【課題】低いリフロー温度で信頼性良く接合できる接合部を備えた半導体装置、半導体装置の製造方法及び電子機器を提供する。
【解決手段】素子１１上に形成された第１電極１２と、基板２１上に形成された第２電極２２との上に、それぞれSn-Bi又はSn-Inを含むはんだ層１３、２３を形成し、これらのはんだ層１３、２３の間にSn-Ga合金ボール１４を、はんだ層１３、２３の融点よりも高く、且つSn-Ga合金ボール１４の融点よりも低い温度でリフロー接合する。リフロー接合の際にはんだ層１３、２３とSn-Ga合金ボール１４との界面にSn-Bi-Ga合金層１５又はSn-In-Ga合金層が形成され、Sn-Ga合金ボール１４からのGaを含む融液の拡散が阻止される。 （もっと読む）

【課題】ボンディング工程の前にはんだとCuとの迅速な反応によって形成される金属間化合物の成長を制御し、ボンディング工程の後に金属間化合物の成長を阻害する方法を提供する。
【解決手段】(i)基板を含み、その上に少なくとも一層の金属パッドを堆積させた基板要素を調製する工程であって、金属パッドの層上に少なくとも一つの薄層のはんだが堆積させられ、その後リフロー処理を実施する工程；および(ii)基板要素上に適宜の厚さのはんだのバンプをさらに堆積させる工程を含む金属間化合物の成長の阻害方法であって、薄いはんだ層の適宜の熱処理の後に、薄いはんだ層と金属パッド中の金属との反応によって薄い金属間化合物が形成されることを特徴とする金属間化合物の成長の阻害方法。薄い金属間化合物の形成は、金属間化合物の成長を遅らせ、金属間化合物の変換を防ぐことが可能。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の信頼性を向上させる。
【解決手段】フリップチップ接続工程で、突起電極４の先端面に予め取り付けられた半田材と、端子（ボンディングリード）１１上に予め塗布された半田材を加熱することで一体化させて電気的に接続する。ここで、端子１１は、第１の幅Ｗ１を有する幅広部（第１部分）１１ｗと、第２の幅Ｗ２を有する幅狭部（第２部分）１１ｎを有する。半田材を加熱すると、幅狭部１１ｎ上に配置される半田材の厚さは、幅広部１１ｗに配置される半田材の厚さよりも薄くなる。そして、フリップチップ接続工程では、幅狭部１１ｎ上に突起電極４を配置して、幅狭部１１ｎ上に接合する。これにより半田材のはみ出し量を低減できる。 （もっと読む）

【課題】テープ材の電子部品裏面への転写を実質的に無くし、そのテープ材の転写に起因して起こり得る不都合を解消すること。
【解決手段】予めテープ材４０（例えば、ＰＴＦＥ）を加熱しておき、さらにこのテープ材４０を耐熱性プレート５０に対し加圧した後、ツール３６との間に加熱されたテープ材４０を介在させて吸着保持した電子部品を、加熱圧着により、電子部品の電極端子が絶縁性接合材を通して基板の電極端子に接続されるよう実装を行う。 （もっと読む）

【課題】微細であっても密着力を確保したフリップチップ接続端子が形成可能であり、かつ半導体素子のバンプとのフリップチップ接続に必要なはんだ量を高精度に供給可能とすることにより、高密度化に対応可能で信頼性にも優れた半導体素子搭載用パッケージ基板の製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁層３上に上面が露出した埋め込み回路２によってフリップチップ接続端子を形成する工程（Ａ）と、このフリップチップ接続端子上にシート５、６上に保持したはんだ粒子７を押し付けて加熱・加圧する工程（Ｂ）と、前記はんだ粒子を前記フリップチップ接続端子上に移行させてシートを除去する工程（Ｃ）と、前記フリップチップ接続端子上に移行したはんだ粒子をリフローする工程（Ｄ）と、を有するパッケージ基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】接続信頼性の高い半導体装置を安定的に製造することができる半導体装置の製造方法および装置を提供すること。
【解決手段】複数の回路基板１の第一端子と、複数の半導体素子２のバンプとをそれぞれ対向配置させ、各第一端子と各バンプとの間に樹脂層３を配置して複数の積層体４を形成し、複数の積層体４を加熱しながら、複数の積層体４を同時に積層体４の積層方向から加圧する。このとき、複数の積層体４を加熱炉５１内で加熱しながら、加熱炉５１内に配置されたダイアフラム５４を複数の積層体４あるいは、複数の積層体４を挟圧するための部材５３１に当接させて弾性変形させることより、複数の積層体４を真空下で同時に積層体４の積層方向から加圧する。 （もっと読む）

