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Fターム[5F044KK02]の内容

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【課題】接続信頼性の高く、かつ、基板設計における設計自由度の高い電子装置および電子装置の製造方法を提供する。
【解決手段】主面に電極が形成された電子素子11と、一方の面は配線パターン12aが形成され、他方の面はパッド電極16を含んでいるインターポーザ基板12と、一方の面にパッド電極19を含んでいるマザー基板18とを含み、電子素子11の電極と配線パターン12aとが、第1のバンプ13を介して電気的に接続されて接続部が形成されることで、電子素子11がインターポーザ基板12上に対面した状態で実装され、接続部が、封止樹脂14で封止され、パッド電極16およびパッド電極19とが、第2のバンプ17を介して電気的に接続されて接続部が形成されることで、インターポーザ基板12がマザー基板18上に実装され、電子素子11とインターポーザ基板12との接続領域が、パッド電極16のピッチ間に配置されていることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】 基板上のはんだバンプを形成するための、マスクを用いない直接IMS(射出成形はんだ)法を提供する。
【解決手段】 基板と、基板の表面上に形成された複数の濡れ性パッドと、基板の表面上に堆積され、外面を有するはんだレジスト層とを含むアセンブリが取得される。少なくともはんだレジスト層は、濡れ性パッドに隣接した容積を定める陥凹領域を有するように形成される。濡れ性パッドに隣接した容積内に溶融はんだを直接射出して、濡れ性パッドに隣接した容積をはんだで充填する。はんだが固化するのを可能にする。はんだは、濡れ性パッドに付着された複数のはんだ構造体を形成する。固化後、基板及びはんだを再加熱してはんだをリフローさせ、はんだレジスト層の外面より上方に延びるほぼ球形のボールにする。濡れ性パッドに隣接した容積は、射出するステップにおいて十分なはんだを受け取るような構成及び寸法にされ、再加熱するステップの結果として、ほぼ球状のボールは、はんだレジスト層の外面より上方に延びる。代替的な手法においては、はんだの射出及び固化は、窒素環境又はフォーミング・ガス環境において実施され、リフロー・ステップを省略することができる。 (もっと読む)


【課題】複数の半導体素子を有する半導体装置と樹脂基板をバンプ接続する際、半導体素子のバンプに対する熱応力の作用によって接続部にクラックが生じて、機器の長期信頼性が低くなること。
【解決手段】複数の半導体素子を搭載されるインターポーザー配線基板の裏面に複数のランドとバンプを備える半導体装置と、複数のランドが配列された樹脂基板とを接続する電子部品の実装構造であって、前記インターポーザー配線基板の前記半導体素子と重なる位置にあるバンプの中で、半導体装置の中心から最も離れた位置に配列された位置及びその周辺にあるバンプと、前記バンプと隣接するバンプとが並列接続されていることを特徴とすることにより、応力集中が最も発生する位置のバンプが、冗長接続となり、一つのバンプが破断しても他方のバンプの接続が保たれ、故障を起こす期間を延伸することができる。 (もっと読む)


【課題】ボンディング時にバンプ間にボイドを生じにくく、耐リフロー性及び信頼性に優れた半導体装置を製造するために用いることのできる接着剤組成物を提供する。また、該接着剤組成物を用いた半導体装置の製造方法、及び、該半導体装置の製造方法を用いて製造される半導体装置を提供する。
【解決手段】熱硬化性化合物と、前記熱硬化性化合物と反応可能な官能基を有するポリマーと、熱硬化剤とを含有する接着剤組成物であって、ボンディング温度での溶融粘度が10Pa・s以上15000Pa・s以下であり、ボンディング温度でのゲルタイムが10秒以上であり、かつ、240℃でのゲルタイムが1秒以上10秒以下である接着剤組成物。 (もっと読む)


【課題】 ラジカル硬化系でありながら、高い接着強度を示し、かつ、信頼性試験後においても安定した性能を有し、さらに貯蔵安定性にも優れる接着剤、回路接続用接着剤、接続体及び半導体装置を提供する。
【解決手段】 (a)熱可塑性樹脂、(b)下記一般式(B)及び/または(C)の構造を含み且つ分子中に2個以上の(メタ)アクリロイル基及び2個以上のウレタン結合を有するラジカル重合性物質、(c)ラジカル重合開始剤を含む接着剤。
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【課題】特に携帯型の電子機器において、半導体装置と回路基板間をアンダーフィルなどで樹脂封止しなくても、落下などの衝撃に対する耐性を向上させることを目的とする。且つ、この場合には、低背化を妨げずに小型化に寄与でき、低コストで実現できる構造を提供することを目的とする。
【解決手段】回路基板、この回路基板上に搭載された半導体チップを有する半導体装置、この半導体装置を接続したマザーボードを有する電子回路装置などにおいて、これらの電極構造1が、表面からくぼんだくぼみ4と、このくぼみ4の内部に設けられる樹脂の突起5と、このくぼみ4および突起5の表面を覆う配線層6とを有する構造からなる。このような電極構造1にすることにより、接続高さを低減するとともに耐衝撃性を向上させる。 (もっと読む)


