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Fターム[5F044KK02]の内容

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【課題】半導体ウエハのダイシング工程〜半導体チップのフリップチップボンディング工程にかけて利用可能なダイシングテープ一体型ウエハ裏面保護フィルムを提供すること。
【解決手段】ダイシングテープ一体型ウエハ裏面保護フィルムは、基材、及び該基材上に形成された粘着剤層を有するダイシングテープと、該ダイシングテープの粘着剤層上に形成されたウエハ裏面保護フィルムとを有するダイシングテープ一体型ウエハ裏面保護フィルムであって、前記ウエハ裏面保護フィルムが、染料により着色されていることを特徴とする。前記着色されたウエハ裏面保護フィルムは、レーザーマーキング性を有していることが好ましい。ダイシングテープ一体型ウエハ裏面保護フィルムは、フリップチップ実装の半導体装置に好適に用いることができる。 (もっと読む)


【課題】電極径φ30μm以下の微細な電極間でも良好に導通可能なデバイス実装構造を提供する。
【解決手段】光デバイス1の電極1a表面、および、光デバイス1の電極1aと対向する実装基板2の基板電極2a表面のそれぞれに、円柱形状の金属製の微小突起1b、微小突起2bを1個ないし複数個それぞれ形成し、光デバイス1を実装基板2の実装位置に位置決めした状態で、電極1aと基板電極2aとを互いに対向させて接近させることにより、微小突起1bと基板電極2aおよび微小突起2bと電極1aとを当接させて圧着させ、双方の微小突起1b,2bを圧縮・座屈・屈曲またはそれらが複合した形態に塑性変形させて、微小突起1bと微小突起2bとが互いに絡み合い機械的に結合し合う状態に形成する。また、微小突起1b,2bそれぞれを電極1a表面、基板電極2a表面に対しあらかじめ定めた方向に斜めに傾斜させて形成するようにしても良い。 (もっと読む)


【課題】半導体素子がフリップチップ実装されたテープキャリアをキャリア基板に設ける際にテープキャリアの4隅が変形する虞がある。
【解決手段】半導体装置は、半導体素子1とテープキャリア3とキャリア基板5とを備えている。半導体素子1は、矩形の主面に複数の電極2を有し、裏面がキャリア基板5の上面に対向するように配置されている。テープキャリア3は中央部3a及び周縁部3bを有し、中央部3aは半導体素子が配線4にフリップチップ接続された領域であり、周縁部3bは中央部3aの各辺からキャリア基板5の上面へ向かって屈曲されてボンディングパッド6の上まで延びている。配線4は、一端が電極2に接続され他端がボンディングパッド6に接続されるように中央部3aの下面から周縁部3bのそれぞれの下面へ延びている。互いに隣り合う周縁部3b,3bの間には、切り欠き部31が形成されている。 (もっと読む)


【課題】構成が簡単でかつ高速でのピッチ切替が可能で、またピッチ切替時の基準位置を任意に設定することができ、さらに高いピッチ精度を確保することができるユニットピッチ切替装置を提供する。
【解決手段】各々にユニットを搭載可能な複数のスライド部5(5a〜5c)を1軸方向に延びるガイド部2に沿って移動自在に配設し、ガイド部2と平行に配設されるとともにガイド部2の長手方向と直交する方向に移動可能な切替駆動部8を設け、各スライド部5と切替駆動部8との間に切替駆動部8の移動に伴って変形するリンク機構10(10a〜10c)を配設し、切替駆動部8の移動に伴うリンク機構10の変形によって各スライド部5間のピッチを変化させるように構成し、かつ何れか1つのスライド部5を固定する固定手段13を設けた。 (もっと読む)


【課題】配線基板との接続信頼性の高い半導体装置、半導体基板と配線基板との接続信頼性の高い半導体モジュール、および半導体基板と配線基板との接続信頼性の高い半導体モジュールの製造方法を提供する。
【解決手段】半導体モジュールは、集積回路12が形成された半導体基板10に形成された複数の電極14と、パッシベーション膜16上に形成され、第1の方向に沿って配置された樹脂突起18と、複数の電極上から樹脂突起上に至るように、第1の方向と直交する第2の方向に沿って形成された複数の配線20を有する半導体装置と、半導体装置に対向して配置されたベース基板に対向する面上に形成され、配線の前記樹脂突起上にオーバーラップする部分に接触する複数のリードと、半導体装置とベース基板の間に配置された接着層を含み、リードは、幅が配線の幅よりも広く、配線との電気的接続部と、樹脂突起との接着部を有する。 (もっと読む)


【課題】 半導体パッケージのパッケージ基板と、当該パッケージ基板が実装される配線基板との間に介在される電気接続用の中継部材であって、接続信頼性の向上を図ることができる中継部材を提供する。
【解決手段】 電子部品56が搭載されるパッケージ基板50と、前記パッケージ基板50が実装される配線基板70との間に介在して設けられる中継部材60は、当該中継部材60の一方の主面に設けられ、前記パッケージ基板50の面接続端子57と接続する平坦な電極パッド63と、前記電極パッド63に導通し、当該中継部材60の他方の主面に塑性変形可能に設けられ、前記配線基板70の電極端子71に接続する複数の金属端子部64と、を有する。 (もっと読む)


