端子を有する電子部品２の角部端子２ｂは、電気信号を伝えない。プリント配線板１には、電子部品２の残りの端子２ａと電気的に接続するためのマトリクス形状のランド３が設けられており、角部端子２ｂに対向する位置には貫通孔４を設ける。これにより、電子部品２の接合部における応力集中を低減し、破断の危険性を回避する。 （もっと読む）

【課題】半導体チップの組立工程におけるハンドリング性を向上し、しかも、半導体チップの損傷を回避する半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】ダイシングライン１６によって区画された複数の半導体チップ４を含む半導体ウエハ２を準備する第１の工程と、半導体ウエハ２に支持板１３を付着する第２の工程と、半導体ウエハ２および支持板１３をダイシングライン１６に沿って切断し、半導体チップ４および分割された支持板１３からなる積層体３を形成する第３の工程と、積層体３を配線基板１８に搭載し、積層体３の半導体チップ４および配線基板１８を電気的に接続する第４の工程とを有する半導体装置１の製造方法。 （もっと読む）

【課題】再配線層を形成しなくても、アナログ回路を構成する素子や配線に対する外来ノイズの影響を低減できる、リード部上にフリップチップ実装されたＩＣチップが樹脂で封止されてなる半導体パッケージを提供する。
【解決手段】互いに電気的に分離された４つのリード部１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄ上にＩＣチップ３がフリップチップ実装されている。リード部１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄ及びＩＣチップ３は封止樹脂７によって樹脂封止されている。ＩＣチップ３内に形成された少なくとも１つのアナログ回路は、ＩＣチップ３がリードフレーム上に実装された状態で、そのアナログ回路を構成する素子及び配線の少なくとも一部がその素子及び配線の基準となる電圧端子と電気的に接続されているリード部１ａ、１ｂ、１ｃ又は１ｄで覆われている。 （もっと読む）

【課題】従来の導電性接着剤では、０．８ｍｍより更に細かいファインピッチのランドを有する電子回路基板への印刷が出来なかったという課題。
【解決手段】本発明の導電性接着剤は、１０〜９０ｗｔ％のSnBi系はんだ粉末と、残部が有機酸を含有する接着剤とを含む導電性接着剤であって、SnBi系はんだ粉末は、粒子径Ｌ_１が２０〜３０μｍのはんだ粒子Ａ〜Ｄと、粒子径Ｌ_２が８〜１２μｍのはんだ粒子Ｅから構成されており、SnBi系はんだ粉末の混合割合は、粒子径が２０〜３０μｍのはんだ粒子Ａ〜Ｄがはんだ粉末全体の４０〜９０ｗｔ％で、残部が８〜１２μｍのはんだ粒子Ｅである。 （もっと読む）

【課題】導電配線の電気抵抗の増大や断線を抑制することが可能な配線基板、およびその配線基板上に電子部品を実装した実装構造体を提供する。
【解決手段】本発明の配線基板Ｘは、基板本体１と、基板本体１上に設けられ、電子部品の接続端子を接続するための接続パッド部３１および接続パッド部３１から延びる配線部３２を有する導電配線３と、接続パッド部３１上の領域全体に形成され、はんだぬれ性を有するメッキ層５とを備え、接続パッド部３１は、配線部３２と接続された接続部３１ａ、接続部３１ａから延びる第１の辺３１ｂおよび第２の辺３１ｃを有し、メッキ層５は、接続パッド部３１上から、第１の辺３１ｂの延長線Ｌｂ、第２の辺３１ｃの延長線Ｌｃおよび接続部３１ａによって囲まれた配線部３２上の第１領域３２ａに加え、第１領域３２ａを越えた配線部３２上の第２領域３２ｂにまで延びていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ワイヤーボンデイングによる排熱不足及び耐熱性の問題を解消し、青色系のＬＥＤチップの発光時におけるＬＥＤチップ接続用接着剤の劣化が極めて少なく、接続後のチップと基板間にボイドが少なく、かつ使用時のボイドの破裂による接合不良の問題がない接続構造体の提供。
【解決手段】ＬＥＤチップ、バンプ、基板電極、及びフリップ用接着剤を含む接続構造体であって、該フリップ用接着剤がポリイミド樹脂またはポリアミド樹脂を含むことを特徴とする接続構造体。 （もっと読む）

