【課題】 回路モジュール対して撓みや引っ張り等の外力が加わると、回路モジュール基板の接合部ではそれによる応力を受け、やがて破断に至る危険性がある。パッド電極の配置のしかたにより応力を防ぐことができる回路モジュール基板を提供すること。
【解決手段】 回路モジュール基板の接合部にかかる応力は、矩形基板接合面内の角部で大きくなる傾向があり、また、パッド電極接合部の配置が接合面内でバランス良くされないと特定の接合部に集中が起こる。パッド電極を回路モジュール基板の角部には形成せず、また、パッド電極の配置が回路モジュール基板の中心に対して点対称となるように構成する。 （もっと読む）

【課題】装置がＸ方向に大きくなってしまうことを抑制することが可能な実装機を提供する。
【解決手段】この実装機１００は、基台１と、ベアチップを保持可能に構成されているとともに、基台１に対してＹ方向に移動可能なウエハ保持テーブル５と、ウエハ保持テーブル５に保持されたベアチップを下方から突き上げる機構を有し、基台１に対して少なくともＸ方向に移動可能な突上げ装置７と、突上げ装置７により突き上げられたベアチップを吸着する機構を有し、基台１に対して少なくともＸ方向に移動可能である取出装置６と、取出装置６からベアチップを受け取るとともに、ベアチップをプリント基板Ｐに実装するヘッドユニットとを備えている。 （もっと読む）

【課題】フリップチップ方式の半導体装置において、狭ギャップへの注入性に優れ、なおかつ狭い塗布スペースでの塗布を可能とする液状封止樹脂組成物を提供すること。
【解決手段】フリップチップ方式の半導体装置において半導体チップと基板又は半導体チップと半導体チップのギャップの封止に用いる液状封止樹脂組成物であって、（Ａ）液状エポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤、及び（Ｃ）無機充填剤を含有し、注入温度における粘度が０．１Ｐａ・ｓ以下であり、かつ注入温度および硬化温度における前記半導体チップ表面及び前記基板表面との接触角（θ）が１５度以上である液状封止樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】電子部品及び基板に応じてアンダーフィルの線膨張係数の最適化を図り、耐衝撃性の向上だけでなく熱疲労等による接合部の不良発生を低減することができる電子部品の実装構造及び実装方法を提供する。
【解決手段】ＬＳＩパッケージ１と基板２との接合部に形成されたアンダーフィル３に中央領域３５と各辺に沿って４等分した領域に複数の周辺領域３１〜３４が設定され、これら各領域３１〜３５が互いに異なる方向に揃えて前記磁性体４を配向する。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い半導体装置を作製する。
【解決手段】回路配線基板２０と半導体パッケージ１０とを実装させた半導体装置１において、回路配線基板２０の表面にパターニングされた電極２１と、半導体パッケージ１０に電極端子としてアレイ状に形成された半田１１とが中間層３０を介して電気的に接続されていることを特徴とする。中間層３０は、加熱処理によって電極２１の上に成長させた層であり、半田１１の主たる成分及び電極２１の主たる成分を共に含有している。これにより、半田１１にかかる応力が緩和され、オープン不良が抑止された、信頼性の高い半導体装置１の実現が可能になる。 （もっと読む）

【課題】半導体素子を搭載する配線基板において、絶縁基板の上面に配設された複数の短冊状の半導体素子接続パッドの幅を部分的に広げることなく短冊状の半導体素子接続パッドの上面に半田バンプを形成することにより、半導体素子接続パッドのファインピッチを実現する配線基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁基板１の上面に短冊状の半導体素子接続パッド４を有するとともに半導体素子接続パッド４上に半田を溶融および凝集させて半田バンプ５を形成して成る配線基板１０であって、半導体素子接続パッド４は、半田バンプ５が形成された位置の上面に凹部４ａが形成されているとともに、凹部４ａを中心に凝集させた半田により半田バンプ５が形成されている。 （もっと読む）

【課題】 フラックス洗浄工程が不要で生産性に優れ、かつ半導体ウエハの裏面を研削した際の反りを低減することが可能な半導体装置の製造方法およびその製造方法で製造された半導体装置を提供すること。
【解決手段】 上記課題は、第１の接続電極が設けられた回路面を有する半導体ウエハの回路面にフラックス機能を有する樹脂組成物層およびバックグラインドテープをこの順に形成する第１の工程と、前記半導体ウエハの回路面とは反対側の面を研削する第２の工程と、前記半導体ウエハの回路面とは反対側の面にダイシングテープを積層する第３の工程と、前記バックグラインドテープを剥離する第４の工程と、前記フラックス機能を有する樹脂組成物層および半導体ウエハを個片化することにより前記フラックス機能を有する樹脂組成物層付き半導体チップを得る第５の工程と、さらに２つの工程を有する半導体装置の製造方法とすることにより解決することができる。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、集積回路素子の電極パッドと、金バンプと半田で形成されたボールとの接合強度の低下のない電子装置を提供することを課題とする。
【解決手段】
本発明の電子装置は、集積回路素子と、集積回路素子の回路の形成された面の電極パッド上に固着される金バンプと、金バンプを包む半田と、集積回路素子の電極パッドが金バンプと半田を介して接合される素子搭載部材と、素子搭載部材に配置された集積回路素子搭載用パターンとを備え、半田の体積に対する金バンプの体積比率を１２パーセント以上１６パーセント以下とした。 （もっと読む）

