【課題】コア部の外側を覆うようにアンダーフィル部が形成される半田ボール、及び前記半田ボールにより半導体チップと基板部とが電気的に接続される半導体パッケージを提供する。
【解決手段】半導体チップ１１０を基板部１２０に電気的に接続する半田ボール１３０において、半田ボール１３０は、半導体チップ１１０と基板部１２０を電気的に導通させるためのコア部１３２と、コア部１３２の外側を覆うようにコア部１３２にコーティングされ、コア部１３２の半導体チップ１１０と基板部１２０への接触時にコア部１３２の周囲を保護するためのアンダーフィル部１３４とを含む。 （もっと読む）

【課題】層間絶縁膜（特に、低誘電率絶縁膜）が剥離することを防止すると共に、封止樹脂がチップの裏面上に這い上がることを防止する。
【解決手段】半導体装置は、基板１０と、基板１０上に形成された層間絶縁膜１１と、層間絶縁膜１１上に形成されたパッドとを有するチップ１２と、ランドを有し、パッドとランドとが対向するように配置された実装基板１４と、パッドとランドとを電気的に接続するバンプ１５と、チップ１２と実装基板１４との間に充填される封止樹脂１６とを備えている。チップ１２の側面は、下部領域１７ａと、上部領域１７ｃと、下部領域１７ａと上部領域１７ｃとの間に位置する中央領域１７ｂとを有している。上部領域１７ｃは、層間絶縁膜１１の側面を含む。中央領域１７ｂの粗度は、下部領域１７ａの粗度及び上部領域１７ｃの粗度よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】接合する第一基板と第二基板とのボイドが発生しにくい電子装置の製造方法を提供する。
【解決手段】第一基板１１０と第二基板１２０との間に樹脂層１３０を導入して、所定の低温で低温半田バンプ１２１を溶融させて溶融していない高温半田バンプ１１１と個々に仮接合してから、樹脂層１３０を硬化し、さらにこの仮接合された低温半田バンプ１２１と高温半田バンプ１１１とを所定の高温で溶融させて個々に本接合する。 （もっと読む）

【課題】マルチチップ実装する際に、アライメントずれを生じさせることなく、良好な接続信頼性を確保できるようにする。
【解決手段】マルチチップ実装用緩衝フィルムは、８０ｐｐｍ／℃以下の線膨張係数を有する耐熱性樹脂層と、ＪＩＳ−Ｋ６２５３によるショアＡ硬度が１０〜８０である樹脂材料から形成された柔軟性樹脂層とが積層された構造を有する。マルチチップモジュールは、複数のチップ素子を、接着剤を介して基板にアライメントし、仮貼りした後、チップ素子とボンディングヘッドとの間に、マルチチップ実装用緩衝フィルムを、その耐熱性樹脂層がチップ素子側になるように配置し、複数のチップ素子をボンディングヘッドで基板に対し加熱加圧して接続することにより製造できる。 （もっと読む）

【課題】接続パッド上にはんだが設けられるフリップチップ実装用の配線基板において、接続パッドのピッチを狭小化できる配線基板を提供する。
【解決手段】複数の接続パッド２２と接続パッド２２にそれぞれ繋がる引き出し配線部２４とが表層側の絶縁層３０に配置された構造を含み、引き出し配線部２４は接続パッド２２から屈曲して配置され、接続パッド２２上に突出するはんだ層４２が設けられており、接続パッド２２は長方形状を有し、引き出し配線部２４は接続パッド２２の長手方向の端部全体から屈曲して引き出されており、接続パッド２２と引き出し配線部２４とが表層側の絶縁層３０から露出して設けられている。引き出し配線部２４上のはんだが屈曲部Ｂ側に移動して接続パッド２２上に突出するはんだ層４２が形成される。 （もっと読む）

【課題】樹脂組成物層内にボイドが生じることを防止することができる接合方法、このような接合方法を用いて製造される半導体装置、多層回路基板および電子部品を提供する。
【解決手段】本発明の接合方法は、端子５２を有する半導体チップ５と、端子４４を有する回路基板４とを、半導体チップ５の端子５２が設置された面と、回路基板４の端子４４が設置された面とが対向するように配置し、端子５２とそれに対応する端子４４とを電気的に接続するとともに、半導体チップ５の端子５２が形成された第１の領域に設けられた樹脂組成物層１で、その第１の領域および回路基板４の端子４４が形成された第２の領域を覆うように、半導体チップ５と回路基板４とを接着する接合方法であって、端子５２と端子４４とを電気的に接続するに際し、減圧雰囲気下で、半導体チップ５と回路基板４とを樹脂組成物層１を介して圧着する。 （もっと読む）

