【課題】バンプを有する第１の部品を、当該バンプを介して第２の部品に接合してなるバンプ接合構造体の製造方法において、沈み込み量のばらつきを抑制して安定した接合が実現できるようにする。
【解決手段】バンプ１３への超音波振動の印加を開始し、当該超音波振動の印加を続けながら、第１の荷重Ｆ１よりも大きい第２の荷重Ｆ２を、第１の部品１０および第２の部品２０に印加することにより、第１の工程の終了時点よりも更に第２の部品２０側へ第１の部品１０が沈み込むようにバンプ１３を潰して接合させる第２の工程において、第１の部品１０の第２の部品２０側への沈み込みによる変位量を沈み込み量としたとき、第２の工程では、第２の工程における沈み込み量ｘ２をモニタし、当該沈み込み量ｘ２が所定値になった時点で、超音波振動の印加を停止し、第２の荷重Ｆ２の印加のみとする。 （もっと読む）

【課題】 より最適に半導体ウエハ同士の接合を行うことができる基板張り合わせ方法を提供する。
【解決手段】 基板張り合わせ方法は、第１条件下で、第１基板（Ｗ１）と第２基板（Ｗ２）とのそれぞれ被加工領域毎（ＥＳ）に設定された計測点のうち、予め選択された所定数のサンプル計測点（ＳＡ）の位置を計測する計測工程（Ｐ１１、Ｐ１２）と、サンプル計測点の計測位置を演算パラメータとして統計演算を行い、第１基準マーク及び第２基準マークを基準としたそれぞれの被加工領域の配列のオフセットなどを算出する算出工程（Ｐ１３）と、第１条件とは異なる第２条件下で、第１基板及び第２基板に対して表面を活性化させる表面活性工程（Ｐ１５）と、第２条件下で、第１基準マーク及び第２基準マークを観察しながら、算出工程の算出結果に基づいて第１基板と第２基板とを重ね合わせる重ね合わせ工程（Ｐ１８、Ｐ１９）と、を備える。 （もっと読む）

【課題】電子デバイスを小型化、低背化し、且つコストを低減する手段を得る。
【解決手段】電子デバイスは、第１の電子素子２０と、第１の電子素子２０を搭載する絶縁基板１１と、を備えた電子デバイスであって、絶縁基板１１は一方の主面に第１の電子素子２０を搭載する電極パッド１２を有すると共に、他方の主面に実装端子１３を備え、第１の電子素子２０に設けた端子と電極パッド１２とは、接続用導電部材１５を介して導通接続されている。 （もっと読む）

【課題】接着フィルムと半導体ウエハとを貼り合わせる際のボイドを抑制し、高い接合信頼性を実現することのできる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】接着フィルムの接着剤層と半導体ウエハとを１ｃｍ以下のクリアランスで対向させる工程と、５０〜１００℃、１００００Ｐａ以下の加熱真空下、前記接着フィルムの接着剤層と前記半導体ウエハとを０．１〜１ＭＰａの圧力で貼り合わせる工程と、接着剤層付きの半導体ウエハを得る工程と、前記接着剤層付きの半導体ウエハを接着剤層付きの半導体チップに個片化する工程と、前記接着剤層付きの半導体チップを実装する工程とを有し、前記接着フィルムの接着剤層は、半導体ウエハに貼り合わされる側の表面のプローブタック法で測定したタック値が、貼り合わせ温度において１００ｇｆ／５ｍｍφ以上である半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】積層された半導体ウエハーが備える接続部間の電気的な接続を安定的に行い得るとともに、効率よく複数の半導体素子を製造し得る半導体ウエハーの接合方法および信頼性の高い半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の半導体ウエハーの接合方法では、半導体ウエハー２１０と半導体ウエハー２２０との間に、フラックス活性を有する硬化剤と、熱硬化性樹脂とを含む接合層６０を介在させて、半導体ウエハー２１０、２２０が積層された半導体ウエハー積層体２３０を得た後に、半導体ウエハー積層体２３０を、加熱しつつ、その厚さ方向に加圧することにより、半田バンプ２２４を溶融・固化するとともに、前記熱硬化性樹脂を硬化して、半導体ウエハー２１０と半導体ウエハー２２０とが固着することにより、接続部（半田バンプの固化物）２２５で、接続部２１２と接続部２２２とが電気的に接続された半導体ウエハー接合体２４０を得る。 （もっと読む）

