【課題】電子部品をボンディングにより基板に実装する際、加圧力を高精度に制御し、製品品質を向上可能なボンディング装置及び高品質な製品を安定的に提供可能なボンディング方法の提供。
【解決手段】本発明のボンディング装置は、電子部品６を基板１上に押圧して接合するボンディングヘッド１００と、前記電子部品６に対向配置された前記基板１を保持する基板ステージＳ下に、互いに対向して略等間隔に配置された複数の荷重検出機構（例えば、荷重センサ５）と、個々の前記荷重検出機構５により検出された圧力検出値に基づいて、前記電子部品６と前記基板１との接合面における圧力状態を検知する圧力検知手段２０とを少なくとも有することを特徴とする。 （もっと読む）

電子デバイスを接触させるための相互接続要素（１６０；１６０’）の製造方法を提案する。この製造方法は第１基板（１０５）の主面（１１０）上に複数のリード（１３０）を形成する工程で始まる。各リードは第１端部（１３０ａ）と第２端部（１３０ｂ）とを有する。各リードの第２端部は第２基板（１４０）に結合される。次に、第１基板と第２基板との間でリード（１３０’）が伸びるように第２基板と第１基板とを離して間隔をあける。本方法はまた、主面上のリードの付着力を制御するためにリードを形成する前に主面を処理する工程を含む。
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【課題】電子部品の一面に多数の突起電極が設けられていても確実に高い信頼性をもって超音波接合できる電子部品実装方法を提供する。
【解決手段】一面に複数の突起電極２ａを有する電子部品２の突起電極配設面とは反対側の背面を超音波振動伝達手段にて保持し、支持台８上に配置固定した基板３と位置合わせを行い、電子部品２の各突起電極２ａを基板３の各電極に接触させる工程と、超音波振動伝達手段を介して電子部品２の背面に押圧荷重を負荷しつつ超音波振動発生手段２４にて超音波振動伝達手段を介して電子部品２の表面と略平行な振動方向の超音波振動を付与する工程と、加熱手段３９にて超音波振動伝達手段に対して非接触方式で電子部品２をその背面から加熱して電子部品２と基板３の接合部に熱エネルギーを付与する工程とを有している。 （もっと読む）

【課題】電子部品用振動ヘッドとＣＯＦテープとの位置合わせ精度を高めることのできるボンディング方法を提供する。
【解決手段】振動ヘッドに保持された電子部品と基板搭載テーブルに保持された樹脂基板とを光学系１８と撮像部１９からなるカメラユニット１７で同時に撮像し、撮像した画像を処理し、基板搭載テーブルを移動して電子部品と樹脂基板を位置合せした後、電子部品を樹脂基板に圧接接合するボンディング方法において、電子部品を第１所定位置に移動する工程と、樹脂基板を第２所定位置に送る工程と、樹脂基板を基板搭載テーブルに保持する工程と、光学系１８が撮像部１９より薄いカメラユニット１７で電子部品と樹脂基板を撮像する工程と、カメラユニット１７を撮像位置から退避させる工程と、電子部品と樹脂基板とを圧接する工程と、基板搭載テーブルに保持されている樹脂基板を基板搭載テーブルから離間させる工程とからなるものとする。 （もっと読む）

【課題】 品質の低下を低減できる半導体装置、ボンディングシステム及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体装置１００は、半導体基板１０と、ＣＯＦテープ１２０とを備える。ＣＯＦテープ１２０には、半導体基板１０がボンディングされている。半導体基板１０は、第１面１０ａを有する。第１面１０ａは、ＣＯＦテープ１２０に向いている。ＣＯＦテープ１２０は、ＰＩフィルム１２１と、第１接着剤層１２８とを有する。ＰＩフィルム１２１は、第１接着剤層１２８を介して半導体基板１０に接着される。半導体基板１０の第１面１０ａとＣＯＦテープ１２０との間の距離は、第１面１０ａの面積中心ＡＣ１に近い領域１０ａと第１面１０ａの端部１０ｂに近い領域とで異なる。 （もっと読む）

【課題】部品間の接合の信頼性及び歩留りを向上させる半導体装置を提供すること。
【解決手段】第１の導体線路４２ａ及びこれに接続された複数の第１の並列導体線路を具備する第１の部品３０と、第１の導体線路４２ａと同一機能をなす第２の導体線路４４ａ及びこれに接続された複数の第２の並列導体線路を具備する第２の部品３５と、第１の並列導体線路と第２の並列導体線路とを電気的に接続する複数のバンプ電極４０Ａ、４０ａとを有し、第１の部品３０と第２の部品３５とがバンプ電極４０Ａ、４０ａによって接合される。 （もっと読む）

