【課題】信頼性の高い半導体装置を製造する方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、第１及び第２の面１４，１６を有するベース基板１２と、複数の電気的接続部２２を有する、第１の面１４に形成された配線パターン２０と、第１の開口３２を有する、第１の面１４及び配線パターン２０を部分的に覆う第１のレジスト層３０と、第２の開口３６を有する、第２の面１６を部分的に覆う第２のレジスト層３４と、を含む配線基板１０を用意する工程と、複数の電極４２を有する半導体チップ４０を用意する工程と、加熱機構を備える、先端面５２が第２の開口３６よりも小さいボンディングツール５０によって半導体チップ４０を保持して加熱し、ボンディングツール５０を、先端面５２が第２の開口３６の内側のみとオーバーラップするように配置して、電気的接続部２２と電極４２とを対向させて電気的に接続するボンディング工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い半導体装置を製造する方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、複数の電気的接続部１４を有する配線基板１０を用意する工程と、集積回路２４が形成された半導体基板２２と、半導体基板２２の集積回路２４が形成された面（能動面２５）に形成された複数のバンプ電極２６と、半導体基板２２の能動面２５に形成された、ポリイミド樹脂からなる保護膜２８と、を有する半導体チップ２０を用意する工程と、Ａｒ及びＡｒよりも少量のＯ_２を含む混合ガス１００を用いてプラズマ処理を行って、保護膜２８の表面を改質するプラズマ処理工程と、プラズマ処理工程後に、配線基板１０に半導体チップ２０を搭載して、電気的接続部１４とバンプ電極２６とを対向させて電気的に接続する工程と、配線基板１０と半導体チップ２０との間に樹脂部３０を形成する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】多層フレキシブル回路基板及びその製造方法に関する。
【解決手段】多層フレキシブル回路基板及びその製造方法を提供する。多層フレキシブル回路基板は、加圧／加熱領域がカットされた接着シートと、加圧／加熱領域がカットされ、前記接着シート上（ｏｎ）に付着された上部ベース層と、前記接着シートが付着された下部ベース層と、を含む。 （もっと読む）

【課題】動作信頼性を向上させた半導体装置を提供する。
【解決手段】ＲＦパワーモジュールを構成する半導体チップ１のゲート電極用のバンプ電極８ｇと、ドレイン電極用のバンプ電極８ｄとの間に、発振シールドとしてソース電極用のバンプ電極８ｓを設けた。ソース電極用のバンプ電極８ｓは、他のバンプ電極８ｇ，８ｄよりも長い帯状のパターンとなっている。また、バンプ電極８ｇ，８ｄ，８ｓは、ボンディングパッド上に下地金属を介して金属層を設け、さらにその上に半田層を設けた縦構成を有している。 （もっと読む）

【課題】電子部品の各端子を略均一にバンプ接続することができる、電子部品実装構造を提供する。
【解決手段】積層された絶縁層１１〜１４と、絶縁層１１〜１４に配置された導体パターンとを備えた多層基板１０に、バンプ５４，５５を介して少なくとも一つの電子部品５０をフリップチップボンディングにより実装する。絶縁層１１〜１４の積層方向に透視すると、多層基板１０の絶縁層１１〜１４のうちバンプ５４，５５に最も近い第１の絶縁層１１に形成された全ての貫通孔１１ａ，１１ｂが、電子部品５０を実装するための全てのバンプ５４，５５から離れている。 （もっと読む）

【課題】高周波信号特性に優れ、内部配線パターンの面積を大きく取ることが可能な半導体パッケージを提供する。
【解決手段】この半導体パッケージは、多層プリント配線板１２と、その表面上に実装されたＩＣチップと、多層プリント配線板１２の裏面上に実装された複数のバンプ端子１６とを備える。バンプ端子１６は、平面４０を有する絶縁コア４２と、平面４０以外の表面上に形成された導電膜４４とを含む。導電膜４４の端面は絶縁コア４２の周囲に環状に現れ、多層プリント配線板１２の裏面に形成されている環状の接続パッド５２にはんだ付けされる。バンプ端子１６の真上にはビア３６が形成され、内部配線パターン２８，３０にはビア３６が通るクリアランスホール３４が形成される。クリアランスホール３４の径はバンプ端子１６の径よりも小さくされる。 （もっと読む）

【課題】 製品の冷熱サイクル試験などにおける信頼性が向上するとともに工数を増加させることなくアンダーフィルの充填を確実に行える電子部品装置を提供する。
【解決手段】 複数のバンプ８を有するエリアアレイ７と、エリアアレイ７を載置する絶縁基板１と、絶縁基板１の外層おいて各バンプ８に対応して行及び列方向に配置され、各バンプ８に接続された複数の導体ランド４と、各導体ランド４を取り囲み、隙間を設けた絶縁層６と、絶縁基板１の内層側に設けられた導体パターンと、絶縁基板１の外層に設けられた接続端子と、導体ランド４と導体パターンとを、かつ、導体パターンと接続端子とをそれぞれ絶縁基板１のビアホール５を介して電気的に接続した接続手段と、絶縁層６の隙間に注入して設けられた充填材１０とを備えるようにした。 （もっと読む）