【課題】好適に空間を封止することが可能な電子部品の実装構造体を提供する。
【解決手段】実装構造体１は、支持部材５と、該支持部材５上にバンプ８を介して実装された複数の圧電素子７と、複数の圧電素子７を共に覆い、複数の圧電素子７と支持部材５との間の空間Ｓを密閉する封止樹脂（樹脂部９）とを有する。複数の圧電素子７は、隣り合う圧電素子７の下面１９ａ間の距離ｄ１が下面１９ａよりも上方側の所定位置間（例えば上面１９ｂ間）の距離ｄ２よりも大きい。そして、樹脂部９は、隣り合う圧電素子７間の間隙Ｗの少なくとも上方側の一部に充填された介在部９ｅを有する。 （もっと読む）

【課題】半田ボールが予め実装された電極側の半田フラッシュを防止できる基板モジュールの製造方法を提供する。
【解決手段】基板モジュール１の製造方法は、電子部品２の表面に設けられた第１の電極２１に実装する、少なくとも錫成分を含む半田ボール４の表面に、半田ボールの比重よりも重く、高融点の銅粒子６１を含む半田ペースト６を付着させる工程を有する。更に、製造方法は、第１の電極が設けられた電子部品の表面を上側に向ける工程を有する。更に、製造方法は、半田ボールを加熱して溶融させ、半田ボールの表面上に付着させた銅粒子を半田ボール内に沈殿させる工程を有する。更に、製造方法は、沈殿した銅粒子と半田ボールの錫成分とで、半田ボールを実装した第１の電極との界面に、半田ボールの融点よりも高融点の第１の金属間化合物層４１を形成する工程を有する。 （もっと読む）

【課題】接続信頼性が高く、コストに優れた、狭ピッチ化にも対応可能な接続端子を有する半導体パッケージの製造方法を提供する。
【解決手段】半導体素子をフリップチップ実装する配線基板の最上層の導体回路上に、複数の金属ポスト形成用のソルダーレジスト開口を有するソルダーレジスト層を設け、シード層（無電解金属めっき）を形成し、ソルダーレジスト開口と対応する位置にレジスト開口が形成されたドライフィルムレジスト層を形成し、電解金属めっきで金属ポストを形成した後、前記開口内に前記ドライフィルムレジスト層の表面と同等の高さまではんだペーストを充填する工程を含む。はんだを形成する手法として採用されていた電解めっき工法に替わり、はんだペーストの充填（印刷）手法を採用する。 （もっと読む）

【課題】半導体チップに形成するはんだバンプの形成方法を限定することなく、はんだバンプによる複数の接続部の面積をいずれも同程度に保ったままで、接続信頼性が高い実装を可能とする半導体装置を得られるようにする。
【解決手段】半導体装置は、少なくとも１つの素子が形成された素子形成面と該素子形成面に形成された複数の電極パッド２とを有する半導体チップ１と、主面が半導体チップ１の素子形成面と対向し、且つそれぞれが主面の各電極パッド２と対向する位置に形成された複数の接続パッド１５を有する配線基板１０と、各電極パッド２と各接続パッド１５との間にそれぞれ設けられ、それらを電気的に接続する複数のはんだバンプ４とを備えている。各はんだバンプ４における、電極パッド２側の組成と接続パッド１５側の組成とは同一である。 （もっと読む）