【課題】より質の高い超音波接合を行うことが可能な、ボンディングツール、電子部品装着装置、および電子部品装着方法を提供する。
【解決手段】超音波振動を伝達するホーン51と、ホーン51の一端に設けられ、超音波振動を発生する超音波振動子52と、ホーン51の一端とホーン51の他端との間に設けられ、ヒータ57が配置されるヒータ配置部570と、ホーン51の一端とホーン51の他端との間に設けられ、電子部品8を保持し、ヒータ57によって加熱される接合作用部53と、ヒータ配置部とホーン51の一端との間に設けられ、流体が流通する第一冷却部515と、ヒータ配置部とホーン51の他端との間に設けられ、流体が流通する第二冷却部516と、を備えた、ボンディングツール5。 (もっと読む)


【課題】回路装置のさらなる低背化を実現する。
【解決手段】回路装置10は、配線基板20、第1の回路素子30および第2の回路素子40を備える。配線基板20は、絶縁樹脂層22、絶縁樹脂層22のL1面に設けられた配線層50、絶縁樹脂層22のL1面に設けられた配線層50を有する。配線層50は、第1の回路素子30が接続される第1の接続部52および配線部54を含む。第1の接続部52の膜厚は、配線部54の膜厚に比べて薄膜化されている。また、配線部54は、第1の接続部52を構成する金属よりイオン化傾向が小さい金属56で被覆されている。 (もっと読む)


【課題】狭ピッチのペリフェラル状の電極配置であっても、はんだ溜りが良好に形成でき、半導体素子等の電子部品のフリップチップ接合を効率よく行うことが可能となるフリップチップ実装用回路基板とそれを用いた電子部品を提供する。
【解決手段】フリップチップ実装用回路基板1の、断面が略矩形の接続部導体パターン5の、中央部分近傍に形成する接続パッド部6は、その上面部と側面部を露出させ、一方接続パッド部以外の接続部導体パターンは、上面は露出させ側面部は被覆材料7で被覆させるように作製する。こうしたフリップチップ実装用回路基板の接合領域にはんだペーストを印刷し、リフロー処理を行うと、はんだ溜り8は、接合パッド部に集中し、かつ十分なはんだ量をもって形成できる。 (もっと読む)


【課題】アンダーフィル材の裏面側への流れ出しを防止したプリント回路板を簡易に製造できるプリント回路板の製造方法、プリント回路板、および電子機器を提供する。
【解決手段】プリント回路板の製造方法は、スルーホールと、半導体パッケージの一方の面に設けられた複数のバンプが実装されるための複数の電極パッドとを備えたプリント配線板を準備する準備工程と、準備工程により準備されたプリント配線板における複数の電極パッドおよびスルーホールのそれぞれの表面に接合材を塗布する塗布工程と、塗布工程により接合材が塗布されたプリント配線板の複数の電極パッド上に半導体パッケージの複数のバンプを対向させて実装する実装工程と、実装工程により半導体パッケージが実装されたプリント配線板を加熱して接合材によりバンプと電極パッドとを接合する接合工程と、半導体パッケージと、プリント配線板との間に充填材を流し込む流込工程とを有する。 (もっと読む)


【課題】金属ナノインクを用いて半導体ダイと基板の電極同士を接合する半導体装置の組立において、接合部の信頼性を向上させる
【解決手段】ウェーハと基板の各電極上に金属ナノインクの微液滴を射出した後、金属ナノ粒子を焼結させて金属バンプを形成するバンプ形成機構20と、金属バンプの形成されたウェーハを半導体ダイに切り離すダイシング機構30と、各金属バンプの表面にマイクロプラズマを照射するとともに金属ナノインクを塗布する照射塗布機構40と、半導体ダイをピックアップして反転させ基板に重ね合わせる重ね合わせ機構50と、金属ナノインクを加熱して金属ナノインク中の金属ナノ粒子を焼結させ、導体ダイと基板とを接合する接合機構80と、を有する。 (もっと読む)


【課題】アンダーフィル樹脂が流動する基板表面が平坦となっている配線基板に対し、当該樹脂の流れ出しの範囲を制限し、その流動性の管理をラフに行えるようにすること。
【解決手段】複数の配線層11,14,17,20が絶縁層(樹脂層)12,15,18を介在させて積層され、各樹脂層に形成されたビア13,16,19を介して層間接続された構造を有した配線基板10において、チップ搭載面側の最外層の樹脂層12に、チップ搭載エリアCMを囲んで環状に凹部DM1を形成する。 (もっと読む)