【課題】導体層と絶縁層を交互に少なくとも１層以上積み重ねてなる多層配線基板の表層絶縁層上に、フェイスダウン方式で半導体素子を、突起電極を介して接続し、前記半導体素子と前記多層配線基板とのギャップに液状熱硬化樹脂を塗布し突起電極を封止して製造する半導体パッケージの製造方法において、半導体素子実装後に、液状熱硬化樹脂を注入し、半導体素子と多層配線基板のギャップを封止する際、半導体素子下で浸透のむらが生じ、それを起因とする巻き込みボイドが発生する問題がある。
【解決手段】少なくとも該半導体素子が搭載される表層絶縁層上の領域に対しプラズマ放電を利用した表面活性処理を不均一に施すことを特徴とする該半導体パッケージの製造方法。 （もっと読む）

【課題】半導体素子接続用の長手形状の接続端子の一部に凸形状を設けることにより、高密度化にも対応可能で、かつ接続に必要なボリュームと高さを有するはんだバンプを、接続端子の長手方向の所定の位置に形成可能な半導体パッケージ基板を提供する。
【解決手段】半導体素子接続用の長手形状の複数の接続端子を有し、これらの複数の接続端子が短手方向に並んで配置され、前記前記複数の接続端子の長手方向の一部に凸形状が形成されることを特徴とする半導体パッケージ基板。また、上記において、凸形状が、短手方向に並んで形成される複数の接続端子の長手方向の所定の位置に形成されることを特徴とする半導体パッケージ基板。また、上記の何れかにおいて、接続端子の長手方向における凸形状の長さが、接続端子の長さの１／５〜１／３の大きさであることを特徴とする半導体パッケージ基板。 （もっと読む）

【課題】回路接続時の圧力を従来よりも低くした場合でも、圧痕の形成及び接続抵抗が良好である接続を可能とする回路接続材料を提供すること。
【解決手段】第一の基板の主面上に第一の回路電極が形成された第一の回路部材と、第二の基板の主面上に第二の回路電極が形成された第二の回路部材との間に介在させ、加熱及び加圧により第一の回路電極及び第二の回路電極を対向配置された状態で電気的に接続するための回路接続材料であって、加圧は１．５ＭＰａ以下で行われ、フィルム性付与ポリマー、ラジカル重合性物質、ラジカル重合開始剤及び導電粒子を含有し、フィルム性付与ポリマーは、ガラス転移温度７０℃未満のポリマーを含み、その配合量がフィルム性付与ポリマー及びラジカル重合性物質の総量を基準として３０〜７０質量％である、回路接続材料。 （もっと読む）

【課題】発光素子の実装基板への搭載工程を簡略化し、発光素子と実装基板との接合性を良好にする発光素子の搭載方法を提供すること。
【解決手段】接合層が形成された発光素子を実装基板に搭載する発光素子の搭載する際、実装基板に金属ナノ粒子ペーストを塗布し、発光素子の接合層を金属ナノ粒子ペースト上に配置した後、接合層と前記金属ナノ粒子ペーストを加熱して合金化させて発光素子と実装基板を接合する。このような発光素子の搭載方法により、残渣となるフラックスを用いることなく、発光素子と実装基板とを結合させることができる。 （もっと読む）

【課題】硬化後に低線膨張率となる信頼性の高い電子部品用接着剤を提供する。また、該電子部品用接着剤を用いた半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】エポキシ化合物と、ベンゾオキサジン化合物と、フェノール系硬化剤とを含有する電子部品用接着剤であって、前記フェノール系硬化剤のＯＨ等量に対する、ベンゾオキサジン環を１官能とした場合の前記ベンゾオキサジン化合物の等量の比が、１．４０〜２．００である電子部品用接着剤。 （もっと読む）

【課題】比較的シンプルな構成により基板と半導体素子との間の半田接合部の耐久性を向上させること。
【解決手段】基板１は、表面及び裏面の少なくとも一方に半導体素子を半田により接合するように構成される。ここで、半導体素子を接合する部位は、凹部２となっており、他の部位である外周縁部３よりも低い面となっている。凹部２は、外周縁部３の内側の部分である。基板１は、ガラス繊維層１１を樹脂層１２で覆うことにより形成される。半導体素子を接合する凹部２の面２ａは、外周縁部３の面３ａに比べてガラス繊維層１１に近接している。基板１の凹部２の中の最薄部の厚さは、ガラス繊維層１１の厚さよりも大きい。この基板１に適用される半導体素子は、ランドグリッドアレイの素子である。 （もっと読む）

【課題】高密度のバンプピッチに対応可能な半導体パッケージ基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁層１０１に接続パッド１０３を含む回路が形成されたベース基板と、ベース基板上に形成され、接続パッド１０３を露出させるオープン部を有し、ポリイミドを含む保護層１０６と、保護層１０６のオープン部の接続パッド上に形成されたシード層１１０と電解メッキ層１１４からなるポストバンプ１１５とを含んでなる半導体パッケージ基板。 （もっと読む）

