【課題】ＣＯＦ型半導体パッケージを提供する。
【解決手段】下部絶縁層１０と、下部絶縁層１０上に形成され、終端が中央部分に集合されるように配置された複数個のリード１２と、リード１２の終端を除いてリード１２を被覆する表面絶縁層１４と、リード１２の終端上に接着されるチップ１８と、チップ１８とリード１２との間の空間を埋め込むアンダーフィル層１６と、下部絶縁層１０の下部面上に付着された下部放熱パッド２０と、を備え、チップ１８を覆う上部放熱パッドをさらに備え、放熱パッド上には補強部材がさらに備えられるＣＯＦ型半導体パッケージである。 （もっと読む）

【課題】半導体部品のフリップチップ実装の歩留まりを向上させ、さらに高信頼が得られる半導体実装用基板とその実装構造を提供する。
【解決手段】本発明の半導体実装用基板は、電極ランド４の下に基板３における層間接続用ビア電極８が設けられ、このビア電極８によって電極ランド４の表面に突起９が形成されたものであり、半導体部品１のはんだバンプ７の高さばらつきを吸収し高歩留まりで実装可能であり、また、使用するはんだ量を削減できるため、はんだの再溶融時のはんだ流出を防止できるものである。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い導体パターンが形成された配線回路基板を提供すること。
【解決手段】ＪＩＳ Ｇ０５５１により規定される粒度番号が１０．１〜１３．０の金属箔からなる金属支持層２の上に、絶縁層３を形成し、その絶縁層３の上に、ピッチＩＰが３０μｍ以下に設定されている複数のインナリード７を含む導体パターン４を形成し、その後、導体パターン４の形状の良否を反射型光学センサ２４により検査する。その後、被覆層１１および開口部１６を形成することにより、ＴＡＢテープキャリア１を得る。 （もっと読む）

【課題】基板上の配線と不良なく電気的に連結されるチップ及びこれを具備した平板ディスプレイ装置を提供する。
【解決手段】本発明のチップは、複数個のバンプを具備したチップにおいて、前記チップのバンプの前記チップから突出した高さが異なることを特徴とする。また、本発明の平板ディスプレイ装置は、基板と、前記基板上に配置されたディスプレイ部と、前記基板上に配置された複数本の配線と、前記配線に電気的に連結されたバンプを有するチップと、を具備し、前記基板の上面から前記配線の上面までの高さが異なり、前記チップのバンプの前記チップから突出した高さが異なり、前記各配線の上面と、前記各配線に電気的に連結されたバンプの端部面との間の距離が一定であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】マルチチップモジュール（multi-chip module −ＭＣＭ）技術を用いて空気絶縁クロスオーバーを改善した集積回路デバイスを提供する。
【解決手段】集積回路デバイスの空気絶縁型クロスオーバー相互接続領域は、クロスオーバー相互接続用基板５１を有し、前記クロスオーバー相互接続用基板５１は、相互接続用ランナー６１上に形成したアンダーバンプ金属化層５８である接点部位とチップ上の接点部位を接続するハンダバンプ５６相互接続構造を具備する。 （もっと読む）

電子デバイスを接触させるための相互接続要素（１６０；１６０’）の製造方法を提案する。この製造方法は第１基板（１０５）の主面（１１０）上に複数のリード（１３０）を形成する工程で始まる。各リードは第１端部（１３０ａ）と第２端部（１３０ｂ）とを有する。各リードの第２端部は第２基板（１４０）に結合される。次に、第１基板と第２基板との間でリード（１３０’）が伸びるように第２基板と第１基板とを離して間隔をあける。本方法はまた、主面上のリードの付着力を制御するためにリードを形成する前に主面を処理する工程を含む。
（もっと読む）

【課題】部品間の接合の信頼性及び歩留りを向上させる半導体装置を提供すること。
【解決手段】第１の導体線路４２ａ及びこれに接続された複数の第１の並列導体線路を具備する第１の部品３０と、第１の導体線路４２ａと同一機能をなす第２の導体線路４４ａ及びこれに接続された複数の第２の並列導体線路を具備する第２の部品３５と、第１の並列導体線路と第２の並列導体線路とを電気的に接続する複数のバンプ電極４０Ａ、４０ａとを有し、第１の部品３０と第２の部品３５とがバンプ電極４０Ａ、４０ａによって接合される。 （もっと読む）

【課題】ＰＯＥ（Pad On Element）技術と千鳥状の電極パッド配列とを採用したＣＳＰ（Chip Size Package）型の半導体装置において、半導体チップのサイズ増大要因をなくす。
【解決手段】半導体チップ１０の表面上のコーナーセル１１に隣接して、周縁部に並ぶように入出力セル１２を、各入出力セル１２の上に電極パッド１３をそれぞれ形成する。電極パッド１３は、千鳥状のパッド配列をなすように内側パッド列と外側パッド列とを構成する。ただし、内側パッド列を構成する電極パッド１３のうちコーナーセル１１の両側に隣接する所定範囲内の電極パッド配設を省略することにより、半導体チップ１０にバンプ接続されるキャリア２０の配線パターン２１及びビア２２の錯綜を防止する。 （もっと読む）

