【課題】はんだ成分を自己組織化により基板の電極上に偏在させることにより、保存性、運搬性、及び使用時のハンドリング性に優れ、電極のみに対して選択的にはんだバンプ又ははんだ接合を形成することができるリフローフィルムを提供し、さらにこれを用いたはんだバンプ又ははんだ接合の簡便な形成方法、これにより形成されたボイドが少なく高さばらつきが少ないはんだバンプ及びはんだバンプ付き基板を提供する。
【解決手段】溶媒に溶解可能な熱可塑性樹脂と、はんだ粒子とを含むフィルムであって、前記はんだ粒子は前記フィルム中に分散した状態であることを特徴とするリフローフィルム、および（ア）基板の電極面側に前記リフローフィルムを載置する工程、（イ）さらに平板を載置して固定する工程、（ウ）加熱する工程、及び（エ）前記リフローフィルムを溶解除去する工程を含むはんだバンプ形成方法。 （もっと読む）

【課題】微細化及び狭ピッチ化に対応して、精度良くバンプ電極を形成することができる半導体チップ接続用バンプ電極の形成方法を提供すること。
【解決手段】フリップチップ半導体パッケージ基板の半導体チップとの接続用バンプ電極２形成手段であって、前記基板の金属配線によって電極パッド８を構成し、ソルダーレジスト層７とめっきレジスト層１５を一括で開口し、電極パッド８を露出させた後に給電層１４を形成し電解めっきにより金属層２２を形成する。次に開口の内部以外の電解めっき層２２及び給電層１４を除去し、めっきレジスト１５を除去し、電極バンプ２３を完成させる。電極バンプ２３はソルダーレジスト７開口との位置ズレがなく、ソルダーレジスト７開口と同じ径で形成されるので、微細化、狭ピッチ化に適したパッケージ基板を提供できる。 （もっと読む）

【課題】 金属バンプを介した容器と圧電振動素子や電子部品素子との接合信頼性を向上させた圧電振動デバイスと当該圧電振動デバイスの製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 水晶発振器１は、水晶振動素子３と集積回路素子４を容器２に収容し、容器２に蓋５を接合することにより、水晶振動素子３および集積回路素子４を気密に封止した構成となっている。容器２の内底面２２には凹部を有する電極パッド１０が形成され、集積回路素子４の接続端子上には断面視凸状の金属バンプＢが配され、金属バンプＢの一部が前記凹部の壁面に対応するように埋入した状態で集積回路素子４と容器２とが接合されている。 （もっと読む）

【課題】外部接続用電極が狭ピッチであっても、高い接続信頼性を簡易に実現することができる半導体装置を提供する。
【解決手段】外部接続用電極を備えた半導体装置であって、前記外部接続用電極が、半導体基板上に形成されたメタル層１２と、メタル層１２と接触するように形成され、かつメタル層１２の一部を露出させる開口部１３ａを有する絶縁層１３と、絶縁層１３の開口部１３ａから露出するメタル層１２と電気的に接続するように形成されたバリアメタル層１４と、を備え、バリアメタル層１４が、絶縁層１３に垂直な平面とバリアメタル層１４の表面とが交わって形成される線分のうち、絶縁層１３の開口部１３ａの周囲の領域に対応する部分に、曲率半径を有する。 （もっと読む）

【課題】半田ボールが予め実装された電極側の半田フラッシュを防止できる基板モジュールの製造方法を提供する。
【解決手段】基板モジュール１の製造方法は、電子部品２の表面に設けられた第１の電極２１に実装する、少なくとも錫成分を含む半田ボール４の表面に、半田ボールの比重よりも重く、高融点の銅粒子６１を含む半田ペースト６を付着させる工程を有する。更に、製造方法は、第１の電極が設けられた電子部品の表面を上側に向ける工程を有する。更に、製造方法は、半田ボールを加熱して溶融させ、半田ボールの表面上に付着させた銅粒子を半田ボール内に沈殿させる工程を有する。更に、製造方法は、沈殿した銅粒子と半田ボールの錫成分とで、半田ボールを実装した第１の電極との界面に、半田ボールの融点よりも高融点の第１の金属間化合物層４１を形成する工程を有する。 （もっと読む）