【課題】
電子デバイスの微細化高密度化に伴い、電子デバイスやプリント基板上の配線を微細化する必要があり、配線端部の電極突起を均一な厚みに形成する必要があった。
【解決手段】
配線端部またはリード線端部の表面に選択的に１層形成された導電性微粒子の膜が配線端部表面またはリード線端部に選択的に形成された第１の有機膜と導電性微粒子表面に形成された第２の有機膜を介して互いに共有結合していることを特徴とする電極およびこれらの有機膜が互いに異なることを特徴とする請求項１記載の電極。 （もっと読む）

【課題】熱硬化型接着剤の反応性にかかわりなく、接続信頼性を損なうことなく、基板の反りを防止する実装方法を提供する。
【解決手段】相対向する電極を有する、基板と実装部品とを熱硬化型接着剤を介在させ、相対向する基板と実装部品をステージとヘッドとの間で、加熱加圧して加圧方向の電極間を電気的に接続する回路の実装方法であって、実装部品の熱圧着開始より０．０１〜３０秒間遅れて基板を加熱する。 （もっと読む）

【課題】電子部品と基板を実装し、通電を行っても、実装時の熱あるいは圧力や、家電製品などに搭載された後の温度の時効変化による不具合を解消可能なフェノール通電粒子を提供する。
【解決手段】中心部に熱硬化プラスチック「フェノール」を主原料とした真球形状のボールを使用し、表面に通電性良好で経時変化の少ない金、銀などのメッキを施し、真球度９９％以上の通電粒子とする。 （もっと読む）

【課題】バンプ電極の高さを抑制しつつ、半導体チップの端部とテープ基板のリード端子との間のクリアランスを増加させる。
【解決手段】ボンディングステージ１６の端部１６ａが半導体チップ３５の端部３５ａの位置にくるようにボンディングステージ１６を構成し、吸引溝１７を介してテープ基板３１を吸引しながら、半導体チップ３５をテープ基板３１上に搭載する。 （もっと読む）

【課題】ＩＣあるいはＬＳＩ等の電子部品をフィルムキャリアテープ等に高温で金属共晶実装しても、フィルムキャリアテープが熱による寸法変化や変形を抑制し、金属配線とＩＣチップのバンプにずれが無く、金属配線がバンプに沈み込む量が低く、金属配線と絶縁層の密着性の良い、電子部品とフィルムキャリアテープの接続信頼性を向上しうるＣＯＦ用積層板及びこれを加工して得られるＣＯＦフィルムキャリアテープ、配線基板に電子部品が搭載された電子装置を提供する。
【解決手段】絶縁層10の片面又は両面に導体20を積層したＣＯＦ用積層板であって、絶縁層がポリイミド系樹脂の多層構造で、ガラス転移温度が350℃以上、且つ、300〜350℃の線熱膨張係数が70ppm／℃以下であるＣＯＦ用積層板及びこれを加工して得られるＣＯＦフィルムキャリアテープ。 （もっと読む）

【課題】 キャビティ内の結露の発生やリフロー等での実装時におけるパッケージクラックの発生をなくし、かつ圧着をなくしてガラス基板や半導体基板でのクラックの発生をなくすと共に、接合部の信頼性の高い基板の接合方法および半導体装置を提供する。
【解決手段】 この基板の接合方法は、２枚の基板の間においてこれらの基板を接合する予定部位の箇所に接合部材層を設ける設置ステップと、２枚の基板の少なくとも一方の外側から基板を透過する光線を照射し、光線で接合部材層を加熱する加熱ステップと、加熱した接合部材層で２枚の基板を接合する接合ステップとを有する。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、アライメントマークを容易に認識することができる配線基板及び半導体装置の製造方法を提供することにある。
【解決手段】配線基板１は、光透過性の基板１０と、基板１０の第１の面１１に形成されたアライメントマーク１４及び第１の配線パターン２１と、基板１０の第２の面１２に形成された第２の配線パターン２２と、を含む。第２の配線パターン２２は、第１の面１１への正射影１２２が、アライメントマーク１４とオーバーラップ及び接触のいずれもしないように形成されてなる。 （もっと読む）

【課題】エリアパッド構成の半導体チップが薄型回路基板上にフェースダウンで搭載される構造の半導体装置の製造において、高い接合荷重により発生する加圧機構の撓みによる加圧・加熱の不均一化に起因するチップ破壊あるいは接合不良の発生を防止する。
【解決手段】半導体チップ１と回路基板７とのフリップチップ接合において、半導体チップ１の電極パッド２と回路基板７上の配線電極７ａとを、該回路基板７を曲げた状態で１点ないし複数点ずつ接合する。 （もっと読む）

