【課題】半導体素子を作製する方法を提供する。
【解決手段】半導体ダイの表面上に形成された複数の複合バンプを有する、半導体ダイを提供するステップであって、前記複合バンプは、可融性部分および非可融性部分を有する、ステップと、基板を提供するステップと、エスケープルーティング密度を増加させるための平面図から、伝導性トレースと平行な縁を有する相互接続部位を伴って前記基板上に複数の伝導性トレースを形成するステップであって、前記複合バンプは、前記相互接続部位よりも幅広い、ステップと、前記可融性部分が前記相互接続部位の頂面および側面を覆うように、前記複合バンプの前記可融性部分を前記相互接続部位に接着するステップと、前記半導体ダイと基板との間で前記複合バンプの周囲に封入材を堆積させるステップとを含む、半導体素子を作製する方法。 （もっと読む）

【課題】半導体素子を作製する方法を提供する。
【解決手段】主に半導体ダイの周辺領域中に位置する信号パッドと、主に前記信号パッドから半導体ダイの内部領域中に位置する電力パッドおよび接地パッドとを伴う、ダイパッドレイアウトを有する半導体ダイを提供するステップと、前記信号パッド、電力パッド、および接地パッド上に複数のバンプを形成するステップと、基板を提供するステップと、前記基板上に相互接続部位を伴う複数の伝導性トレースを形成するステップであって、前記バンプは、相互接続部位よりも幅広い、ステップと、前記バンプが前記相互接続部位の頂面および側面を覆うように、前記バンプを前記相互接続部位に接着するステップと、前記半導体ダイと基板との間で前記バンプの周囲に封入材を堆積させるステップとを含む、半導体素子を作製する方法。 （もっと読む）

【課題】回路基板にバリスタペーストを塗布し静電気による破壊に対する防御手段を持たせる際、塗布量や塗布配置に対し高い精度が要求されず製造し易くする。
【解決手段】回路基板４２は、導電性のポスト５７，５８を除く上面全体にバリスタ５６を備え、ポスト５７とバリスタ５６の上面が同じ高さになっている。つまりポスト５７，５８の形成後、バリスタ５６を塗布し研磨すれば良い。この回路基板４２にＬＥＤ素子４３をフリップチップ実装する。 （もっと読む）

【課題】半導体素子を作製する方法を提供する。
【解決手段】半導体ダイの能動表面上に形成された複数のバンプを有する、半導体ダイを提供するステップと、基板を提供するステップと、前記基板上に相互接続部位を伴う複数の伝導性トレースを形成するステップであって、前記バンプは、前記相互接続部位よりも幅広い、ステップと、前記接続部位から離れた前記基板の領域上にマスキング層を形成するステップと、前記バンプが前記相互接続部位の頂面および側面を覆うように、前記バンプを前記相互接続部位に接着するステップと、前記半導体ダイと基板との間で前記バンプの周囲に封入材を堆積させるステップと、を含む、半導体素子を作製する方法。 （もっと読む）

【課題】半導体チップを磁気シールド層で被覆しても、バンプを狭いピッチで配置することができるようにする。
【解決手段】半導体チップ１００は磁気記憶素子１０を有しており、かつ第１面に電極パッドを有している。磁気シールド層４００は、少なくとも電極パッドが露出した状態で半導体チップ１００を被覆している。半導体チップ１００は、バンプ３１０を介して配線基板２００に実装されている。半導体チップ１００と配線基板２００は、少なくとも一方が凸部を有しており、当該凸部上にバンプ３１０が設けられている。 （もっと読む）