【課題】接続信頼性が高く、コストに優れた、狭ピッチ化にも対応可能な接続端子を有する半導体パッケージの製造方法を提供する。
【解決手段】半導体素子をフリップチップ実装する配線基板の最上層の導体回路上に、複数の金属ポスト形成用のソルダーレジスト開口を有するソルダーレジスト層を設け、シード層（無電解金属めっき）を形成し、ソルダーレジスト開口と対応する位置にレジスト開口が形成されたドライフィルムレジスト層を形成し、電解金属めっきで金属ポストを形成した後、前記開口内に前記ドライフィルムレジスト層の表面と同等の高さまではんだペーストを充填する工程を含む。はんだを形成する手法として採用されていた電解めっき工法に替わり、はんだペーストの充填（印刷）手法を採用する。 （もっと読む）

【課題】はんだ付け対象のうちのはんだバンプが形成される表面にスズが付着することを防止すること。
【解決手段】水素ラジカル発生装置３と、浮遊物質捕獲用フィルター５とを備えている。水素ラジカル発生装置３は、はんだ付け対象１０に配置されたはんだに水素ラジカルを照射する。浮遊物質捕獲用フィルター５は、その水素ラジカルが浮遊物質捕獲用フィルター５を通り抜けた後にそのはんだに照射されるように、配置される。そのはんだは、水素ラジカルに照射されたときに、表面に形成された酸化膜が除去され、そのはんだから遊離した浮遊物質を放出する。このようなリフロー処理装置は、その浮遊物質を浮遊物質捕獲用フィルター５が捕獲することにより、はんだ付け対象１０の表面にその浮遊物質が堆積することを防止することができる。 （もっと読む）

【課題】加熱・焼結する際に、突沸が発生するのを抑制可能な導電性ペーストを提供する。
【解決手段】金属微粒子（Ｐ）と分散媒（Ｄ）との割合（Ｐ／Ｄ）（質量％）が５０〜９０／５０〜１０の導電性ペーストであって、該分散媒（Ｄ）が有機溶媒、及び突沸抑制溶媒（Ｔ）からなる有機分散媒（Ｄ１）であり、有機溶媒が（ｉ）常圧における沸点が１００℃以上で、かつ分子中に１もしくは２以上のヒドロキシル基（−ＯＨ）を有するアルコール及び／もしくは多価アルコールからなる、又は（ii）少なくとも有機溶媒５〜９５体積％、並びにアミド基を有する有機溶媒（ＳＡ）９５〜５体積％からなり、突沸抑制溶媒（Ｔ）がヒドロキシル基、及びカルボニル基を有し、かつカルボキシル基を有さず、分子量が５０以上で沸点が１００℃以上の化合物であり、有機分散媒（Ｄ１）中の突沸抑制溶媒（Ｔ）の割合（Ｔ／Ｄ１）（質量％）が２〜２５質量％である導電性ペースト。 （もっと読む）

【課題】高密度のバンプピッチに対応可能な半導体パッケージ基板の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体パッケージ基板の製造方法は、接続パッド１０３を有するベース基板を準備する段階と、ベース基板上に、ポリイミドを含む保護層１０６および金属層を積層する段階と、金属層および保護層にオープン部を形成して接続パッドを露出させる段階と、オープン部にポストバンプ１１５を形成する段階と、金属層を除去する段階とを含んでなるものである。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の最上層の保護膜のクラックを防いで、半導体装置の信頼性の向上を図ることのできる技術を提供する。
【解決手段】ボンディングパッドＢＰ１を長方形状とし、ボンディングパッドＢＰ１のワイヤボンディング領域ＢＰ１ｗでの保護膜５の重なり幅を、ボンディングパッドＢＰ１のプローブ領域ＢＰ１ｐでの保護膜５の重なり幅よりも広くなるように、ボンディングパッドＢＰ１上の保護膜５に開口部６を形成する。 （もっと読む）

