【課題】配線基板の最外配線層の配線が高密度となる配線基板等を提供することを目的とする。
【解決手段】複数の配線層１１，１３，１５及び絶縁層１２，ｌ４が交互に積層され、配線層が絶縁層に形成されたビアホールを介して電気的に接続されている配線基板であって、最外配線層１５より内側の配線層上に設けた接続用パッド３と、接続用パッド３上に設けられ配線基板表面から突出した外部接続端子５とを有し、外部接続端子５が最外配線層１５を貫通して設けられていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】１０秒以下の短時間でも硬化可能であり、かつＯＳＰ処理された基板の接続に安定した接続信頼性を与える回路接続材料、及びそれを用いた回路部材の接続構造を提供する。
【解決手段】対向する回路電極同士を電気的に接続する回路接続材料であって、遊離ラジカルを発生する硬化剤と、ラジカル重合性物質と、リン酸エステルと、導電粒子を含有し、導電粒子を除く、回路接続材料全体を１００重量部とした場合、それに占めるリン酸エステルの割合が０．５重量部から２．５重量部の範囲である、回路接続材料。 （もっと読む）

【課題】対向配置された回路電極同士の接続抵抗を小さくし、かつ、隣り合う回路電極間が導通し短絡してしまう可能性を低減することができる回路接続材料及び回路部材の接続構造を提供する。
【解決手段】回路接続材料１２は、接着剤組成物と、第１の粒子６と、第２の粒子８と、を備える。第１の粒子６は、低融点金属を主成分とするコア２と、該コア２の表面を被覆しており低融点金属の融点よりも低い軟化点を有する樹脂組成物からなる絶縁層４と、を有し、第２の粒子８は、コア２よりも平均粒径が小さく、低融点金属の融点よりも高い融点又は軟化点を有する材料を主成分とする。第１の粒子６は、絶縁層４が軟化して一部除去され、絶縁層４から露出したコア２と回路電極とが金属接合することによって回路電極間の導通を図り、第２の粒子８は、接続条件下においてスペーサとして機能する。 （もっと読む）

【課題】 半導体素子と配線基板間の間隙にグリースなどが浸入することによるアンダーフィル樹脂のボイド発生を抑制することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 配線基板４上に半導体素子２をフェイスダウンで実装する実装工程と、半導体素子２の周囲に洗浄除去可能な材料で構成される保護部９を半導体素子２と配線基板４との間隙を埋めて形成する保護部形成工程と、半導体素子２の動作検査及び半導体素子２と配線基板４との接続検査を行う検査工程と、保護部９を洗浄除去する保護部除去工程とを有する製造工程とする。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の製造歩留まり、信頼性を向上させる。
【解決手段】配線基板の素子搭載領域外に、ゴム部材を接触させ、前記ゴム部材の未重合成分を前記素子搭載領域外に転写させる。次いで、前記素子搭載領域に、半導体素子を実装し、前記配線基板と前記半導体素子との間隙に、封止用樹脂材を充填する。そして、前記封止用樹脂材を硬化させ、前記配線基板と前記半導体素子との前記間隙に、アンダーフィル材で構成される封止用樹脂を形成する。これにより、半導体装置の製造歩留まり、信頼性が向上する。 （もっと読む）

【課題】１５０℃以下の低温でも硬化可能であり、かつＰＥＴ上に形成された基板の接続に十分な接着強度を与える回路接続材料、及びそれを用いた回路部材の接続構造を提供することを目的とする。
【解決手段】対向する回路電極同士を電気的に接続する回路接続材料であって、破断伸度が１００％以上１０００％未満のポリエステルウレタン樹脂を含有する回路接続材料。 （もっと読む）

【課題】低コスト化を図りつつ高信頼性を得ることができる電子モジュールおよび配線板、ならびにこれらの製造方法を提供すること。
【解決手段】第１の主面と該第１の面に対向位置する第２の主面とを有する絶縁層１５と、この絶縁層の第１の主面上に設けられ、部品実装用ランドを含みかつ該部品実装用ランドの絶縁層の側とは反対の側の表面２６ａが粗化された配線パターン２６と、この配線パターンの部品実装用ランド上にフリップ接続された、端子パッドを有する半導体チップ４２と、この半導体チップの端子パッドと配線パターンの部品実装用ランドとの間に挟設され、該端子パッドと該部品実装用ランドとを電気的、機械的に接続する導電性バンプ５２と、半導体チップと絶縁層および配線パターンとの間に設けられた樹脂５５とを具備する。 （もっと読む）

