【課題】信号特性の劣化を抑制した半導体チップを提供する。
【解決手段】半導体基板１１の少なくとも一方の面に形成された終端パッド１５と、一端が終端パッド１５と接続されて、半導体基板１１を貫通して形成された伝送体１４と、ミリ波帯高周波信号が伝送体１４を伝送した際の信号特性の劣化を抑制する少なくとも１つ以上の信号劣化抑制部と、を備える。また、上記半導体チップ１０と、低周波信号又は直流バイアスの少なくとも１つの信号の伝導路をなす低周波用の信号線路が設けられると共に、半導体チップ１０がバンプ接続に搭載されて、低周波信号用の信号線路を介した信号を半導体チップ１０に入出力されるチップ搭載基板２０とを備える。 （もっと読む）

【課題】配線基板と、その表面にＡＣＦやＮＣＦを介してフリップチップ実装された第１電子部品と、裏面にフリップチップ実装された第２電子部品とを含む接続構造体を一括でできる方法を提供する。
【解決手段】配線基板１の表面に、第１接着フィルム２を介して第１電子部品３を仮設置する工程；配線基板１の裏面に、第１接着フィルム２の硬化温度よりも低い硬化温度を有する第２接着フィルム４を介して第２電子部品５を仮設置する工程；第１電子部品３及び第２電子部品５が仮設置された配線基板１を、圧着受け台に載置する工程；及び第１電子部品３を、配線基板１に対して第１電子部品３側から加熱加圧ツールで押圧しながら加熱することにより、配線基板１の表面及び裏面に第１電子部品３及び第２電子部品５をそれぞれ一括で実装する工程を有する。 （もっと読む）

【課題】フレキシブル配線基板を折り曲げることで裏面電極を形成する半導体装置のコプラナリティを高くして、電極の相対的位置精度を向上させることができる、接続信頼性の高い半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】複数のＬＳＩチップＣ１〜Ｃ３が搭載されたフレキシブル配線基板１０と、該フレキシブル配線基板１０上の複数のＬＳＩチップＣ１〜Ｃ３を覆うように設けられた複数の支持体２０〜２２と、該支持体支持体２０〜２２の周囲で該支持体２０〜２２を包むように前記フレキシブル配線基板１０が折り曲げられた状態で、前記フレキシブル配線基板１０の上面及び下面に配置された外部端子１３と、を有し、前記支持体２０〜２２は、前記フレキシブル配線基板１０を折り曲げた際に、裏面２０Ａ〜２２Ａ同士が互いに接触した状態で、接着層１１により結合されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ドライバの半導体集積回路装置の出力端子数が増加しても、半導体集積回路装置内部の配線層による電圧降下を防止する。
【解決手段】第１の配線層と第２の配線層とが形成されたフィルム基板と、前記フィルム基板上にチップオンフィルム方式で実装された半導体チップとを有し、前記第１の配線層と前記半導体チップの出力端子とが電気的に接続され、前記第２の配線層によって、前記半導体チップの複数の端子同士が電気的に接続されており、前記第２の配線層を介して、前記半導体チップの電源、或いはクロックが伝達される。前記第２の配線層は、前記半導体チップと前記フィルム基板との間に形成される。 （もっと読む）

【課題】導電部材のバリを有さない半導体装置を提供する。
【解決手段】配線基板２と、機能素子４が形成された機能面３ａを有し、この機能面３ａを配線基板２の一方表面に対向させて、この一方表面との間に所定間隔を保持して接合されかつ電気的に接続された半導体チップ３と、配線基板２の一方表面上に形成され、配線基板２の端面２ｅとほぼ面一の端面を有する導電膜６と、配線基板２と半導体チップ３との間および導電膜６上に形成された封止樹脂層７とを含み、半導体チップ３において、機能面３ａと反対側の面は露出している半導体装置。 （もっと読む）