【課題】ボンディング工程の前にはんだとCuとの迅速な反応によって形成される金属間化合物の成長を制御し、ボンディング工程の後に金属間化合物の成長を阻害する方法を提供する。
【解決手段】(i)基板を含み、その上に少なくとも一層の金属パッドを堆積させた基板要素を調製する工程であって、金属パッドの層上に少なくとも一つの薄層のはんだが堆積させられ、その後リフロー処理を実施する工程；および(ii)基板要素上に適宜の厚さのはんだのバンプをさらに堆積させる工程を含む金属間化合物の成長の阻害方法であって、薄いはんだ層の適宜の熱処理の後に、薄いはんだ層と金属パッド中の金属との反応によって薄い金属間化合物が形成されることを特徴とする金属間化合物の成長の阻害方法。薄い金属間化合物の形成は、金属間化合物の成長を遅らせ、金属間化合物の変換を防ぐことが可能。 （もっと読む）

【課題】高密度化する電子部品の実装技術において、より簡便な方法で、より高品質、より高信頼性の接続構造を提供する。
【解決手段】電子部品１００の実装構造は、複数の電極１１を有する電子部品１０を、複数の電極１１がそれぞれ接合される複数の電極２１を有する電子部品２０に実装する構造であって、電極１１と電極２１とが接合されたそれぞれの接合面５０は、電極１１あるいは電極２１が配列されている実装面１０ｓ，２０ｓ方向に対して傾斜しており、接合面５０の傾斜方向は、少なくとも、第一の方向と、第二の方向とを有し、第一の方向と第二の方向は、電子部品１０を電子部品２０に実装した後に、電子部品１０あるいは電子部品２０のいずれか一方が他方より高い収縮率で、実装面１０ｓ，２０ｓの方向に収縮した場合に、第一の方向の接合面５０と第二の方向の接合面５０とにそれぞれ応力が発生する方向に傾斜している。 （もっと読む）

【課題】製造コストの増加を抑えつつ球状体を搭載する搭載処理の効率を向上させる。
【解決手段】半田ボール３００を保持する吸着ヘッド２と、吸着ヘッド２を支持する支持部３と、載置部１１に載置された基板４００に対して近接および離反する上下方向に沿って支持部３を移動させる移動機構４とを備えて、半田ボール３００を基板４００に搭載する搭載処理を実行可能に構成され、搭載処理の実行時において吸着ヘッド２が基板４００に近接したときの吸着ヘッド２の移動速度を減速させる減速機構５を備え、減速機構５は、搭載処理の実行時において載置部１１に当接すると共に上下方向に沿って移動可能に支持部３に連結された当接部５１と、支持部３に対する当接部５１の相対的な移動の向きと同じ向きに沿って支持部３に作用する抗力を生成するバネ６１およびダンパ６２で構成された抗力生成部５２とを備えている。 （もっと読む）

【課題】チップとプリント基板間の伝熱ロスの少ないフリップリップ実装を実現できる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】グラファイトからなる複数のスパイクが表面に形成された基板電極パッドが主面上に配置されたプリント基板と、スパイクの先端に接触する導電性樹脂膜が表面に配置されたチップ電極パッドが、基板電極パッドと対向する主面上に配置されたチップとを備える。 （もっと読む）

【課題】バンプ電極同士の横滑りを防止し、バンプ電極同士を接合する接合材料のはみ出しを抑制する。
【解決手段】
半導体チップ１０は、基板１７と、基板１７の一方の面に設けられた第１のバンプ電極５０と、基板１７の他方の面に設けられた第２のバンプ電極６０と、第１のバンプ電極５０と第２のバンプ電極６０のうちの少なくとも一方の頂面に形成された導電性の接合材料層６１と、を有している。第１のバンプ電極５０の頂面は凸面５４であり、第２のバンプ電極６０の頂面は凹面６３である。 （もっと読む）