【課題】接続信頼性に優れた電子装置を提供する。
【解決手段】電子装置１は、回路基板１０と電子部品３０が、それらの間に配置された中継基板２０を介して、電気的に接続される。中継基板２０は、熱膨張性の絶縁基板２１と、絶縁基板２１に設けられた貫通孔２２と、貫通孔２２の内壁に設けられた導電部２３とを含む。回路基板１０と電子部品３０は、互いの突起電極１０ａ，３０ａが、中継基板２０の熱膨張性の絶縁基板２１に設けられた貫通孔２２に挿入され、その貫通孔２２の内壁に設けられた導電部２３と接触することで、電気的に接続される。 （もっと読む）

【課題】接続信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体部材３１と、半導体部材３１上に形成されているＣｕスタッドバンプ４１と、Ｃｕスタッドバンプ４１と電気的に接続するはんだバンプ４４とを備える半導体装置３０を構成する。半導体部材３１は、受光面と同じ面にガラス基板３２と接続される電極４５が形成されている。そして、この電極上にフリップチップ接続用のＣｕスタッドバンプが形成されている。Ｃｕスタッドバンプ４１は、はんだバンプ４４との接続面に合金層４３が形成されている。また、Ｃｕスタッドバンプ４１ははんだバンプ４４と接触していない表面にめっき層４２を備える。 （もっと読む）

【課題】フリップチップ実装による半導体装置の製造方法、それに用いるフィルム状接着剤及び接着剤シートを提供する。
【解決手段】ハンダバンプが形成された機能面を有する半導体ウェハの機能面に、接着剤層２を設けて接着剤層付き半導体ウェハ２０を得る第１工程と、接着剤層付き半導体ウェハ２０の機能面とは反対側の面を研削して半導体ウェハ２０を薄化する第２工程と、薄化した半導体ウェハ２０を接着剤層２とともに切断して複数の半導体素子に切り分けて接着剤層付き半導体素子を得る第３工程と、接着剤層付き半導体素子と、電極を有する他の半導体素子又は電極を有する半導体素子搭載用支持部材４とを、ハンダバンプ２２及び電極が対向する方向にハンダバンプ２２が有するハンダの融点より低い温度で加圧する第４工程と、加熱によりハンダバンプ２２が有するハンダを溶融させてハンダバンプ２２と電極とを接合する第５工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】応力緩和機能を備える新規な構造の電子部品を提供する。
【解決手段】接続電極Ｅと、下側に空間が設けられた状態で接続電極Ｅに接続され、本体部４０ａ（膨出部）と、本体部４０ａの上面に設けられた突出接続部４０ｂとを備え、圧力によって弾性変形する可撓性電極端子４０とを含む。可撓性電極端子４０は、実装基板、インターポーザ、半導体チップ又はプローブ基板などの外部接続端子として設けられる。 （もっと読む）

【課題】上下の半導体チップ間の隙間を維持しつつ、アンダーフィル樹脂の充填前における半導体チップ間の接続強度を高めることを可能にした積層型半導体装置を提供する。
【解決手段】実施形態の半導体装置１は、第１の半導体チップ２と、第１の半導体チップ２上に積層された第２の半導体チップ３とを具備する。第１および第２の半導体チップ２、３は、バンプ接続体６を介して電気的に接続されている。第１および第２の半導体チップ２、３の少なくとも一方には、ストッパ用突起７と接着用突起８とが設けられている。ストッパ用突起７は、第１および第２の半導体チップ２、３の他方に非接着状態で接触している。接着用突起８は、第１および第２の半導体チップ２、３に接着されている。 （もっと読む）