【課題】面接続端子とチップ部品との接続信頼性を向上させることにより、信頼性を向上させることができる多層配線基板の製造方法を提供すること。
【解決手段】多層配線基板は、凹部形成工程、金拡散防止層形成工程、端子形成工程、樹脂絶縁層形成工程、導体形成工程及び金属層除去工程を経て製造される。凹部形成工程では、銅箔層73をハーフエッチして凹部78を形成する。金拡散防止層形成工程では、凹部78に金拡散防止層を形成する。端子形成工程では、金拡散防止層上に、金層33、ニッケル層32及び銅層31をこの順序で積層し、面接続端子30を形成する。樹脂絶縁層形成工程では樹脂絶縁層を形成し、導体形成工程ではビア導体及び導体層を形成する。金属層形成工程では、銅箔層73及び金拡散防止層を除去して、金層33を積層構造体の主面から突出させる。 (もっと読む)


【課題】クラック発生の抑制されたはんだ接合部を形成することができる新規な電子装置の製造方法を提供する。
【解決手段】電子装置の製造方法は、電子部品21の複数の電極22上にはんだバンプ23を形成する工程と、回路基板1の複数の電極2上に、回路基板1の面内の位置に応じてはんだ材料の供給量を変えて、はんだ部材4を形成する工程と、電子部品21の複数の電極22上のはんだバンプ23と回路基板1の複数の電極2上のはんだ部材4とがそれぞれ接触するように、電子部品21と回路基板1を対向させた状態で、加熱を行い、はんだバンプ23とはんだ部材4とを溶融させて、電子部品21と回路基板1とを接合する工程とを有する。 (もっと読む)


【課題】アンダーフィル層と基板の絶縁層との密着性が劣る従来のフリップチップ用基板の課題を解決する。
【解決手段】電子部品としての半導体素子32の電極端子34とフリップチップ接続され、且つ搭載された半導体素子32との間の隙間にアンダーフィル材が充填されてアンダーフィル層36が形成されるフリップチップ用基板10であって、前記基板10の半導体素子搭載面に露出して、半導体素子32の電極端子34とフリップチップ接続されるパッド面を具備する搭載用パッド24と、搭載用パッド24から延出され、前記基板10を形成する絶縁層28によって被覆されたパターン20とが形成され、少なくとも搭載用パッド24のパッド面を除いた、パターンを20被覆する絶縁層28の全表面が、絶縁層28とアンダーフィル層36とに密着性を呈するソルダーレジスト30によって覆われている。 (もっと読む)


【課題】半導体パッケージと配線基板との接続信頼性を確保するプリント回路板、及び電子機器を提供する。
【解決手段】プリント回路板5は、一方の面に複数の半田ボール53を有したBGA50と、半田ボール53の夫々と対向した位置に電極を有し、BGA50を実装したBGA搭載基板51と、一部に開口部520を設けてBGA50の周囲に連続して形成されており、BGA50とBGA搭載基板51とを固着した補強部材52とを有する。 (もっと読む)


【課題】キャリア基板と半導体素子との接合強度を向上させることにより、信頼性の高い、また生産性の良い半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置13は、キャリア基板1と、キャリア基板1に形成されたフリップチップパッド電極4と、フリップチップパッド電極4の上面および側面で接合された金バンプ15と、金バンプ15を介してフリップチップパッド電極4と電気的に接続された半導体素子5とを備えている。 (もっと読む)


【課題】ラジカル硬化系でありながら、高い接着強度を有する接着剤組成物、及び高い接着強度と優れた接続信頼性を有する回路接続体を作製することが可能な回路接続用接着剤を提供すること。
【解決手段】熱可塑性樹脂、分子内に(メタ)アクリロイル基を2個以上有するラジカル重合性化合物、ラジカル重合開始剤、及び分子内に尿素結合とアルコキシシリル基を有するシランカップリング剤、を含む接着剤組成物である。 (もっと読む)


【課題】製造歩留まり及び信頼性を向上させた、半導体素子が回路基板上にフリップチップ実装されて形成される半導体装置を提供する。
【解決手段】バンプ電極10bを主面に配設した半導体素子10と、電極端子10p・20p上に導電層20bを配設した回路基板20を準備し、バンプ電極の表面の少なくとも一部に、バンプ電極及び導電層より融点が低い接合材30を被覆する。次いで、バンプ電極と導電層とが接合材を介して対向するように、回路基板上に半導体素子を載置し、接合材を溶融し、バンプ電極、接合材、及び導電層とを一体化させる。これにより、半導体装置の製造歩留まり、信頼性が向上する。 (もっと読む)


【課題】セラミック基板と樹脂基板をバンプ接続する際、セラミック基板の外縁部に位置するバンプに対する熱応力の作用によって接続部にクラックが生じて、機器の長期信頼性が保たれる手段を提供する。
【解決手段】複数のランド6が配列され、擬似導波管13の形成されたセラミック基板20と、複数のランド7が配列され、擬似導波管15の形成された樹脂基板5と、前記樹脂基板のランドと前記セラミック基板のランドの間に接合され、ボールグリッドアレイを構成する複数のバンプ16と、を備え、前記セラミック基板および樹脂基板の擬似導波管は、その周囲に配列されたバンプが接地面に接続されるとともに、外縁部の周辺に配置される。 (もっと読む)


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