【課題】 実装時の接合力を高めるためのダミー柱状電極を有しても、本来の柱状電極の配置領域に制限を受けにくいようにする。
【解決手段】 半導体装置１において、シリコン基板２下の周辺部にダミー柱状電極１５を設け、シリコン基板２下の周辺部以外の領域に柱状電極１４を設けているので、本来の柱状電極１４の配置領域に制限を受けにくいようにすることができる。そして、半導体装置１のダミー柱状電極１５を回路基板２１のダミー接続パッド２４に半田２８を介して接合すると、実装時の接合力を高めることができる。 （もっと読む）

【課題】突出した端子を備えた回路基板であって、高さの低い回路基板及び回路モジュールを提供することである。
【解決手段】ＩＣ５０が回路基板１０上に実装された回路モジュール６０。ＩＣ５０は、ＩＣ本体５２と、ＩＣ本体５２の実装面上に形成されたはんだバンプ５４と、を含む。回路基板１０は、ＩＣ５０が実装される実装面の一部を窪ませることにより形成された凹部１５を有する基板本体１２と、前記はんだバンプ５４と電気的に接続される端子１４であって、前記基板本体１２の実装面から突出するように前記凹部１５内に形成された端子１４と、を含む。 （もっと読む）

【課題】半導体チップと基板との接合を高温条件で実施することが可能であり、高い生産性及び高い接続信頼性の両方を十分高水準に達成できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ステージ４及び圧着ヘッド５を有する圧着装置１０によって半導体チップ３と基板１との接合を行う半導体装置の製造方法において、半導体チップと、基板と、これらの間に配置された半導体封止用の接着剤層２とを有する積層体に対し、圧着ヘッド及びステージによって当該積層体の厚さ方向に押圧力を加えるとともに、当該積層体を加熱する熱圧着工程を備え、熱圧着工程において、圧着ヘッドの温度とステージの温度の差が３００℃未満となるように設定し、半導体チップと基板との接合を行う、半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 電子部品実装装置及びその製造方法に関し、電子部品のサイズを大型化することなく、電気信号をやり取りするはんだボールと接続電極との接合部に実際に印加される応力を緩和する。
【解決手段】 接着面側にはんだボールをマトリクス状に設けるとともに、前記はんだボールの少なくとも最外周部の一部を前記はんだボールの高さより長い金属ピンで置き換えた電子部品と、実装面側に前記はんだボールに対向する位置に接続電極を設けるとともに、前記金属ピンに対向する位置に前記はんだボールの融点より低い低融点はんだが充填された凹部を設けた回路基板とを有し、前記はんだボールと前記接続電極とが接合するとともに、前記金属ピンが前記凹部において低融点はんだと接合する。 （もっと読む）

【課題】受動素子と能動素子とが同一のベース配線層に内蔵された構造の電子部品モジュールを簡略な製造プロセスで製造することができる電子部品モジュールの製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】受動素子としてのＣＲ部品９と能動素子としてのＩＣチップ８とを同一のベース配線層１に装着した構成の電子部品モジュール１５の製造に際し、ベース配線層１の回路形成面２ａに半田粒子７を含んだ接着剤層５Ａを形成し、ＣＲ部品９を先に搭載した後にＩＣチップ８をベース配線層１に搭載して接着剤層５Ａによってベース配線層１に接着し、その後に封止樹脂層を形成するための熱硬化シート１２をＣＲ部品９とＩＣチップ８が接着されたベース配線層１の回路形成面２ａに貼り合わせて熱圧着を行って、接着剤層５Ａの硬化およびこの接着剤層５Ａに含まれた半田粒子７の溶融を同時に行う。 （もっと読む）

