【課題】
半導体素子の電極と半導体素子接続パッドとの接続を良好に保ち、半導体素子との電気的接続信頼性が高い配線基板を提供することを課題とする。
【解決手段】
絶縁基板１と、絶縁基板１の表面に形成された配線導体層２と、絶縁基板１および配線導体層２の上に形成されており、配線導体層２の一部を半導体素子接続パッド３として露出させる開口部４ａを有するとともに半導体素子接続パッド３周辺の配線導体層２を被覆するソルダーレジスト層４と、半導体素子接続パッド３表面を覆うめっき金属層６とを備えた配線基板１０であって、めっき金属層６は、半導体素子接続パッド３の外周部から開口部４ａの側壁の途中まで延在する突起部６ａを開口部４ａの側壁に密着して有している。 （もっと読む）

【課題】加熱時に電子部品に反りが発生した場合でも、電子部品の電極をプリント基板の電極に確実に接合することができる電子部品の実装方法、電子部品の製造方法および電子部品、電子部品の製造装置を提供する。
【解決手段】電子部品１は、電子部品１を形成する複数の電極３ａ〜３ｅが格子状に配列された基板本体２を備え、複数の電極３ａ〜３ｅのうち、基板本体２の反りが大きくなる外側の位置には、所定の高さを有する電極３ａ及び電極３ｅを有し、基板本体２の反りが小さくなる中央の位置には、加圧ヘッド４による加圧により外側の電極３ａ、３ｅよりも半田ボールの高さが低く潰された電極３ｂ、３ｃ、３ｄを有する。 （もっと読む）

【課題】半導体パッケージを配線基板にフリップチップ接合した半導体装置において、接合部での電極間短絡と応力集中を防止し、リワークが容易な構成とする半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体パッケージ１１を配線基板２１にフリップチップ接合した半導体装置１において、半導体パッケージと配線基板を接合する突起電極３０を有し、突起電極は、はんだ電極３２と、はんだ電極を被覆する熱収縮モールド３１を含む。 （もっと読む）

【課題】この発明は電子部品を吸着保持するための吸引孔を超音波振動するホーンに腹の部分に容易に形成できるようにした超音波実装ツールを提供することにある。
【解決手段】ホーン２２の一端に設けられホーンを所定方向に振動させる振動子２３と、ホーンの振動の振幅が最大となる部分に設けられ下面に半導体チップＣを吸着保持する吸引孔３１の先端部が開口したツール部２５を具備し、吸引孔は、ホーンの振動方向と交差する上下方向に沿って真直ぐに貫通して形成されている。 （もっと読む）

【課題】ＳＭＴ方式により実装構造体を作製する際、フラックスの熱ダレによるはんだ流動を抑え、はんだボールの発生を抑制する。
【解決手段】実装構造体１８は、絶縁基板１０上の基板電極１１に設けた電極切欠部１２と、基板電極１１と接合する電子部品電極１６を備えた電子部品１５からなる。電極切欠部１２の位置は、接合のため載置された電子部品１５の電子部品電極１６と基板電極１１とが重なる領域内の、電子部品１５の長手軸Ａ−Ａ’上の端点１２ａと、長手軸Ａ−Ａ’上で電子部品１５の外側方向に電子部品電極１６と重なる領域外の基板電極１１境界上の端点１２ｂとの間である。電極切欠部１２の端点１２ｂ側は基板電極１１を貫通するように設けている。この電極切欠部１２により、接合する際、電子部品１０４下部の空間Ｓへのフラックスの流動を抑制して、はんだの電子部品１０４下部への流動を防止できはんだボールの発生を抑制する。 （もっと読む）

【課題】簡単な製造方法でハンダを用いた接合部の強度を高める。
【解決手段】半導体装置４１は、実装基板１の上に電極パッド５を有し、電極パッド５の表面には触媒層１０を形成した後に、カーボンナノチューブ１５を成長させている。カーボンナノチューブ１５は、実装基板１に垂直に多数形成されている。実装基板１に実装される半導体素子３１は、基板３２の他方の面３２Ａに形成された電極パッド３５にハンダボール３６が形成されている。ハンダボール３６は、カーボンナノチューブ１５が食い込むように実装基板１の電極パッド５に接合される。 （もっと読む）

【課題】複雑な形状の異形パッドを対象とする場合にあっても、目合わせ処理を十分な精度で行うことができるボンディング装置およびボンディング方法を提供することを目的とする。
【解決手段】チップを基板５に形成されたパッド１０にボンディングするボンディング処理において、対象となるパッド１０が目視による位置合わせが困難な矩形以外の輪郭形状を有する異形パッドである場合には、認識処理部による自動認識処理が不調のときに実行される目合わせ処理において、認識画像５ａと重ね合わせた状態でこの認識画像５ａの視認を妨げない特性を有するレファレンスパターン５＊を使用し、基板保持部４上の基板５を手動操作で移動させながら、表示画面２５ａ上でパッド画像１０ａとパッドパターン１０＊とのパターンマッチングを目視により行い、パッド１０の基準位置を検出する。 （もっと読む）

