説明

Fターム[5F044KK17]の内容

ボンディング (23,044) | フェイスダウンボンディング用配線基板 (5,003) | 電極部 (1,724) | バンプ (984) | 形状、配置 (280)

Fターム[5F044KK17]に分類される特許

1 - 20 / 280




【課題】はんだによる短絡不良を低減すること。
【解決手段】半導体素子10の一主面には複数の電極パッド11が、半導体素子10の外周に沿って矩形枠状に配列されている。各電極パッド11には、柱状の電極端子13が立設されている。電極端子13の基端部(金属端子部15の基端部16及びバリア層14)は電極パッド11に接続されている。電極端子13(金属端子部15)の先端部17は略半円柱状に形成されている。この略半円柱状の先端部17は、先端面の弧部分が半導体素子10の外側を向くように形成されている。配線基板20の接続パッド22は、配列方向と直交する方向、即ち半導体素子10の外周と直交する方向に沿って延びる矩形状に形成されている。電極端子13は接続パッド22にはんだ30により電気的に接続される。 (もっと読む)


【課題】 シリコンチップの層間絶縁膜に機械的強度の低い(脆い)low−k材料が用いられる構造においても、シリコンチップ上にかかる応力を軽減するような低応力のはんだバンプ接続を実現すること。
【解決手段】 正方形シリコンチップ(厚さ725μm)とラミネート層(厚さ1000μm)とが、正方形シリコンチップ上に配置されているところのlow-k層(配線層(BEOL)の絶縁層)を介して、正方形シリコンチップとラミネート層との間に2次元アレイ状に配置された複数のはんだバンプの溶融後の硬化により接続されている、積層体として、
正方形シリコンチップ(の4つの辺に相当する)外周から所定の割合まで内側にわたって配置された部分的な複数のはんだバンプについては、他の部分の複数のはんだバンプよりも弾性率が相対的に低くなるようにフィラーを入れて調整されている、ことを特徴とするものである。 (もっと読む)


【課題】空洞部の破壊を防ぐと共に、基板間の接続の信頼性を向上できるようにした半導体装置の製造方法及び半導体装置、電子機器を提供する。
【解決手段】第1の基板は、第1の面と第2の面とを有する第1の基材と、第1の基材の第1の面側に設けられた犠牲層と、第1の基材の第1の面と第2の面との間を貫通する貫通電極と、貫通電極と第1の基材との間に設けられた絶縁膜と、を有する。第2の基板は、第3の面を有する第2の基材と、第2の基材の第3の面側に設けられたバンプと、第2の基材の第3の面側に設けられ、バンプを囲む環状導電部と、を有する。第2の面と第3の面とを対向させた状態で、貫通電極とバンプとを接続すると共に、第1の基板の周縁部を環状導電部に埋入させる実装工程と、実装工程の後で、犠牲層をエッチングして第1の基材の第1の面側に空洞部を形成するエッチング工程と、を含む。 (もっと読む)


【課題】 金属バンプを介した容器と圧電振動素子や電子部品素子との接合信頼性を向上させた圧電振動デバイスと当該圧電振動デバイスの製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 水晶発振器1は、水晶振動素子3と集積回路素子4を容器2に収容し、容器2に蓋5を接合することにより、水晶振動素子3および集積回路素子4を気密に封止した構成となっている。容器2の内底面22には凹部を有する電極パッド10が形成され、集積回路素子4の接続端子上には断面視凸状の金属バンプBが配され、金属バンプBの一部が前記凹部の壁面に対応するように埋入した状態で集積回路素子4と容器2とが接合されている。 (もっと読む)


【課題】アンダーフィルの収縮が半導体チップの電気特性に及ぼす影響を低減できる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置1は、半導体チップ2とベース材3との積層構造を有する。半導体チップ2の表面上に電極21が形成されており、ベース材3の表面上に電極31が形成されている。半導体チップ2の前記表面とベース材3の前記表面とが対向すると共に電極21と電極31とが突起電極4を介して電気的に接続されている。半導体チップ2の前記表面とベース材3の前記表面とに挟まれた領域のうち、電極配置領域B以外の他の領域に位置する部分のアンダーフィル5に分断領域6が設けられている。 (もっと読む)