【課題】 ビスマス（Ｂｉ）を含有するはんだ材料において、耐衝撃性を改善し接合信頼性を高める。
【解決手段】 はんだ材料は、スズ-ビスマス（Ｓｎ-Ｂｉ）合金と、銅（Ｃｕ）と、Ｘ−Ｙで表記される合金、を含み、前記Ｘは、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｓｎからなる金属元素グループから選択される少なくとも１つの金属元素であり、前記Ｙは、Ａｇ、Ａｕ、Ｍｇ、Ｒｈ、Ｚｎ、Ｓｂ、Ｃｏ、Ｌｉ、Ａｌからなる金属元素グループから選択される少なくとも１つの金属元素である。 （もっと読む）

【課題】積層する基板の電極端子同士の間での接合不良を防止できる３次元集積化技術を提供する。
【解決手段】基板１上にトランジスタ６と多層配線２、絶縁膜３を形成する。絶縁膜３に配線が露出するように開口部４を形成する。開口部内を含む絶縁膜上に、銅などからなる複数の導電体微粒子５を含む有機溶剤を回転塗布する。第１の熱処理により溶剤と有機成分を除去した後、ＣＭＰ法で外側部分の導電体微粒子を除去する。開口部内に導電体微粒子から構成された電極端子９が形成される。第２の基板５１の貫通電極５２を開口部に合わせ、加圧して押し合わせる。第１の熱処理より高温の第２の熱処理を行い、導電体微粒子を部分的に溶融させ、貫通電極と接合する。 （もっと読む）

【課題】半田接続部に生じる熱応力の緩和効果を維持しつつ、半田接続部の耐疲労性を向上させることを可能にした半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態においては、配線基板２の接続パッド４上にＳｎ合金からなる予備半田層１０を形成する。半導体チップ２の電極パッド５上にＳｎ合金からなる半田バンプ１３を形成する。予備半田層１０と半田バンプ１３とを位置合せしつつ接触させた後、予備半田層１０及び半田バンプ１３の融点以上の温度に加熱して溶融させ、Ａｇ及びＣｕを含むＳｎ合金からなる半田接続部６を形成する。予備半田層１０と半田バンプ１３のうち、予備半田層１０のみをＡｇを含むＳｎ合金で形成する。 （もっと読む）

【課題】
保存安定性に優れ、かつフリップチップ接続をした際にボイドの発生が充分に抑制され、良好な接続信頼性を得ることができる半導体封止充てん用エポキシ樹脂組成物、並びにこれを用いた半導体装置及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】
エポキシ樹脂、酸無水物、硬化促進剤、フラックス剤を必須成分とし、硬化促進剤が４級ホスホニウム塩である半導体封止充てん用エポキシ樹脂組成物、並びにこれを用いた半導体装置及びその製造方法。 （もっと読む）

【課題】半導体チップとの間における接触不良の発生が抑えられた信頼性の高い回路基板等を提供する。
【解決手段】半導体装置１００は、接合部であるはんだ２２Ａを有する半導体チップ２０と、第１の電極１３Ｂと、第１の電極表面に比して、大きな凹部を表面に有する第２の電極であるアンカー電極１３Ａ＿５と、を備えた回路基板１０を有する。回路基板において、アンカー電極は、縁部から延在する凹部を有し、凹部は、回路基板の周縁領域に配置され、周縁に向けて設けられる。 （もっと読む）

【課題】半導体素子の位置ずれを防止するとともに、はんだ内のボイドの残留も防止する。
【解決手段】枠体１に形成した凹部５に、凹部５周辺の枠体１表面から接合表面３ａを突出させた状態で半導体素子３を収納するとともに、枠体１の凹部５に対応して基板２の表面にはんだ４を配置した状態で基板２と枠体１とを位置決めして重ね合わせることにより、枠体１から突出している半導体素子３の接合表面３ａと基板２の表面との間ではんだ４を挟持して、その挟持部分を基板２と枠体１との隙間から外部に連通した状態とし、この重ね合わせ状態の基板２と枠体１との間ではんだ４をリフローさせて基板２に半導体素子３を接合する。 （もっと読む）

【課題】フィルム状にしたときの埋込性に十分に優れるとともに、接続信頼性に優れる半導体装置の作製を可能とする接着剤組成物、それを用いた接着剤シート、及び半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】（Ａ）熱可塑性樹脂と、（Ｂ）熱硬化性樹脂と、（Ｃ）潜在性硬化剤と、（Ｄ）無機フィラーと、（Ｅ）有機微粒子と、を含む、接着剤組成物。 （もっと読む）