【課題】半導体チップとその他の電子部品との間隔が小さくなりこれらが近接する場合であっても半導体チップを封止するアンダーフィルのフィレットの外縁部が電子部品に接触することを防止し、高密度なフリップチップ実装が可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体チップ2とインターポーザ7との間をアンダーフィル9で封止した半導体装置であって、半導体チップ2の端面部3の少なくとも一部に、水平方向よりもインターポーザ7側に向く面を有する水平方向の幅W1が10〜100μmの切込部4を設けたことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】回路基板と半導体素子の間の接続信頼性を向上させる。
【解決手段】回路基板20と半導体素子10とが、その半導体素子10に設けられた突起電極13を介して、電気的に接続される。半導体素子10の突起電極13は、その先端13aが、回路基板20に設けられた電極部25における第1領域25aに接合される。電極部25の第1領域25a周辺の第2領域25b、及び突起電極13の側面13bには、導電部50が接合される。 (もっと読む)


【課題】接合時の半田の非合金化に起因する再リフロー時の半田接合部の外れを防止する半田フリップチップ実装方法を提供する。
【解決手段】半導体チップ100aを基板100bに実装する方法は、半導体チップ100aおよび基板100bの接合部の何れか一方に半田バンプ105を形成し、他方に凹凸部PRを有する金バンプ106を形成するステップと、半導体チップ100aおよび基板100bを互いに押しつけて、凹凸部PRと半田バンプ105とを互いに当接させるステップと、互いに当接された凹凸部PRと半田バンプ105を第1の所定の温度Tで第1の所定時間tだけ加熱保持して、半田バンプ105と金バンプ106との合金を形成させるステップとを備える。 (もっと読む)


【課題】ウエハ切断線の視認性を確保し、かつ接着剤層を各チップに簡易に貼着する。
【解決手段】ダイシングシート21上にウエハ20を載置する載置工程と、ウエハ20を複数のチップ30にダイシングするダイシング工程と、ダイシング工程の後に、ウエハ20の表面に接着剤層31を形成する接着剤層形成工程と、ウエハ20が載置されたダイシングシート21を伸張させることによりウエハ20及び接着剤層31を個片化するエクスパンド工程とを備える。 (もっと読む)


【課題】電子装置の製造工程において、はんだバンプ同士のブリッジの発生の防止を図るとともに、BGA型の半導体装置を回路基板上に容易に実装を行うことができる電子装置及び電子装置の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】
電子装置は、回路基板1と、回路基板1に電気的に接続される複数の端子3と、前記複数の端子3に電気的に接続された半導体装置4と、前記複数のはんだバンプ3同士を隔離する隔壁6とを有する。隔壁6がバリアとなってはんだバンプ3が隣のはんだバンプ3に接触できなくなるため、はんだバンプ3同士のブリッジの発生の防止を図るとともに、BGA型の半導体装置4を回路基板1上に容易に実装することができる。 (もっと読む)


【課題】フリップチップ実装の際のアンダーフィル樹脂の流れ拡がりの問題を解決する。
【解決手段】半導体装置は、基板と、前記基板の主面上にフリップチップ状態で搭載された半導体素子と、前記基板の主面に於いて、前記半導体素子の少なくとも一つの縁部に沿って配設された第1の導電パタ―ンと、前記基板の主面上に於いて、前記第1の導電パタ―ンから離間し、かつ前記第1の導電パタ―ンに沿って配設された第2の導電パタ―ンと、前記基板の主面上に於いて、前記第1の導電パタ―ンと第2の導電パタ―ンとの間に橋絡状態をもって配置された受動素子と、前記基板と前記半導体素子との間に充填された樹脂とを有し、前記樹脂は、前記基板の主面に於いて、前記半導体素子と前記第1の導電パタ―ンと間に延在する。 (もっと読む)


【課題】電極にバンプが設けられた半導体素子に配線回路構造体を接続するに際し、バンプに高さのばらつきがあっても、該配線回路構造体の端子部が素子の電極に接するのを抑制し得る構造を、該配線回路構造体に付与すること。
【解決手段】ベース絶縁層1上に導体層2を回路パターンとして形成し、その上に端子部3を形成し、かつ、ベース絶縁層1の上面には、端子部の近傍に、支柱体4を形成する。
ここで、接続対象とする素子からのバンプの突起高さをBとし、ベース絶縁層の上面を規準面として、支柱体の高さをH、端子部の高さをhとし、端子部の層厚をtとして、t<Bの場合には、B<H<h+Bとなるように、また、t≧Bの場合には、h<H<h+Bとなるように、支柱体の高さHを決定する。これにより、支柱体がスペーサーとして働き、端子部の半田が素子の電極に達するような圧縮が抑制される。 (もっと読む)