【課題】 Ｐｂを含まないＢｉ系はんだ合金により電子部品と基板を接合する際に、電子部品又は基板の最上層であるＮｉ含有層のＮｉとＢｉ系はんだ合金のＢｉとの反応を抑制し、確実な接合が可能な電子部品及び基板を提供する。
【解決の手段】 Ｐｂを含まずＢｉを８０質量％以上含有するＢｉ系はんだ合金を用いて接合する電子部品又は基板において、その電子部品又は基板の最上層であるＮｉ含有層の上に、厚さ０.０５〜８.００μｍのＺｎメタライズ層若しくは厚さ０.０５〜３.００μｍのＳｎメタライズ層を形成する。好ましくは、Ｚｎメタライズ層若しくはＳｎメタライズ層の上に、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕから選ばれる厚さ０.０５〜１.００μｍの第２のメタライズ層を成形する。 （もっと読む）

【課題】環境負荷が小さく低コストで、１５０℃以上の高温下で長時間使用しても接続信頼性を維持できる電子装置の製造方法を提供する。
【解決手段】電子装置のはんだ接続部１において、基板５の電極となるＣｕ層上にＮｉめっき層３が形成され、はんだボールを構成し、かつ室温から２００℃においてＣｕ６Ｓｎ５相を含有するＳｎ系はんだ８との間に化合物層２を有する。化合物層２はＣｕ６Ｓｎ５相がＮｉめっき上に析出あるいは移動してバリア層を形成し、界面反応を抑制する。 （もっと読む）

【課題】被着体上にフリップチップ接続された半導体素子に反りが発生するのを抑制又は防止することが可能なフリップチップ型半導体裏面用フィルム、及びダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルムを提供する。
【解決手段】被着体上にフリップチップ接続された半導体素子の裏面に形成するためのフリップチップ型半導体裏面用フィルムであって、熱硬化前のフリップチップ型半導体裏面用フィルムの全体積に対する、熱硬化による収縮量が２体積％以上３０体積％以下であるフリップチップ型半導体裏面用フィルム。 （もっと読む）

【課題】工程の簡略化を達成可能なボンディング方法を提供する。
【解決手段】表面に複数のバンプ２を有するデバイスＤをリードフレーム２８にボンディングするボンディング方法であって、表面に複数のバンプを有するデバイスが複数形成された半導体ウエーハの裏面に粘着シートＴを貼着するステップと、粘着シートが貼着された半導体ウエーハを個々のデバイスへと分割して、粘着シート上に複数のデバイスが配設された形態にするステップと、粘着シート上に配設されたデバイスのバンプと、リードフレームのバンプに対応する電極３０とを対面させて、粘着シート側からバンプを電極に押し付けるとともに外的刺激を付与することで、リードフレームにデバイスのバンプを接続させるステップと、を具備したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】弾力性を有するバンプを安価に効率よく形成することにより、バンプを用いた実装に際して、あるいは製品としての使用に際して負荷される熱応力を軽減することができ、しかも狭ピッチ化に対応することができるバンプ形成方法、及び、そのバンプを使用することで信頼性に優れたフリップチップ実装が容易にできる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基材の金属電極上にノズルから液滴を吐出してバンプを形成するバンプ形成方法であって、樹脂を含む第１の液滴をノズルから吐出して、前記金属電極の一部に樹脂突起部を設ける工程と、分散剤と金属ナノ粒子とを含む第２の液滴をノズルから吐出して、前記金属電極の残部と前記樹脂突起部とを前記金属ナノ粒子で覆う工程と、を含むことを特徴とするバンプ形成方法である。 （もっと読む）

【課題】パッシベーション膜に形成された開口部から露出するボンディングパッドの表面に導電性部材を接続する半導体装置において、パッシベーション膜に発生するクラックを抑制することができる技術を提供する。
【解決手段】電極層ＥＬの一端とパッドＰＡＤの一端との間の平面的な距離（Ｌ２）を、電極層ＥＬの一端と開口部ＯＰの一端との間の平面的な距離（Ｌ１）よりも大きくする。これにより、ワイヤＷの接続位置が電極層ＥＬの端部側にずれる場合であっても、電極層ＥＬの一端とパッドＰＡＤの一端との間の平面的な距離（Ｌ２）が大きくなっているため、電極層ＥＬの段差部にワイヤＷが接続することに起因した応力がパッドＰＡＤの端部にまで伝わることを抑制できる。 （もっと読む）

