【課題】 シリコンチップの層間絶縁膜に機械的強度の低い（脆い）ｌｏｗ−ｋ材料が用いられる構造においても、シリコンチップ上にかかる応力を軽減するような低応力のはんだバンプ接続を実現すること。
【解決手段】 正方形シリコンチップ（厚さ725μｍ）とラミネート層（厚さ1000μｍ）とが、正方形シリコンチップ上に配置されているところのlow-k層（配線層（ＢＥＯＬ）の絶縁層）を介して、正方形シリコンチップとラミネート層との間に２次元アレイ状に配置された複数のはんだバンプの溶融後の硬化により接続されている、積層体として、
正方形シリコンチップ（の４つの辺に相当する）外周から所定の割合まで内側にわたって配置された部分的な複数のはんだバンプについては、他の部分の複数のはんだバンプよりも弾性率が相対的に低くなるようにフィラーを入れて調整されている、ことを特徴とするものである。 （もっと読む）

【課題】 金属バンプを介した容器と圧電振動素子や電子部品素子との接合信頼性を向上させた圧電振動デバイスと当該圧電振動デバイスの製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 水晶発振器１は、水晶振動素子３と集積回路素子４を容器２に収容し、容器２に蓋５を接合することにより、水晶振動素子３および集積回路素子４を気密に封止した構成となっている。容器２の内底面２２には凹部を有する電極パッド１０が形成され、集積回路素子４の接続端子上には断面視凸状の金属バンプＢが配され、金属バンプＢの一部が前記凹部の壁面に対応するように埋入した状態で集積回路素子４と容器２とが接合されている。 （もっと読む）

【課題】 エレクトロマイグレーション（ＥＭ）の耐性があり、ハイエンドの半導体チップにも採用できるようなプロセスとして、半導体チップを３次元積層アセンブリへと多段に形成していく、はんだ接合プロセスの提供。
【解決手段】
電気接合部に異なる融点をもつ２種のはんだを積層させて構成しておき、３次元積層アセンブリを作成するにあたって、チップ積層時（一次）は低温はんだのみを溶融して積層接合して、アンダーフィルによって封止する。マザーボードへの積層時（二次）は高温はんだを溶融させる。マザーボードへの二次実装時においてもそのギャップとバンプ形状を保持することができる。 （もっと読む）

【課題】半田ボールが予め実装された電極側の半田フラッシュを防止できる基板モジュールの製造方法を提供する。
【解決手段】基板モジュール１の製造方法は、電子部品２の表面に設けられた第１の電極２１に実装する、少なくとも錫成分を含む半田ボール４の表面に、半田ボールの比重よりも重く、高融点の銅粒子６１を含む半田ペースト６を付着させる工程を有する。更に、製造方法は、第１の電極が設けられた電子部品の表面を上側に向ける工程を有する。更に、製造方法は、半田ボールを加熱して溶融させ、半田ボールの表面上に付着させた銅粒子を半田ボール内に沈殿させる工程を有する。更に、製造方法は、沈殿した銅粒子と半田ボールの錫成分とで、半田ボールを実装した第１の電極との界面に、半田ボールの融点よりも高融点の第１の金属間化合物層４１を形成する工程を有する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、半導体チップパッケージ及びその製造方法に関する。
【解決手段】本発明の実施形態によると、（ａ）ＩＣ基板上に形成されたバンプパッド上にスズ系金属メッキ層を形成する段階と、（ｂ）ベアチップの電極パッド上にＣｕフィラーを形成する段階と、（ｃ）ベアチップのＣｕフィラーをＩＣ基板の金属メッキ層に載置し、Ｃｕフィラーと金属メッキ層とを接合させる段階と、（ｄ）接合されたＩＣ基板とベアチップとの間を絶縁体で充填する段階と、を含むスズメッキを利用した半導体チップパッケージの製造方法が提案される。また、その方法により製造された半導体チップパッケージが提案される。 （もっと読む）

【課題】表裏両面に電極を備えた半導体素子が実装される回路基板および半導体モジュールの製造効率の向上。
【解決手段】半導体モジュールは、放熱器と、配線パターンが形成され、表裏両面に電極を有する配線基板と、配線基板の所定面側に配置された半導体素子と、配線基板の所定面上に配置され、半導体素子と配線パターンとを接続するための配線部および配線部を除く他の部分において半導体素子と配線基板との間を絶縁する絶縁接合部を有する接合部と、前記半導体素子の所定面側に配置された電極配線と、前記放熱器に接着されることなく載置された絶縁層と、を備える。接合部は、第１の接合開始温度を有する第１接合層と、第１の接合開始温度とは異なる第２の接合開始温度を有する第２接合層とを有する。 （もっと読む）

