【課題】 バンプのつぶれ量を簡単な構成で検出することができ、半導体チップおよび基板の接続の信頼性を向上することができるフリップチップ実装方法を提供する。
【解決手段】 半導体チップの一表面部に、処理回路に電気的に接続される回路接続用バンプと、回路接続用バンプよりも突出量の小さい検出用バンプとを形成しておき、半導体チップが実装される基板の一表面部のうち、回路接続用バンプおよび前記検出用バンプにそれぞれ対応する位置に、被接続部を形成しておき、回路接続用バンプを被接続部に接触させて、半導体チップに、基板に向かう方向の荷重を付与して、回路接続用バンプと被接続部との接合を開始し、検出用バンプと前記被接続部との接触を電気的に検出し、検出結果に応じて前記接合を終了する。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成で、接合不良の問題を解消することが可能な電子部品の接合装置を提供すること。
【解決手段】電子部品の接合装置は、電子部品を保持する接合ヘッドと、接合ヘッドを保持し昇降可能なヘッド側昇降体６と、ヘッド側昇降体６が昇降可能に取り付けられる第１フレームと、接合ヘッドを昇降させる昇降機構と、ヘッド側昇降体６および昇降機構に連結されて昇降可能な駆動側昇降体９と、駆動側昇降体９が昇降可能に取り付けられる第２フレームとを備えている。駆動側昇降体９は、ヘッド側昇降体６と駆動側昇降体９との連結部１６でヘッド側昇降体６に係合する係合凸部２８ａを備え、ヘッド側昇降体６は、係合凸部２８ａを上方向から付勢する弾性部材３９を備えている。ヘッド側昇降体６と駆動側昇降体９とは、弾性部材３９の付勢力で連結されている。 （もっと読む）

【課題】半導体素子の性能を維持しつつ、小型化、及び設計の効率化が実現できる半導体装置及び基板を得る。
【解決手段】半導体素子１２に対し、表示装置を駆動させる信号を出力する半導体素子内部出力部３０Ａ〜３０Ｄの近傍にグランド端子電極５２ａ及び電源端子電極５２ｂを設ける一方、絶縁性フィルム１８に対し、従来より半導体素子１２の第１の辺に沿って設けられているグランド端子電極１４ａ及び電源端子電極１４ｂと、グランド端子電極５２ａ及び電源端子電極５２ｂとを接続する半導体素子上金属配線パターン５４を設ける。 （もっと読む）

【課題】バンプによりセラミック多層基板に電子部品チップが搭載されている電子部品であって、複数のバンプによる電気的接続の信頼性が高められている電子部品を得る。
【解決手段】セラミック多層基板２の上面２ａ上に、複数のバンプ１４〜１６を有する電子部品チップ３が搭載されており、セラミック多層基板２において、バンプ１４〜１６が接続される第１の電極ランド１１、第２の電極ランド１２及び第１の電極ランド１３が順に配置されており、第２の電極ランド１２の高さが第１の電極ランド１１，１３の電極ランドの高さよりも高くなるようにセラミック多層基板２の上面２ａが凸状とされている、電子部品１。 （もっと読む）

【課題】電極表面酸化を防止し安定した常温接合装置を提供すること。
【解決手段】２体のウェハにそれぞれ形成された複数の電極面を接合する接合装置であって、前記電極面を平坦化する平坦化装置１０と、前記平坦化された前記電極面を活性化する活性化装置２０と、前記電極面同士の位置合わせを行うアライメント装置３０と、前記位置合わせされた電極面同士を重ね合わせる重ね合わせ装置３０と、重ね合わせた前記２体のウェハを加圧する加圧装置４０と、前記平坦化装置、前記活性化装置、前記アライメント装置、前記重ね合わせ装置、及び前記加圧装置の間の少なくとも１つに前記ウェハを搬送する搬送装置５１，５２，５３とを有する接合装置。 （もっと読む）