【課題】実装密度の向上に伴い微細化され、再配線基板や半導体ウエハなどの半導体実装用基板に設けられる電極に、はんだ合金を高品質にプリコートする方法を提供する。
【解決手段】前記基板上の電極が設けられている領域に、はんだ紛とビヒクル成分とを含有するペースト材料１３を供給し、該領域と隣接する電極が設けられていない領域５には、はんだ紛を含有せず、前記ビヒクル成分からなるペースト材料１４を供給し、しかる後、前記基板を加熱して前記はんだ紛を溶融することにより、前記電極にはんだ合金をプリコートすることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】受動素子と能動素子とが同一のベース配線層に内蔵された構造の電子部品モジュールを簡略な製造プロセスで製造することができる電子部品モジュールの製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】受動素子としてのＣＲ部品９と能動素子としてのＩＣチップ８とを同一のベース配線層１に装着した構成の電子部品モジュール１５の製造に際し、ベース配線層１の回路形成面２ａに半田粒子７を含んだ接着剤層５Ａを形成し、ＩＣチップ８を先にベース配線層１に搭載して熱圧着した後にＣＲ部品９を接着剤層５Ａによってベース配線層１に接着し、その後に封止樹脂層を形成するための熱硬化シート１２をＣＲ部品９とＩＣチップ８が接着されたベース配線層１の回路形成面２ａに貼り合わせて熱圧着を行って、接着剤層５Ａの硬化およびこの接着剤層５Ａに含まれた半田粒子７の溶融を同時に行う。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の封止用に用いた場合に作業性に十分優れており、３００℃以上に加熱した場合であってもボイドの発生を十分に抑制し、接続信頼性と絶縁信頼性とに十分優れた半導体装置を製造可能な半導体封止用フィルム状接着剤を提供すること。
【解決手段】本発明の半導体封止用フィルム状接着剤は、（ａ）エポキシ樹脂と（ｂ）硬化促進剤とを含有する。そして、（ｂ）硬化促進剤が１２０℃以上の融点を有し、（ｂ）硬化促進剤の活性領域が１２０℃以上であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半田バンプを介して回路配線基板に電子部品が接続されてなる電子部品装置であって、前記電子部品の回路のオープン不良の発生を防止すると共に、半田の濡れ性を確保しつつ、前記配線回路基板と前記電子部品との接合信頼性の低下を防止することができる電子部品装置、及び当該電子部品装置の製造方法を提供する。
【解決手段】電子部品装置６０は、銅（Ｃｕ）を含む電極４１を主面に備えた回路配線基板４０と、錫（Ｓｎ）を含み、前記電極に接続される外部接続部３４を主面に備えた電子部品３０と、を有し、前記電極４１と前記外部接続部３４との界面の一部に、錫（Ｓｎ）と親和性を有する金属部５０が形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】導電部の高さの異なる電子部品を実装する場合であっても、接触抵抗及びインダクタンスを小さくすることができ、かつ導電性に優れ、低コスト化が図れる電子部品実装用基板を提供すること。
【解決手段】板状の弾性体からなる基体１、基体１の少なくとも一面１ａに所定の間隔で配された複数の凸部１Ａ、基体１の厚さ方向にあって、凸部１Ａの間に各々配された貫通孔２、貫通孔２内に本体部３ｃの一部が充填され、本体部３ｃの一端と凸部１Ａの頂面とが同一平面上にあり、本体部３ｃの一端に配された第一突出部３ａが基体１の一面１ａに、本体部３ｃの他端に配された第二突出部３ｂが基体１の他面１ｂに突出するように配された導電部材３、複数の凸部１Ａの頂面と接するように基体１の一面１ａ側に配された可撓性の基板４、及び基板４上に複数配された長丸状の電極５、から少なくともなり、電極５は互いに離間部７を設けて配されている。 （もっと読む）

【課題】電子デバイス及びベース絶縁層の両方に損傷を与えることなく、電子デバイスをベース絶縁層から回収する方法を提供する。
【解決手段】電子デバイス１８に第１の金属層２４を適用する段階であって、電子デバイス１８は１以上のＩ／Ｏコンタクト２３を含み、第１の金属層２４はＩ／Ｏコンタクト２３の表面上に配置される段階と、電子デバイス１８に取外し可能な層２６を適用する段階とを含んでいる。取外し可能な層２６は第１の金属層２４に隣接して配置される。電子デバイス１８又はベース絶縁層１０に接着剤層１６が適用される。接着剤層１６を用いて電子デバイス１８はベース絶縁層１０に固定される。第１の金属層２４及び取外し可能な層２６は電子デバイス１８とベース絶縁層１０との間に配設される。 （もっと読む）

【課題】回路基板上に半導体素子を搭載した半導体装置及びその製造方法に関し、回路基板やヒートスプレッダから半導体素子へ加わる応力を効果的に緩和する半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】
回路基板３０と、一方の面上に突起状端子２２を有し、回路基板３０に、突起状端子２２を介して電気的に接続された半導体素子１０と、半導体素子１０の他方の面上に接合層２４を介して形成され、回路基板３０に固定された封止用蓋体３６とを有し、突起状端子２２及び前記接合層２４の少なくとも一方が、弾性体により構成されている。 （もっと読む）

【課題】バンプ電極の潰れ具合を均一化できるようにした電子装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】封止板４０と、封止板４０の表面に形成されたバンプ電極４３と、封止板４０に形成された凸部４１ｂと、を備え、凸部４１ｂは、バンプ電極４３が配線３５に接合される際に基板１表面に接触してバンプ電極４３の潰れ具合を決定する。このような構成であれば、凸部４１ｂで囲まれた領域において、複数個のバンプ電極の潰れ具合を均一化することができ、バンプ電極と配線との接触面積のばらつきを少なくすることができる。バンプ電極と配線との間に生じる接触抵抗、及び、バンプ電極と配線との間に働く接着力をそれぞれ均一化することができるので、当該間の電気的接続をより確かなものとすることができる。 （もっと読む）