【課題】アンダーフィル層と基板の絶縁層との密着性が劣る従来のフリップチップ用基板の課題を解決する。
【解決手段】電子部品としての半導体素子３２の電極端子３４とフリップチップ接続され、且つ搭載された半導体素子３２との間の隙間にアンダーフィル材が充填されてアンダーフィル層３６が形成されるフリップチップ用基板１０であって、前記基板１０の半導体素子搭載面に露出して、半導体素子３２の電極端子３４とフリップチップ接続されるパッド面を具備する搭載用パッド２４と、搭載用パッド２４から延出され、前記基板１０を形成する絶縁層２８によって被覆されたパターン２０とが形成され、少なくとも搭載用パッド２４のパッド面を除いた、パターンを２０被覆する絶縁層２８の全表面が、絶縁層２８とアンダーフィル層３６とに密着性を呈するソルダーレジスト３０によって覆われている。 （もっと読む）

【課題】１個のＣＣＤのみ有するＩＬボンダーで組立ができる両面ＣＯＦを提供する。
【解決手段】ＣＯＦ（チップ・オン・フィルム）パッケージ構造３００は、第一表面３１２と、第一表面の反対側にある第二表面３１４を有する基板３１０と、前記基板の第一表面に設置され、バンプ接合用の第一指定パターン３２２を備える第一導電ホイル３２０と、前記基板の第二表面に設置され、第二指定パターン３５２を備える第二導電ホイル３５０とを含む。前記第二指定パターンの面積は第一指定パターンの面積以上である。 （もっと読む）

【課題】半導体チップと基板との間の隙間に充填されるアンダーフィルが不所望領域へ広がりにくい半導体モジュールの製造方法を提供すること。
【解決手段】フリップチップ実装された半導体チップ５と対向する基板１上の銅箔パターン２（電極２０群やグラウンド電極２１）がビア導体３を介して基板１の底面側の銅箔パターン２（電極２２群やグラウンド電極２３）と導通されており、この底面側の銅箔パターン２に熱源８を接触させた状態で、半導体チップ５と基板１との間の隙間に液状のアンダーフィル６を注入して充填させる。また、基板１上には予め所定領域に半田レジスト膜４を形成しておき、半導体チップ５と対向する方形状領域Ａに形成された半田レジスト膜４の外周部で基板面露出部１０に隣接する枠状部分４ａが、銅箔パターン２と重なり合わずに半導体チップ５の実装領域を全周に亘って包囲するようにしておく。 （もっと読む）

【課題】ＩＣとプリント基板の接触面積を増大させて密着力を向上させるプリント基板を提供する。
【解決手段】少なくとも一つ以上のビアランド４ａを含む第１回路パターン４が上面と同一面になるように上部に埋め込まれ、前記ビアランド４ａと対応する位置に形成された第２回路パターン８が下面と同一面になるように下部に埋め込まれた絶縁層２；前記絶縁層２上に積層されたソルダレジスト層１２；前記ビアランド４ａと前記第２回路パターン８を電気的に接続するために、前記絶縁層２に形成されたビアホール６；及び前記第２回路パターン８上に、前記ビアホール６及びビアランド４ａを貫通する一体型に形成され、前記ソルダレジスト層１２より高い高さを有するように前記絶縁層２の上面上に突設されたバンプ１０；を含む。 （もっと読む）

【課題】
層間接続部分の銅めっきを厚く突出させなくても十分な接続を得ることができるようなテープキャリアの製造方法を提供すること。
【解決手段】
両面に銅層を有し、銅層との接合に接着剤を用いないポリイミドフィルム１の片面あるいは両面の銅層３に、フォトエッチングによりビア開孔用パターンを形成し、該パターンをマスクとしてレーザーによりブラインドビア９を形成した後、配線パターンをフォトエッチングで形成し、さらに層間接続に対して不必要な部分をマスキングした後、該ブラインドビアに対して、ビア側面に導電化処理することなしにビア底面よりめっき１４を析出させることにより、ビア内部をめっきで埋め、上面の銅層と電気的な接続をとるようにした両面配線テープキャリアを製造するに際し、めっき前に上面の銅層を化学研磨する。 （もっと読む）