【課題】簡単な構成でありながら半導体チップを所定の湾曲形状にした状態で基板に取り付ける。
【解決手段】リジット基板１３の相対する一対の縁１３ａ，１３ｂに沿って、径サイズが異なる３種類のバンプ１１ａ〜１１ｃをライン状に配列して接合する。縁１３ａの中心部に径サイズが最も小さいバンプ１１ｃが縁１３ａに沿って２個並列され、これらの外側にバンプ１１ｂが、更にその外側に最も径サイズが大きいバンプ１１ａが配置され、縁１３ａに沿って合計６個のバンプ１１ａ〜１１ｃが配列される。縁１３ｂについても縁１３ａと同様にバンプ１１ａ〜１１ｃが配列される。リジット基板１３の上方から可撓性を有する固体撮像素子１２を被せ、固体撮像素子１２の中央部に圧縮空気を吹きつけて凸状に湾曲させながら、固体撮像素子１２の電極をバンプ１１ａ〜１１ｃに接合し、半導体装置１０を得る。 （もっと読む）

【課題】半導体チップがフリップチップ実装された半導体装置において、十分なバンプ接合強度と良好な高周波特性を実現する。
【解決手段】半導体装置（４０）は、実装基板（４１）と、前記実装基板に導体バンプ（４３Ａ、４３Ｂ）を介して実装される半導体チップ（５０）とを含み、前記導体バンプは、前記半導体チップと接合される内側部分（４２ａ）と、前記内側部分を覆う外側部分（４２ｂ）とを有し、前記内側部分はＣｕ又はＡｌであり、前記外側部分は、前記内側部分よりも硬度の高い導電材料、たとえばＣｕ合金めっき膜又はＡｇ合金めっき膜である。 （もっと読む）

【課題】２つの電子部品を基板と垂直な方向に積み重ね、狭小なピッチで二次元的に配列されている配線要素同士を常温下で接続するための電極を備える電子部品を高いスループットで高精度に歩留まりよく製造する
【解決手段】本発明による電子部品の製造方法は、凹部が形成されているモールドの成形面上に導電膜を形成し、基板の接合面に備わる配線要素を前記導電膜に接合し、突端が前記導電膜からなる電極が前記基板から前記接合面に対して垂直方向に突出している電子部品を前記モールドから分離する、ことを含む。 （もっと読む）

【課題】簡単な設備で短時間に熱の消費すくなく、しかも部品と実装対象物との十分な電気的接合を図って実装できるようにする。
【解決手段】部品３を部品取り扱いツール１４で保持して取り扱いその接合面３ａを実
装対象物４の接合面４ａに対向させ、双方の電気接合部５、６どうしを圧接させ実装に供する部品取り扱い手段２３と、部品取り扱いツール１４に超音波振動手段２４を接続してなり部品３に超音波振動を与える接合手段２３ｂとを備え、実装対象物４の電気接合部６に部品３の電気接合部５を対向させて、電気接合部５、６どうしを接合面３ａ、４ａの一方または双方に予め供与された封止材１１を介し圧接させるとともに超音波振動手段２４を働かせて部品３と実装対象物４との電気接合部５、６どうしを超音波振動により摩擦させて接合することにより、上記のような目的を達成する。 （もっと読む）

【課題】ＭＥＭＳデバイス実装でのダイワイヤボンド作業を解消するとともに、ダイ装着に伴う応力を低減するシステムと方法を提供する。
【解決手段】ダイ２４の使用目的に応じてトレース及びパッドを有するダイ２４を作成する。ＭＥＭＳデバイス２２はダイ２４に装着される。次にダイは、ダイ２４と同じ材料の基板に装着される。次に基板はパッケージ２８に装着される。ダイ２４又は基板は、フリップチップ装着されてよい。カバープレート２６は、ＭＥＭＳデバイス２２、ダイ２４、カバープレート２６を受け容れる寸法と形状とを有し、段差部を有する凹所（又はワイヤボンドシェルフ）を含む、長方形ブロックのパッケージ２８に装着される。 （もっと読む）

