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Fターム[5F044LL05]の内容

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Fターム[5F044LL05]に分類される特許

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【課題】ボイドの発生を抑制し、かつ、半導体チップ上面への這い上がりを生じにくい電子部品用接着剤を提供する。また、該電子部品用接着剤を用いた半導体チップ実装体の製造方法を提供する。
【解決手段】硬化性化合物と、硬化剤と、無機充填剤とを含有する電子部品用接着剤であって、25℃でE型粘度計を用いて測定した5rpmでの粘度をA1(Pa・s)、0.5rpmでの粘度をA2(Pa・s)としたとき、A1とA2/A1とが図1の実線及び破線で囲まれた範囲内(ただし、実線上は含むが破線上は含まない)であり、前記硬化性化合物100重量部に対して、前記硬化剤の配合量が5〜150重量部、前記無機充填剤の配合量が60〜400重量部である電子部品用接着剤。 (もっと読む)


【課題】ボイドを抑制して高い信頼性を実現することのできる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半田からなる先端部を有する突起電極が形成された半導体チップを、接合材を介して基板上に位置合わせする位置合わせ工程と、半田溶融点よりも低い温度で加熱して、前記半導体チップの突起電極と前記基板の電極部とを接触させ、かつ、前記接合材を完全には硬化させない接触工程と、完全には硬化していない前記接合材を、加圧雰囲気下で加熱してボイドを除去するボイド除去工程と、半田溶融点以上の温度で加熱して、前記半導体チップの突起電極と前記基板の電極部とを溶融接合させる電極接合工程とを有する半導体装置の製造方法。 (もっと読む)


【課題】ボイドを抑制して信頼性の高い半導体装置を製造することのできるフリップチップボンダー用アタッチメント及びステージを提供する。また、該フリップチップボンダー用アタッチメントによって半導体チップを対向基板に接合させる方法、及び、該フリップチップボンダー用アタッチメントを備えたアタッチメント−ヒーター複合体及びフリップチップボンダーを提供する。
【解決手段】突起状電極を有する半導体チップを保持して、前記半導体チップに熱及び圧力を伝え、封止樹脂を介して前記半導体チップを対向基板に接合させるためのフリップチップボンダーに用いられるアタッチメントであって、前記半導体チップから投影される部分の周辺部よりも内部のほうが、熱伝導率が低いフリップチップボンダー用アタッチメント。 (もっと読む)


【課題】Sn-Sb系はんだ合金を用いた半導体装置であって、ヒートサイクル時の耐クラック性をより向上した半導体装置とその製造方法を提供する。
【解決手段】はんだ合金により導電性部材間を接合してなる半導体装置において、前記はんだ合金は、主成分としてSnおよびSbを含有するものとし、前記SnとSbとから生成される金属間化合物の粒径サイズを20μm以上とする。半導体装置の製造方法としては、はんだ合金による接合時に、はんだ合金を溶融した後の冷却速度、即ち、はんだ合金の液相線から固相線を通過する冷却勾配(℃/sec)を、2.5〜0.1とする。 (もっと読む)


【課題】接合作業や、リワーク作業に伴って発生する熱の影響を低減する。
【解決手段】回路基板1上の電極パッド3に接合材料10を塗布によって形成する。接合材料は、電磁波吸収体11と、温度制御体12と、溶融金属13と、活性成分14とが含まれている。バンプ22を電極パッド3に接合するときは、電磁波を照射する。接合材料10中の電磁波吸収体11が発熱することで溶融金属13とバンプ22の下部を溶融させる。これによって、電極パッド3にバンプ22が接合される。接合材料10は温度制御体12が含まれているので、過剰な温度上昇が抑えられ、電極パッド3以外の領域の回路基板1の温度上昇が低くなる。 (もっと読む)


【課題】薄型化,狭ピッチ端子化された半導体素子であっても、生産性を維持しながら、はんだ接合の際の反りを抑制することを目的とする。
【解決手段】半導体素子を搭載する毎に加圧状態で加熱して仮接合を行い、全ての半導体素子を仮接合した後、一括して加圧状態で加熱して本接合を行うことにより、薄型化,狭ピッチ端子化された半導体素子であっても、生産性を維持しながら、はんだ接合の際の反りを抑制して積層することができる。 (もっと読む)


【課題】バンプと電極端子との間に間隙が発生することを抑制しながら、バンプ接合の際の反りを抑制することを目的とする。
【解決手段】還元ガス21を照射しながら加圧,加熱してバンプ接合して、基板2の表面に複数の半導体素子を並べて実装する際に、加圧に用いるおもり22を分割することにより、還元ガス21の流入経路を確保することができ、バンプ4と電極端子との間に間隙が発生することを抑制しながら、バンプ接合の際の反りを抑制することができる。 (もっと読む)