【課題】両面または多層の配線基板に半導体チップをフリップチップ方式を用いて実装される半導体装置において、半導体チップと配線基板との接合状態を安定させ、高い接続信頼性を有する半導体装置、およびそれに用いる両面または多層の配線基板を提供する。
【解決手段】半導体装置１は、略矩形状の一主面の対向する二辺に複数の電極パッド５５ａ〜５５ｈが形成されたＩＣチップ５０と、前記電極パッドと対応するＩＣ接続端子３５ａ〜３５ｈが形成された多層配線基板１０とを有している。複数のＩＣ接続端子３５ａ〜３５ｈと対応する電極パッド５５ａ〜５５ｈとは、それぞれ半田バンプ５６ａ〜５６ｈにより接合されている。電極パッド５５ａ〜５５ｈと対応するＩＣ接続端子３５ａ〜３５ｈの直下には、接合部支持ビア３６ａ〜３６ｈが、各接合部支持ビアの中心点Ｃ５ａ〜Ｃ５ｈを結んで形成される多角形Ｔ１の略中心にＩＣチップ５０の重心Ｇがあるように配設されている。 （もっと読む）

【課題】ＩＣチップとインターポーザ基板との位置決めを効率よく実行できるＩＣチップ（液晶ドライバ）実装パッケージを提供する。
【解決手段】本発明の一実施形態である液晶ドライバ実装パッケージ１は、インターポーザ基板４ａを介してフィルム基材２と液晶ドライバ３とが接続している。液晶ドライバ３は、インターポーザ基板４ａとの対向面に第１アライメントマーク１１を有し、インターポーザ基板４ａは、液晶ドライバ３との対向面に第２アライメントマーク１２を有している。第１アライメントマーク１１と第２アライメントマーク１２とを、インターポーザ基板４ａの上記対向面に対して垂直方向からみると、互いが、液晶ドライバ３とインターポーザ基板４ａを貼り合せる際の貼り合わせ位置として許容できる範囲の距離ほど離間されている。 （もっと読む）

【課題】半導体の薄型化および高密化を実現する際に、半導体装置の反りが生じた場合においても、半導体装置と実装基板との間、および半導体装置間の接続歩留りおよび接続信頼性の高い半導体装置を提供することおよびそれを用いた積層型半導体装置、ベース基板、および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置１０は、外部部材との電気的接続を行う外部接続用端子２のための複数個の外部接続用ランド１がベース基板３に配列されている。各外部接続用ランド１は、実装時におけるベース基板３の反りに合わせて、その高さが配列箇所に応じてそれぞれ異なっている。 （もっと読む）

【課題】接続信頼性に優れた中継基板、および半導体素子と中継基板と基板とからなる構造体を提供する。
【解決手段】本発明の構造体１１は、半導体素子１５と中継基板２１と基板４１とからなる。中継基板本体３８の第１面３２には半導体素子１５が実装され、第２面３３は基板４１の表面上に実装される。中継基板本体３８の第１面２２側には複数の第１面側端子２８が配置され、第２面２３側には複数の第２面側端子２９が配置される。第１面側端子２８及び第２面側端子２９は互いに導通構造３０，３１，３２を介して導通している。半導体素子１５と、中継基板２１との間には、樹脂充填剤８１が充填されている。また、基板４１と、中継基板２１との間には、樹脂充填剤８２が充填されている。 （もっと読む）

【課題】信号配線を密に配置できる技術を提供する。
【解決手段】ベースフィルム３０の主面側に位置し、その縁部８に沿ってそれぞれ列設された第一、第二の接続パッド２２ａ、２２ｂのうち、第一の接続パッド２２ａには第一の信号配線１１ａを直接接続し、より縁部８に近い方の第二の接続パッド２２ｂには、第一の接続パッド２２ａの両側に貫通電極２６₁、２６₂を配置し、反対面で貫通電極２６₁、２６₂間を接続するジャンパー配線１２ａを介して第二の信号配線１１ｂを接続する。第二の信号配線１１ｂが第一の接続パッド２２ａの間を通らなくても済むので、第一の接続パッド２２ａ間を近接させることができ、その結果、配線基板１の信号配線の密度を高くすることができる。 （もっと読む）