【課題】フリップチップ接続タイプの半導体装置における信頼性の向上を図る。
【解決手段】フリップチップ接続タイプのＢＧＡの組立てにおいて、半導体チップ１をフリップチップ接続によって半田接続する時に、配線基板２の下面２ｂ側のランド２ｊの表面に半田プリコート３が形成されていることにより、ランド２ｊと外部端子である半田ボールとの接続が半田接続となるため、ランド２ｊと前記半田ボールとの接続部の耐衝撃性を高めることができ、前記ＢＧＡの信頼性の向上を図る。 （もっと読む）

【課題】半導体素子に設けられた突起電極と回路基板に設けられたはんだ電極とを接合する際に、突起電極とはんだ電極との位置ずれを低減し、突起電極を被覆した鼓状の接合電極を形成することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】突起電極１５が設けられた半導体素子１０と、固相液相共存領域を有する組成のはんだ電極２５ｃが設けられた回路基板２０とを、突起電極とはんだ電極とが対向するように位置合わせする第１工程と、はんだ電極を固相液相共存領域まで加熱し、所定時間保持する第２工程と、第２工程の後、はんだ電極を液相領域まで加熱する第３工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】下面に多数の端子を備えた電子部品をリフロー方式によって基板に実装する際、基板などの反りに起因する半田の接続不良や短絡を、信頼性を低下させたり、コストを増加させたりすることなく、確実に防止する。
【解決手段】多数の端子のそれぞれを対応するランドに対向配置させた状態で、各端子とランドとをリフロー方式によって半田付けする際、互いに対向する端子とランドとの間に供給する半田の量を、各端子とそれらに対応する各ランドのそれぞれの距離に応じて個別に増減する。 （もっと読む）

【課題】下面にバンプが設けられた電子部品を対象として接合強度を確保することができる電子部品実装方法および電子部品実装構造を提供する。
【解決手段】下面にバンプ７が半田により設けられた電子部品６を基板１に実装してなる電子部品実装において、半田粒子を第１の熱硬化性樹脂に含有させた半田接合材３を基板１に形成された電極２とバンプ７との接合に用いて、半田粒子とバンプ７が溶融固化した半田接合部７＊と半田接合部７＊を補強する第１の樹脂補強部３ａ＊を形成するとともに、半田粒子を含まない第２の熱硬化性樹脂を主成分とする接着剤４を電子部品６の外縁部６ａと基板１に設定された補強点との固着に用いる。これにより、半田接合材３と接着剤４とが混合した場合にも熱硬化性樹脂の正常な熱硬化が阻害されることがなく、下面にバンプ７が設けられた電子部品６を対象として接合強度を確保することができる。 （もっと読む）

【課題】コストの低減を図りつつ、半導体チップのバンプと基板のパッドとの良好な半田接合を得ることができ、かつ接合信頼性を向上させた半導体装置の製造方法およびこの方法に用いる圧力容器を提供する。
【解決手段】バンプ４を有する複数の半導体チップ３を基板１上にフリップチップ実装して半導体装置を製造する半導体装置の製造方法は、以下の工程を含む。複数の半導体チップ３を、各バンプ４が基板１上の各パッド２表面の半田層５上に載るように、基板１上に配置する工程。複数の半導体チップ３が基板１上に配置されたワークＷを圧力容器８に入れる工程。圧力容器８中の気圧を、ワークＷを加熱する際の最高温度における接着剤層６に含まれる溶剤の蒸気圧よりも高くし、この状態で、ワークＷをヒータ１２により加熱し、半田層５を溶融させる工程。 （もっと読む）

【課題】回路基板の製造方法及び半導体装置の製造方法に関し、金−はんだ接合方式に用いる基板配線上に形成する錫を含むはんだを、膜厚バラツキを抑制して厚付けする。
【解決手段】回路基板１の実装面に設けられた複数の接続部導体パターンの間に、金属置換により錫を含むはんだに置換可能な金属膜４を設けたのち、前記金属膜を金属置換により錫を含むはんだ５に置換し、次いで、前記置換した錫を含むはんだを溶融させて、前記接続部導体パターン間で分割するとともに前記接続部導体パターン表面に錫を含むはんだ６を厚付けする。 （もっと読む）

【課題】クラック発生の抑制されたはんだ接合部を形成することができる新規な電子装置の製造方法を提供する。
【解決手段】電子装置の製造方法は、電子部品２１の複数の電極２２上にはんだバンプ２３を形成する工程と、回路基板１の複数の電極２上に、回路基板１の面内の位置に応じてはんだ材料の供給量を変えて、はんだ部材４を形成する工程と、電子部品２１の複数の電極２２上のはんだバンプ２３と回路基板１の複数の電極２上のはんだ部材４とがそれぞれ接触するように、電子部品２１と回路基板１を対向させた状態で、加熱を行い、はんだバンプ２３とはんだ部材４とを溶融させて、電子部品２１と回路基板１とを接合する工程とを有する。 （もっと読む）