【課題】装置を小型にできるとともに、実装品質を向上でき、実装時間を短縮できる部品実装装置および部品実装方法を提供する。
【解決手段】部品実装装置１０および部品実装方法は、電子部品１が保持される部品供給部と、部品供給部に対して上方から進退可能に設けられ、電子部品１におけるバンプが設けられた面に吸着することにより電子部品１がピックアップされるピックアップ工程を行うピックアップヘッド１２と、ピックアップヘッド１２と協働して電子部品１を挟持しながら電子部品１におけるバンプが設けられていない面に吸着してから、電子部品１に対するピックアップヘッド１２の吸着が解除されることにより、電子部品１を受け渡される受渡工程を行うボンディングヘッド１３と、を備え、ピックアップヘッド１２が加熱され、かつ、ピックアップ工程および受渡工程のうちのいずれか一方において、各バンプの高さ寸法を揃えるレベリング工程を行う。 （もっと読む）

【課題】
硬化することにより長期信頼性に優れた硬化物が得られる液状硬化性組成物を提供する。
【解決手段】
（Ａ）過酸化水素を酸化剤として用いた酸化反応により分子内に炭素−炭素二重結合を有する化合物の炭素−炭素二重結合をエポキシ化して得られる全塩素量が１０質量ｐｐｍ以下であるエポキシ化合物、（Ｂ）硬化剤および（Ｃ）充填材を含む液状硬化性組成物である。好ましくはエポキシ化合物はアリルエーテル結合を有する化合物の炭素−炭素二重結合を酸化して得られる２つ以上のグリシジル基を一分子中に有する室温で液状の化合物である。 （もっと読む）

【課題】 微細な半田バンプが形成されたチップであっても、基板に良好に熱圧着することができる実装装置および実装方法を提供すること。
【解決手段】 チップに設けられた半田バンプを、基板に設けられた電極に、押圧しながら加熱し熱圧着する実装装置および実装方法であって、チップを保持して基板に押圧する熱圧着ツールと、基板を保持する基板ステージと、熱圧着ツールを加熱する加熱手段と、熱圧着ツールの高さ位置の制御を行う制御部とを備え、制御部が、チップを保持した熱圧着ツールを下降し、チップの基板側に設けられている半田バンプが基板に設けられている電極に接触した後、所定量だけ熱圧着ツールを用いてチップを基板の電極に押し込み、半田バンプの温度が半田溶融温度に到達する前に、熱圧着ツールの高さ位置を熱圧着ツールの伸びに応じて上昇させる機能を有している実装装置および実装方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】電極端子の接続信頼性が高い樹脂組成物、及びこの樹脂組成物を用いて製造する電子装置の製造方法を提供する。
【解決手段】第一基板１１０の半田バンプ１１１と第二基板１２０の半田バンプ１２１とを半田接合する際に、第一基板１１０の半田バンプ１１１と第二基板１２０の半田バンプ１２１との間に導入され、半田接合した後に熱硬化する樹脂組成物１３０であって、前記樹脂組成物は、熱硬化性樹脂を含み、１８０℃、及び２５０℃におけるゲルタイムが１００秒以上である。 （もっと読む）

【課題】半導体パッケージ及びその製造方法の提供。
【解決手段】基板絶縁膜とチップ絶縁膜の中で、少なくとも１つがダミー開口部を含み、フリップチップをボンディングするための自己接合ソルダボンディング工程で基板接続端子とチップ接続端子とを連結する内部ソルダボールにならず周辺に残留するソルダ粒子がダミー開口部を満たしてダミーソルダを形成する。このため、残留するソルダ粒子による電気的短絡、漏洩電流等の問題点を解決でき、信頼性ある半導体パッケージを提供できる。また、ダミー開口部が信号伝達経路である回路パターンの所定の部分を露出させるように形成されるので、ダミー金属パターンを任意に形成する必要がなく回路基板の信号配線デザインを変更する必要がない。 （もっと読む）

【課題】アンダーフィル剤の薄膜形成が容易であり、また、大型ダイを用いたフリップチップ半導体装置の製造方法、及び該製造方法を用いて製造された半導体装置を提供する。
【解決手段】（ｉ）シリコンウエハ３の、半田バンプ２を備えた表面上に、第１アンダーフィル剤１をスプレー噴射装置で塗付し、該第１アンダーフィル剤をＢ−ステージ化して、半田バンプの高さの０．５〜１．０倍の厚みをもつ、Ｂ−ステージ状態の第１アンダーフィル剤層を形成する工程、（ｉｉ）工程（ｉ）で得られたＢ−ステージ状態の第１アンダーフィル剤層の表面上に、第２アンダーフィル剤をスプレー噴射装置で塗付し、該第２アンダーフィル剤をＢ−ステージ化して、前記Ｂ−ステージ状態の第１アンダーフィル剤層と第２アンダーフィル剤層４の合計の厚みが、半田バンプの高さの１．０〜１．３倍となるように、Ｂ−ステージ状態の第２アンダーフィル剤層を形成する工程、を含む。 （もっと読む）