【課題】保存安定性及び低温速硬化性に優れ、硬化物は室温で強靭でかつリペア性、リワーク性を有するアンダーフィル材として有用で、小型電子機器の耐落下性を向上させる半導体装置用封止剤を提供する。
【解決手段】（Ａ）１分子中にエポキシ基を２個以上有する液状エポキシ樹脂 １００質量部、
（Ｂ）アルケニル基含有液状フェノール樹脂、
（Ｃ）マイクロカプセル化硬化促進剤 有効成分として１．５〜５０質量部、
（Ｄ）１分子中にエポキシ基を１個有するエポキシ化合物からなる反応性希釈剤、及び
（Ｅ）無機充填材 ０質量部以上、１００質量部未満
を含有してなり、
［本組成物中に全エポキシ基／（Ｂ）成分中のフェノール性水酸基］のモル比が１．３〜３．０である、
無溶剤型組成物からなる、基板と該基板上に搭載された素子とを有する半導体装置の実装用封止材。 （もっと読む）

【課題】CSP,BGA等のようなはんだバンプを有するLSIパッケージをプリント基板に実装する際、LSIパッケージが熱により反り返っても、良好なはんだ接続部を形成する。
【解決手段】LSIパッケージ1のパッド4には、コア部31及びコーティング部32からなるコア入りはんだバンプ3が配置されている。コア部31及びコーティング部32は組成の異なるはんだ合金から構成され、コーティング部32の方が融点が低くなっている。従って、熱処理を開始すると、先ず、LSIパッケージ1の反り返りが小さな段階で、コーティング部32が溶融し、コア部31及びはんだペースト7に濡れた状態となる。その後、温度が上昇して反り返りが大きくなっても、コア部31とはんだペースト７とは、溶融したコーティング部32によって接続された状態が保たれる。従って、コア部31，はんだペースト7の溶融温度となると、それらが１つに凝集し、良好なはんだ接続部が形成される。 （もっと読む）

【課題】半導体装置とその製造方法において、回路基板の反りを矯正すること。
【解決手段】一方の主面１ａに第１の電極２を備えた回路基板１と、主面１ａに対向して設けられ、第１の端子５を介して第１の電極２に接続された半導体素子６と、主面１ａと半導体素子６との間に充填され、半導体素子６の外周側面６ａを覆う封止樹脂２３とを有し、封止樹脂２３の外周側面２３ｘが、回路基板１の主面１ａに対して垂直である半導体装置による。 （もっと読む）

【課題】製造効率を向上させ、製造コストを下げることができる縁切位置決め型ワイヤボンディング構造及びリードピンの変位防止方法を提供する。
【解決手段】縁切位置決め型ワイヤボンディング構造は、回路基板５上に複数のボンディングパッド３が設けられている。ボンディングパッド３は、複数のリードピン１１を有する表面実装技術の電子部品１を接合し、リードピン１１より大きく、回路基板５の配列方向４上に位置する。少なくとも２つのボンディングパッド３には、リードピン１１の外側領域に対応した箇所に位置し、リードピン１１の周縁部を位置合わせし、変位することを防ぐために、少なくとも２つの縁切３１がそれぞれ設けられている。 （もっと読む）

【課題】
パワーモジュールなどの半導体装置に使用される鉛フリーの接続材料において、常用する温度領域よりも高温に晒された場合に応力緩衝機能が劣化する場合があった。
【解決手段】
最表層を含む領域をZn系層とし、その内部に複数の浮島状のAl系相３を有する接続材料とし、その接続材料によって二つの部材１，２を接続することで、Al酸化物による濡れ性低下と耐熱性低下を抑制し、Al系相３により接続時の応力緩衝を行うとともに、使用時にAl系相３の硬化してもZn-Al合金層４で柔軟性を確保して接続材料の応力緩衝機能の低下を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】半導体パッケージの実装抵抗を低減する。
【解決手段】第１の金属部材（リード端子５，６）が、第１の貴金属を含む第１の金属体（Ａｕバンプ８）を介して、半導体素子（半導体チップ１）の第１の電極（ソース電極２）と接続され、かつ、第２の金属部材（ダイ端子７）が、第２の貴金属を含む第２の金属体（貴金属メッキ１４及びＡｇメッキ１５）を介して、第２の電極（裏面電極４）と接続される。裏面電極に接続される金属部材を有し、配線基板との半導体装置の実装面が回路形成面側であり、金属部材が折り曲げ加工されている。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置を回路基板に実装する電子装置の製造において環境負荷を軽減するとともに、電子装置の耐衝撃性及び接続信頼性を確保する。
【解決手段】 電子装置の製造方法は、回路基板１１０上に加熱により発泡する第１の樹脂部１４１’を形成する工程と、第１の樹脂部の上方に第２の樹脂部１４２’を形成する工程と、第２の樹脂部の上方に、接合材１３２を備える半導体装置１２０を配置する工程とを有する。この製造方法は更に、接合材１３２と回路基板１１０とを接合し、回路基板１１０と半導体装置１２０とを電気的に接続する端子１３０を形成する工程を有する。端子１３０を形成する工程における加熱により、気泡１４１ｂを内包した第１の樹脂部１４１が形成されるとともに、第１の樹脂部の膨張に伴う第２の樹脂部１４２’の移動により、端子１３０の周囲を覆う第２の樹脂部１４２が形成される。 （もっと読む）