【課題】外部接続用電極が狭ピッチであっても、高い接続信頼性を簡易に実現することができる半導体装置を提供する。
【解決手段】外部接続用電極を備えた半導体装置であって、前記外部接続用電極が、半導体基板上に形成されたメタル層12と、メタル層12と接触するように形成され、かつメタル層12の一部を露出させる開口部13aを有する絶縁層13と、絶縁層13の開口部13aから露出するメタル層12と電気的に接続するように形成されたバリアメタル層14と、を備え、バリアメタル層14が、絶縁層13に垂直な平面とバリアメタル層14の表面とが交わって形成される線分のうち、絶縁層13の開口部13aの周囲の領域に対応する部分に、曲率半径を有する。 (もっと読む)


【課題】回路チップの一面側にセンサチップを電気的に接続するとともに、回路チップの一面側に接続部材を設け、接続部材を介して回路チップを基台に支持してなるセンサ装置において、接続部材と基台とのはんだ接合性を向上させる。
【解決手段】接続部材は、Ag−Sn合金の焼結体よりなり、回路チップ20側から基台10側に向かって先窄まりとなるアスペクト比が1以上の円錐形状をなす円錐部材40であり、基台10の一面11に設けられたはんだ60により、円錐部材40の先端部42側と基台10とが接合されている。 (もっと読む)


【課題】本発明は、半導体パッケージ基板及び半導体パッケージ基板の製造方法に関する。
【解決手段】本発明の一実施例によると、パッドが形成されたキャリア基板を準備する段階と、前記パッドの上部に絶縁層を形成する段階と、前記キャリア基板を除去する段階と、前記絶縁層及び前記パッドの上部に回路層を形成する段階と、前記パッドの一部をエッチングし、前記絶縁層の内部に開口部を形成する段階と、を含む半導体パッケージ基板の製造方法が提供される。 (もっと読む)


【課題】半導体チップ10と配線板20との接合信頼性の高い撮像装置1を提供する。
【解決手段】実装面12に複数の第1のバンプ16を有する半導体チップ10と、それぞれの第1のバンプ16と接合された第2のバンプ26を有する配線板20と、を具備し、第1のバンプ16の接合面16Sと第2のバンプ26の接合面26Sとが、同じ面積の同じ回転対称多角形である長方形であり、第1のバンプ16と第2のバンプ26の実接合部30Sの面積が、それぞれの接合面16S、26Sの面積よりも小さい。 (もっと読む)


【課題】素子と基板との接合の際の熱処理に起因した熱応力の緩和をバンプの中央部で行なうこと。
【解決手段】素子10と、基板20と、第1導電体32と、前記第1導電体上に形成された第2導電体34と、前記第2導電体上に形成された第3導電体36と、前記第3導電体上に形成された第4導電体38と、を有し、前記第1導電体と前記第4導電体のいずれか一方が前記素子に接合され、前記第1導電体と前記第4導電体の他方が前記基板に接合され、前記素子と前記基板とを電気的に接続するバンプ30と、を具備し、前記第1導電体および前記第3導電体は、前記第2導電体および前記第4導電体より融点が高く、前記第4導電体は前記第2導電体より融点が高い半導体装置。 (もっと読む)


【課題】応力緩和機能を備える新規な構造の電子部品を提供する。
【解決手段】接続電極Eと、下側に空間が設けられた状態で接続電極Eに接続され、本体部40a(膨出部)と、本体部40aの上面に設けられた突出接続部40bとを備え、圧力によって弾性変形する可撓性電極端子40とを含む。可撓性電極端子40は、実装基板、インターポーザ、半導体チップ又はプローブ基板などの外部接続端子として設けられる。 (もっと読む)


