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Fターム[5F044KK09]の内容

ボンディング (23,044) | フェイスダウンボンディング用配線基板 (5,003) | 配線パターン (129)

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両面配線 (24)

Fターム[5F044KK09]に分類される特許

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【課題】 配線パターンの引き回しが容易になったり、基板の小型化を図ったりすることができる半導体素子の実装構造等を提供する。
【解決手段】 基板に対して、フェイスダウンボンディングするためのバンプ電極群を備えた半導体素子と、基板上の配線パターンと、を電気接続した半導体素子の実装構造等であって、バンプ電極群が、半導体素子の一辺に沿って配列された第1のバンプ電極列と、半導体素子の対向する一辺から所定距離だけ離して、実質的に直線状に面内配置された第2のバンプ電極列とを含み、基板上に、第1のバンプ電極列に対応した第1の配線パターンと、第2のバンプ電極列に対応した第2の配線パターンとがそれぞれ形成してあり、かつ、鉛直方向に眺めた場合に、第1の配線パターンが半導体素子の一辺と交差するように引き出して形成してあるとともに、第2の配線パターンが、半導体素子の一辺以外の複数辺と交差するように引き出して形成してある。 (もっと読む)


【課題】
ICの配置は変更しなくても、基板上のさまざまな接続に対する適合が、チップ上の使用されないはんだバンプをチップ動作を妨害しないパターン形成された誘電体によって分離するような、集積回路用の基板を提供することが課題である。
【解決手段】はんだバンプ技術を使用するICパッケージにおいて、ボンディング・パッドのアレイの下の基板の表面に置かれた金属層が枝分かれし、選択された位置でその軸からはずれて、電気的な連続性を維持するとともに、それらの位置の絶縁はんだマスクの高さを低くする。
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【課題】第1の回路基板と第2の回路基板に配線された差動伝送路が、第1の基板の少なくとも一方の面に設けられたパッドと、それに対向する第2の回路基板の面に設けられたパッドと、そのパッド間に挿入された導体バンプによって接続する回路基板の実装構造において、半導体装置と回路基板、或いは回路基板同士で高周波信号の差動伝送をする際に生じる反射を低減し、高密度接続の容易性を損なうことなく、信号信頼度の高い回路基板の実装構造を提供する。
【解決手段】第1の回路基板の信号用の前記パッドに対面する位置における第1の回路基板のグランドプレーンは排除され、信号用の前記パッドに近接するグランドプレーンの排除された輪郭の一部が、対応するパッド形状の相似形であることを特徴とする回路基板の実装構造。 (もっと読む)


【課題】本発明は半導体チップが発生する熱を放熱する放熱手段を有した半導体装置に関し、フリップチップ接合されても半導体チップで発生する熱を確実に放熱することを課題とする。
【解決手段】半導体チップ12と、半田ボール15が形成された基板13と、半導体チップ12の回路形成面22と対向するよう半導体チップ12と基板13との間に放熱機能を有するインターポーザ11Aを配設する。このインターポーザ11Aは、半導体チップ12と基板13とをビア20により電気的に接続すると共に、半導体チップ12で発生した熱を放熱する。 (もっと読む)


【課題】 半導体デバイス等の各種デバイスを高密度に搭載することができ、高速配線化及び高密度微細配線化が容易で、信頼性が優れた配線基板、この配線基板を使用する半導体パッケージ、及びこの配線基板の製造方法を提供する。
【解決手段】 配線基板13において、基体絶縁膜7を設ける。基体絶縁膜7の膜厚は3乃至100μmとし、温度が23℃のときの破壊強度を80MPa以上とし、温度が150℃のときの弾性率を2.3GPa以上とする。また、温度が−65℃のときの破断強度をa(MPa)、温度が150℃のときの破断強度をb(MPa)とするとき、比(a/b)の値を2.5以下とし、温度が−65℃のときの弾性率をc(GPa)とし、温度が150℃のときの弾性率をd(GPa)とするとき、破壊強度a及びb並びに弾性率c及びdが下記数式を満たすようにする。
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