【課題】半導体デバイスにおけるチップの熱劣化を防止するとともに、製造効率の低下を防止することができるチップの三次元実装方法を提供する。
【解決手段】チップ積層装置20のステージ17上において下のチップ11に上のチップ11を積層する際、下のチップ11の上側表面における各配線13の端部と上のチップ11の下側表面に配された各電極パッド14とを対向させ、且つ両チップ11の間に加熱によって消失する還元剤を含む粘着剤15を介在させて両チップ11同士を粘着させ、積層された複数のチップ11をチップ加熱装置24のステージ22上へ移動させた後、積層された複数のチップ11を加熱して粘着剤15を消失させ、さらに加熱を継続して対向する各配線13の端部と各電極パッド14とを接合させる。 (もっと読む)


【課題】表裏両面に電極を備えた半導体素子が実装される回路基板および半導体モジュールの製造効率の向上。
【解決手段】半導体モジュールは、放熱器と、配線パターンが形成され、表裏両面に電極を有する配線基板と、配線基板の所定面側に配置された半導体素子と、配線基板の所定面上に配置され、半導体素子と配線パターンとを接続するための配線部および配線部を除く他の部分において半導体素子と配線基板との間を絶縁する絶縁接合部を有する接合部と、前記半導体素子の所定面側に配置された電極配線と、前記放熱器に接着されることなく載置された絶縁層と、を備える。接合部は、第1の接合開始温度を有する第1接合層と、第1の接合開始温度とは異なる第2の接合開始温度を有する第2接合層とを有する。 (もっと読む)


【課題】はんだバンプ表面の酸化膜を良好に除去しつつ、半導体素子の反り等を防止し、はんだバンプの接続性向上を可能にした半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、第1の半導体チップ2と第2の半導体チップ5との間の隙間をスペーサ突起4により保持しつつ、第2の半導体チップ5のはんだバンプ3と第1の半導体チップ2の金属電極1とを仮固定する。次いで、仮固定された積層体を、荷重を負荷しながらギ酸等のカルボン酸ガス雰囲気で加熱し、はんだバンプ3表面の酸化膜を還元・除去しつつはんだバンプ3の接合を行う。 (もっと読む)


【課題】熱処理が施されるワークに対して温度制御を適切に行うことのできる技術を提供する。
【解決手段】上クランパ部27、下クランパ部28でクランプされたワークWに対する温度を制御する。まず、クランプ面27a側から順に冷却部32、加熱部33が設けられた上クランパ部27と、下クランパ部28とでワークWをクランプする。次いで、冷却部32および加熱部33を有する温度制御機構61によって加熱し続ける。ここで、温度制御機構61では、加熱部33をオン動作させながら、冷却部32のオン動作およびオフ動作を繰り返す。 (もっと読む)


【課題】半導体装置の信頼性を向上させる。
【解決手段】フリップチップ接続工程で、突起電極4の先端面に予め取り付けられた半田材と、端子(ボンディングリード)11上に予め塗布された半田材を加熱することで一体化させて電気的に接続する。ここで、端子11は、第1の幅W1を有する幅広部(第1部分)11wと、第2の幅W2を有する幅狭部(第2部分)11nを有する。半田材を加熱すると、幅狭部11n上に配置される半田材の厚さは、幅広部11wに配置される半田材の厚さよりも薄くなる。そして、フリップチップ接続工程では、幅狭部11n上に突起電極4を配置して、幅狭部11n上に接合する。これにより半田材のはみ出し量を低減できる。 (もっと読む)


【課題】 バンプ部分のボイドを十分に低減することができ、フリップチップ実装による半導体装置の製造における生産性を向上させることができる半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】 本発明の半導体装置の製造方法は、ハンダバンプが形成された機能面を有する半導体ウェハの機能面に、真空ラミネートによって、ラミネート温度におけるズリ粘度が6000Pa・s以下であるフィルム状接着剤を貼り合せて接着剤層付き半導体ウェハを得る工程と、接着剤層付き半導体ウェハの機能面とは反対側の面を研削して半導体ウェハを薄化する工程と、薄化した半導体ウェハを接着剤層とともに切断して複数の半導体素子に切り分けて接着剤層付き半導体素子を得る工程と、接着剤層付き半導体素子と、他の半導体素子又は半導体素子搭載用支持部材とを、接着剤層付き半導体素子の接着剤層を挟んで圧着する工程と、を備える。 (もっと読む)


【課題】 はんだ接合の品質を維持しながら、半導体パッケージ部品と基板を耐久性ある強度で連結する。
【解決手段】 半導体パッケージ部品3を基板1にマウントし、基板1と半導体パッケージ部品3の外周部と間に接着剤を塗布する際、第一塗布として接着剤6aを基板1上に塗布し、その上に第二塗布として接着剤6bを半導体パッケージ部品3の外周部と接着剤6aを結合するように塗布し、その後リフローしてハンダ溶融し、接着剤6a及び6bを硬化させた後、ハンダ接合を凝固させる場合、第一塗布の接着剤部60aの断面積S1と第二塗布の接着剤部60b断面積S2の関係が、S1≦S2を満たす。 (もっと読む)