【課題】高密度化する電子部品の実装技術において、より簡便な方法で、より高品質、より高信頼性の接続構造を提供する。
【解決手段】電子部品100の実装構造は、複数の電極11を有する電子部品10を、複数の電極11がそれぞれ接合される複数の電極21を有する電子部品20に実装する構造であって、電極11と電極21とが接合されたそれぞれの接合面50は、電極11あるいは電極21が配列されている実装面10s,20s方向に対して傾斜しており、接合面50の傾斜方向は、少なくとも、第一の方向と、第二の方向とを有し、第一の方向と第二の方向は、電子部品10を電子部品20に実装した後に、電子部品10あるいは電子部品20のいずれか一方が他方より高い収縮率で、実装面10s,20sの方向に収縮した場合に、第一の方向の接合面50と第二の方向の接合面50とにそれぞれ応力が発生する方向に傾斜している。 (もっと読む)


【課題】バンプを介して基板上に素子を搭載した電子部品において、素子をバンプに接合する際に生じる応力が素子に作用することを抑制し、電子部品の品質のばらつきを抑え、製造歩留まりを向上させる。
【解決手段】第1平面を有する基板11と、前記基板11の第1平面に固定されたバンプ14と、前記基板11の第1平面に非接触かつ相対すると共に、前記バンプ14に接着により固定され、かつ、前記パンプ14との接着領域の近傍にスリット30を有する素子12とを備える。 (もっと読む)


【課題】半導体装置の信頼性を向上させる。
【解決手段】フリップチップ接続工程で、突起電極4の先端面に予め取り付けられた半田材と、端子(ボンディングリード)11上に予め塗布された半田材を加熱することで一体化させて電気的に接続する。ここで、端子11は、第1の幅W1を有する幅広部(第1部分)11wと、第2の幅W2を有する幅狭部(第2部分)11nを有する。半田材を加熱すると、幅狭部11n上に配置される半田材の厚さは、幅広部11wに配置される半田材の厚さよりも薄くなる。そして、フリップチップ接続工程では、幅狭部11n上に突起電極4を配置して、幅狭部11n上に接合する。これにより半田材のはみ出し量を低減できる。 (もっと読む)


【課題】機械強度を十分に確保した状態で、より容易に、フリップチップ実装ができるようにする。
【解決手段】実装構造では、接続対象の第1電極103および第2電極104のいずれかの接続面の隅に配置された少なくとも1つのスペーサ105を備える。複数のスペーサ105を用いる場合、各スペーサ105は、同じ高さ(厚さ)に形成されていればよい。また、電極間を接着して電気的に接続する接続層106は、接続対象の第1電極103の接続面と第2電極104の接続面との間の、複数のスペーサ105に囲われた領域に配置される。 (もっと読む)


【課題】半導体チップの小型化を維持して半導体装置の組み立てのワイヤボンディング性を向上させる。
【解決手段】プローブピンを接触させるプローブ接触面6dとワイヤ5を接続するワイヤ接続面6eとが形成され、さらにプローブ接触面6dは主面6aに対して傾斜した面であり、かつワイヤ接続面6eはプローブ接触面6dと異なった角度の面である電極パッド6cを備えたメモリチップ6と、メモリチップ6が搭載されたタブ2cと、複数のインナリード2a及びアウタリード2bと、メモリチップ6の電極パッド6cのワイヤ接続面6eとインナリード2aとを接続する複数のワイヤ5とを有している。 (もっと読む)


【課題】搬送中に、位置合わせされた基板と基板との相対位置がずれるといった課題がある。
【解決手段】基板貼り合せ方法は、仮接合部において、複数の基板を重ね合わせて複数の対向面および側面の少なくとも一方の一部を仮接合部材によって接合する仮接合段階と、前記仮接合段階で仮接合された前記複数の基板を、本接合部へ搬送する搬送段階と、前記本接合部において、前記仮接合段階で仮接合された前記複数の基板を本接合部材によって本接合する本接合段階とを備える。 (もっと読む)


【課題】チップとプリント基板間の伝熱ロスの少ないフリップリップ実装を実現できる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】グラファイトからなる複数のスパイクが表面に形成された基板電極パッドが主面上に配置されたプリント基板と、スパイクの先端に接触する導電性樹脂膜が表面に配置されたチップ電極パッドが、基板電極パッドと対向する主面上に配置されたチップとを備える。 (もっと読む)


1 - 20 / 280