【課題】ＣＯＦパッケージの半導体装置において、電極部を効率よくレイアウトすることにより、半導体チップのチップサイズを小さくする。
【解決手段】ＣＯＦパッケージの半導体チップ２に設けられている電極部２ａは、長方形の一方の短辺部が切り取られて山形（三角形状）になるように形成されており、その山形部分が隣接するように千鳥配置されている。この形状により、隣接する電極部２ａをオーバラップして配置することが可能となるので、該電極２ａの配置密度を向上させることができ、半導体チップ２の長さを短くすることができる。 （もっと読む）

【課題】半導体素子の交換が容易に行えるフェイスダウン型半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板電極２１が設けられた配線基板２と、基板電極２１上に搭載された半導体素子１と、半導体素子１と配線基板２との間を充填するアンダーフィル樹脂４と、配線基板２上にアンダーフィル樹脂４に埋め込まれて配置されたレベル表示パッド５と、を有するフェイスダウン型半導体装置６を製造する。レベル表示パッド５は、２層からなり、配線基板２の基板電極２１と同時に形成された金属層５ａの上にめっきによって形成された第１層である金属層５ｂと、第１層である金属層５ｂの上に形成され有機溶剤によって除去される材質からなる第２層５ｃからなる。 （もっと読む）

【課題】電子部品の各端子を略均一にバンプ接続することができる、電子部品実装構造を提供する。
【解決手段】積層された絶縁層１１〜１４と、絶縁層１１〜１４に配置された導体パターンとを備えた多層基板１０に、バンプ５４，５５を介して少なくとも一つの電子部品５０をフリップチップボンディングにより実装する。絶縁層１１〜１４の積層方向に透視すると、多層基板１０の絶縁層１１〜１４のうちバンプ５４，５５に最も近い第１の絶縁層１１に形成された全ての貫通孔１１ａ，１１ｂが、電子部品５０を実装するための全てのバンプ５４，５５から離れている。 （もっと読む）

【課題】配線基板と半導体チップの接続の信頼性を向上させることができる配線基板及びフリップチップ実装構造を提供する。
【解決手段】配線基板２には、配線導体２１が所定間隔に設けられており、その先端部に半導体チップ３が搭載される。半導体チップ３と配線導体２１とは、バンプ４を介して接続される。配線導体２１は、バンプ４との接続部２１ａから所定長を延伸して構成されたダミー配線導体部（気泡把持部）２１ｂを有する。ダミー配線導体部２１ｂは、配線基板２と半導体チップ３の間に注入された熱硬化性樹脂に発生した気泡３０１が、配線導体２１へ進入するのを阻止する。 （もっと読む）

【課題】 ポリイミドシロキサン溶液組成物によって硬化絶縁膜を形成した配線基板へ電子部品を異方性導電材料によって実装する際の改良された実装方法、及び泡抜け性が改良されたポリイミドシロキサン溶液組成物を提供すること。
【解決手段】 配線基板の表面に電気回路配線部を部分的に被覆した硬化絶縁膜を形成する工程を含んでなる配線基板の実装方法において、前記硬化絶縁膜を、有機溶媒中に有機溶媒可溶性ポリイミドシロキサン、エポキシ化合物及び多価イソシアネート化合物からなる群から選ばれる少なくとも一種の硬化性成分、およびシリコーン消泡剤を含んでなり、前記有機溶媒が（Ａ）グライム類からなる溶媒と（Ｂ）アミド類、ピロリドン類、アノン類及びそれらのいずれかの混合物からなる群から選択された溶媒とを重量比（（Ａ）／（Ｂ））が８５／１５〜９９／１の割合で混合した混合有機溶媒からなるポリイミドシロキサン溶液組成物を用いて形成する。 （もっと読む）

【課題】 サイズの異なるチップを基板の電極面に配置し、一度に実装することができる効率のよいＭＣＭ(マルチチップモジュール)の製造が可能なマルチチップ実装法、接着剤付チップ連及び接着剤付チップの製造方法を提供する。
【解決手段】下記工程よりなるチップサイズの異なるマルチチップ実装法、(1)セパレータ上に形成してなるチップサイズより大きな硬化性材料からなる接着剤層をチップの電極面に接触させ、チップの背面より硬化剤の活性温度以下で加熱してチップサイズに沿った接着剤層の凝集力低下ラインを形成し、チップと略同一大きさの接着剤層をセパレータより剥離してチップに転着させ複数の接着剤付チップを得る工程、(2)複数の接続すべき接着剤付チップの電極と基板の電極を対向させて位置合わせする工程、(3)複数の電極の位置合わせを終了したチップの電極と基板の電極を、接続すべき電極間で硬化剤の活性温度以上で加熱圧着し、同一基板に複数のチップの電気的接続を得る工程。 （もっと読む）