【課題】ヒータ構成各部間に隙間が生じないようにする。
【解決手段】半導体チップと基板とを導電性ボンディング材を通じて接続するためのヒータにおいて、前記半導体チップを吸着する吸着エア用の第1流路と、前記導電性ボンディング材を溶着するための発熱体と、前記発熱体を挟み込む各部を接続する締付具と、前記発熱体によって加熱された導電性ボンディグ材を冷却する冷却エア用の第2流路とを備え、前記締付具は中空構造とされていて、当該中空部分が前記第1流路を構成しているヒータ。 (もっと読む)


【課題】接着層を介した部材同士の接続信頼性を向上する。
【解決手段】上型11は、上加熱加圧部17を有する。下型12は、上下動可能な下加熱加圧部17と、上下方向に延在する支持ピン24とを有する。上加熱加圧部16、17には、クランプ面16a、17aが形成されている。支持ピン24は、下加熱加圧部17が上動することで相対的にクランプ面17aから退避し、下動することで相対的にクランプ面17aから突出する。支持ピン24がクランプ面17aから突出した状態で、支持ピン24は、ワークWを支持する。支持ピン24がクランプ面17aから退避した状態で、下加熱加圧部17は、支持ピン24から受け取ったワークWをクランプ面17aで載置したままクランプ面16aに押し当ててクランプする。上加熱加圧部16および下加熱加圧部17は、ワークWをクランプしたまま加熱加圧する。 (もっと読む)


【課題】配線基板と、その表面にACFやNCFを介してフリップチップ実装された第1電子部品と、裏面にフリップチップ実装された第2電子部品とを含む接続構造体を一括でできる方法を提供する。
【解決手段】配線基板1の表面に、第1接着フィルム2を介して第1電子部品3を仮設置する工程;配線基板1の裏面に、第1接着フィルム2の硬化温度よりも低い硬化温度を有する第2接着フィルム4を介して第2電子部品5を仮設置する工程;第1電子部品3及び第2電子部品5が仮設置された配線基板1を、圧着受け台に載置する工程;及び第1電子部品3を、配線基板1に対して第1電子部品3側から加熱加圧ツールで押圧しながら加熱することにより、配線基板1の表面及び裏面に第1電子部品3及び第2電子部品5をそれぞれ一括で実装する工程を有する。 (もっと読む)


【課題】封止樹脂のかみこみを抑制しながら良好な電極接合を行い、信頼性の高い半導体チップ実装体を製造することのできる半導体チップ実装体の製造方法を提供する。また、該半導体チップ実装体の製造方法に用いられる封止樹脂を提供する。
【解決手段】封止樹脂を介して、半導体チップの突起状電極と、基板又は他の半導体チップの電極部とを位置合わせする工程と、前記突起状電極の溶融温度よりも低い温度で加熱しながら、前記半導体チップを押圧し、前記突起状電極と前記電極部とを接触させる工程と、前記突起状電極が溶融する温度で加熱しながら、前記突起状電極と前記電極部とが接触した位置よりも、前記基板又は他の半導体チップ側に0μmを超えて10μm以下まで近い位置に前記半導体チップを保持し、前記突起状電極と前記電極部とを接合する工程と、前記封止樹脂を硬化させる工程とを有し、前記封止樹脂は、溶融粘度計により測定した120℃における粘度が10〜10000Pa・sであり、前記突起状電極が溶融する温度で1〜30秒間加熱したときのゲル分率が30%以上90%未満である半導体チップ実装体の製造方法。 (もっと読む)


【課題】加熱したチップの温度低下を抑制して温度バラツキを最小限に抑えることにより、接合不良なくチップを基板に実装することができるチップ加熱ヘッドを提供する。
【解決手段】チップ加熱ヒータ部5を、チップ7を加熱する熱源となるヒータ本体10と、ヒータ本体10により加熱されて真空吸着等でチップ7を把持するコレット11とから構成する。ヒータ本体10からチップ7への伝熱方向において、チップ7のチップ中央部とチップ外周部とでコレット11とチップ7との接触密度が異なるように構成されている。具体的には、チップ7の中央部にコレット11がチップ7と接触する接触部を設け、チップ7の外周部にコレット11がチップと接触しない非接触部を設ける。これによって、チップ7の温度分布を均一にして、半田未溶融やボイド残留などの接合不良を発生させることなく、チップ7を基板へ実装することができる。 (もっと読む)


【課題】半田バンプ同士の接続性を良好に保ちつつ、溶融後の半田バンプ内に発生するボイドを抑制した半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】第1の半田バンプ1を有する第1の基板2と第2の半田バンプ3を有する第2の基板4とを、半田バンプ1、3同士を仮固定しつつ積層した後に炉内に配置する。炉内に不活性ガスを導入した後、炉内の温度を半田バンプ1、3の溶融温度以上の温度域まで上昇させる。炉内の温度を半田バンプ1、3の溶融温度以上の温度域に維持しつつ、不活性ガスを排気して減圧雰囲気とした後、炉内にカルボン酸ガスを導入し、第1および第2の半田バンプ1、3の表面に存在する酸化膜を除去しつつ、溶融した第1の半田バンプ1と第2の半田バンプ3とを一体化して接合する。 (もっと読む)


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