【課題】半導体装置の特性低下を抑制しながら、半導体装置を薄型化することを目的とする。
【解決手段】第１の配線基板２２に半導体素子３を接続し、第２の配線基板２３に形成された開口部５に半導体素子３が収納されるように第１の配線基板２２を第２の配線基板２３に設置することにより、半導体素子３と第２の配線基板２３との電気的接続が、金属細線を用いることなく、第１の配線基板２２に形成された配線パターン２７により短い配線長で実現させることができるため、半導体装置２１の特性低下を抑制しながら、半導体装置２１を薄型化することができる。 （もっと読む）

【課題】ベアチップ実装において、配線基板の寸法変化による接合用配線列と半導体素子の電極の間の位置ずれを緩和する。
【解決手段】配線基板３上の接合用配線列４を構成する複数の導体配線２のピッチを、設計寸法に対し広いピッチから狭いピッチまで連続的に変化させてピッチ変化領域５が形成される。各々の導体配線２に複数の突起電極６が設けられ、ピッチ変化領域５内で接合用配線列４を横切る複数の平行線上に突起電極６が配置されて、複数の接合用突起電極列６ａ、６ｂ、６ｃが構成されている。配線基板３の寸法が変化した場合に、半導体素子８の素子電極列９のピッチに最も近いピッチの接合用突起電極列を選択して接合することで、突起電極６と素子電極列９の位置ずれを緩和する。 （もっと読む）

【課題】端子及び配線の狭ピッチ化を図るとともに熱影響を低減する。
【解決手段】本発明の実装構造体は、複数の配線１６１、１６２が形成された基体１００Ａと、能動面２１０及び能動面２１０の裏面よりも面積が小さい側面２２０を有するとともに複数の配線の各々に電気的に接続される端子２３０が能動面２１０の周縁に沿って設けられた電子部品２００と、を備えている。電子部品２００は、側面２２０が基体１００Ａに接続され基体１００Ａに実装されている。端子２３０と配線１６１、１６２とが、端子２３０及び配線１６２に析出させためっきを介して導通している。 （もっと読む）

【課題】封止樹脂の充填時、封止樹脂の進入速度の差を抑制させてボイドの発生を抑制させることができる半導体チップ、それを備える半導体装置、該半導体装置の製造方法、および該半導体装置を備える液晶モジュールを提供する。
【解決手段】複数の突起電極１３と、複数の突起電極１３以外の領域を被覆するソルダレジスト１２とが、能動面に形成されてなる表面実装型の半導体チップ１０において、各突起電極１３の間のソルダレジスト１２に形成された溝１４、および、複数の突起電極１３のうち外側に位置する突起電極１３により囲まれた領域以外のソルダレジスト１２に形成された突起体１５を備えている。 （もっと読む）

【課題】突起構造と半導体素子の電極とを接続する構造において、突起構造と半導体素子の電極との間の接続信頼性を向上させる。
【解決手段】素子搭載用基板１０は、絶縁樹脂層１２と、絶縁樹脂層１２の一方の主表面に設けられた配線層１４と、配線層１４と電気的に接続され、配線層１４から絶縁樹脂層１２側に突出している突起電極１６と、を備える。突起電極１６の側面には凹凸が形成され、突起電極１６の頂部面よりも側面の方が表面粗さが大きくなっている。 （もっと読む）

【課題】突起構造と半導体素子の電極とを接続する構造において、突起構造への熱応力の集中を緩和する。
【解決手段】素子搭載用基板１０は、絶縁樹脂層１２と、絶縁樹脂層１２の一方の主表面Ｓ１に設けられた配線層１４と、配線層１４と電気的に接続され、配線層１４から絶縁樹脂層１２側に突出している突起電極１６と、を備える。突起電極１６の側面は、突起電極１６の中心軸１６ｚを含む断面視で中心軸１６ｚ方向に湾曲するとともに、側面の曲率半径が配線層側端部１６ａから先端側端部１６ｂにかけて連続的に変化している。 （もっと読む）

【課題】電子部品との接続を良好に維持しつつ放熱性が向上された配線回路基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁層１の一面の略中央部には、実装領域Ｓが設けられる。実装領域Ｓの内側から外側に延びるように導体パターン２が形成される。実装領域Ｓの周囲において、導体パターン２を覆うようにカバー絶縁層４が形成される。実装領域Ｓ上には、導体パターン２の端子部２１が配置され、その端子部２１に電子部品５のバンプがボンディングされる。絶縁層１の他面には例えば銅からなる金属層３が設けられる。金属層３には、電子部品５に対向する領域を挟むように一対のスリット３ａが形成される。各スリット３ａは、金属層３を複数の領域に分断しないように形成される。 （もっと読む）

