【課題】ＬＥＤ素子は静電気で破壊しやすいため保護素子とともに回路基板に実装されることがある。また放熱性や生産性、実装面積効率を考えるとＬＥＤ素子及び保護素子を回路基板にフリップチップ実装することが好ましい。ところが保護素子を回路基板上にフリップチップ実装すると、保護素子の周辺が暗くなってしまうので保護素子を省きたい。
【解決手段】回路基板１２上にフリップチップ実装されるＬＥＤ素子１３は、カソードであるｎ側バンプ２３とアノードであるｐ側バンプ２４を備え、このｎ側バンプ２３とｐ側バンプ２４の間にバリスタ２６が充填されている。この結果バリスタ２６によりＬＥＤ素子１３の静電気対策がとられるため回路基板１２に保護素子が不要になった。 （もっと読む）

【課題】共晶点における含有量が低い成分を有する合金を形成することにより電子部品をフリップチップ接合する場合であっても、高い信頼性で電子部品の接合を行い得る方法を提供する。
【解決手段】電子部品１０及び回路基板２０のうちの一方に金属または合金からなるバンプ１１を形成する。電子部品１０及び回路基板２０のうちの他方に、インクジェット法により金属または合金からなる柱状体２１を形成する。柱状体２１とバンプ１１とを合金化させることにより電子部品１０を回路基板２０に接合する。 （もっと読む）

【課題】電子部品及び基板に応じてアンダーフィルの線膨張係数の最適化を図り、耐衝撃性の向上だけでなく熱疲労等による接合部の不良発生を低減することができる電子部品の実装構造及び実装方法を提供する。
【解決手段】ＬＳＩパッケージ１と基板２との接合部に形成されたアンダーフィル３に中央領域３５と各辺に沿って４等分した領域に複数の周辺領域３１〜３４が設定され、これら各領域３１〜３５が互いに異なる方向に揃えて前記磁性体４を配向する。 （もっと読む）

【課題】半導体素子を搭載する配線基板において、絶縁基板の上面に配設された複数の短冊状の半導体素子接続パッドの幅を部分的に広げることなく短冊状の半導体素子接続パッドの上面に半田バンプを形成することにより、半導体素子接続パッドのファインピッチを実現する配線基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁基板１の上面に短冊状の半導体素子接続パッド４を有するとともに半導体素子接続パッド４上に半田を溶融および凝集させて半田バンプ５を形成して成る配線基板１０であって、半導体素子接続パッド４は、半田バンプ５が形成された位置の上面に凹部４ａが形成されているとともに、凹部４ａを中心に凝集させた半田により半田バンプ５が形成されている。 （もっと読む）

【課題】ＰｏＰパッケージの信頼性を向上する。
【解決手段】ＰｏＰパッケージ１０は、主面３２ａとその反対の裏面３２ｂとを有する半導体チップ３２と、半導体チップ３２が実装された基板３１と、基板３１に積み重ねられた基板５１と、を備えている。基板３１の基板５１側に設けられた外部接続パッド３５に、基板５１の基板３１側に設けられた外部接続バンプ５３が接続されて、基板３１と基板５３との間にギャップＧが形成されている。ギャップＧには、主面３２ａを対向させて基板３１に実装した半導体チップ３２と、半導体チップ３２の裏面３２ｂに貼り付けられた絶縁性フィルム３２とが設けられている。 （もっと読む）

【課題】 加圧力を高めず、しかも、多様な基板に安定的にチップを実装することが可能なチップ実装方法を提供する。
【解決手段】 プリント基板１の実装面に接着剤２を塗布し、プリント基板１の実装面にチップ３を配置して、第１の押圧力でスタッドバンプ４をプリント基板１に押圧し、接着剤２が硬化する硬化温度よりも低い予熱温度まで、接着剤２を加熱する。その後、第１の押圧力よりも大きい第２の押圧力で、スタッドバンプ４をプリント基板１に押圧し、接着剤２を硬化温度まで加熱する。 （もっと読む）

【課題】製造工程において製品の歩留りを向上させることのできる放射線検出器の製造方法、及び放射線検出器を提供する。
【解決手段】本発明に係る放射線検出器１の製造方法は、配線パターン２００と、配線パターン２００の表面に設けられる第１接続部材とを有する基板２０を準備する基板準備工程と、第２接続部材を基板２０上に部分的に塗布する塗布工程と、第２接続部材を介して放射線を検出可能な半導体素子１０を基板２０上に配置し、第２接続部材を硬化させることにより半導体素子１０を基板２０に一時的に固定する仮固定工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】ＰｏＰパッケージの信頼性を向上する。
【解決手段】ＰｏＰパッケージ１０は、基板３１と、基板３１上に設けられたアンダーフィル樹脂層３９と、主面３２ａとその反対の裏面３２ｂとを有し、アンダーフィル樹脂層３９を介して基板３１上に主面３２ａを対向させてフリップチップ実装された半導体チップ３２と、を備えている。ここで、半導体チップ３２が、主面３２ａおよび主面３２ａから裏面３２ｂの縁部３２ｃにかけて、アンダーフィル樹脂層３９で覆われている。 （もっと読む）