【課題】外部端子部を保護し工程コスト及び時間の減少且つ製品信頼性の増加を図るＲＦＰＣＢ製造方法を提供する。
【解決手段】フレキシブル領域・リジッド領域を含むリジッドフレキシブルプリント基板（ＲＦＰＣＢ）の製法は、第１回路パターンが形成された第１軟性フィルムのフレキシブル領域に対応する第１回路パターンの一部分は保護フィルムで保護しリジッド領域に対応する第１回路パターン上面に絶縁層を積層してベース基板を形成する段階Ｓ１００、第２軟性フィルムを含む片面フレキシブル銅張積層板を前記ベース基板の両面に積層する段階Ｓ２００、フレキシブル領域に対応する銅箔層の部分を除去して第２軟性フィルムを露出させリジッド領域に対応する銅箔層部分が第１回路パターンと連結される第２回路パターンを形成する段階Ｓ３００、第２軟性フィルムのフレキシブル領域に対応部分を除去する段階Ｓ４００を含む。 （もっと読む）

【課題】半導体チップとの接続端子と実装領域内入出力端子の引き回し配線の密度を向上させた半導体チップ搭載用基板の製造法およびその半導体チップ搭載用基板を使用した半導体装置を提供する。
【解決手段】第１の金属層１上にこの金属層と選択エッチング可能な第２の金属層３が形成され、さらに第２の金属層３上に第１の金属層１と同じ組成の金属で厚さが第１の金属層１と異なる第３の金属層１’が形成された３層からなる金属箔において、第１金属層１に所定の大きさの突起電極群をエッチングにより形成する。この部材を用いて、この部材の突起群の表面を、別途準備した３層箔の第３金属層１’と対向せしめ、熱硬化可能な樹脂を介して、突起群の表面を第３金属層１’表面と加圧接触させる。上記の部材の最外層の第３金属側を少なくとも、はんだボール接続可能端子が形成されるようエッチングすることにより半導体チップ搭載用基板を製造する。 （もっと読む）

【課題】 実装基板として安価ではあるが熱膨張率が高いガラスエポキシ樹脂材料を使用しながらも、実装基板上のパッドと、回路部品の電極との間を半田接続した場合に、ヒートサイクル、振動、衝撃等に起因して、半田に亀裂が発生して接続不良、回路部品の脱落といった不具合が発生することを防止することができる表面実装型電子デバイスを提供する。
【解決手段】 高熱膨張材料から成る絶縁基板３、該絶縁基板上部に形成した配線パターン４、及び該絶縁基板底部に形成した実装電極５を備えた回路配線基板２上に、低熱膨張材料から成る絶縁容器２１、及び該絶縁容器底部に形成した底部電極２２を備えた回路部品２０を搭載した表面実装型電子デバイスにおいて、回路配線基板上の配線パターン上に、中熱膨張材料から成る絶縁基板１１の上部及び下部に夫々接続パッド１２、１３を備えた中間基板１０の該下部接続パッドを半田接続し、該中間基板の上部接続パッドに回路部品の底部電極を半田接続固定した。 （もっと読む）

【課題】接続信頼性が高い配線基板を提供すること。
【解決手段】本発明の配線基板１２は、フレキシブル基板５１及び接着層７１を備える。フレキシブル基板５１は基板主面５２及び表面導体５４を有する。接着層７１は、基板主面５２上に接着する第１主面７５、及び半導体回路素子２１が搭載される素子搭載部５６が設定された第２主面７４を有し、ビア孔７６内に導体柱７２が設けられる。なお、表面導体５４及び導体柱７２は直接接合されるため、表面導体５４と導体柱７２とが確実に導通する。 （もっと読む）

【課題】熱膨張による熱ストレスが生じてもはんだバンプの断線や半導体チップのはがれのない信頼性の高いＢＧＡ構造の半導体装置を提供する。
【解決手段】積層された複数の絶縁層１３、該複数の絶縁層それぞれの上面に設けられた複数の配線９、および異なる絶縁層上面に設けられた複数の配線を電気的に接続するために絶縁層に設けられた複数のビアホール１２からなるＢＧＡ基板１と、前記複数の配線にそれぞれ接続される複数の電極を有する半導体チップ２とを含んでなる半導体装置であって、前記複数の絶縁層の材料が、半導体装置が実装される実装基板の熱膨張特性にあわせられた有機系材料からなる半導体装置。 （もっと読む）