【課題】はんだ疲労寿命の向上を実現し、低コストで信頼性の高いＬＥＤパッケージ実装構造体を提供する。
【解決手段】ＬＥＤパッケージ１０は、回路基板２０との実装面に対して垂直な方向に発光面１１を持ち、パッケージの側面あるいは側面と底面に接続用端子部１２１、１２２、１３１，１３２を備え、該接続用端子部を介して回路基板とはんだ接続される。さらに、ＬＥＤパッケージ中心側におけるＬＥＤパッケージ本体底面の電極端と回路基板の部品搭載用パッド端の相対位置関係を規定することによりはんだの形状を適正化する。 （もっと読む）

【課題】半田バンプのオープン不良を防止することができる半導体装置の製造方法を得る。
【解決手段】配線基板上に配線を形成し、配線基板上をソルダレジストで覆い、配線を露出させるようにソルダレジストに開口を形成する。配線基板の配線と半導体チップの電極とを半田バンプを介して接続させることで、配線基板上に半導体チップをフリップチップ接続させる。半田バンプの半田の量を、ソルダレジストの開口の角と電極に内接する球の体積よりも小さくする。 （もっと読む）

【課題】リペア性を確保しつつ電子部品をプリント配線板に実装するとき、プリント配線板への接合の補強を十分に行なう作製方法を提供する。
【解決手段】プリント配線板ユニットは、プリント配線板と、前記プリント配線板の所定位置にはんだ接合により電気的に接続され、かつ、接着層により前記プリント配線板と接合された電子部品と、を有する。前記プリント配線板と前記電子部品との間の接着層の一部の領域が、第１補強用樹脂層３０を前記プリント配線の側に、前記第１補強用樹脂層３０に比べて接着強度が高い第２補強用樹脂層３２を前記電子部品の側に備える多層積層領域３４である。 （もっと読む）

【課題】半田の接合前の形状に影響されずに半田接合を良好にするための電子デバイスを提供する。
【解決手段】第１の素子１と、第１の素子１の上に形成されて少なくとも露出面が絶縁材から形成される柱状突起５と、柱状突起５の周囲に形成される複数の第１電極３とを有し、柱状突起５は、第１の素子１に対向して配置される第２の素子１１の上に形成された複数の突起電極１４の間に嵌め込まれ、第１電極３と突起電極１４は半田層４、１５を介して接続される。 （もっと読む）

【課題】挟ピッチかつ高い接続信頼性を確保した簡易な構造の半導体装置、および製造方法を提供する。
【解決手段】半導体素子１の電極端子１ｂ上に突起状電極１ａを形成する。突起状電極１ａよりも大きくし、位置を合わせた転写用の金型４に、粘着層５を供給し半田粒子３を付与する。金型４と半導体素子１の対向する位置を合わせ、加熱・加圧して半田粒子３を突起状電極１ａ上に付与、金型４を引き剥がして半導体素子１を個片化する。半導体素子１の突起状電極１ａに対向して回路基板２の電極端子２ａの位置を合わせて、加熱、荷重し半導体素子１を回路基板２上へ搭載する。半導体素子１の端部の回路基板２との距離が最も大きな電極同士でも、微細半田が鼓状に伸びて接合し平行度の悪化を吸収する。端部電極の熱応力集中を微小半田接合体（半田接合部３ｃ）が受けて、電極直下の脆弱な絶縁膜の熱応力を低減して剥離や亀裂を防ぎ、高い接続信頼性を確保する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置において、各バンプの先端位置、即ち、各バンプの突出量がばらついていても、実装基板に接合した場合に、全てのバンプにおいて十分な接合強度が得られるようにする。
【解決手段】半導体装置を、半導体素子３と、半導体素子３の表面側に位置し、半導体素子３の裏面３Ａとの間の距離が第１の距離である第１バンプ形成面４（４Ｅ）上に形成された第１バンプ１（１Ｅ）と、半導体素子３の表面側に位置し、半導体素子３の裏面３Ａとの間の距離が第１の距離よりも長い第２の距離である第２バンプ形成面４（４Ａ）上に形成され、第１バンプ１（１Ｅ）よりも径が大きい第２バンプ１（１Ａ）とを備えるものとする。 （もっと読む）

【課題】着用した際の異物感を最小限に抑えると共に、生産性が向上した布製半導体素子のパッケージ、その布製半導体素子のパッケージの製造方法を提供する。
【解決手段】布製半導体素子のパッケージは、織布と、前記織布上に導電材をパターニングして形成された第１リード部と、を有する布製印刷回路基板と、前記布製印刷回路基板のリード部に接続された電極部を有する半導体素子と、前記布製印刷回路基板と、前記半導体素子とを密封する成形部（molding）と、を含む。前記第１リード部は、前記第１リード部の端部において別の布製半導体素子と電気的に接続された導電性繊維によって前記織布とともに縫合されることにより、あるいは、前記第１リード部は、前記第１リード部の端部において別の布製半導体素子と電気的に接続された布製印刷回路基板の第２リード部と前記織布と共に縫合されることにより、前記別の布製半導体素子と電気的に接続されている。 （もっと読む）