【課題】半導体素子を作製する方法を提供する。
【解決手段】半導体ダイの表面上に形成された複数のバンプを有する、半導体ダイを提供するステップと、基板を提供するステップと、露出側壁を有し、ＳＲＯ＋２＊ＳＲＲ−２Ｘによって定義される設計規則に従ってサイズ決定される相互接続部位を伴って、前記基板上に複数の伝導性トレースを形成するステップであって、式中、ＳＲＯは、前記相互接続部位上の開口部であり、ＳＲＲは、製造工程のための位置合わせであり、Ｘは、接触パッドの前記露出側壁の厚さの関数である、ステップと、前記バンプが前記相互接続部位の頂面および側面を覆うように、前記バンプを前記相互接続部位に接着するステップと、前記半導体ダイと基板との間で前記バンプの周囲に封入材を堆積させるステップとを含む、半導体素子を作製する方法。 （もっと読む）

【課題】反りの発生を抑制できる回路基板を提供すること。
【解決手段】導電体が貫通する第一絶縁層２１と、第一絶縁層２１の一方の側に設けられ、導電体に接続された第一回路層２２と、この第一回路層２２を被覆するとともに、第一回路層２２の一部を露出させるための開口が形成された第二絶縁層２３と、第二絶縁層２３の開口内に設けられ、開口から露出する第一回路層２２の一部と接触する金属層２７とを備え、金属層２７は、第一回路層２２側から、厚さが０μｍ以上、５５μｍ以下の銅を含む金属層（ａ）２７１、厚さが２μｍ以上、１５μｍ以下のニッケルを含む金属層（ｂ）２７２、厚さが３μｍ以上、３０μｍ以下の錫を含む金属層（ｃ）２７３がこの順に構成されている回路基板１である。 （もっと読む）

【課題】半田接続部に生じる熱応力の緩和効果を維持しつつ、半田接続部の耐疲労性を向上させることを可能にした半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態においては、配線基板２の接続パッド４上にＳｎ合金からなる予備半田層１０を形成する。半導体チップ２の電極パッド５上にＳｎ合金からなる半田バンプ１３を形成する。予備半田層１０と半田バンプ１３とを位置合せしつつ接触させた後、予備半田層１０及び半田バンプ１３の融点以上の温度に加熱して溶融させ、Ａｇ及びＣｕを含むＳｎ合金からなる半田接続部６を形成する。予備半田層１０と半田バンプ１３のうち、予備半田層１０のみをＡｇを含むＳｎ合金で形成する。 （もっと読む）

【課題】弾力性を有するバンプを安価に効率よく形成することにより、バンプを用いた実装に際して、あるいは製品としての使用に際して負荷される熱応力を軽減することができ、しかも狭ピッチ化に対応することができるバンプ形成方法、及び、そのバンプを使用することで信頼性に優れたフリップチップ実装が容易にできる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基材の金属電極上にノズルから液滴を吐出してバンプを形成するバンプ形成方法であって、樹脂を含む第１の液滴をノズルから吐出して、前記金属電極の一部に樹脂突起部を設ける工程と、分散剤と金属ナノ粒子とを含む第２の液滴をノズルから吐出して、前記金属電極の残部と前記樹脂突起部とを前記金属ナノ粒子で覆う工程と、を含むことを特徴とするバンプ形成方法である。 （もっと読む）

【課題】半田バンプのオープン不良を防止することができる半導体装置の製造方法を得る。
【解決手段】配線基板上に配線を形成し、配線基板上をソルダレジストで覆い、配線を露出させるようにソルダレジストに開口を形成する。配線基板の配線と半導体チップの電極とを半田バンプを介して接続させることで、配線基板上に半導体チップをフリップチップ接続させる。半田バンプの半田の量を、ソルダレジストの開口の角と電極に内接する球の体積よりも小さくする。 （もっと読む）

【課題】半導体装置において、各バンプの先端位置、即ち、各バンプの突出量がばらついていても、実装基板に接合した場合に、全てのバンプにおいて十分な接合強度が得られるようにする。
【解決手段】半導体装置を、半導体素子３と、半導体素子３の表面側に位置し、半導体素子３の裏面３Ａとの間の距離が第１の距離である第１バンプ形成面４（４Ｅ）上に形成された第１バンプ１（１Ｅ）と、半導体素子３の表面側に位置し、半導体素子３の裏面３Ａとの間の距離が第１の距離よりも長い第２の距離である第２バンプ形成面４（４Ａ）上に形成され、第１バンプ１（１Ｅ）よりも径が大きい第２バンプ１（１Ａ）とを備えるものとする。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い半導体チップ接着用樹脂を提供する。
【解決手段】重合可能な主樹脂成分と、主樹脂成分を自己重合反応させる主硬化剤と、主樹脂成分に付加重合反応する副硬化剤とを含有させ、接着剤１２を構成される。この接着剤１２を基板１３に塗布し、半導体チップ１１を貼付し、加熱すると、主樹脂成分の自己重合反応によって形成される三次元網目構造の主鎖に対し、副硬化剤が付加重合する。付加重合による部分がゴム状構造になる第１の温度は、主鎖がゴム状構造になる第２の温度よりも低温なので、第１の温度で弾性率の低下率が急激に大きくなり、半導体チップ１１と基板１３の間の応力が緩和される。 （もっと読む）