【課題】ベアチップがフリップ実装された回路基板であるフリップ実装体の製造方法において、その生産性を向上すること。
【解決手段】ベアチップがフリップ実装されるべき実装領域が複数用意された配線基板の実装領域のそれぞれにペースト状のアンダーフィル材を塗布する工程と、アンダーフィル材を介して配線基板上にベアチップを位置合わせして圧接するとともに加熱してアンダーフィル材を半硬化させるベアチップ仮固定を実装領域のそれぞれについて行う工程と、配線基板上の複数のベアチップを一括して該配線基板の側に押し付けるように、配線基板を上下からプレス手段で押圧するとともに、加熱してアンダーフィル材を半硬化の状態から硬化の状態に移行させる工程とを具備する。 (もっと読む)


【課題】積層されたインターポーザおよび半導体チップが備える接続部間の電気的な接続を安定的に行い得るとともに生産性の高い半導体装置の製造方法および半導体装置、また、接続信頼性の高い電子部品の製造方法および電子部品を提供すること。
【解決手段】上記課題は、インターポーザと、半導体チップとの間に、樹脂組成物と、半田箔又は錫箔から選ばれる金属箔とから構成される積層構造を有する導電接続材料を介在させ、さらに、加熱することにより、金属箔を溶融し、インターポーザの接続電極と半導体チップの接続電極との間に金属箔を凝集、固化させ、さらに、樹脂組成物を硬化または凝固させて、半導体ウエハーと半導体チップとが固着することにより達成することができる。 (もっと読む)


【課題】回路モジュールを実装基板に実装する際、回路モジュールと実装基板とを接合している半田フィレットに加わる応力を低減し、接合不良を防止し、信頼性の高い実装を実現することの可能な端子構造を提供する。
【解決手段】少なくとも第1及び第2の面を有する回路基板10と、前記第1の面に搭載された素子チップ20と、実装面である前記回路基板の前記第2の面に突出するように形成された実装用の端子部(端子電極)30とを具備し、前記端子部30が、半田溜りとなる断面対称の凹部を有する回路モジュールを構成する。 (もっと読む)


【課題】本発明は、ナノファイバーを用いた導電性ポリマー接着剤及びその製造方法に関する。
【解決手段】本発明は、電子部品の電気接続部同士の選択的な通電のための電子部品パッケージ用の導電性接着剤であって、不規則に形成された網構造の非導電性のポリマーナノファイバー構造体が一つまたは二つ以上の接着層に含まれており、隣り合う前記ナノファイバー構造体によって規定されている空間に一つ以上の導電性粒子が分布されている部分が含まれている電子部品パッケージ用接着剤について開示している。このような接着剤は、ポリマー樹脂の流れ及び導電性粒子の流れを抑制することにより、電子部品の表面に微細凹凸や屈曲が形成された電子部品同士をパッケージングする際にも微細空隙が効果的に充填され、ポリマー樹脂内の導電性粒子の自由な流れを防止し、ポリマー樹脂と網構造のポリマーナノファイバー構造体の複合構造を有することにより、機械的強度に優れ、少量の導電性粒子により選択的な通電が行われ、ショートを防止するという長所を有する。 (もっと読む)


【解決手段】
種々の半導体チップ入力/出力構造及びそれを作製する方法が開示される。ある態様においては、半導体チップの第1の側上に第1の導体構造を形成することと、第1の導体構造に電気的に接触する第2の導体構造を形成することと、を含む製造の方法が提供される。第2の導体構造は、半田構造に結合されるように適合させられており、また少なくとも2つのトレッドを有する階段配置を含む。 (もっと読む)


【課題】 本発明は、導電性ボールの圧縮された形態を固定して、基板と集積回路チップとの間の接触抵抗が増加するのを抑制する表示装置を提供する。
【解決手段】 本発明による表示装置は、配線部が形成された配線基板、前記配線基板に実装された集積回路チップ、及び前記配線部から延長されて前記配線基板と前記集積回路チップとの間に位置して前記集積回路チップと連結されるパッド部を含み、前記パッド部は、前記配線部から延長される第1導電層、及び前記第1導電層上に位置して、前記第1導電層に比べて硬度が低い第2導電層を含む。 (もっと読む)


【課題】半導体モジュールの実装信頼性を向上させる。
【解決手段】半導体モジュールは、配線領域20aとこれに接続された電極領域20bを含み、Cuからなる配線層20と、電極領域20bと半導体素子300の素子電極302とを電気的に接続し、Snを含むはんだボール40と、を備える。電極領域20bは、はんだボール40と接する側の主表面が粗面であり、はんだボール40と接する表層部分にCuとSnの合金を含む合金層30を有し、主表面の表面粗さRmaxが合金層30の層厚よりも大きい。 (もっと読む)


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