【課題】加熱・焼結する際に、突沸が発生するのを抑制可能な導電性ペーストを提供する。
【解決手段】金属微粒子（Ｐ）と分散媒（Ｄ）との割合（Ｐ／Ｄ）（質量％）が５０〜９０／５０〜１０の導電性ペーストであって、該分散媒（Ｄ）が有機溶媒、及び突沸抑制溶媒（Ｔ）からなる有機分散媒（Ｄ１）であり、有機溶媒が（ｉ）常圧における沸点が１００℃以上で、かつ分子中に１もしくは２以上のヒドロキシル基（−ＯＨ）を有するアルコール及び／もしくは多価アルコールからなる、又は（ii）少なくとも有機溶媒５〜９５体積％、並びにアミド基を有する有機溶媒（ＳＡ）９５〜５体積％からなり、突沸抑制溶媒（Ｔ）がヒドロキシル基、及びカルボニル基を有し、かつカルボキシル基を有さず、分子量が５０以上で沸点が１００℃以上の化合物であり、有機分散媒（Ｄ１）中の突沸抑制溶媒（Ｔ）の割合（Ｔ／Ｄ１）（質量％）が２〜２５質量％である導電性ペースト。 （もっと読む）

【課題】高密度のバンプピッチに対応可能な半導体パッケージ基板の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体パッケージ基板の製造方法は、接続パッド１０３を有するベース基板を準備する段階と、ベース基板上に、ポリイミドを含む保護層１０６および金属層を積層する段階と、金属層および保護層にオープン部を形成して接続パッドを露出させる段階と、オープン部にポストバンプ１１５を形成する段階と、金属層を除去する段階とを含んでなるものである。 （もっと読む）

【課題】回路基板から半導体パッケージを取り外した後、半導体パッケージの再取り付けが容易である半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、回路基板と、半導体パッケージと、回路基板と前記半導体パッケージとを電気的に接続するはんだ接合部と、回路基板と半導体パッケージとの間に配置され、はんだ接合部が通る穴を有し、穴は、穴の最も狭い部分に対し半導体パッケージ側に配置された部分のはんだ接合部よりも細く形成されている板状部材とを有する。 （もっと読む）

【課題】素子と基板との接合の際の熱処理に起因した熱応力の緩和をバンプの中央部で行なうこと。
【解決手段】素子１０と、基板２０と、第１導電体３２と、前記第１導電体上に形成された第２導電体３４と、前記第２導電体上に形成された第３導電体３６と、前記第３導電体上に形成された第４導電体３８と、を有し、前記第１導電体と前記第４導電体のいずれか一方が前記素子に接合され、前記第１導電体と前記第４導電体の他方が前記基板に接合され、前記素子と前記基板とを電気的に接続するバンプ３０と、を具備し、前記第１導電体および前記第３導電体は、前記第２導電体および前記第４導電体より融点が高く、前記第４導電体は前記第２導電体より融点が高い半導体装置。 （もっと読む）

【課題】ボンディング工程の前にはんだとCuとの迅速な反応によって形成される金属間化合物の成長を制御し、ボンディング工程の後に金属間化合物の成長を阻害する方法を提供する。
【解決手段】(i)基板を含み、その上に少なくとも一層の金属パッドを堆積させた基板要素を調製する工程であって、金属パッドの層上に少なくとも一つの薄層のはんだが堆積させられ、その後リフロー処理を実施する工程；および(ii)基板要素上に適宜の厚さのはんだのバンプをさらに堆積させる工程を含む金属間化合物の成長の阻害方法であって、薄いはんだ層の適宜の熱処理の後に、薄いはんだ層と金属パッド中の金属との反応によって薄い金属間化合物が形成されることを特徴とする金属間化合物の成長の阻害方法。薄い金属間化合物の形成は、金属間化合物の成長を遅らせ、金属間化合物の変換を防ぐことが可能。 （もっと読む）

【課題】応力緩和機能を備える新規な構造の電子部品を提供する。
【解決手段】接続電極Ｅと、下側に空間が設けられた状態で接続電極Ｅに接続され、本体部４０ａ（膨出部）と、本体部４０ａの上面に設けられた突出接続部４０ｂとを備え、圧力によって弾性変形する可撓性電極端子４０とを含む。可撓性電極端子４０は、実装基板、インターポーザ、半導体チップ又はプローブ基板などの外部接続端子として設けられる。 （もっと読む）

【解決課題】特殊な技術や装置を必要とせず、接合の際に電気的な接続を歩留まりよく確立可能な、パッケージされたデバイス及びパッケージング方法並びにそれに用いられるパッケージ材の製造方法を提供する。
【解決手段】電子回路、ＭＥＭＳその他のデバイスを搭載したデバイス基板１０と、ビア配線２１を配設してかつキャビティ２２を有するパッケージ材２０とを接合して成る。ビア配線２１と一体化した接続用バンプ２４がキャビティ２２内に突出しており、かつデバイスに接続された配線接続用パッド１２が接続用バンプ２４と対向して接続していることにより、接続用バンプ２４を経由してデバイスがビア配線２１に配線接続している。 （もっと読む）