【課題】複数個のバンプを介して２枚の半導体チップを超音波接合するにあたり、数のバンプを一括して超音波接合するにときに、各バンプの接合状態を均一化するのに適した製造方法を提供する。
【解決手段】それぞれ複数個のバンプ３１、３２が一面側に平面的に配置された第１の半導体チップ１０、第２の半導体チップ２０を用意し、第１の半導体チップ１０の他面に、超音波を発振するホーン１００を当てて、両半導体チップ１０、２０の各バンプ３１、３２同士を接触させ、ホーン１００によって第１の半導体チップ１０のバンプ３１に超音波を印加する半導体装置の製造方法において、第１の半導体チップ１０の一面のうち超音波による第１の半導体チップ１０の振動方向Ｘにおける中央部に位置するバンプ３１よりも周辺部に位置するバンプ３１の方が、印加される超音波エネルギーが大きくなるようにする。 （もっと読む）

【課題】高温化に晒すことなく、配線基板と電子部品とを電気的に接合して、電子部品が配線基板に確実に実装された信頼性に優れる電子回路装置、および、かかる電子回路装置を備える電子機器を提供すること。
【解決手段】電子回路装置１０は、基板１と、所定形状にパターニングされ、端子を備える配線パターン２とを有する配線基板７と、本体部４の両端側に設けられた電極５を備えるチップコンデンサ６とを有しており、電極５が導電性を有する接合膜３を介して端子と電気的に接合されることにより、チップコンデンサ６は配線基板７に固定されている。接合膜３は、金属原子と、該金属原子と結合する酸素原子と、前記金属原子および前記酸素原子の少なくとも一方に結合する脱離基とを含むものである。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成や制御において確実に実装部品と被実装部品との位置決めを行うことができる実装方法及び実装装置を提供することを目的とする。
【解決手段】超音波振動を用いて実装部品を被実装部品に実装する実装方法であって、前記被実装部品を用意し、前記実装部品を保持する実装部品保持手段により前記実装部品を保持し、前記実装部品保持手段により前記実装部品を介して前記被実装部品を所定の押圧力で押さえ、前記実装部品保持手段により前記実装部品を介して前記被実装部品を押さえた後に、前記実装部品保持手段と一体的に移動可能である押さえ手段が前記被実装部品に直接接触し押さえる実装方法及びその装置。 （もっと読む）

【課題】高温高湿下で生じるマイグレーションによる絶縁性の低下が抑制されたＣＯＦ構造の半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】基材フィルム３ａ上に半導体チップ搭載領域３ｃを有する回路が形成されているＦＰＣ３の該半導体チップ搭載領域３ｃに、半導体チップ２を搭載する工程と、前記ＦＰＣ３と前記半導体チップ２との間に形成される隙間に、液状エポキシ樹脂組成物を注入する工程と、前記隙間に注入した液状エポキシ樹脂組成物を硬化させる工程とを備え、前記液状エポキシ樹脂組成物が、エポキシ樹脂、酸無水物系硬化剤、及び硬化促進剤を含有し、液状エポキシ樹脂組成物を前記隙間に注入する前に、前記基材フィルム３ａを膨潤可能な有機溶媒を前記ＦＰＣ３に塗布することを特徴とするＣＯＦ構造の半導体装置の製造方法を用いる。 （もっと読む）

【課題】電子部品間の接合信頼性を向上させることができる電子装置の製造方法を提供する。
【解決手段】第一電子部品１１と第二電子部品１２とを有し、第一電子部品１１の接合部１１１と、第二電子部品１２の接合部１２５とが接合された電子装置を製造するための製造方法であり、第一電子部品１１の金属製の接合部１１１と、第二電子部品１２の金属製の接合部１２５とを当接させ、第一電子部品１１および第二電子部品１２を加圧し、接合部１１１，１２５同士を金属接合した後、第一電子部品１１および第二電子部品１２への加圧を解除する第一の工程と、接合した第一電子部品１１および第二電子部品１２の位置関係を固定部材Ｐにより固定し、第一電子部品１１および第二電子部品１２を所定の温度で加熱保持する第二の工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】製品環境の熱ストレスなどによっても接合材料部が断線しにくい実装構造体を提供することを目的とする。
【解決手段】基材（１）に設けた導体配線（２）に電子部品の突起電極（４）を埋没させて電気接続するとともに、前記導体配線は、前記突起電極の少なくとも周辺部（２ａ）が多孔質であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】被接合物にダメージを与えることなく、被接合物を接合することができる接合方法およびその方法により作成されたデバイス並びにその接合装置を提供することを目的とする。
【解決手段】基板２２の表面に形成された金からなる接合部２２ａの表面に、洗浄部においてプラズマによるエネルギー波を照射し、表面に形成された酸化膜等を除去して表面活性化処理を行う。その後、チップ２０に形成された断面尖形形状を有する金属バンプ２０ａと、接合部２２ａを接地して加圧する。加圧により、金属バンプ２０ａは押し潰されて新生面が露出するため、金属バンプ２０ａは接合部２２ａに接合される。なお、金属バンプ２０ａは、チップ２０の接合面から金属バンプ２０ａの先端までの高さが２０〜９０％の高さとなるように、加圧力を５０〜７００ＭＰａとすることにより、チップ２０および基板２２へのダメージを与えることなく、かつ、接合強度が大きく電気的に精度の高い接合を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】半導体チップの実装方法及び半導体搭載用配線基板において、高温、高圧力を半導体実装部に負荷しても、半導体直下と配線パタ−ンが電気的に短絡することのない、半導体チップの実装方法及び半導体搭載用配線基板を提供する。
【解決手段】配線回路２２と、熱可塑性樹脂層２４との間に熱硬化性樹脂層４０を設けるとともに、熱硬化性樹脂層４０において、硬化剤の使用量を通常の使用量の１／２にして架橋度を低くする。 （もっと読む）