【課題】簡易な方法で電子部品を静電気放電から保護しつつ実装できるようにする。
【解決手段】集積回路１０は、コンデンサ素子１４の電極１６ａ、１６ｂが実装端子１２ａ、１２ｂに接続してある。集積回路１０は、実装端子１２（１２ａ、１２ｂ、………）が実装基板２０の接続端子２２（２２ａ、２２ｂ、………）に接合される。集積回路１０を実装基板２０に実装する際、接続端子２２ａ、２２ｂに接続してある部品端子２４ａ、２４ｂを回路ユニット３０によって相互に電気的に接続し、接続端子２２ａ、２２ｂを同電位にしておく。集積回路１０の実装端子１２と実装基板２０の接続端子２２とを接合したのち、回路ユニット３０を上昇させて部品端子２４ａ、２４ｂ間の電気的接続を遮断する。 （もっと読む）

【課題】レジスト膜の削除部にボイド（気泡）の無い半導体部品の取付方法、及びその取付構造を提供すること。
【解決手段】本発明の半導体部品の取付方法において、延設パターン３がランド部２から本体部６の一側面６ａ側に向かって延び、一側面６ａ側からアンダーフィル９を注入することによって、アンダーフィル９がレジスト膜４の削除部４ａの縁部に沿って回り込み始めると同時に、アンダーフィル９の注入側から延設パターン３を介して削除部４ａ内に流入するようになり、従って、削除部４ａ内のボイド（気泡）を無くすることができる。 （もっと読む）

【課題】 製品の冷熱サイクル試験などにおける信頼性が向上するとともに工数を増加させることなくアンダーフィルの充填を確実に行える電子部品装置を提供する。
【解決手段】 複数のバンプ８を有するエリアアレイ７と、エリアアレイ７を載置する絶縁基板１と、絶縁基板１の外層おいて各バンプ８に対応して行及び列方向に配置され、各バンプ８に接続された複数の導体ランド４と、各導体ランド４を取り囲み、隙間を設けた絶縁層６と、絶縁基板１の内層側に設けられた導体パターンと、絶縁基板１の外層に設けられた接続端子と、導体ランド４と導体パターンとを、かつ、導体パターンと接続端子とをそれぞれ絶縁基板１のビアホール５を介して電気的に接続した接続手段と、絶縁層６の隙間に注入して設けられた充填材１０とを備えるようにした。 （もっと読む）

【課題】配線基板と半導体チップの接続の信頼性を向上させることができる配線基板及びフリップチップ実装構造を提供する。
【解決手段】配線基板２には、配線導体２１が所定間隔に設けられており、その先端部に半導体チップ３が搭載される。半導体チップ３と配線導体２１とは、バンプ４を介して接続される。配線導体２１は、バンプ４との接続部２１ａから所定長を延伸して構成されたダミー配線導体部（気泡把持部）２１ｂを有する。ダミー配線導体部２１ｂは、配線基板２と半導体チップ３の間に注入された熱硬化性樹脂に発生した気泡３０１が、配線導体２１へ進入するのを阻止する。 （もっと読む）

【課題】数種類の半導体集積回路チップをモジュール基板に搭載して組み立てる工程数を少なくすることによって歩留まりや信頼性の向上に寄与する。
【解決手段】モジュール基板（１０）には、高さ寸法がほぼ等しい半導体集積回路チップ、例えば同種の半導体集積回路チップのグループ毎にそれら半導体集積回路チップを一列に並べて実装可能なように実装パッドをグループ化して配列する。そして、前記グループ化された実装パッド毎に異方導電性フィルム（６６Ａ，６６Ｂ）を貼り付け、貼り付けられた異方導電性フィルムを介して実装パターンと半導体集積回路チップのバンプ電極とを導電接続する。これにより、グループ毎に複数個の半導体集積回路チップを一括して異方導電性フィルムに圧着加熱することができる。 （もっと読む）

【課題】高い弾性率と機械的強度を有し、熱履歴による歪や接続不良を起こさないテープキャリア型半導体パッケージの絶縁基材を使用することで、耐久性で高精度などの優れた特性を有する表示機器を提供する。
【解決手段】テープ基板上に複数の半導体チップが搭載されたテープキャリア型半導体パッケージを介して駆動信号を受ける直視型薄型表示素子を用いた表示機器であって、該テープキャリア型半導体パッケージの絶縁基材が３００℃でのカール度１０％以下のポリイミドフィルム、中でもベンゾオキサゾール構造を有する芳香族ジアミン類と、芳香族テトラカルボン酸無水物類とを反応させて得られるポリイミドベンゾオキサゾールを主成分とする線膨張係数が２〜１５ｐｐｍ／℃のポリイミドフィルムである表示機器。 （もっと読む）