【課題】チップパッケージとその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の実施例は、チップパッケージの製造方法を提供する。複数のスクライブラインにより隔てられる複数のデバイス領域を有する半導体ウェハを提供する工程と、パッケージ基板を半導体ウェハに接合し、スペーサ層をパッケージ基板と半導体ウェハの間に設置して、スペーサ層は、それぞれデバイス領域を露出する複数のキャビティを区画し、半導体ウェハの外縁に隣接する複数の貫通孔を有する工程と、貫通孔中に、接着材料を充填し、スペーサ層は粘性を有し、材料は接着材料と異なる工程と、スクライブラインに沿って半導体ウェハ、パッケージ基板とスペーサ層をダイスして、互いに分離した複数のチップパッケージを形成する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】コストの上昇を抑えながら高い信頼性の接合を実現することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体素子に設けられた第１の電極の表面の機械加工を行って、当該機械加工前よりも粒径が小さい微結晶の第１の層を設け、前記半導体素子が搭載される搭載部材に設けられた第２の電極の表面の機械加工を行って、当該機械加工前よりも粒径が小さい微結晶の第２の層を設ける（ステップＳ１）。前記第１の電極を構成する金属が固相拡散する温度未満、かつ前記第２の電極を構成する金属が固相拡散する温度未満の温度で、前記第１の層の表面に存在する酸化膜及び前記第２の層の表面に存在する酸化膜を還元する（ステップＳ２）。前記第１の層及び前記第２の層を互いに固相拡散接合する（ステップＳ４）。 （もっと読む）

【課題】半導体素子接続パッドを形成する配線導体とソルダーレジスト層との間に半田が滲入して潜り込むことを有効に防止し、半導体素子の電極端子と半導体素子接続パッドとを接合する半田が不足することがなく両者を良好に接続することが可能であるとともに、ソルダーレジスト層が剥がれることがなく配線導体の絶縁信頼性に優れる配線基板を提供すること。
【解決手段】絶縁基板１と、絶縁基板１の上面に形成された銅から成る配線導体３と、絶縁基板１および配線導体３上に被着されており、配線導体３の一部を半導体素子接続パッド４として露出させる開口部６ａを有するソルダーレジスト層６と、半導体素子接続パッド４の上面に被着された錫めっき層７とを備えた配線基板１０であって、配線導体３における半導体素子接続パッド４とソルダーレジスト層６との間に配線導体３が銅のままで露出する銅露出部８が形成されている。 （もっと読む）

【課題】配線を設計通りの形状に形成することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体装置の製造方法は、半導体基板と、前記半導体基板の第１の面に位置する電極と、前記第１の面に設けられ、前記電極とオーバーラップする位置に開口部を有する絶縁膜と、を有する構造体を用意する工程と、前記絶縁膜の前記第１の面側の面とは反対側の第２の面に、樹脂突起を形成する工程と、前記電極および前記樹脂突起を覆う第１導電膜を前記第２の面に形成する工程と、前記第１導電膜の前記第２の面側の面とは反対側の第３の面に、前記第１導電膜の前記第３の面より反射率の低い第２導電膜を形成する工程と、前記第２導電膜の前記第３の面側の面とは反対側の第４の面に、フォトレジスト層を形成する工程と、前記フォトレジスト層の一部をマスク層で覆った状態で、前記フォトレジスト層を露光する工程と、前記フォトレジスト層を現像し、フォトレジストパターンを形成する工程と、前記フォトレジストパターンをマスクとして前記第１導電膜および前記第２導電膜をエッチングすることにより、前記第１導電膜から形成された配線であって、前記樹脂突起の少なくとも一部を覆い、かつ、前記電極と接続する前記配線を形成する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】外からの圧力を用いることなく、低温または室温でウエーハーを貼り合わせる。
【解決手段】貼り合わされたデバイス構造であって、デバイスまたは回路に接続された第１の組の金属ボンディングパッドおよび第１の基板１０上の金属ボンディングパッドに隣接する第１の非金属領域を有する第１の基板、デバイスまたは回路に接続された第１の組の金属ボンディングパッドに隣接する第２の組の金属ボンディングパッド、および第２の基板１３上の金属ボンディングパッドに隣接する第２の非金属領域を有する第２の基板、および第２の非金属領域に対して第１の非金属領域を接触ボンディングさせることにより形成される第１と第２の組の金属ボンディングパッドの間の接触ボンディングされた界面を含むボンディングされたデバイス構造。第１と第２の基板の少なくとも一方は弾性的に変形され得る。 （もっと読む）