【課題】パッケージ、該パッケージに結合された該マス、前記マスをパッケージに取り付ける１つまたは複数の弾性カップリングを含む装置を提供する。
【解決手段】マスをパッケージに結合する方法であって、１箇所またはそれより多い異なる数箇所でマスをパッケージに弾性的に取り付けることを含む方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】半導体素子を作製する方法を提供する。
【解決手段】半導体ダイの表面上に形成された複数のバンプを有する、半導体ダイを提供するステップと、基板を提供するステップと、露出側壁を有し、ＳＲＯ＋２＊ＳＲＲ−２Ｘによって定義される設計規則に従ってサイズ決定される相互接続部位を伴って、前記基板上に複数の伝導性トレースを形成するステップであって、式中、ＳＲＯは、前記相互接続部位上の開口部であり、ＳＲＲは、製造工程のための位置合わせであり、Ｘは、接触パッドの前記露出側壁の厚さの関数である、ステップと、前記バンプが前記相互接続部位の頂面および側面を覆うように、前記バンプを前記相互接続部位に接着するステップと、前記半導体ダイと基板との間で前記バンプの周囲に封入材を堆積させるステップとを含む、半導体素子を作製する方法。 （もっと読む）

【課題】複数の金属ボール端子を備えた半導体パッケージをリフロー法により配線基板に実装する際に、金属ボール端子の溶融状態を正確に把握する。
【解決手段】複数の金属ボール端子のうち四隅の金属ボール端子１５Ａ〜１５Ｄはその他の金属ボール端子１４よりも相対的に径が小さい導通検出用の金属ボール端子であり、導通検出用の金属ボール端子１５Ａ〜１５Ｄの径が式（Ｘ）を充足し、互いに対角にある２個の導通検出用の金属ボール端子１５Ａと１５Ｃ、１５Ｂと１５Ｄが配線１６を介して接続されている。
ｄ２≧ｄ１−ｘ・・・（Ｘ）
（上記式中、ｄ１は導通検出用ではない金属ボール端子の径、ｄ２は導通検出用の金属ボール端子の径、ｘは配線基板上に半導体パッケージを載置した時点に対する金属ボール端子の溶融後の半導体パッケージの沈み込み量を各々示す。） （もっと読む）

【課題】基板の一面上に搭載された電子部品を封止樹脂で封止してなる電子装置を製造するにあたって、電子部品の搭載と、封止樹脂による電子部品および電子部品と基板電極との接続部封止とを一括して行えるようにする。
【解決手段】Ｂステージ状態の熱硬化性樹脂よりなる樹脂シート１１０の内部に電子部品３０〜３４を埋め込むとともに、電子部品３０〜３４の接続面を樹脂シート１１０の一方の板面１１１にて露出させてなるシート部材１００と、基板１０とを用意し、電子部品３０〜３４の接続面と、これに接続される基板電極２０とを位置合わせし、シート部材１００を基板１０側へ押し付けることにより、電子部品３０〜３４の接続面と基板電極２０とを電気的に接続するとともに、、当該接続面と基板電極２０との接続部を樹脂シート１１０で封止し、その後、樹脂シート１１０を完全に硬化させる。 （もっと読む）

【課題】積層する基板の電極端子同士の間での接合不良を防止できる３次元集積化技術を提供する。
【解決手段】基板１上にトランジスタ６と多層配線２、絶縁膜３を形成する。絶縁膜３に配線が露出するように開口部４を形成する。開口部内を含む絶縁膜上に、銅などからなる複数の導電体微粒子５を含む有機溶剤を回転塗布する。第１の熱処理により溶剤と有機成分を除去した後、ＣＭＰ法で外側部分の導電体微粒子を除去する。開口部内に導電体微粒子から構成された電極端子９が形成される。第２の基板５１の貫通電極５２を開口部に合わせ、加圧して押し合わせる。第１の熱処理より高温の第２の熱処理を行い、導電体微粒子を部分的に溶融させ、貫通電極と接合する。 （もっと読む）