【課題】簡易な手法で、半導体素子等の被接合部材を搭載側部材に対して平行度調整しつつ接合することが可能な半導体装置の製造方法及び接合方法を提供する。
【解決手段】受け側部材２０に仮搭載された半導体素子１０を、半導体素子１０を取り囲む液体３０を介して加圧加熱し、前記加熱加圧による静水圧により、半導体素子１０を受け側部材２０に対して押圧するとともに、半導体素子１０の接続端子１５を受け側部材２０に溶融接合する。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハにＢＧ工程を施すと、研削された半導体ウエハの面に破砕層が形成される。この破砕層は、半導体ウエハの内部への不純物の侵入を抑制する効果を有している。一方、半導体装置の薄型化に伴い、半導体ウエハの厚さを更に薄くしなければならない。そのため、半導体ウエハの抗折強度は従来に比べて低下してきており、薄くなった半導体ウエハに破砕層が形成されていると、半導体ウエハにクラックが発生する恐れがある。そこで、半導体ウエハの抗折強度を向上するために、ＢＧ工程の後に、ストレスリリーフを行うことが有効とされている。しかし、破砕層を除去してしまうと、ゲッタリング効果は低下してしまう。
【解決手段】本願発明は、半導体装置の製造方法において、そのデバイス面に集積回路が形成されたウエハの裏面に対して、バックグラインディング処理を実行した後、裏面の破砕層が残存するように、同裏面に保護膜を形成するものである。 （もっと読む）

【課題】導通信頼性を高めることができる異方性導電材料を提供する。
【解決手段】本発明に係る異方性導電材料は、ペースト状の異方性導電材料であってエポキシ基又はチイラン基を有しかつ加熱により硬化可能な硬化性化合物と、熱硬化剤と、導電性粒子１１とを含有する。上記異方性導電材料の比重は１．１〜１．８であり、導電性粒子１１の比重は１．３〜６．０であり、上記異方性導電材料の比重と導電性粒子１１の比重との差の絶対値が４．０以下である。上記異方性導電材料の２５℃及び２．５ｒｐｍでの粘度（Ｐａ・ｓ）をη１とし、かつ上記異方性導電材料の２５℃及び５．０ｒｐｍでの粘度（Ｐａ・ｓ）をη２としたときに、上記η１の上記η２に対する比は１．０〜４．０である。 （もっと読む）

【課題】接地電源用パッド数の増加や半導体チップの大面積化を伴うことなく、接地電源のインダクタンスを低化させてＬＳＩ電位変動を抑制することを目的とする。
【解決手段】ダイパッド３をＬＳＩ電位の外部端子として機能させ、ＬＳＩ電位の供給をダイパッド３から樹脂基板４の接続ビア１１ｂを介して行うことにより、ＬＳＩ電位の電流経路が短縮されると共に電流経路の断面積を拡大することが可能となり、接地電源用パッド数の増加や半導体チップ２の大面積化を伴うことなく、接地電源のインダクタンスを低化させてＬＳＩ電位変動を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】 加圧力の低いチップ部品の実装であっても基板ステージとボンディングツールの平行度を高精度に短時間で調整できる、実装装置の平行度調整方法および平行度調整装置を提供すること。
【解決手段】 ボンディングツール面もしくは基板ステージ面の傾斜を変化させる平行度調整部と、平行度調整部を駆動する駆動手段とを備え、ボンディングツールの高さ位置を検出する高さ検出手段を備え、ボンディングツールを所定圧で、基板ステージに押し付ける工程と、駆動手段が平行度調整部の傾斜を変化させる工程と、平行度調整部の傾斜を変化させている間の、ボンディングツールの高さ検知手段の情報から、ボンディングツールの最下点の位置を求める工程と、ボンディングツールが最下点になった際の平行度調整部の傾斜位置を保持する工程とからなる実装装置の平行度調整方法および平行度調整装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】樹脂成分中に金属材料を残存させることなく、端子同士間に選択的に金属材料を凝集させて、これら端子同士を電気的に接続することができる導電接続シート、かかる導電接続シートを用いた端子間の接続方法、接続端子の形成方法、および、信頼性の高い電子機器を提供すること。
【解決手段】本発明の導電接続シート１は、樹脂組成物層１１、１３と、低融点の第１の金属材料で構成される第１の金属層１２１と、第１の金属材料より低融点の第２の金属材料で構成される第２の金属層１２２とを備える積層体により構成されるものであり、このものを、端子２１有する半導体チップ（基材）上に配置する際に、端子２１上に配置されるべき第１の部分１５と、この第１の部分１５以外の第２の部分１６とからなり、第１の金属層１２１は、第１の部分１５に対応して選択的に設けられている。 （もっと読む）