【課題】素子としてのＩＣチップが容器に強く接続され、さらに、ＩＣチップの下部及び周辺に充填、硬化され、形成された樹脂がその後の工程にて、加熱冷却される際にＩＣにかかる応力を低減し、動作異常並びに接続不良を削減した電子部品を提供する。
【解決手段】容器のキャビティ内に、該キャビティの底面に素子と該素子の周囲に配置される熱硬化性樹脂とを収容した電子部品であって、前記キャビティは、その開口部よりも下方位置であって且つ前記素子の下面の高さ位置よりも高い位置に前記底面と対向する対向面を有しており、前記キャビティ内の残部空間であって、前記対向面の高さ位置よりも高い位置から前記底面の間に前記熱硬化性樹脂が充填されていることを特徴とする電子部品。 （もっと読む）

【課題】半導体素子と配線回路基板および接続用電極に生ずる応力の緩和効果に優れたシート状エポキシ樹脂組成物を提供する。
【解決手段】半導体素子３に設けられた接続用電極部２と配線回路基板１に設けられた回路電極部４とを対向させた状態で上記配線回路基板１上に半導体素子３が搭載された半導体装置における、上記配線回路基板１と半導体素子３との空隙を樹脂封止するためのシート状エポキシ樹脂組成物６であり、下記の（Ａ）〜（Ｃ）成分を含有する。（Ａ）エポキシ樹脂。（Ｂ）フェノール樹脂。（Ｃ）シリコーン変性ポリイミド樹脂。 （もっと読む）

【課題】電子部品の破損を防ぎ、また接合不良を防ぐ電子部品の接合方法を提供する。
【解決手段】基板に設けられた電子部品搭載パッドに、電子部品を接合する電子部品の接合方法であって、電子部品１０の一方の主面に金属膜１１を形成する金属膜形成工程と、電子部品の他方の主面に設けられた電極パッド１２にバンプ１３を形成するバンプ形成工程と、電子部品１０の他方の主面に形成されたバンプ１３が電子部品搭載パッド２４に対応するように配置し、接合用ホーン１２０を電子部品１０の一方の主面の金属膜１１に当接させ超音波を加えることによって接合する電子部品接合工程とを含むものである。 （もっと読む）

【課題】加工装置や加工工数を増やしてコスト高を招くようなことなく、また信頼性を損なうことなく、放熱効率の良い半導体装置、半導体装置を用いたディスプレイ装置および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】可撓性を有する絶縁基材１の表面に導電パターン３を形成し、その導電パターンに接続して絶縁基材の表面に半導体７を搭載する半導体装置１６において、半導体７のまわりを一部残して半導体を取り囲むように、絶縁基材にスリット５を形成して半導体保持部位３０を設ける。ここで、スリット５は、例えば、外形が四角い半導体７の三辺を取り囲むように、コの字状に形成する。 （もっと読む）

【課題】回路基板上にフリップチップボンディングされた半導体基板をエッチングにより薄い半導体チップに加工する際、エッチング保護膜に保護された半導体基板の端面近傍がエッチング残渣として半導体チップの裏面に残留することを防止する。
【解決手段】半導体基板２１の主面６ａに半導体チップ２０を画定する分割用溝９を形成し、この半導体基板２１を回路基板１５にフリップチップボンディングする。その後、半導体基板２１の裏面１ｂを分割用溝９が表出するまでエッチングして、分割用溝９で画定される半導体チップ２０を回路基板１５上に形成する。他方、分割用溝９より外側部分は、エッチング保護膜１４の除去により、外側部分上に残留するエッチング残渣１７と共に除去される。 （もっと読む）