【課題】ＩＴＯやＩＺＯからなる接続端子の溶出を抑制し、優れた接着強度が得られ、信頼性試験後でも安定した性能を維持できる接着剤組成物を提供する。
【解決手段】第一の接続端子３２を有する第一の回路部材３０と第二の接続端子４２を有する第二の回路部材４０とを接続する接着剤組成物であり、第一の回路部材及び／又は第二の回路部材はＴｇが２００℃以下の熱可塑性樹脂を含む基材から構成され、第一の接続端子及び／又は第二の接続端子はＩＴＯ及び／又はＩＺＯから構成され、接着剤組成物は（ａ）熱可塑性樹脂、（ｂ）ラジカル重合性化合物、（ｃ）ラジカル重合開始剤、（ｄ）リン酸基を有するビニル化合物を含有し、（ｃ）ラジカル重合開始剤はパーオキシケタール、ジアルキルパーオキサイド、ハイドロパーオキサイドの１種以上を含有する、接着剤組成物。 （もっと読む）

【課題】着用した際の異物感を最小限に抑えると共に、生産性が向上した布製半導体素子のパッケージ、その布製半導体素子のパッケージの製造方法を提供する。
【解決手段】布製半導体素子のパッケージは、織布と、前記織布上に導電材をパターニングして形成された第１リード部と、を有する布製印刷回路基板と、前記布製印刷回路基板のリード部に接続された電極部を有する半導体素子と、前記布製印刷回路基板と、前記半導体素子とを密封する成形部（molding）と、を含む。前記第１リード部は、前記第１リード部の端部において別の布製半導体素子と電気的に接続された導電性繊維によって前記織布とともに縫合されることにより、あるいは、前記第１リード部は、前記第１リード部の端部において別の布製半導体素子と電気的に接続された布製印刷回路基板の第２リード部と前記織布と共に縫合されることにより、前記別の布製半導体素子と電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い半導体装置を効率良く製造できるようにする。
【解決手段】半導体装置３１は、回路基板１の所定位置に形成された電極パッド１０を有し、電極パッド１０には、半導体装置２１のハンダバンプ２６が接合されている。ハンダバンプ２６は、半導体装置２１の電極２５上に形成され、そのハンダ材料には鉛フリーハンダが用いられている。回路基板１の電極パッド１０は、複数の凸部１０Ａと溝１０Ｂが形成されており、ハンダバンプ２６は、その一部が電極パッド１０の溝１０Ｂを埋めるように入り込んでいる。 （もっと読む）

【課題】材料選択の自由度を向上させることが可能であると共に、高温加熱プロセスを必要とする半導体装置の作製においてボイドの発生を抑制することが可能な高分子化硬化剤及びその製造方法、樹脂組成物、半導体用接着剤並びに半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明の高分子化硬化剤は、（Ａ）エポキシ樹脂及び（Ｂ）硬化剤の反応により得られ、本発明の高分子化硬化剤の熱重量減少量は、（Ａ）エポキシ樹脂又は（Ｂ）硬化剤の少なくとも一方の熱重量減少量が１０％より大きくなる温度において１０％以下である。本発明の高分子化硬化剤の製造方法は、高分子化硬化剤の熱重量減少量が、（Ａ）エポキシ樹脂又は（Ｂ）硬化剤の少なくとも一方の熱重量減少量が１０％より大きくなる温度において１０％以下となるように、（Ａ）エポキシ樹脂及び（Ｂ）硬化剤を反応させる。 （もっと読む）

【課題】積層された半導体ウエハーおよび半導体ウエハーが備える接続部間の電気的な接続を安定的に行い得るとともに工程が簡便である半導体ウエハー接合体を製造し得る半導体装置の製造方法および半導体装置、また、接続信頼性の高い電子部品の製造方法および電子部品を提供する。
【解決手段】半導体ウエハー２１０と、半導体ウエハー２２０との間に、樹脂組成物６１と、半田箔又は錫箔から選ばれる金属箔６２とから構成される積層構造を有する導電接続材料を介在させ、さらに、加熱することにより、金属箔を溶融し、半導体ウエハーの接続電極２１２，２２２の間に金属箔を凝集、固化させ、さらに、樹脂組成物を硬化または凝固させて、半導体ウエハーと半導体ウエハーとを固着させることにより達成することができる。 （もっと読む）