【課題】搬送中に、位置合わせされた基板と基板との相対位置がずれるといった課題がある。
【解決手段】基板貼り合せ方法は、仮接合部において、複数の基板を重ね合わせて複数の対向面および側面の少なくとも一方の一部を仮接合部材によって接合する仮接合段階と、前記仮接合段階で仮接合された前記複数の基板を、本接合部へ搬送する搬送段階と、前記本接合部において、前記仮接合段階で仮接合された前記複数の基板を本接合部材によって本接合する本接合段階とを備える。 （もっと読む）

【課題】チップとプリント基板間の伝熱ロスの少ないフリップリップ実装を実現できる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】グラファイトからなる複数のスパイクが表面に形成された基板電極パッドが主面上に配置されたプリント基板と、スパイクの先端に接触する導電性樹脂膜が表面に配置されたチップ電極パッドが、基板電極パッドと対向する主面上に配置されたチップとを備える。 （もっと読む）

【課題】バンプ接合の界面における剥離を抑制すること。
【解決手段】第１バンプ３２が形成された素子１０と、第２バンプ３４が形成され、前記素子とは熱膨張係数の異なる基板２０と、を具備し、前記第１バンプの終端面３３は、前記素子の内側に向かって傾斜して形成され、前記第２バンプの終端面３５は、前記第１バンプの終端面に対応するように形成され、前記第１バンプの終端面と前記第２バンプの終端面とが接合されている半導体装置。 （もっと読む）

【課題】コストの上昇を抑えながら高い信頼性の接合を実現することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体素子に設けられた第１の電極の表面の機械加工を行って、当該機械加工前よりも粒径が小さい微結晶の第１の層を設け、前記半導体素子が搭載される搭載部材に設けられた第２の電極の表面の機械加工を行って、当該機械加工前よりも粒径が小さい微結晶の第２の層を設ける（ステップＳ１）。前記第１の電極を構成する金属が固相拡散する温度未満、かつ前記第２の電極を構成する金属が固相拡散する温度未満の温度で、前記第１の層の表面に存在する酸化膜及び前記第２の層の表面に存在する酸化膜を還元する（ステップＳ２）。前記第１の層及び前記第２の層を互いに固相拡散接合する（ステップＳ４）。 （もっと読む）

【課題】配線を設計通りの形状に形成することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体装置の製造方法は、半導体基板と、前記半導体基板の第１の面に位置する電極と、前記第１の面に設けられ、前記電極とオーバーラップする位置に開口部を有する絶縁膜と、を有する構造体を用意する工程と、前記絶縁膜の前記第１の面側の面とは反対側の第２の面に、樹脂突起を形成する工程と、前記電極および前記樹脂突起を覆う第１導電膜を前記第２の面に形成する工程と、前記第１導電膜の前記第２の面側の面とは反対側の第３の面に、前記第１導電膜の前記第３の面より反射率の低い第２導電膜を形成する工程と、前記第２導電膜の前記第３の面側の面とは反対側の第４の面に、フォトレジスト層を形成する工程と、前記フォトレジスト層の一部をマスク層で覆った状態で、前記フォトレジスト層を露光する工程と、前記フォトレジスト層を現像し、フォトレジストパターンを形成する工程と、前記フォトレジストパターンをマスクとして前記第１導電膜および前記第２導電膜をエッチングすることにより、前記第１導電膜から形成された配線であって、前記樹脂突起の少なくとも一部を覆い、かつ、前記電極と接続する前記配線を形成する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】外からの圧力を用いることなく、低温または室温でウエーハーを貼り合わせる。
【解決手段】貼り合わされたデバイス構造であって、デバイスまたは回路に接続された第１の組の金属ボンディングパッドおよび第１の基板１０上の金属ボンディングパッドに隣接する第１の非金属領域を有する第１の基板、デバイスまたは回路に接続された第１の組の金属ボンディングパッドに隣接する第２の組の金属ボンディングパッド、および第２の基板１３上の金属ボンディングパッドに隣接する第２の非金属領域を有する第２の基板、および第２の非金属領域に対して第１の非金属領域を接触ボンディングさせることにより形成される第１と第２の組の金属ボンディングパッドの間の接触ボンディングされた界面を含むボンディングされたデバイス構造。第１と第２の基板の少なくとも一方は弾性的に変形され得る。 （もっと読む）

【課題】 絶縁基板に配置された接続パッドに半導体素子の電極がはんだバンプを介して接合される配線基板において、接続パッドのエレクトロマイグレーションによる空隙が抑制された配線基板を提供する。
【解決手段】 上面に半導体素子の搭載部１ａを有する絶縁基板１と、搭載部１ａに配置された、半導体素子４の主面の電極５がはんだバンプ６を介して接合される接続パッド２と、絶縁基板１の搭載部１ａから内部にかけて形成され、端部が接続パッド２に接続された貫通導体３とを備え、接続パッド２の上面に、平面視で貫通導体３の端部が接続された領域の外側に、はんだバンプ６よりも電気抵抗が低い金属材料からなる凸部２ａが形成されている配線基板である。貫通導体３からの電流を凸部２ａに分散させて接続パッド２における電流密度を低く抑え、エレクトロマイグレーションによる空隙を抑制できる。 （もっと読む）