【課題】電子部品の電極間隔が狭い場合でもはんだバンプの高さを高くできるようにする。
【解決手段】ＵＢＭ１０５の長さＬｕを開口１０４の１辺の長さＬｈよりも小さくする。これにより、ＵＢＭ１０５の長さＬｕは比較例１のＵＢＭ１０５′の長さＬｕ′よりも小さくなる。したがって、はんだバンプ３００の底面部分の面積は、比較例１のはんだバンプ３００′の底面部分の面積よりも小さくなる。その結果、はんだバンプ３００の表面張力の作用によって、はんだバンプ３００の体積を増やさずともその高さをはんだバンプ３００′よりもΔｈだけ高くすることができる。 （もっと読む）

【課題】接続信頼性の高い半導体装置を安定的に製造することができる半導体装置の製造方法および装置を提供すること。
【解決手段】複数の回路基板１の第一端子と、複数の半導体素子２のバンプとをそれぞれ対向配置させ、各第一端子と各バンプとの間に樹脂層３を配置して複数の積層体４を形成し、複数の積層体４を加熱しながら、複数の積層体４を同時に積層体４の積層方向から加圧する。このとき、複数の積層体４を加熱炉５１内で加熱しながら、加熱炉５１内に配置されたダイアフラム５４を複数の積層体４あるいは、複数の積層体４を挟圧するための部材５３１に当接させて弾性変形させることより、複数の積層体４を真空下で同時に積層体４の積層方向から加圧する。 （もっと読む）

【課題】バンプコイニングヘッドのバンププレス冶具と電子部品の面との平行調整が容易なバンプコイニングヘッドを提供する。
【解決手段】基板保持台９０に保持された電子部品５のバンプ６の頂部を押圧するバンプコイニングヘッド１であって、バンプコイニングヘッド１は、取付部材１０、２０と、バンププレス冶具８０と、バンププレス冶具の下面の角度を調整する角度調整部材を有する。角度調整部材は、上部プレート３０と、上部プレートの下部に位置する下部プレート７０と、バンププレス冶具を取付ける下部保持部材８３と、上部プレート１０と下部プレート７０を取付け、下部プレート７０の中心を保持して上部プレート１０に対して所定角度回動可能に保持するとともに、電子部品５が保持された基板保持台９０とバンププレス冶具８０の下面８１が平行に位置したときにその角度を維持する角度保持部材７６を有する。 （もっと読む）

【課題】導電配線の電気抵抗の増大や断線を抑制することが可能な配線基板、およびその配線基板上に電子部品を実装した実装構造体を提供する。
【解決手段】本発明の配線基板Ｘは、基板本体１と、基板本体１上に設けられ、電子部品の接続端子を接続するための接続パッド部３１および接続パッド部３１から延びる配線部３２を有する導電配線３と、接続パッド部３１上の領域全体に形成され、はんだぬれ性を有するメッキ層５とを備え、接続パッド部３１は、配線部３２と接続された接続部３１ａ、接続部３１ａから延びる第１の辺３１ｂおよび第２の辺３１ｃを有し、メッキ層５は、接続パッド部３１上から、第１の辺３１ｂの延長線Ｌｂ、第２の辺３１ｃの延長線Ｌｃおよび接続部３１ａによって囲まれた配線部３２上の第１領域３２ａに加え、第１領域３２ａを越えた配線部３２上の第２領域３２ｂにまで延びていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高温下での接続信頼性に優れた、すなわち高温下でも充分な接着力、かつ良好な接続状態で半導体を封止充てんすることが可能な半導体封止充てん用熱硬化性樹脂組成物を提供すること。
【解決手段】熱硬化性樹脂、硬化剤、フラックス剤、平均粒径が異なる少なくとも２種類以上の無機フィラを必須成分としており、前記無機フィラは、平均粒径が１００ｎｍ以下の無機フィラ、及び平均粒径が１００ｎｍより大きい無機フィラを含む半導体封止充てん用熱硬化性樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】電極端子の接続信頼性が高い樹脂組成物、及びこの樹脂組成物を用いて製造する電子装置の製造方法を提供する。
【解決手段】第一基板１１０の半田バンプ１１１と第二基板１２０の半田バンプ１２１とを半田接合する際に、第一基板１１０の半田バンプ１１１と第二基板１２０の半田バンプ１２１との間に導入され、半田接合した後に熱硬化する樹脂組成物１３０であって、前記樹脂組成物は、熱硬化性樹脂を含み、１８０℃、及び２５０℃におけるゲルタイムが１００秒以上である。 （もっと読む）