【課題】 アンダーフィル材が受ける熱応力を低下させて、半導体装置の信頼性を向上すること。
【解決手段】 複数の辺部及び複数の角部を含む輪郭の実装面を備える電子部品と、前記電子部品の実装面に対向する被実装面を備え、前記電子部品の角部に対向する位置に凹部が形成された回路基板と、前記電子部品及び前記回路基板間に設けられ、前記回路基板と前記電子部品とを電気的に接続する接続部と、前記凹部に埋め込まれ、前記電子部品及び前記回路基板よりも剛性が低い第１の部材と、前記電子部品及び前記回路基板間に設けられ、前記電子部品及び前記回路基板よりも剛性が低い第２の部材と、を備える電子装置。 （もっと読む）

【課題】より多くの導電粒子を電極間に捕捉可能な導電接合構造と、導電接合構造によって実装基板に実装部品を接合した実装構造体、及び、この導電接合構造によって２つの被接合部材を接合するための導電接合方法を得る。
【解決手段】基板側電極１８には接合用凹部２４が形成され、部品側電極２０には接合用凸部２６が形成される。接合用凹部２４と、接合用凸部２６の間に、異方性導電接合材２２の導電粒子２２Ｐを捕捉する捕捉間隙３０が構成されている。 （もっと読む）

【課題】
熱容量の異なる半導体素子接続パッドに半田バンプを介して半導体素子の電極を接続する際、半田バンプ同士の短絡を防ぎ半導体素子の正常作動が可能な配線基板を提供すること。
【解決手段】
ビア導体２ａが充填された多数のビアホール１ｃを有する絶縁層１ｂの表面にビア導体２ａと一体的に形成された導体層２から成る第１の半導体素子接続パッド３ａと、絶縁層１ｂ上に形成された導体層２のみから成る第２の半導体素子接続パッド３ｂとが、第１の半導体素子接続パッド３ａの配列中に第２の半導体素子接続パッド３ｂが分散して配設されるとともに第１および第２の半導体素子接続パッド３ａおよび３ｂに半田バンプ５が溶着されて成る配線基板１０であって、第２の半導体素子接続パッド３ｂに溶着された半田バンプ５の体積が第１の半導体素子接続パッド３ａに溶着された半田バンプ５の体積より小さい配線基板１０である。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成で有機膜の除去を行い、清浄な電極表面を露出させた後、直ちに電子部品の実装工程に移る。
【解決手段】少なくとも電極２ａ上が有機膜４で被覆された配線基板２が載置される載置部３と、載置部３に載置された配線基板２の有機膜４を削り取る研削部材５と、研削部材５を移動させる移動機構６と、有機膜４が削り取られた電極２ａ上に接着剤７を介して搭載された電子部品８を熱加圧する加熱押圧ヘッド９とを備える。 （もっと読む）

【課題】 ビスマス（Ｂｉ）を含有するはんだ材料において、耐衝撃性を改善し接合信頼性を高める。
【解決手段】 はんだ材料は、スズ-ビスマス（Ｓｎ-Ｂｉ）合金と、銅（Ｃｕ）と、Ｘ−Ｙで表記される合金、を含み、前記Ｘは、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｓｎからなる金属元素グループから選択される少なくとも１つの金属元素であり、前記Ｙは、Ａｇ、Ａｕ、Ｍｇ、Ｒｈ、Ｚｎ、Ｓｂ、Ｃｏ、Ｌｉ、Ａｌからなる金属元素グループから選択される少なくとも１つの金属元素である。 （もっと読む）

【課題】電子部品の回路基板への接合強度を向上させることができる電子部品接合方法を提供することを目的とする。
【解決手段】樹脂接着剤４を供給した後のリジッド基板１に対してブロア８によって気体を吹き付けることにより、樹脂接着剤４に含まれる水分および溶剤成分のうちのいずれかまたは両方を蒸散を促進した後、フレキシブル基板１１の電極１２をリジッド基板１の端子２とを位置合わせしてフレキシブル基板１１をリジッド基板１に熱圧着する。これにより、水分や溶剤成分などに起因するボイドの発生を有効に防止ことができ、フレキシブル基板１１のリジッド基板１への接合強度を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】 回路モジュール対して撓みや引っ張り等の外力が加わると、回路モジュール基板の接合部ではそれによる応力を受け、やがて破断に至る危険性がある。パッド電極の配置のしかたにより応力を防ぐことができる回路モジュール基板を提供すること。
【解決手段】 回路モジュール基板の接合部にかかる応力は、矩形基板接合面内の角部で大きくなる傾向があり、また、パッド電極接合部の配置が接合面内でバランス良くされないと特定の接合部に集中が起こる。パッド電極を回路モジュール基板の角部には形成せず、また、パッド電極の配置が回路モジュール基板の中心に対して点対称となるように構成する。 （もっと読む）