【課題】加工性と生産性が良く、アンダーフィルに気泡（ボイド）の無い電子部品の実装構造、及びその実装方法を提供すること。
【解決手段】本発明の電子部品の実装構造において、複数の端子が設けられた絶縁基板１には、吸引のための貫通孔を必要とせず、従って、孔開け加工と貫通孔によるデッドスペースが無くなって、絶縁基板１の小型化を図ることができると共に、絶縁皮膜３は、端子２を避けた状態で設けられた第１の皮膜除去部４と、この第１の皮膜除去部４に繋がり、電子部品７の本体部７ａの周縁に向かって延びる第２の皮膜除去部５を有したため、絶縁基板１と電子部品７との間に設けられたアンダーフィル８は、液状のアンダーフィルによって、第１の皮膜除去部４に存在した空気が第２の皮膜除去部５側に押し出されて、気泡（ボイド）の無いアンダーフィルが得られる。 （もっと読む）

【課題】信号配線を密に配置できる技術を提供する。
【解決手段】ベースフィルム３０の主面側に位置し、その縁部８に沿ってそれぞれ列設された第一、第二の接続パッド２２ａ、２２ｂのうち、第一の接続パッド２２ａには第一の信号配線１１ａを直接接続し、より縁部８に近い方の第二の接続パッド２２ｂには、第一の接続パッド２２ａの両側に貫通電極２６₁、２６₂を配置し、反対面で貫通電極２６₁、２６₂間を接続するジャンパー配線１２ａを介して第二の信号配線１１ｂを接続する。第二の信号配線１１ｂが第一の接続パッド２２ａの間を通らなくても済むので、第一の接続パッド２２ａ間を近接させることができ、その結果、配線基板１の信号配線の密度を高くすることができる。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の信頼性を向上させる。
【解決手段】複数の基板側端子１２ａを有する配線基板３の半導体チップ２搭載予定領域に、フィラーを３０〜５０重量％含有しフラックス活性機能を有する樹脂２２を供給してから、複数の半田バンプ２ａを有する半導体チップ２を配線基板３上に配置した後、熱処理を行う。この熱処理により半田リフローと樹脂２２の硬化が行われ、半導体チップ２の半田バンプ２ａと配線基板３の基板側端子１２ａとが接続される。この熱処理の際には、半田バンプ２ａが溶融している間、棒状の部材２４で半導体チップ２の裏面２ｂを押すことによって半導体チップ２に荷重を印加する。 （もっと読む）

【課題】電子部品の電極と基板の電極との接続部分の電気的特性および信頼性を良好にでき、電極の狭ピッチ化に対応でき、短時間で電子部品を基板に実装できるようにする。
【解決手段】電子部品２０はバンプ２２を有している。基板１０は、絶縁性の支持層１１と、支持層１１の第１の面１１ａに配置された基板電極1２を含んでいる。支持層１１は、第１の面側１１ａから順に配置された第１の層１１１と第２の層１１２とを含んでいる。第１の層１１１の３００℃〜３５０℃での平均線膨張係数は、１００ｐｐｍ／℃以上である。第１の層１１１の２５℃での弾性率は、１０^９Ｐａ〜４×１０^９Ｐａの範囲内である。第１の層１１１の３２０℃での弾性率は、１０^６Ｐａ〜１０^９Ｐａの範囲内である。第２の層１１２の３２０℃での弾性率は、第１の層１１１の３２０℃での弾性率よりも大きい。電子部品２０は、フリップチップ実装によって、基板１０に実装される。 （もっと読む）

【課題】導体バンプの間隔や径などの微細化が可能な配線基板の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の配線基板１Ａの製造方法は、基板表面ＭＰ１に外部接続端子としての導体バンプ７を有する配線基板１Ａの製造方法であって、基板表面ＭＰ１をなす表層絶縁層ＳＲ１に開口６Ａを穿設して、当該開口６Ａの底面に導体パッド５６を露出させる開口穿設工程と、開口６Ａ内およびその周縁を露出させるようパターンニングされたメッキレジストをマスクとして、その露出部分にメッキを施して導体バンプ７を形成するバンプ形成工程と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 半導体素子と回路基板の電気的な接合と接合部分の封止とを１工程で行うとともに、半導体装置における電気的な接続抵抗を安定的に低減させる。
【解決手段】 回路基板２００上に半導体素子３００がフリップ実装される半導体装置１００を製造するにあたり、回路基板２００の最上層配線２０２に保護膜４００を設ける工程と、保護膜４００を選択的に除去して最上層配線２０２が露出するホール４０２を形成する工程と、ホール４０２に最上層配線２０２の露出部から上方へのメッキ成長によりプラグ２０４を形成する工程と、加熱により半導体素子３００の電極パッド３０２とプラグ２０４とを接合しつつ保護膜４００の上面と半導体素子３００の底面とを接合する工程と、により製造するようにした。 （もっと読む）