【課題】 半導体チップを基板に実装するためのＡｕバンプとＡｌ電極との間に形成してＡｕとＡｌとの拡散を防止するため膜であって、良好な拡散バリア性を有すると共に高いエッチングレートのＷ−Ｔｉ系拡散防止膜、並びにこの高いＷ−Ｔｉ系拡散防止膜を形成するためのスパッタリング用Ｗ−Ｔｉターゲットを提供すること。
【解決手段】 Ｔｉ：５〜２０質量％、Ｆｅ：１５〜２５ｐｐｍ、Ｃｒ：１〜５ｐｐｍを含有し、残部がＷ及び不可避不純物からなる組成を有することを特徴とするＷ−Ｔｉ系拡散防止膜、並びに同じ成分組成を有するＷ−Ｔｉ系拡散防止膜形成用スパッタリングターゲット。 （もっと読む）

【課題】コア部の外側を覆うようにアンダーフィル部が形成される半田ボール、及び前記半田ボールにより半導体チップと基板部とが電気的に接続される半導体パッケージを提供する。
【解決手段】半導体チップ１１０を基板部１２０に電気的に接続する半田ボール１３０において、半田ボール１３０は、半導体チップ１１０と基板部１２０を電気的に導通させるためのコア部１３２と、コア部１３２の外側を覆うようにコア部１３２にコーティングされ、コア部１３２の半導体チップ１１０と基板部１２０への接触時にコア部１３２の周囲を保護するためのアンダーフィル部１３４とを含む。 （もっと読む）

【課題】半導体パッケージ及びその製造方法の提供。
【解決手段】基板絶縁膜とチップ絶縁膜の中で、少なくとも１つがダミー開口部を含み、フリップチップをボンディングするための自己接合ソルダボンディング工程で基板接続端子とチップ接続端子とを連結する内部ソルダボールにならず周辺に残留するソルダ粒子がダミー開口部を満たしてダミーソルダを形成する。このため、残留するソルダ粒子による電気的短絡、漏洩電流等の問題点を解決でき、信頼性ある半導体パッケージを提供できる。また、ダミー開口部が信号伝達経路である回路パターンの所定の部分を露出させるように形成されるので、ダミー金属パターンを任意に形成する必要がなく回路基板の信号配線デザインを変更する必要がない。 （もっと読む）

【課題】半導体装置のフリップチップ接続における接続信頼性の向上を図る。
【解決手段】フリップチップ接続する前に基板上のフリップチップ接続用のはんだバンプ５ａにフラックス９を塗布し、さらにリフロー／洗浄してからフリップチップ接続を行うことで、はんだバンプ５ａの表面の酸化膜を薄くするとともに、前記酸化膜の均一化を図ることができ、これにより、フリップチップ接続時に局所的なはんだはみ出しの発生を抑制してはんだブリッジの発生を低減し、半導体装置のフリップチップ接続における接続信頼性の向上を図る。 （もっと読む）