【課題】 高温に耐えるハンダ流れ防止手段を用いて、熱電素子と基板との接合部を適正状態に形成することにより性能低下を防止できる熱電変換モジュールを提供すること。
【解決手段】 上下に下側基板１１と上側基板１２を配置し、下側基板１１の一端部側部分の上面に、下側基板１１の上面に形成された下部電極１３のうちの一端両側の下部電極１３から連続して延びるボンディング部１６を形成した。そして、下部電極１３とボンディング部１６とを、銅層１３ａ，１６ａの上に、ニッケル層１３ｂ，１６ｂおよび金層１３ｃ，１６ｃを積層して構成し、金層１３ｃ，１６ｃにおける下部電極１３とボンディング部１６との間の部分に隙間１７を設けた。また、金層１３ｃ，１６ｃの隙間１７の長さを１０μｍに設定した。さらに、下部電極１３の金層１３ｃを熱電素子１５の端面よりも大きくした。 （もっと読む）

【課題】バンプ形成を行うことで基板内配線を可能とするバンプ付の基板やテープキャリア基板等の基板およびその形成方法および半導体装置を提供する。
【解決手段】外部接続用の複数の棒状のリード２ａと、各棒状のリード２ａと半導体チップとを接合するための接合用のバンプ５ａと、内部接続用の複数の十字状のリード２ｂと、各十字状のリード２ｂの相互間および十字状のリード２ｂと棒状のリード２ａとを導通するための導通用のバンプ５ｂとを備え、内部接続用の十字状のリード２ｂと導通用のバンプとにより任意の外部接続用の棒状のリード２ａ間を導通する基板内配線を形成する。 （もっと読む）

【課題】半導体チップの電極パッドの配列が疎ピッチである場合の、半導体チップの実装時におけるインナーリードへの応力集中を緩和して、インナーリードの断線が抑制される配線基板を提供する。
【解決手段】可撓性の絶縁性基材１と、絶縁性基材上に配列され、半導体チップ２が搭載される領域に配置された端部によりインナーリード４を形成する複数本の導体配線と、各導体配線におけるインナーリードに設けられた突起電極５とを備える。インナーリードに対応する形状およびピッチでインナーリードと整列させて配置され、突起電極に対応するダミー突起電極７が設けられたダミーインナーリード６と、１本または隣接する複数本のダミーインナーリードの組に対応して設けられた１本の幹導体配線８と、幹導体配線から分岐して対応する組の各ダミーインナーリードと接続された分岐配線９とを備える。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い電子部品を製造する方法、及び、信頼性の高い電子部品を製造することを可能にする配線基板を提供する。
【解決手段】電子部品の製造方法は、ベース基板１０と、ベース基板１０に形成された配線パターン２０とを有する配線基板１００を用意する工程と、配線基板１００を切断する工程とを含む。配線パターン２０は、複数の配線２４を有する。配線２４は、第１の部分２５と、第１の部分２５よりも幅及び厚みの少なくとも一方が小さい第２の部分２７とを有する。配線基板１００を切断する工程で、配線２４の第２の部分２７を切断する。 （もっと読む）

【課題】
端子パッドが形成されている領域と、それ以外の領域とで配線密度の差があっても、端子パッドに均一な大きさの半田バンプを形成することができる配線基板を提供する。
【解決手段】
端子パッドと、高密度導体部と、端子パッドの間に位置するダミーパターンを備える。これら端子パッド、高密度導体部、ダミーパターンは同一の導電層によって構成されている。高密度導体部は、端子パッドが形成されているパッド領域よりも配線密度が高い。ダミーパターンは、パッド領域の配線密度を高めることにより、パッド領域と高密度導体部との間にできる、ソルダーレジスト表面の凹凸を減少させる。これにより、半田印刷をした際に半田のボリュームを均一にすることができる。 （もっと読む）

低い抵抗値および低いインダクタンスを有する高電流半導体デバイス（たとえば、３０から７０Ａ用ＱＦＮ）は第２のリード表面（１１０ｂ）がカプセル化されないままとされるように成形コンパウンド（４０１、およそ０．９ｍｍの高さ４０２）によりカプセル化される。熱伝導性接着剤（４０３）を使用して銅ヒートスラグ（４０４）をチップ表面（１０１ｂ）に取り付けることができる。オーバコート（１０３）により保護されたチップ表面（１０１ａ）はメタライゼーショントレース（１０２）を有する。銅充填窓がトレースおよびそれと平行な銅層（１０５）とコンタクトする。１本の配線のバンプが隣接する配線のバンプ間のほぼ中間に位置決めされるように、銅バンプ（１０８）が規則正しい反復配列で各配線上に形成される。基板は配線に直角な向きとされた細長いリード（１１０）を有し、リードは交互する配線の対応するバンプを接続する。
（もっと読む）