【課題】スティフナーを省略した場合でも、配線基板のよれや歪みの発生を防ぐことができる半導体装置を得る。
【解決手段】配線基板と、配線基板にフリップチップボンドされた半導体チップと、半導体チップの裏面に接着されたヒートスプレッダーとを有し、ヒートスプレッダーのチップ周囲に突出する部分と、配線基板上面との間に、隙間を有する半導体装置において、配線基板は、それぞれ径が異なるスルーホールが設けられた複数の絶縁基板を有し、各絶縁基板はガラスクロスを含有す。 （もっと読む）

【課題】 半田剥がれが無く、回路基板とマザー基板間の間隔を確実に確保できる電子回路ユニットを提供する。
【解決手段】 本発明の電子回路ユニットは、回路基板１の下面に設けられた複数のランド部３と、このランド部３に設けられた半田盛り上がり部７とを備え、この半田盛り上がり部７に接触した状態で外周を囲むように、半田の広がりを抑える絶縁樹脂からなる抑え壁８ａと、この抑え壁８ａと同一の絶縁樹脂からなり、抑え壁８ａのそれぞれを繋ぐ連結体８ｂとを設けたため、外部環境の温度変化によって回路基板１が膨張、収縮しても、連結体８ｂ全体に歪みが分散すると共に、この分散によって抑え壁８ａへの歪みの集中が緩和されて、半田盛り上がり部７の剥がれの無いものが得られる。 （もっと読む）

【課題】基板のリフローによる信頼度低下を防ぎ、製品の歩留まりとコストの低下を図ったＦＣパッケージ構造及びその製作方法を提供する。
【解決手段】表面に複数の接続パッド６２が設けられた複数のＩＣ基板ユニット６０ａを有する基板６０を提供し、パターンのある絶縁層６４を形成して基板６０と接続パッド６２を覆わせ、更に各接続パッド６２の上表面を一部露出させる孔を形成し、孔に導電材６８を充填し、下表面に複数の導電バンプ７２が設けられた複数のチップ７０を提供し、チップ７０をＩＣ基板ユニット６０ａの表面に接着し、基板６０を切断して、表面に少なくとも一枚のチップ７０を有する複数のＦＣパッケージ構造に分けるステップを含む。 （もっと読む）

絶縁材料層（１）及びその絶縁材料層の表面上における導電層を含む据付基部を用いる電子モジュール及びその製造方法。導電層は、コンポーネント（６）の据付キャビティも覆う。コンポーネント（６）は、接点領域が導電層に向くように、かつコンポーネント（６）の接点領域と導電層との間に電気的な接点が形成されるようにして、据付キャビティ内に据え付けられる。この後、コンポーネント（６）を取付けた導電層から、導電パターン（１４）を形成する。
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本発明は、印刷回路基板パネルなどの電気基板（１５０）にバンプ付きフリップチップ（１１０）などのエリアアレイデバイスを取り付ける方法を提供する。電気基板（１５０）の一部分にアンダーフィル材料（１４０）を塗布し、このアンダーフィル材料（１４０）をアンダーフィル材料ステージ温度まで加熱する。相互接続表面（１１２）を備えるバンプ付きエリアアレイデバイス（１１０）が設けられる。バンプ付きエリアアレイデバイス（１１０）の相互接続表面（１１２）を塗布済みアンダーフィル材料（１４０）の近くに位置決めする。このバンプ付きエリアアレイデバイス（１１０）を加熱して、電気基板（１５０）に接続バンプ（１２０）を電気的に接続する。
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【課題】 外部接続端子或いは半導体素子載用端子を、鉛の使用量を低減した端子で構成し環境問題の改善を図ると共に、端子の微細ピッチ化を達成することのできる半導体パッケージ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 複数の絶縁樹脂層からなる基板と、基板の最上面に形成された半導体素子搭載用端子１８と、最下面上に形成された外部接続用端子１２とを有する半導体パッケージにおいて、外部接続用端子１２は、パッケージの最下面から下方に突出したバンプとして構成され、バンプの内部は絶縁樹脂１４で充填され、表面は金属１６で覆われ、この金属と半導体素子搭載用端子１８との間を電気的に接続する導体ビア２６ａを含む配線２４、２６とを具備する。 （もっと読む）