【課題】層間絶縁膜（特に、低誘電率絶縁膜）が剥離することを防止すると共に、封止樹脂がチップの裏面上に這い上がることを防止する。
【解決手段】半導体装置は、基板１０と、基板１０上に形成された層間絶縁膜１１と、層間絶縁膜１１上に形成されたパッドとを有するチップ１２と、ランドを有し、パッドとランドとが対向するように配置された実装基板１４と、パッドとランドとを電気的に接続するバンプ１５と、チップ１２と実装基板１４との間に充填される封止樹脂１６とを備えている。チップ１２の側面は、下部領域１７ａと、上部領域１７ｃと、下部領域１７ａと上部領域１７ｃとの間に位置する中央領域１７ｂとを有している。上部領域１７ｃは、層間絶縁膜１１の側面を含む。中央領域１７ｂの粗度は、下部領域１７ａの粗度及び上部領域１７ｃの粗度よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】フィレット形状を、凸形状にならないように制御し、信頼性の高い半導体装置を製造することのできる半導体チップ接合用接着材料を提供する。
【解決手段】粘弾性測定装置で測定した２５℃せん断弾性率Ｇｒが１×１０^６Ｐａ以上、レオメーターで測定したハンダ融点までの最低複素粘度η＊ｍｉｎが５×１０^１Ｐａ・ｓ以下であり、温度１４０℃、歪量１ｒａｄ、周波数１Ｈｚで測定した複素粘度η＊（１Ｈｚ）が温度１４０℃、歪量１ｒａｄ、周波数１０Ｈｚで測定した複素粘度η＊（１０Ｈｚ）の０．５〜４．５倍である半導体チップ接合用接着材料３。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハにＢＧ工程を施すと、研削された半導体ウエハの面に破砕層が形成される。この破砕層は、半導体ウエハの内部への不純物の侵入を抑制する効果を有している。一方、半導体装置の薄型化に伴い、半導体ウエハの厚さを更に薄くしなければならない。そのため、半導体ウエハの抗折強度は従来に比べて低下してきており、薄くなった半導体ウエハに破砕層が形成されていると、半導体ウエハにクラックが発生する恐れがある。そこで、半導体ウエハの抗折強度を向上するために、ＢＧ工程の後に、ストレスリリーフを行うことが有効とされている。しかし、破砕層を除去してしまうと、ゲッタリング効果は低下してしまう。
【解決手段】本願発明は、半導体装置の製造方法において、そのデバイス面に集積回路が形成されたウエハの裏面に対して、バックグラインディング処理を実行した後、裏面の破砕層が残存するように、同裏面に保護膜を形成するものである。 （もっと読む）

【課題】高密度のフリップチップ接合方式に用いて、実質的な面積の増大なしにバンプ同士の短絡を生じにくいバンプ配列を備える、半導体素子等を提供する。
【解決手段】バンプ９辺長Ｒの正方格子状に配列された電極１１とを備え、正方格子を４つまとめた拡張正方格子において、コーナーではバンプは電極に合わせており、拡張正方格子の向かい合う第１組の２辺では中央のバンプは、該辺から直交方向にａ（＞０）だけずれ、また他の第２組の２辺では中央のバンプは、該辺から直交方向にｂ（＞０）だけずれ、拡張正方格子の中心に位置するバンプは、上記のずれａとずれｂとの合成分だけずれ、Ｒ、ａおよびｂは、｛（ａ／Ｒ）−１｝^２＋｛（ｂ／Ｒ）−１｝^２＞１・・・・（１）、を満たしていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】更なる小型化を図ることが可能な電子部品、この電子部品を備えた電子機器及びこの電子部品の製造方法の提供。
【解決手段】水晶振動子１は、引き出し電極１５ａ，１６ａを有する水晶振動片１０と、バンプ電極２４，２５を有するパッケージベース２１と、を備え、バンプ電極２４，２５と引き出し電極１５ａ，１６ａとを介して、パッケージベース２１に水晶振動片１０が載置されており、バンプ電極２４，２５は、パッケージベース２１の支持面２３から水晶振動片１０側に向かって突出した形状であると共に、パッケージベース２１の支持面２３の広がり方向に向かって凸状に丸みを帯びた形状を備えた樹脂製の樹脂突起２４ａ，２５ａと、樹脂突起２４ａ，２５ａの表面を覆う導電性被膜２４ｂ，２５ｂと、を有し、引き出し電極１５ａ，１６ａとバンプ電極２４，２５とが、直接接合されていることを特徴とする。 （もっと読む）