【課題】ＩＣとプリント基板の接触面積を増大させて密着力を向上させるプリント基板を提供する。
【解決手段】少なくとも一つ以上のビアランド４ａを含む第１回路パターン４が上面と同一面になるように上部に埋め込まれ、前記ビアランド４ａと対応する位置に形成された第２回路パターン８が下面と同一面になるように下部に埋め込まれた絶縁層２；前記絶縁層２上に積層されたソルダレジスト層１２；前記ビアランド４ａと前記第２回路パターン８を電気的に接続するために、前記絶縁層２に形成されたビアホール６；及び前記第２回路パターン８上に、前記ビアホール６及びビアランド４ａを貫通する一体型に形成され、前記ソルダレジスト層１２より高い高さを有するように前記絶縁層２の上面上に突設されたバンプ１０；を含む。 （もっと読む）

【課題】バンプ形状が小さくても接合後の密着強度及び電気信頼性が高い半導体装置を提供する。
【解決手段】接続用電極２を有し、接続用電極２の上に第１金属膜４と第２金属膜５と電気接続突起１０を設けた半導体基板１において、電気接続突起１０の外周部に隣接するように、金属保護層６を設ける。電気接続突起１０に配線基板２０を接合すると、これによって変形した電気接続突起１０である変形電気接続突起１０ａは金属保護層６の表面に密着して、接合後の密着強度及び電気信頼性を向上させる。レジストを保護層とする場合のように硬化処理を必要とせず、パターニングも簡単である。 （もっと読む）

【課題】回路素子５０を搭載したフレキシブル基板２３を屈曲したとき、回路素子５０の外周を封止するアンダーフィル樹脂５７が回路素子５０の角部５０ａの外方のコーナ部で剥離し始めるのを防止する。
【解決手段】フレキシブル基板２３におけるベース基板５１には、回路素子５０の搭載領域５３よりも外周側に、配線パターン５２を覆うソルダーレジスト膜５４が形成されている。ソルダーレジスト膜５４における第１の開口部５５は、平面視ほぼ矩形状の回路素子５０の角部５０ａの外方に形成されている。アンダーフィル樹脂５７は回路素子５０の端子部と配線パターン５２との接続部を封止するとともに、第１の開口部５５を通してベース基板５１に密着している。アンダーフィル樹脂５７とベース基板５１との接着強度は、アンダーフィル樹脂５７とソルダーレジスト膜５４とのそれよりも大きい。 （もっと読む）

【課題】プリント配線板及びこれを用いた電子部品収容基板を高多層化、大型化させることなく、また、生産性を悪化させることなく、半導体素子等の電子部品をプリント配線板にフリップチップ実装できる、プリント配線板及びその製造方法、並びに、このプリント配線板を用いた電子部品収容基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板２０の一面側に凹状に形成されたキャビティ４６に電子部品６０が収容された電子部品収容基板を製造する際、一面側に凸状のバンプ１７を複数形成し、この一面側に、絶縁性樹脂とシート状の補強材とを有する絶縁層２１を形成して補強材でバンプ上を絶縁性樹脂を介して覆い、バンプ上の絶縁性樹脂を残して補強材を除去し、さらにバンプ上の絶縁性樹脂にレーザ光を照射してこの絶縁性樹脂を除去してバンプを露出させ、バンプに対応する電極６２を有する電子部品をキャビティに収容すると共に電極とバンプとをそれぞれ接合する。 （もっと読む）

【課題】半導体素子と配線基板とをフリップチップ接続した半導体装置に関し、半導体素子の４隅のコーナー部において半導体素子と配線基板の間隙の封止樹脂充填性が悪いため、半導体素子の４隅のコーナー部において封止樹脂が不足し、半導体装置の接続信頼性低下が懸念される。
【解決手段】半導体素子と配線基板をフィルム状の封止樹脂を介して接続するフリップチップ実装の半導体装置の構造で、半導体素子の４隅のコーナー部にのみ樹脂保護膜を形成し、フリップチップ実装することで半導体素子搭載領域の中央部に比べ、コーナー部の半導体素子と配線基板の間隙が狭くなり、コーナー部の樹脂充填を向上させる。 （もっと読む）