【課題】
半導体装置のバンプの接続抵抗が抑制され接続信頼性に優れた半導体装置、該半導体装置が実装された実装構造体、電気光学装置及び電気光学装置の製造方法を提供する。
【解決手段】
ドライバＩＣ１８のドライバ側出力バンプ２０は、筐体３３の長手方向（図４のＹ方向）のそれぞれの端側に配置されたドライバ側出力バンプ２１、２２等の弾性係数が長手方向の中央側に配置されたドライバ側出力バンプ２０ａ等の弾性係数より小さい。このため、ドライバＩＣ１８を基板６に熱圧着した後に、ドライバＩＣ１８が図４に示すように変形したときに、筐体３３の長手方向で中央側から両端側に行くにつれそれぞれのドライバ側出力バンプ２０の変化量が徐々に大きくなり、各ドライバ側出力バンプ２１と基板６の出力配線１３の一端部１３ａ等の電気的な接続を確保することができる。 （もっと読む）

【課題】
高画素化及び接続信頼性を向上させることが可能な半導体装置、該半導体装置が実装された実装構造体、電気光学装置及び電気光学装置の製造方法を提供する。
【解決手段】
ドライバＩＣ１８は、第１の高さｈ１と第３の高さｈ３とを加えた長さと、第２の高さｈ２と第４の高さｈ４とを加えた長さとが同じであるので、ドライバ側入力バンプ２８ａと電源用入力端子１５ａとの接続前の間隔やドライバ側入力バンプ２８ｂと信号用入力端子１６ａとの接続前の間隔やドライバ側出力バンプ２０と一端部１２ａとの接続前の間隔が同じになり、圧着により、ドライバ側出入力バンプ２０、２８ａ、２８ｂを均等に圧接し、接続信頼性を向上させることができる。電源用入力端子１５ａの高さを高くせずに、例えばドライバ側入力バンプ２８（例えば入力配線１５）の数を増加させて高画素化を実現できる。 （もっと読む）

【課題】標印工程を簡素化しながら、品質管理を容易に行うことが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】この半導体装置は、主面上に複数の配線リード２が形成されたフィルム基板１０と、フィルム基板１０の主面上に搭載され、配線リード２と電気的に接続された半導体チップ２０と、フィルム基板１０の外周部の領域上に形成された金属層７と、フィルム基板１０の主面上に、金属層７を覆うように形成されたソルダレジスト層９とを備えている。そして、金属層７が形成されている領域（標印領域６）には、レーザ照射による刻印によって、製品情報が標印されている。 （もっと読む）

【課題】半導体素子を回路基板に実装する際に、半導体素子と回路基板の間の接着層を、回路基板に向かって十分に裾が拡がった形状に形成する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、半導体素子（１３）を実装する回路基板（１１）上の、前記半導体素子の実装位置の外周にあらかじめ第１の接着層（１２）を形成しておく。また、前記半導体素子の実装面に、あらかじめ第２の接着層（１５）を形成しておく。前記半導体素子を前記回路基板上に配置し、前記第１の接着層と前記第２の接着層とを溶融・一体化してフィレット（１６）を形成する。 （もっと読む）

【課題】錫めっき又は金めっきが施された基板電極との接合に適したバンプ硬度と形状を有する金バンプが得られるバンプ形成用非シアン系電解金めっき浴を提供する。
【解決手段】金源としての亜硫酸金アルカリ塩または亜硫酸金アンモニウムと、めっき浴の安定化剤としての水溶性アミンと、結晶調整剤と、亜硫酸ナトリウムからなる伝導塩５〜１５０ｇ／Ｌと、緩衝剤と、分子量２０００〜６０００のポリアルキレングリコール０．０１〜１０ｍｇ／Ｌと、を含有するバンプ形成用非シアン系電解金めっき浴。結晶調整剤としてはＴｌ化合物、Ｐｂ化合物、またはＡｓ化合物が、水溶性アミンとしては炭素数２〜６のジアミン化合物が好ましい。 （もっと読む）