【課題】大きな面積のウェハを貼り合わせた場合に該ウェハ間に形成される間隙にも十分に注入することができ、かつ注入途中で硬化しない接着部材を提供する。
【解決手段】接続領域を有する接着基板および被接着基板と、接着基板および被接着基板の各接続領域の間に配置された接続部材と、接続部材を囲み、接着基板と被接着基板とを接着する接着部材とを備えた半導体装置であって、接着部材は、官能基を有する主剤と、エネルギーの付与により官能基の活性化機能を発現する硬化剤と、を含み、硬化剤により活性化された官能基が他の官能基と結合することによって硬化する樹脂である半導体装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】搭載対象体に対して球状体を確実に搭載させる。
【解決手段】半田ボール３００を吸着する第１吸気口２５ａが吸着面２２ａに形成された吸着ヘッド１１と、半田ボール３００が通過可能な挿通孔７１が形成されて吸着ヘッド１１による余剰な半田ボール３００の吸着を規制するマスク１７の上面１７ａと吸着面２２ａとが近接または接触している装着状態においてマスク１７の下面１７ｂ側から半田ボール３００を供給する供給部（本体部１００）とを備え、吸着ヘッド１１は、装着状態のマスク１７を吸着して吸着面２２ａに密着させる第２吸気口２６ａが吸着面２２ａに形成されて構成されている。 （もっと読む）

【課題】ボイドが低減され、研削後の反りを小さくすることができる接着剤層付き半導体ウェハの製造方法、並びに、接着剤層付き半導体ウェハを用いる、半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】金属バンプ１２が形成された回路面を有する半導体ウェハ１０の回路面上に、２種類以上の液状感光性接着剤６，７の塗布及び塗膜の光照射によって、２層以上の構造を有し最表面層がフラックス成分を含有するＢステージ化された接着剤層を設けて接着剤層付き半導体ウェハ４０を得る工程と、接着剤層付き半導体ウェハ４０と、他の半導体ウエハ５０とを、接着剤層付き半導体ウェハ４０の接着剤層を挟んで圧着する工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】ヒータ構成各部間に隙間が生じないようにする。
【解決手段】半導体チップと基板とを導電性ボンディング材を通じて接続するためのヒータにおいて、前記半導体チップを吸着する吸着エア用の第１流路と、前記導電性ボンディング材を溶着するための発熱体と、前記発熱体を挟み込む各部を接続する締付具と、前記発熱体によって加熱された導電性ボンディグ材を冷却する冷却エア用の第２流路とを備え、前記締付具は中空構造とされていて、当該中空部分が前記第１流路を構成しているヒータ。 （もっと読む）

【課題】ボールグリッドアレイのプリント配線板への固定のためのシステムおよび方法を提供する。
【解決手段】ボールグリッドアレイ２００は、１つ以上の巻からなるスプリング２１６に取り付けられるように形成される１つ以上のボール２２６からなる。加えて、スプリングを整合および分離するように形成されるスペーサープレート２０８、２２８、はんだをプリント配線板上に整合するように形成されるはんだ補助材２３６、およびスプリングを介してボールグリッドアレイに取り付けられる導電性パッド２３４とともに形成されるプリント配線板２３０を設ける。 （もっと読む）

【課題】 半導体回路層間の隙間に電気的絶縁性接着剤を確実に配置でき、前記隙間よりはみ出た余分の接着剤を除去しなくてすむ、三次元積層構造集積回路装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 第１半導体回路層１ａの内部に複数の埋込配線（導電性プラグ）１５を形成し、それらの端を第１半導体回路層１ａの裏面に露出させる。第２半導体回路層２の表面に、各プラグ１５に対応して複数のバンプ電極４３ａを形成する。第２半導体回路層２の表面に、バンプ電極４３ａとは重ならない形状にパターン化された電気的絶縁性接着剤膜４４ａを形成する。その後、第１半導体回路層１ａの裏面と第２半導体回路層２の表面を対向させて近づけ、その間で接着剤膜４４ａを変形させながら各バンプ電極４３ａの少なくとも一部を押し潰すことにより、埋込配線１５とバンプ電極４３ａとを相互に機械的接続すると共に、接着剤膜４４ａにより両回路層１ａと２を接着する。 （もっと読む）